JP2022100208A - 積層セラミック電子部品及びその実装基板 - Google Patents
積層セラミック電子部品及びその実装基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022100208A JP2022100208A JP2021129352A JP2021129352A JP2022100208A JP 2022100208 A JP2022100208 A JP 2022100208A JP 2021129352 A JP2021129352 A JP 2021129352A JP 2021129352 A JP2021129352 A JP 2021129352A JP 2022100208 A JP2022100208 A JP 2022100208A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- internal electrode
- capacitance
- ceramic electronic
- margin
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 212
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
- H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/224—Housing; Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
Abstract
【課題】ショート不良を低減する積層セラミック電子部品及びその実装基板を提供する。【解決手段】積層セラミック電子部品において、セラミック本体１１０は、Ｘ方向に互いに対向する第１面及び第２面、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面並びに第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を有し、Ｙ方向に積層された第１内部電極及び第２内部電極を含んで容量が形成される容量部と、容量部の第３面上に配置される第１マージン部１１２と、容量部の第４面上に配置される第２マージン部１１３と、容量部、第１マージン部及び第２マージン部のＺ方向の両面上に夫々配置される第１カバー１４１部及び第２カバー部１４２と、を含む。セラミック本体のＸ方向の平均長さが、セラミック本体のＹ方向の平均幅ａの１倍超過及び／又は３倍未満の範囲を満たし、セラミック本体のＹ方向の平均幅ａ及びセラミック本体のＺ方向の平均高さｂが、ｂ＞ａの関係を満たす。【選択図】図２
Description
本発明は、積層セラミック電子部品及びその実装基板に関する。
通常、キャパシター、インダクター、圧電体素子、バリスター、またはサーミスターなどのセラミック材料を用いる電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体と、本体の内部に形成された内部電極と、上記内部電極と接続されるようにセラミック本体の表面に設けられた外部電極と、を備える。
近年、電子製品の小型化及び多機能化に伴い、チップ部品も小型化及び高機能化する傾向にあるため、積層セラミック電子部品にも、サイズが小さいながらも、容量が大きい高容量の製品が求められている。
従来は、誘電体層の面積を内部電極の面積よりも大きく形成し、内部電極のうち外部電極と連結される部分を除いた残りの縁部分にマージン領域を形成していた。しかし、この場合、数十～数百層の誘電体層を積層すると、誘電体層が段差を補うために伸びるようになり、内部電極もともに反るようになる。内部電極が反ると、該当部分で耐電圧特性（ＢＤＶ；Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）が低下するという問題が発生する。
これを解決するために、シート状のマージン部を別に準備して付着する方法が最近用いられている。しかしながら、別に製作したシートを付着してマージン部を形成する場合、マージン部とセラミック本体との間でデラミネーションが発生するという問題がある。
特に、高容量を実現するためには、内部電極の重畳面積を増やすか、内部電極の積層数を増やす必要がある。しかし、内部電極の重畳面積を増やす場合、電子部品が基板上で占める面積が増加し、空間活用度及び実装自由度が低下するという問題がある。また、内部電極の積層数を増やす場合には、シート状のマージン部を付着すべき面積が広くなり、これにより、デラミネーションが発生し得る接合面が広くなって、マージン部の浮き上がりや開きが発生して信頼性が低下したり、ショート不良などが発生したりするという問題がある。
本発明の様々な目的の１つは、ショート（ｓｈｏｒｔ）不良を低減させることができる積層セラミック電子部品及びその実装基板を提供することにある。
本発明の様々な目的の１つは、耐湿信頼性を向上させることができる積層セラミック電子部品及びその実装基板を提供することにある。
本発明の様々な目的の１つは、基板実装密度を高めることができる積層セラミック電子部品及びその実装基板を提供することにある。
本発明の様々な目的の１つは、実装自由度を高めることができる積層セラミック電子部品及びその実装基板を提供することにある。
