JP2018504777A - 半導体構造上にエピタキシャルスムージング加工を実行するためのシステムおよび方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 202
- 238000009499 grossing Methods 0.000 title claims abstract description 151
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 308
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 129
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 133
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 133
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 133
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 79
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 31
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 22
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 22
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 18
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical group Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 10
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 183
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 124
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 22
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003070 Statistical process control Methods 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000013401 experimental design Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001307 helium Chemical group 0.000 description 2
- 229910052734 helium Chemical group 0.000 description 2
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012067 mathematical method Methods 0.000 description 1
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76256—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques using silicon etch back techniques, e.g. BESOI, ELTRAN
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
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- Plasma & Fusion (AREA)
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Description
Claims (38)
- ハンドルウエハと、シリコン層と、前記ハンドルウエハと前記シリコン層との間の誘電体層と、を含み、前記シリコン層が構造の外面を形成する劈開面を有する、シリコン・オン・インシュレータ構造を加工する方法であって、
前記シリコン・オン・インシュレータ構造の前記シリコン層についての所望の除去マッププロファイルを決定するステップと、
前記所望の除去マッププロファイルに基づいてエピタキシャルスムージング加工の中で使用するための加工パラメータセットを決定するステップと、
決定された加工パラメータセットを使用して前記劈開面上にエピタキシャルスムージング加工を実行することによって、前記除去マッププロファイルに従って前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップと、を含む方法。 - 前記シリコン層は、初期厚さプロファイルを有し、
所望の除去マッププロファイルを決定するステップは、前記シリコン層の前記初期厚さプロファイルを補完する除去マッププロファイルを決定するステップを含む請求項1に記載の方法。 - 前記エピタキシャルスムージング加工は、前記劈開面をガスエッチャントに接触させるステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記決定された加工パラメータセットは、ガスエッチャント流量を含み、
前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って前記ガスエッチャントの流量を制御するステップを含む請求項3に記載の方法。 - 前記決定された加工パラメータセットは、水素ガス流量を含み、
前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って水素ガスの流量を制御するステップを含む請求項4に記載の方法。 - 前記ガスエッチャントは、塩化水素である請求項3に記載の方法。
- 前記エピタキシャルスムージング加工は、ウエハ加工装置内の回転可能なサセプタ上に前記シリコン・オン・インシュレータ構造を配置するステップを含み、
前記決定された加工パラメータセットは、サセプタの回転速度を含み、
前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って前記サセプタの回転速度を制御するステップを含む請求項1に記載の方法。 - 前記決定された加工パラメータセットは、前記サセプタの回転軸に対する前記シリコン・オン・インシュレータ構造の位置を含み、
前記回転可能なサセプタ上に前記シリコン・オン・インシュレータ構造を配置するステップは、前記位置に前記シリコン・オン・インシュレータ構造を配置するステップを含む請求項7に記載の方法。 - 前記エピタキシャルスムージング加工は、複数のガス噴射流路を形成するガスマニホールドを含むウエハ加工装置内に前記シリコン・オン・インシュレータ構造を配置するステップを含み、
