JP2018182286A - 積層セラミックキャパシター及びその実装基板 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシターの斜視図を概略的に示したものであり、図2は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシターの本体の斜視図を概略的に示したものである。また、図3は図1のI−I'に沿った断面図を概略的に示したものであり、図4は図1のII−II'に沿った断面図を概略的に示したものである。
図11は、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシターの実装基板の斜視図を概略的に示したものである。
111 誘電層
121、122 内部電極
131、132 誘電体パターン
140 側面絶縁層
151、152 外部電極
Claims (33)
- 第1誘電層及び第2誘電層を含み、積層方向において互いに対向する第1面及び第2面、前記第1面及び前記第2面と互いに連結され、互いに対向する第3面及び第4面、前記第1面〜前記第4面と連結され、互いに対向する第5面及び第6面を有する本体と、
前記第1誘電層に配置されており、前記第3面、前記第5面及び前記第6面を介して露出し、前記第4面から第1空間だけ離隔して配置される第1内部電極と、
前記第2誘電層に前記第1誘電層または前記第2誘電層を挟んで前記第1内部電極と対向するように配置されており、前記第4面、前記第5面及び前記第6面を介して露出し、前記第3面から第2空間だけ離隔して配置される第2内部電極と、
前記第1空間の少なくとも一部に配置される第1誘電体パターンと、
前記第2空間の少なくとも一部に配置される第2誘電体パターンと、
前記本体の前記第5面及び前記第6面に配置される側面絶縁層と、を含む、積層セラミックキャパシター。 - 前記第1誘電体パターンは、前記第1空間から前記第1内部電極の端部を覆うように配置され、
前記第2誘電体パターンは、前記第2空間から前記第2内部電極の端部を覆うように配置される、請求項1に記載の積層セラミックキャパシター。 - 前記第3面に露出した部分の前記第1内部電極の前記第2面に対する角度を変形角としたときに、前記第1内部電極の前記変形角は15°以下である、請求項1または2に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記第1誘電体パターン及び前記第2誘電体パターンは低温焼成が可能な誘電体を含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記第1内部電極は、第1容量部と、前記第1容量部と第1外部電極とを連結し、前記第1容量部に比べて幅が狭い第1リード部と、を含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記第1容量部に対する前記第1リード部の幅が10〜50%である、請求項5に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記第1誘電層の前記第1容量部と前記第1リード部とが接する部分に配置される第3誘電体パターンをさらに含む、請求項5または6に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記第3誘電体パターンは、アルカリ金属を含むガラス成分が含まれた低温焼成助剤を含む誘電体を含む、請求項7に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記第1誘電体パターン及び前記第2誘電体パターンは、アルカリ金属を含むガラス成分が含まれた低温焼成助剤を含む誘電体を含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記第1誘電体パターン及び前記第2誘電体パターンは、前記第1誘電層及び前記第2誘電層に用いられた材料と異なる材料で形成される、請求項1から9のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記第1誘電体パターン及び前記第2誘電体パターンは、前記本体の前記第5面及び前記第6面を介して露出し、前記側面絶縁層と接している、請求項1から10のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記側面絶縁層はポリマーまたはセラミックを含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記側面絶縁層は誘電体を含む、請求項1から12のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
- 一面に第1及び第2パッドが配置された基板と、
前記基板に実装される積層セラミックキャパシターと、を含む積層セラミックキャパシターの実装基板であって、
前記積層セラミックキャパシターは、
第1誘電層及び第2誘電層を含み、積層方向において互いに対向する第1面及び第2面、前記第1面及び前記第2面と互いに連結され、互いに対向する第3面及び第4面、前記第1面〜前記第4面と連結され、互いに対向する第5面及び第6面を有する本体と、前記第1誘電層に配置されており、前記第3面、前記第5面及び前記第6面を介して露出し、前記第4面から第1空間だけ離隔して配置される第1内部電極と、前記第2誘電層に前記第1誘電層または前記第2誘電層を挟んで前記第1内部電極と対向するように配置されており、前記第4面、前記第5面及び前記第6面を介して露出し、前記第3面から第2空間だけ離隔して配置される第2内部電極と、前記第1空間の少なくとも一部に配置される第1誘電体パターンと、前記第2空間の少なくとも一部に配置される第2誘電体パターンと、前記本体の前記第5面及び前記第6面に配置される側面絶縁層と、を含む、