本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極及び第２内部電極を含むセラミック本体と、上記第１内部電極と連結される第１外部電極と、上記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、上記セラミック本体は、第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、並びに第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を有し、第２方向に積層された第１内部電極及び第２内部電極を含んで容量が形成される容量部と、上記容量部の第３面上に配置される第１マージン部と、上記容量部の第４面上に配置される第２マージン部と、上記容量部、第１マージン部、及び第２マージン部の第３方向の両面上にそれぞれ配置される第１カバー部及び第２カバー部と、を含み、上記セラミック本体の第１方向の平均長さが、上記セラミック本体の第２方向の平均幅（ａ）の１倍超過及び／または３倍未満の範囲を満たし、上記セラミック本体の第２方向の平均幅（ａ）及び上記セラミック本体の第３方向の平均高さ（ｂ）が、ｂ＞ａの関係を満たすことができる。
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の実装基板は、誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極及び第２内部電極を含むセラミック本体と、上記第１内部電極と連結される第１外部電極と、上記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を含み、上記セラミック本体は、第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、並びに第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を有し、第２方向に積層された第１内部電極及び第２内部電極を含んで容量が形成される容量部と、上記容量部の第３面上に配置される第１マージン部と、上記容量部の第４面上に配置される第２マージン部と、上記容量部、第１マージン部、及び第２マージン部の第３方向の両面上にそれぞれ配置される第１カバー部及び第２カバー部と、を含む積層セラミック電子部品と、第３方向の一面に第１電極パッド及び第２電極パッドが配置される基板と、半田と、を含む積層セラミック電子部品の実装基板であって、上記セラミック本体の第１方向の平均長さが、上記セラミック本体の第２方向の平均幅（ａ）の１倍超過及び／または３倍未満の範囲を満たし、上記セラミック本体の第２方向の平均幅（ａ）及び上記セラミック本体の第３方向の平均高さ（ｂ）が、ｂ＞ａの関係を満たすことができる。
本発明の様々な効果の１つは、積層セラミック電子部品及びその実装基板のショート（ｓｈｏｒｔ）不良を低減させることができることである。
本発明の様々な効果の１つは、積層セラミック電子部品及びその実装基板の耐湿信頼性を向上させることができることである。
本発明の様々な効果の１つは、積層セラミック電子部品及びその実装基板の基板実装密度を高めることができることである。
本発明の様々な効果の１つは、積層セラミック電子部品及びその実装基板の実装自由度を高めることができることである。
但し、本発明の多様で且つ有益な利点と効果は上述の内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。これは、本明細書に記載された技術を特定の実施形態に限定しようとするのではなく、本発明の実施例の多様な変更（ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ）、均等物（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｓ）、及び／または代替物（ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ）を含むと理解されるべきである。図面の説明に係わり、類似の構成要素に対しては、類似の参照符号が用いられる。
なお、本発明を明確に説明すべく、図面において説明と関係ない部分は省略し、様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示し、同一思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。
本明細書において、「有する」、「有することができる」、「含む」、または「含むことができる」などの表現は、該当特徴（例えば、数値、機能、動作、または部品などの構成要素）の存在を指し、追加的な特徴の存在を排除しない。
本明細書において、ある部材がある構成要素の「上に」配置されているとは、上記部材が上記構成要素と直接接して配置される場合のみならず、上記構成要素と上記部材との間に他の構成要素が配置されている場合も含み得る。
本明細書において、「ＡまたはＢ」、「Ａまたは／及びＢのうち少なくとも１つ」、または「Ａまたは／及びＢのうち１つまたはそれ以上」などの表現は、ともに挙げられた項目の全ての可能な組み合わせを含み得る。例えば、「ＡまたはＢ」、「Ａ及びＢのうち少なくとも１つ」、または「ＡまたはＢのうち少なくとも１つ」は、（１）少なくとも１つのＡを含む場合、（２）少なくとも１つのＢを含む場合、または（３）少なくとも１つのＡ及び少なくとも１つのＢの両方を含む場合を何れも指すことができる。
図面において、Ｘ方向は第１方向、Ｌ方向または長さ方向、Ｙ方向は第２方向、Ｗ方向または幅方向、Ｚ方向は第３方向、Ｔ方向、または厚さ方向と定義されることができる。
本発明は、積層セラミック電子部品に関する。図１から図６は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を概略的に示す図である。図１から図６を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むセラミック本体１１０と、上記第１内部電極１２１と連結される第１外部電極１３１と、上記第２内部電極１２２と連結される第２外部電極１３２と、を含む積層セラミック電子部品であって、上記セラミック本体１１０は、第１方向（Ｘ方向）に互いに対向する第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２、第２方向（Ｙ方向）に互いに対向する第３面Ｓ３及び第４面Ｓ４、並びに第３方向（Ｚ方向）に互いに対向する第５面Ｓ５及び第６面Ｓ６を有し、第２方向（Ｙ方向）に積層された第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量部１３０と、上記容量部１３０の第３面Ｓ３上に配置される第１マージン部１１２と、上記容量部１３０の第４面Ｓ４上に配置される第２マージン部１１３と、上記容量部１３０、第１マージン部１１２、及び第２マージン部１１３の第３方向（Ｚ方向）の両面上にそれぞれ配置される第１カバー部１４１及び第２カバー部１４２と、を含むことができる。