前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って前記ガス噴射流路のそれぞれを通る相対的なガス流量を制御するステップを含む請求項1に記載の方法。 - 加工パラメータセットを決定するステップは、前記所望の除去マッププロファイルに基づいて、それぞれの所定の加工パラメータセットが所定の除去マッププロファイルに関連付けられた複数の所定の加工パラメータセットから、加工パラメータセットを選択するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記シリコン・オン・インシュレータ構造の実際の除去マッププロファイルと、前記エピタキシャルスムージング加工中に使用される選択された加工パラメータセットに関連付けられた所定の除去マッププロファイルと、を比較して、前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の差を決定するステップと、
前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の差が閾値限界を超えた場合、前記エピタキシャルスムージング加工中に使用される前記選択された加工パラメータセットに関連付けられた前記所定の除去マッププロファイルを更新するステップと、を更に含む請求項10に記載の方法。 - 加工パラメータセットを決定するステップは、
前記エピタキシャルスムージング加工の第1部分についての第1加工パラメータセットを決定するステップと、
前記エピタキシャルスムージング加工の第2部分についての第2加工パラメータセットを決定するステップと、を含む請求項1に記載の方法。 - 前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップは、前記エピタキシャルスムージング加工の前記第1部分についての前記第1加工パラメータセットと、前記エピタキシャルスムージング加工の第2部分についての第2加工パラメータセットと、を使用して、前記劈開面上に前記エピタキシャルスムージング加工を実行するステップを含む請求項13に記載の方法。
- ハンドルウエハと、シリコン層と、前記ハンドルウエハと前記シリコン層との間の誘電体層と、を含み、前記シリコン層が構造の外面を形成する劈開面を有する、シリコン・オン・インシュレータ構造を加工するシステムであって、
前記シリコン層の厚さプロファイルを測定するように構成されたウエハ測定装置と、
ウエハ加工装置と、
厚さ測定装置に通信可能に接続された演算装置であって、
前記シリコン層の前記厚さプロファイルに基づいて、前記シリコン・オン・インシュレータ構造の前記シリコン層についての所望の除去マッププロファイルを決定し、
前記所望の除去マッププロファイルに基づいて、エピタキシャルスムージング加工の中で使用するための加工パラメータセットを決定する、
ように構成された演算装置と、を含み、
前記ウエハ加工装置は、決定された加工パラメータセットを使用して前記劈開面上にエピタキシャルスムージング加工を実行することによって、前記除去マッププロファイルに従って前記シリコン層から材料を選択的に除去するように構成されているシステム。 - 前記ウエハ加工装置は、ガスエッチャント源に流体連通して接続されたガス噴射口を含み、前記SOIウエハの前記劈開面を前記ガスエッチャントに接触させることによって前記エピタキシャルスムージング加工を実行するように構成されている請求項14に記載のシステム。
- 前記ガスエッチャントは、塩化水素である請求項15に記載のシステム。
- 前記決定された加工パラメータセットは、ガスエッチャント流量を含み、
前記ウエハ加工装置は、前記決定された加工パラメータセットに従って前記ガスエッチャントの流量を制御して、前記シリコン層から材料を選択的に除去するように構成されている請求項15に記載のシステム。 - 前記決定された加工パラメータセットは、水素ガス流量を含み、
前記ウエハ加工装置は、水素ガス源に流体的に接続され、前記決定された加工パラメータセットに従って前記水素ガスの流量を制御して、前記シリコン層から材料を選択的に除去するように構成されている請求項17に記載のシステム。 - 前記ウエハ加工装置は、回転可能なサセプタを含み、
前記決定された加工パラメータセットは、サセプタの回転速度を含み、
前記ウエハ加工装置は、前記決定された加工パラメータセットに従って前記サセプタの回転速度を制御するように構成されている請求項14に記載のシステム。 - 前記ウエハ加工装置は、複数のガス噴射流路を形成するガスマニホールドを含み、前記決定された加工パラメータセットに従って前記ガス噴射流路のそれぞれを通る相対的なガス流量を制御するように構成されている請求項14に記載のシステム。
- 前記演算装置に通信可能に接続された除去マッププロファイルライブラリを更に含むシステムであって、
前記除去マッププロファイルライブラリは、複数の所定の除去マッププロファイルと、複数の所定の加工パラメータセットと、を含み、
それぞれの所定の除去マッププロファイルは、前記所定の加工パラメータセットの1つに関連付けられている請求項14に記載のシステム。 - 前記演算装置は、前記所望の除去マッププロファイルに基づいて、前記複数の所定の加工パラメータセットから加工パラメータセットを選択するように構成されている請求項21に記載のシステム。
- 前記演算装置は、
前記シリコン・オン・インシュレータ構造の実際の除去マッププロファイルと、前記エピタキシャルスムージング加工中に使用される選択された加工パラメータセットに関連付けられた所定の除去マッププロファイルと、を比較して、前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の差を決定し、
前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の差が閾値限界を超えた場合、更新イベントを開始する、
ように構成されている請求項22に記載のシステム。 - 前記演算装置は、前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の前記差が前記閾値限界を超えたことを示す通知を出力することによって、更新イベントを開始するように構成されている請求項23に記載のシステム。
- 前記演算装置は、前記除去マッププロファイルライブラリの中に前記実際の除去マッププロファイルを記憶することによって、前記除去マッププロファイルライブラリを更新し、前記実際の除去マッププロファイルが選択された加工パラメータセットに関連付けられるように構成されている請求項23に記載のシステム。
- 前記演算装置は、
前記エピタキシャルスムージング加工の第1部分の間に使用するために、複数の所定の加工パラメータセットから第1加工パラメータセットを選択し、
前記エピタキシャルスムージング加工の第2部分の間に使用するために、複数の所定の加工パラメータセットから第2加工パラメータセットを選択する、
ように構成されている請求項21に記載のシステム。 - 前記ウエハ加工装置は、前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップは、前記エピタキシャルスムージング加工の前記第1部分についての前記第1加工パラメータセットと、前記エピタキシャルスムージング加工の第2部分についての第2加工パラメータセットと、を使用して、前記劈開面上に前記エピタキシャルスムージング加工を実行するように構成されている請求項26に記載のシステム。
- 外面を形成する半導体デバイス層を含む半導体構造を加工する方法であって、
前記半導体構造の前記デバイス層についての所望の除去マッププロファイルを決定するステップと、
前記所望の除去マッププロファイルに基づいてエピタキシャルスムージング加工の中で使用するための加工パラメータセットを決定するステップと、
決定された加工パラメータセットを使用して前記外面上にエピタキシャルスムージング加工を実行することによって、前記除去マッププロファイルに従って前記デバイス層から材料を選択的に除去するステップと、を含む方法。 - 前記デバイス層は、初期厚さプロファイルを有し、