積層セラミックキャパシターの実装基板。 - 前記第1誘電体パターンは前記第1空間から前記第1内部電極の端部を覆うように配置され、
前記第2誘電体パターンは前記第2空間から前記第2内部電極の端部を覆うように配置される、請求項14に記載の積層セラミックキャパシターの実装基板。 - 前記第3面に露出した部分の前記第1内部電極の前記第2面に対する角度を変形角としたときに、前記第1内部電極の前記変形角は15°以下である、請求項14または15に記載の積層セラミックキャパシターの実装基板。
- 前記第1誘電体パターン及び前記第2誘電体パターンは低温焼成が可能な誘電体を含む、請求項14から16のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシターの実装基板。
- 前記第1内部電極は、第1容量部と、前記第1容量部と第1外部電極とを連結し、前記第1容量部に比べて幅が狭い第1リード部と、を含む、請求項14から17のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシターの実装基板。
- 前記第1容量部に対する前記第1リード部の幅が10〜50%である、請求項18に記載の積層セラミックキャパシターの実装基板。
- 前記第1誘電層の前記第1容量部と前記第1リード部とが接する部分に配置される第3誘電体パターンをさらに含む、請求項18または19に記載の積層セラミックキャパシターの実装基板。
- 前記第3誘電体パターンは、アルカリ金属を含むガラス成分が含まれた低温焼成助剤を含む誘電体を含む、請求項20に記載の積層セラミックキャパシターの実装基板。
- 前記第1誘電体パターン及び前記第2誘電体パターンは、アルカリ金属を含むガラス成分が含まれた低温焼成助剤を含む誘電体を含む、請求項14から21のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシターの実装基板。
- 前記第1誘電体パターン及び前記第2誘電体パターンは、前記第1誘電層及び前記第2誘電層に用いられた材料と異なる材料で形成される、請求項14から22のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシターの実装基板。
- 前記第1誘電体パターン及び前記第2誘電体パターンは、前記本体の前記第5面及び前記第6面を介して露出し、前記側面絶縁層と接している、請求項14から23のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシターの実装基板。
- 前記側面絶縁層はポリマーまたはセラミックを含む、請求項14から24のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシターの実装基板。
- 前記側面絶縁層は誘電体を含む、請求項14から25のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシターの実装基板。
- 第1誘電層及び第2誘電層を含み、積層方向において互いに対向する第1面及び第2面、前記第1面及び前記第2面と互いに連結され、互いに対向する第3面及び第4面、前記第1面〜前記第4面と連結され、互いに対向する第5面及び第6面を有する本体と、
前記第1誘電層に配置されており、前記第3面を介して露出し、前記第4面から第1空間だけ離隔して配置される第1内部電極と、
前記第2誘電層に前記第1誘電層または前記第2誘電層を挟んで前記第1内部電極と対向するように配置されており、前記第4面を介して露出し、前記第3面から第2空間だけ離隔して配置される第2内部電極と、
前記第1空間の少なくとも一部に配置される第1誘電体パターンと、
前記第2空間の少なくとも一部に配置される第2誘電体パターンと、
前記本体の前記第3面及び前記第4面に配置され、前記第1内部電極及び前記第2内部電極とそれぞれ連結される第1外部電極及び第2外部電極と、を含む、積層セラミックキャパシター。 - 前記第1誘電体パターン及び前記第2誘電体パターンは、前記第1誘電層及び前記第2誘電層に用いられた材料と異なる材料で形成される、請求項27に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記第1誘電体パターンは前記第1内部電極の端部を覆うように延長されて第1空間を満たしており、
前記第2誘電体パターンは前記第2内部電極の端部を覆うように延長されて第2空間を満たす、請求項27または28に記載の積層セラミックキャパシター。 - 前記第3面に露出した部分の前記第1内部電極の前記第2面に対する角度を変形角としたときに、前記第1内部電極の前記変形角は15°以下である、請求項27から29のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記第1内部電極は、第1容量部と、前記第1容量部と前記第1外部電極とを連結し、前記第1容量部に比べて幅が狭い第1リード部と、を含み、前記第1誘電層の前記第1容量部と前記第1リード部とが接する部分に配置される第3誘電体パターンをさらに含む、請求項27から30のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記第1内部電極は、前記第5面及び前記第6面を介して露出し、前記第2内部電極は、前記第5面及び前記第6面を介して露出し、前記本体の前記第5面及び前記第6面に配置される側面絶縁層をさらに含む、請求項27から31のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記第1誘電体パターン及び前記第2誘電体パターンは、前記本体の前記第5面及び前記第6面を介して露出し、前記側面絶縁層と接している、請求項32に記載の積層セラミックキャパシター。
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