この際、上記セラミック本体１１０の第２方向（Ｙ方向）の平均幅（ａ）及び上記セラミック本体１１０の第３方向（Ｚ方向）の平均高さ（ｂ）は、ｂ＞ａの関係を満たすことができ、上記セラミック本体１１０の第１方向（Ｘ方向）の平均長さは、上記セラミック本体１１０の第２方向（Ｙ方向）の平均幅（ａ）の１倍超過及び／または３倍未満の範囲を満たすことができる。従来は、積層セラミック電子部品の容量を増加させるために、内部電極の積層数を増やす場合が多かった。この場合、誘電体層を内部電極よりも広く形成してマージン部を形成すると、積層数が増加するほど、内部電極の段差による欠陥が大きくなるという問題がある。
一方、内部電極が側面に露出するように容量部を形成し、上記内部電極が露出した面上にセラミックシートを付着してマージン部を形成すると、セラミック／セラミックが接する面積に比べて、マージン部を形成するセラミックシートが内部電極と接する面積の比率が増加するようになり、これにより、セラミックと金属の焼結時における収縮挙動の差に起因する欠陥が発生する可能性が高くなる。本発明による積層セラミック電子部品１００は、セラミック本体１１０の第２方向（Ｙ方向）の幅（ａ）に比べて、上記セラミック本体１１０の第３方向（Ｚ方向）の高さ（ｂ）が大きい構造を有し、かつ第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２が第２方向（Ｙ方向）に積層される構造を有することにより、第１内部電極１２１と第２内部電極１２２の重畳面積を増加させ、容量を増大させることができる。また、これとともに、マージン部を形成するために外部に付着するセラミックシートが金属電極と接する面積の比率を減らし、マージン部のデラミネーションを効果的に抑制することができる。
本明細書において、セラミック本体１１０の第２方向（Ｙ方向）の平均幅（ａ）のように、ある部材の「幅」は、上記部材に対して第２方向（Ｙ方向）に測定した値であり、第２方向（Ｙ方向）の一面から第２方向（Ｙ方向）の他面への最短垂直距離を意味し得る。また、ある部材の「平均幅」は、上記部材の１０箇所で測定した幅の算術平均を意味し得る。具体的に、上記平均幅は、Ｘ軸に垂直で、且つ上記部材の中心を通る切断面に対してＺ軸方向に等間隔の１０箇所で測定した値の算術平均であることができる。より具体的には、誤差を減らすために、第３方向の両面に該当する箇所を除いて１０箇所を測定し、その平均を算出することができ、この場合、上記切断面をＺ軸方向に１２等分した後、内側の１０箇所の測定値を平均することで平均幅を求めることができる。また、本明細書において、セラミック本体１１０の第３方向（Ｚ方向）の平均高さ（ｂ）のように、ある部材の「高さ」は、上記部材に対して第３方向（Ｚ方向）に測定した値であり、第３方向（Ｚ方向）の一面から第３方向（Ｚ方向）の他面への最短垂直距離を意味し得る。また、ある部材の「平均高さ」は、上記部材の１０箇所で測定した高さの算術平均を意味し得る。具体的に、上記平均高さは、Ｘ軸に垂直で、且つ上記部材の中心を通る切断面に対してＺ軸方向に等間隔の１０箇所で測定した値の算術平均であることができる。より具体的には、誤差を減らすために、第３方向の両面に該当する箇所を除いて１０箇所を測定し、その平均を算出することができ、この場合、上記切断面をＺ軸方向に１２等分した後、内側の１０箇所の測定値を平均することで平均高さを求めることができる。そして、本明細書において、セラミック本体１１０の第１方向（Ｘ方向）の平均長さのように、ある部材の「長さ」は、上記部材に対して第１方向（Ｘ方向）に測定した値であり、第１方向（Ｘ方向）の一面から第１方向（Ｘ方向）の他面への最短垂直距離を意味し得る。また、ある部材の「平均長さ」は、上記部材の１０箇所で測定した長さの算術平均を意味し得る。具体的に、上記平均長さは、Ｙ軸に垂直で、且つ上記部材の中心を通る切断面に対してＸ軸方向に等間隔の１０箇所で測定した値の算術平均であることができる。より具体的には、誤差を減らすために、第１方向の両面に該当する箇所を除いて１０箇所を測定し、その平均を算出することができ、この場合、上記切断面をＸ軸方向に１２等分した後、内側の１０箇所の測定値を平均することで平均長さを求めることができる。
上記セラミック本体１１０の第１方向（Ｘ方向）の平均長さが、上記セラミック本体１１０の第２方向（Ｙ方向）の平均幅（ａ）の１倍超過及び／または３倍未満の範囲を満たす場合、互いに第２方向（Ｙ方向）に対向する内部電極の重畳面積を増加させ、十分な容量を確保することができる。また、上記セラミック本体１１０の第２方向（Ｙ方向）の平均幅（ａ）及び上記セラミック本体１１０の第３方向（Ｚ方向）の平均高さ（ｂ）がｂ＞ａの関係を満たす場合、第３方向（Ｚ方向）の寸法が第２方向（Ｙ方向）の寸法よりも大きい構造を有することができ、例えば、厚さが幅よりも大きい構造を有することができる。
本発明の一例示において、積層セラミック電子部品のセラミック本体１１０の第１方向（Ｘ方向）の平均長さは、上記セラミック本体１１０の第２方向（Ｙ方向）の平均幅（ａ）の１．０倍超過、１．２倍以上、１．４倍以上、１．６倍以上、または１．８倍以上であることができ、３．０倍未満、２．８倍以下、２．６倍以下、２．４倍以下、または２．２倍以下であることができるが、これに制限されるものではない。