所望の除去マッププロファイルを決定するステップは、前記デバイス層の前記初期厚さプロファイルを補完する除去マッププロファイルを決定するステップを含む請求項28に記載の方法。 - 前記エピタキシャルスムージング加工は、前記デバイス層の前記外面をガスエッチャントに接触させることを含む請求項28に記載の方法。
- 前記決定された加工パラメータセットは、ガスエッチャント流量を含み、
前記デバイス層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って前記ガスエッチャントの流量を制御するステップを含む請求項30に記載の方法。 - 前記エピタキシャルスムージング加工は、ウエハ加工装置内の回転可能なサセプタ上に前記半導体構造を配置するステップを含み、
前記決定された加工パラメータセットは、サセプタの回転速度を含み、
前記デバイス層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って前記サセプタの回転速度を制御するステップを含む請求項28に記載の方法。 - 前記決定された加工パラメータセットは、前記サセプタの回転軸に対する前記半導体構造の位置を含み、
前記回転可能なサセプタ上に前記半導体構造を配置するステップは、前記位置に前記半導体構造を配置するステップを含む請求項32に記載の方法。 - 前記エピタキシャルスムージング加工は、複数のガス噴射流路を形成するガスマニホールドを含むウエハ加工装置内に前記半導体構造を配置するステップを含み、
前記デバイス層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って前記ガス噴射流路のそれぞれを通る相対的なガス流量を制御するステップを含む請求項28に記載の方法。 - 加工パラメータセットを決定するステップは、前記所望の除去マッププロファイルに基づいて、それぞれの所定の加工パラメータセットが所定の除去マッププロファイルに関連付けられた複数の所定の加工パラメータセットから、加工パラメータセットを選択するステップを含む請求項28に記載の方法。
- 前記半導体構造の実際の除去マッププロファイルと、前記エピタキシャルスムージング加工中に使用される選択された加工パラメータセットに関連付けられた所定の除去マッププロファイルと、を比較して、前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の差を決定するステップと、
前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の差が閾値限界を超えた場合、前記エピタキシャルスムージング加工中に使用される前記選択された加工パラメータセットに関連付けられた前記所定の除去マッププロファイルを更新するステップと、を更に含む請求項35に記載の方法。 - 加工パラメータセットを決定するステップは、
前記エピタキシャルスムージング加工の第1部分についての第1加工パラメータセットを決定するステップと、
前記エピタキシャルスムージング加工の第2部分についての第2加工パラメータセットを決定するステップと、を含む請求項28に記載の方法。 - 前記デバイス層から材料を選択的に除去するステップは、前記エピタキシャルスムージング加工の前記第1部分についての前記第1加工パラメータセットと、前記エピタキシャルスムージング加工の第2部分についての第2加工パラメータセットと、を使用して、前記外面上に前記エピタキシャルスムージング加工を実行するステップを含む請求項37に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020072339A JP6977100B2 (ja) | 2014-12-19 | 2020-04-14 | 半導体構造上にエピタキシャルスムージング加工を実行するためのシステムおよび方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462094466P | 2014-12-19 | 2014-12-19 | |
US62/094,466 | 2014-12-19 | ||
PCT/US2015/066617 WO2016100792A1 (en) | 2014-12-19 | 2015-12-18 | Systems and methods for performing epitaxial smoothing processes on semiconductor structures |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020072339A Division JP6977100B2 (ja) | 2014-12-19 | 2020-04-14 | 半導体構造上にエピタキシャルスムージング加工を実行するためのシステムおよび方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018504777A true JP2018504777A (ja) | 2018-02-15 |
JP2018504777A5 JP2018504777A5 (ja) | 2019-01-24 |
JP6692357B2 JP6692357B2 (ja) | 2020-05-13 |
Family
ID=55077671
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017532623A Active JP6692357B2 (ja) | 2014-12-19 | 2015-12-18 | 半導体構造上にエピタキシャルスムージング加工を実行するためのシステムおよび方法 |
JP2020072339A Active JP6977100B2 (ja) | 2014-12-19 | 2020-04-14 | 半導体構造上にエピタキシャルスムージング加工を実行するためのシステムおよび方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020072339A Active JP6977100B2 (ja) | 2014-12-19 | 2020-04-14 | 半導体構造上にエピタキシャルスムージング加工を実行するためのシステムおよび方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10332781B2 (ja) |
EP (1) | EP3234987B1 (ja) |
JP (2) | JP6692357B2 (ja) |
CN (2) | CN112420509B (ja) |
WO (1) | WO2016100792A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020087991A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハのエッチング方法、エッチング装置及び不純物分析方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
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US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
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KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
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