１つの例示において、本発明の積層セラミック電子部品１００のセラミック本体１１０の第２方向（Ｙ方向）の平均幅（ａ）及び上記セラミック本体１１０の第３方向（Ｚ方向）の平均高さ（ｂ）は、ｂ≧１．２×ａの関係を満たすことができる。すなわち、ｂは、ａの１．２倍以上であることができる。上記ｂは、ａの１．２０倍以上、１．２１倍以上、１．２２倍以上、１．２３倍以上、１．２４倍以上、または１．２５倍以上であることができ、上限は特に制限されないが、例えば、１０倍以下であることができる。従来の積層セラミック電子部品は、セラミック本体の幅と高さが同一である構造を有することが一般的であった。これに対し、セラミック本体１１０の第２方向（Ｙ方向）の平均幅（ａ）及び上記セラミック本体１１０の第３方向（Ｚ方向）の平均高さ（ｂ）が本例示の範囲を満たす場合、積層セラミック電子部品１００の容量を増大させながらも、耐湿信頼性を向上させることができる。
本発明の一実施形態において、本発明のセラミック本体の第３方向の両面のうち何れか一面が、外部基板に対する実装面であることができる。上記実装面は、本発明による積層セラミック電子部品を外部基板に実装する際に、上記外部基板の最も近くに位置する上記セラミック本体の一面を意味し得る。
本発明による積層セラミック電子部品１００のセラミック本体１１０は、容量部１３０を含むことができる。
上記容量部１３０の具体的な形状は特に制限されないが、図示されたように、容量部１３０は六面体形状またはそれに類似の形状からなることができる。焼成過程における、容量部１３０に含まれているセラミック粉末の収縮により、上記容量部１３０は、完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。上記容量部１３０は、必要に応じて、角部が角張らないようにラウンド処理されていることができる。上記ラウンド処理には、例えば、バレル研摩などを用いることができるが、これに制限されるものではない。
本発明による積層セラミック電子部品の容量部１３０は、誘電体層１１１と、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とが交互に積層されていることができる。上記誘電体層１１１、第１内部電極１２１、及び第２内部電極１２２は第２方向（Ｙ方向）に積層されていることができる。本発明による積層セラミック電子部品１００の第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２が第２方向（Ｙ方向）に積層されているということは、上記第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２が幅方向に積層されていることを意味することができ、上記第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２が上記容量部１３０の第３方向（Ｚ方向）の両面の両方に露出していることを意味し得る。上記構造において、上記容量部１３０の第３方向（Ｚ方向）の一面が外部基板の実装面になることができ、この際、上記第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、実装面に垂直な形態で配置されることができる。容量部１３０を成す複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１の間の境界は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いずには確認が困難な程度に一体化されていることができる。
本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量を得ることができれば特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、またはチタン酸ストロンチウム系材料などを用いるか、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙ（Ｚｒ、Ｓｎ、Ｈｆ）ｙ）Ｏ３（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．５）で表される成分などを用いることができる。また、上記誘電体層１１１を形成する材料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末に、本発明の目的に応じて、種々のセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。
上記誘電体層１１１は、前述の材料を含むスラリーに、必要に応じて添加剤を追加し、それをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥して複数のセラミックシートを準備することで形成されることができる。上記セラミックシートは、上記スラリーを、ドクターブレード法により数μｍの厚さを有するシート（ｓｈｅｅｔ）状に製作することにより形成されることができるが、これに限定されるものではない。
１つの例示において、誘電体層１１１の平均厚さは０．４μｍ以下であることができる。上記誘電体層１１１の平均厚さは、焼成された誘電体層１１１における互いに異なる５箇所の位置で測定された値の平均であることができる。上記誘電体層１１１の平均厚さの下限は特に制限されないが、例えば、０．０１μｍ以上であることができる。
上記第１及び第２内部電極１２１、１２２は、各端面が容量部１３０の対向する両端部にそれぞれ露出するように積層されることができる。具体的に、上記容量部１３０の第１方向（Ｘ方向）の両面に上記第１及び第２内部電極１２１、１２２がそれぞれ露出することができ、上記容量部１３０の第１面Ｓ１に第１内部電極１２１が露出し、第２面Ｓ２に第２内部電極１２２が露出することができる。
上記第１及び第２内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち１つ以上の物質を含む導電性ペーストを用いて形成されることができる。
上記容量部１３０は、誘電体層１１１に第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、誘電体層１１１に第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを第３方向（Ｚ方向）に交互に積層することで形成されることができる。上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の印刷方法としては、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができるが、これに限定されるものではない。
上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の平均厚さは０．４μｍ以下であることができる。上記内部電極の平均厚さは、焼成された内部電極における互いに異なる５箇所の位置で測定された値の平均であることができる。上記第１及び第２内部電極の平均厚さの下限は特に制限されないが、例えば、０．０１μｍ以上であることができる。
本発明による積層セラミック電子部品１００のセラミック本体１１０は、容量部１３０の第２方向（Ｙ方向）の両面にそれぞれ配置される第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３を含むことができる。上記第１マージン部１１２は、上記容量部１３０の第３面Ｓ３上に配置されることができ、上記容量部１３０の第３面Ｓ３の少なくとも一部を覆うように配置されることができる。上記第２マージン部１１３は、上記容量部１３０の第４面Ｓ４上に配置されることができ、上記容量部１３０の第４面Ｓ４の少なくとも一部を覆うように配置されることができる。本明細書において、ある部材が容量部１３０を覆うように配置されるとは、上記部材が上記容量部１３０を覆っている部分が外部に露出しないように、上記部材が配置されることを意味することができる。上記第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３は、容量部１３０の第２方向（Ｙ方向）の両面に配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の積層方向（Ｙ方向）の両面上に配置されることができる。すなわち、上記第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３が上記容量部１３０に接する面は、上記第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２に平行に配置されることができる。
１つの例示において、本発明の積層セラミック電子部品１００のセラミック本体１１０に含まれる第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３の第３方向（Ｚ方向）の平均高さ（ｘ）と、容量部１３０の第３方向（Ｚ方向）の平均高さ（ｙ）の偏差（｜ｘ－ｙ｜／ｘ）は、５％以下であることができる。上記セラミック本体１１０に含まれる第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３の第３方向（Ｚ方向）の平均高さ（ｘ）と、上記セラミック本体１１０の容量部１３０の第３方向（Ｚ方向）の平均高さ（ｙ）の偏差（｜ｘ－ｙ｜／ｙ）は、５％以下、４％以下、または３％以下であることができ、下限は特に制限されないが、例えば、０％以上であることができる。上記偏差（｜ｘ－ｙ｜／ｙ）が０％である場合、第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３の平均高さが容量部１３０の平均高さと同一であることを意味し、上記第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３が上記容量部１３０の第３方向（Ｚ方向）の全体を覆うように配置されていることを意味し得る。上記第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３の平均高さが上記容量部１３０の平均高さと同一であることは、厳密な意味で同一な場合だけでなく、誤差を含む範囲を意味し、例えば、上記偏差が０．５％以内であることを意味し得る。
１つの例示において、本発明による積層セラミック電子部品１００の第１内部電極１２１及び／または第２内部電極１２２は、容量部１３０の第２方向（Ｙ方向）に露出することができる。上記第１内部電極１２１及び／または第２内部電極１２２が上記容量部１３０の第２方向（Ｙ方向）に露出するということは、誘電体層１１１、第１及び第２内部電極１２１、１２２が第２方向（Ｙ方向）に積層されている容量部１３０の最外側に第１内部電極１２１及び／または第２内部電極１２２が配置されることを意味し得る。この場合、前述の第１マージン部１１２及び／または第２マージン部１１３は、上記第１内部電極１２１及び／または第２内部電極１２２と直接接して配置されることができる。本例示のように、第１内部電極１２１及び／または第２内部電極１２２が容量部１３０の第２方向（Ｙ方向）に露出するように配置されても、第１マージン部及び第２マージン部により、第１及び第２内部電極１２１、１２２はセラミック本体１１０の外部に露出しないことができる。したがって、第１内部電極１２１及び／または第２内部電極１２２の積層方向の両面に誘電体層１１１が配置されず、容量部１３０の最も外側まで内部電極が配置されることにより、有効容量が極大化されることができる。
本発明の一実施形態において、本発明による積層セラミック電子部品のセラミック本体１１０は、容量部１３０と、上記容量部１３０の第３方向（Ｚ方向）の両面上にそれぞれ配置される第１カバー部１４１及び第２カバー部１４２と、を含むことができる。本発明による積層セラミック電子部品１００の容量部１３０は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２が誘電体層１１１を挟んで第２方向（Ｙ方向）に積層されてなることができる。
上記第１内部電極１２１は、上記容量部１３０の第１面Ｓ１、第５面Ｓ５、及び第６面Ｓ６に引き出されることができる。上記容量部１３０の第１面Ｓ１に引き出される上記第１内部電極１２１は、後述の第１外部電極１３１と連結されることができ、上記容量部１３０の第２面Ｓ２には上記第１内部電極１２１が引き出されない。また、上記第２内部電極１２２は、上記容量部１３０の第２面Ｓ２、第５面Ｓ５、及び第６面Ｓ６に引き出されることができる。上記容量部１３０の第２面Ｓ２に引き出される上記第２内部電極１２２は、後述の第２外部電極１３２と連結されることができ、上記容量部１３０の第１面Ｓ１には上記第１内部電極１２１が引き出されない。
上記実施形態において、第１カバー部１４１及び第２カバー部１４２はそれぞれ、誘電体層１１１、第１内部電極１２１、及び第２内部電極１２２と接して配置されることができる。図２は容量部、第１及び第２マージン部、及び第１及び第２カバー部が配置されたセラミック本体を示す図であり、図３は容量部の第２方向（Ｙ方向）の両面に第１マージン部及び第２マージン部が配置された構造を示した図である。図２及び図３を参照すると、本発明による積層セラミック電子部品１００の第１内部電極１２１は容量部１３０の第１面Ｓ１、第５面Ｓ５、及び第６面Ｓ６上に露出し、第２内部電極１２２は上記容量部１３０の第２面Ｓ２、第５面Ｓ５、及び第６面Ｓ６上に露出することができる。上記第１カバー部１４１は、上記容量部１３０の第５面Ｓ５上に露出した第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２と接して配置され、上記第２カバー部１４２は、上記容量部１３０の第６面Ｓ６上に露出した第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２と接して配置されることができる。
１つの例示において、本発明の積層セラミック電子部品１００の容量部１３０の第３面Ｓ３上に第１マージン部１１２が配置され、第４面Ｓ４上に第２マージン部１１３が配置されることができる。また、図２を参照すると、本実施形態による積層セラミック電子部品１００のセラミック本体１１０の上記第１カバー部１４１は、上記容量部１３０、第１マージン部１１２、及び第２マージン部１１３の第３方向（Ｚ方向）の一面に接して配置され、上記第２カバー部１４２は、上記容量部１３０、第１マージン部１１２、及び第２マージン部１１３の第３方向（Ｚ方向）の他面に接して配置されることができる。すなわち、上記実施形態のセラミック本体１１０は、容量部１３０の第２方向（Ｙ方向）の両面に第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３が先に付着された後、上記容量部１３０、第１マージン部１１２、及び第２マージン部１１３の第３方向（Ｚ方向）の両面に第１カバー部１４１及び第２カバー部１４２が付着される構造を有することができる。
図８は上記構造を製造する過程を模式的に示す概略図である。図８を参照すると、本実施形態の積層セラミック電子部品１００は、容量部１３０上に第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３が先に付着され、第１カバー部１４１及び第２カバー部１４２が付着された構造であることができる。したがって、上記第１カバー部１４１は、上記容量部１３０の第５面Ｓ５上に露出した第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２と接して配置され、かつ上記容量部１３０の第３面Ｓ３及び第４面Ｓ４上にそれぞれ配置された第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３と接して配置されることができる。また、上記第２カバー部１４２は、上記容量部１３０の第６面Ｓ６上に露出した第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２と接して配置され、かつ上記容量部１３０の第３面Ｓ３及び第４面Ｓ４上にそれぞれ配置された第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３と接して配置されることができる。
１つの例示において、セラミック本体１１０は、第１カバー部１４１と第１及び第２マージン部１１２、１１３とが接する界面と、第２カバー部１４２と第１及び第２マージン部１１２、１１３とが接する界面をそれぞれ含むことができる。本明細書において、「界面」とは、互いに接する２つの層が互いに区別可能な状態である面を意味し得る。上記区別可能な状態とは、物理的な相違、化学的な相違、及び／または単純な光学的な相違によって２つの層が区別されることを意味し得る。上記界面は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）などにより視覚的に確認可能であるが、これに制限されるものではなく、視覚的に確認が困難な場合には、第１及び第２カバー部１４１、１４２と第１及び第２マージン部１１２、１１３の物性を分析することで確認可能である。
上記の例示において、本発明の積層セラミック電子部品１００の第１カバー部１４１と第１及び第２マージン部１１２、１１３とが接する界面は、容量部１３０の第５面Ｓ５と同一の平面上に配置されることができ、第２カバー部１４２と第１及び第２マージン部１１２、１１３とが接する界面は、容量部１３０の第６面Ｓ６と同一の平面上に配置されることができる。図２及び図６を参照すると、本例示による積層セラミック電子部品１００の第１カバー部１４１と第１及び第２マージン部１１２、１１３とが接する界面は、容量部１３０の第５面Ｓ５と同一の平面上に配置されることができ、第２カバー部１４２と第１及び第２マージン部１１２、１１３とが接する界面は、容量部１３０の第６面Ｓ６と同一の平面上に配置されることができる。上記界面が容量部１３０の何れか一面と同一の平面上に配置されるとは、厳密な意味での同一の平面のみを意味するのではなく、上記界面と容量部の何れか一面が成す角度が一定範囲内である場合を含むことを意味し得る。上記角度の範囲は、例えば、１０°以下の角度を意味することができ、下限は特に制限されないが、例えば、０°以上であることができる。上記界面と容量部の何れか一面の角度は、上記界面と容量部の上記の一面の任意の５箇所に接する面の角度の平均を意味し得る。
上記第１マージン部１１２、第２マージン部１１３、第１カバー部１４１、及び第２カバー部１４２はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
上記第１マージン部１１２、第２マージン部１１３、第１カバー部１４１、及び第２カバー部１４２は、単一の誘電体層または２つ以上の誘電体層をそれぞれ積層することで形成されることができ、基本的に、物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
本発明の一実施形態において、本発明による積層セラミック電子部品１００の第１マージン部１１２、第２マージン部１１３、第１カバー部１４１、及び第２カバー部１４２は、容量部１３０の誘電体層１１１と類似の組成のセラミック成分を主成分として含むことができる。本明細書において、「主成分」とは、他の成分に比べて相対的に高い重量比率を占める成分を意味し、全組成物または全誘電体層の重量を基準として５０重量％以上の成分を意味し得る。また、「副成分」とは、他の成分に比べて相対的に低い重量比率を占める成分を意味し、全組成物または全誘電体層の重量を基準として５０重量％未満の成分を意味し得る。
上記主成分は、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙ（Ｚｒ、Ｓｎ、Ｈｆ）ｙ）Ｏ３（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．５）で表される成分であることができる。上記主成分は、例えば、ＢａＴｉＯ３にＣａ、Ｚｒ、Ｓｎ、及び／またはＨｆが一部固溶された形態で存在する化学物であることができる。上記組成式中、ｘは０以上、１以下の範囲であることができ、ｙは０以上、０．５以下の範囲であることができるが、これに制限されるものではない。例えば、上記組成式中、ｘが０であり、ｙが０であり、ｚが０である場合、上記主成分はＢａＴｉＯ３になることができる。
１つの例示において、本発明による積層セラミック電子部品１００の第１マージン部１１２、第２マージン部１１３、第１カバー部１４１、及び第２カバー部１４２は、副成分として、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、及びボロン（Ｂ）からなる群から選択される１種以上を含むことができる。本発明の他の例示において、本発明による積層セラミック電子部品１００の第１マージン部１１２、第２マージン部１１３、第１カバー部１４１、及び第２カバー部１４２は、副成分としてマグネシウム（Ｍｇ）を含むことができる。上記のように第１マージン部１１２、第２マージン部１１３、第１カバー部１４１、及び第２カバー部１４２の副成分の含量を調節することで、第１マージン部１１２、第２マージン部１１３、第１カバー部１４１、及び第２カバー部１４２の緻密度を調節することができ、これにより、耐湿特性を改善することができる。
上記第１マージン部１１２、第２マージン部１１３、第１カバー部１４１、及び第２カバー部１４２は、それぞれ同一の組成で形成されることができるが、これは必要に応じて変形可能である。例えば、第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３を同一の組成で形成し、第１カバー部１４１及び第２カバー部１４２を同一の組成で形成することができ、第１及び第２マージン部１１２、１１３と第１及び第２カバー部１４１、１４２は異なる組成で形成することができる。また、上記第１マージン部１１２、第２マージン部１１３、第１カバー部１４１、及び第２カバー部１４２は、容量部の誘電体層と異なる組成で形成されることができるが、これに制限されるものではない。
本発明による積層セラミック電子部品１００のマージン部及びカバー部を形成する方法は特に制限されないが、例えば、マージン部及びカバー部を形成するためのセラミックシートを付着して形成することができる。図８は本発明に一例示による積層セラミック電子部品１００の製造方法を模式的に示す概略図である。図８を参照すると、容量部１３０を先に形成した後、上記容量部１３０に第１マージン部１１２及び第２マージン部１１３を形成するためのセラミックシート２枚を付着し、その後、第１カバー部１４１及び第２カバー部１４２を形成するためのセラミックシート２枚を付着する方法を用いることができるが、これに制限されるものではない。
本発明の一例示による積層セラミック電子部品１００は、セラミック本体１１０の外部面に第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２が配置されることができる。第１外部電極１３１は第１内部電極１２１と連結され、第２外部電極１３２は第２内部電極１２２と連結されることができる。この際、上記第１外部電極１３１は、本発明による積層セラミック電子部品１００の容量部１３０の第１面Ｓ１上に配置されることができ、上記第２外部電極１３２は、上記容量部１３０の第２面Ｓ２上に配置されることができる。
１つの例示において、本発明による積層セラミック電子部品１００の第１外部電極１３１の少なくとも一部が、容量部１３０の第３面Ｓ３、第４面Ｓ４、第５面Ｓ５、及び第６面Ｓ６上に延びて配置されることができる。また、第２外部電極１３２の少なくとも一部が、上記容量部１３０の第３面Ｓ３、第４面Ｓ４、第５面Ｓ５、及び第６面Ｓ６上に延びて配置されることができる。この場合、上記第１外部電極１３１と第２外部電極１３２は互いに離隔して配置されることができる。上記第１外部電極１３１及び／または第２外部電極１３２の少なくとも一部がそれぞれ上記容量部１３０の第３面Ｓ３、第４面Ｓ４、第５面Ｓ５、及び第６面Ｓ６上に延びて配置される場合、上記延びた部分が、いわゆるバンド部として機能することができ、本発明による積層セラミック電子部品１００の実装強度を向上させるとともに、水分浸透を防止する機能を果たすことができる。
上記第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２は、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であることができる。上記導電性金属は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、鉛（Ｐｂ）、及びこれらの合金のうち１つ以上を含むことができる。上記ガラスは、酸化物が混合された組成であることができ、特に制限されるものではないが、ケイ素酸化物、ホウ素酸化物、アルミニウム酸化物、遷移金属酸化物、アルカリ金属酸化物、及びアルカリ土金属酸化物からなる群から選択される１つ以上であることができる。上記遷移金属は、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択され、上記アルカリ金属は、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、及びカリウム（Ｋ）からなる群から選択され、上記アルカリ土金属は、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、及びバリウム（Ｂａ）からなる群から選択される１つ以上であることができる。
上記第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２の形成方法の例示として、導電性金属を含む導電性ペーストにセラミック本体をディッピングしてから焼成することで形成するか、上記導電性ペーストをセラミック本体の表面にスクリーン印刷法またはグラビア印刷法などにより印刷して焼成することで形成することができる。また、上記導電性ペーストをセラミック本体の表面に塗布するか、または上記導電性ペーストを乾燥させた乾燥膜をセラミック本体上に転写した後、それを焼成することで形成する方法などが挙げられるが、これに制限されるものではない。例えば、上記方法の他に様々な方法により導電性ペーストをセラミック本体上に形成した後、それを焼成することで形成することができる。
１つの例示において、本発明による積層セラミック電子部品１００は、第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２上にそれぞれ配置されるめっき層をさらに含むことができる。上記めっき層は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、鉛（Ｐｂ）、及びこれらの合金からなる群から選択される１種以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。上記めっき層は、単数層または複数層で形成されることができ、スパッタまたは電解めっき（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成されることができるが、これに制限されるものではない。
本発明は、また、積層セラミック電子部品の実装基板２００に関する。
本発明による積層セラミック電子部品の実装基板２００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むセラミック本体１１０と、上記第１内部電極１２１と連結される第１外部電極１３１と、上記第２内部電極１２２と連結される第２外部電極１３２と、を含み、上記セラミック本体１１０は、第１方向（Ｘ方向）に互いに対向する第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２、第２方向（Ｙ方向）に互いに対向する第３面Ｓ３及び第４面Ｓ４、並びに第３方向（Ｚ方向）に互いに対向する第５面Ｓ５及び第６面Ｓ６を有し、第２方向（Ｙ方向）に積層された第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量部１３０と、上記容量部１３０の第３面Ｓ３上に配置される第１マージン部１１２と、上記容量部１３０の第４面Ｓ４上に配置される第２マージン部１１３と、上記容量部１３０、第１マージン部１１２、及び第２マージン部１１３の第３方向（Ｚ方向）の両面上にそれぞれ配置される第１カバー部１４１及び第２カバー部１４２と、を含む積層セラミック電子部品１００と、第３方向（Ｚ方向）の一面に第１電極パッド２１０及び第２電極パッド２２０が配置された基板２０１と、半田２３０と、を含む積層セラミック電子部品の実装基板であって、上記セラミック本体の第１方向の平均長さが、上記セラミック本体の第２方向の平均幅（ａ）の１倍超過及び／または３倍未満の範囲を満たし、上記セラミック本体１１０の第２方向（Ｙ方向）の平均幅（ａ）及び上記セラミック本体１１０の第３方向（Ｚ方向）の平均高さ（ｂ）が、ｂ＞ａの関係を満たすことができる。
１つの例示において、本発明による積層セラミック電子部品の実装基板２００の第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、上記基板２０１に垂直に配置されることができる。
本発明による積層セラミック電子部品の実装基板２００は、セラミック本体１１０の第２方向（Ｙ方向）の幅（ａ）及び上記セラミック本体１１０の第３方向（Ｚ方向）の高さ（ｂ）が、ｂ≧１．２×ａの関係を満たすことができる。
上記積層セラミック電子部品の実装基板２００上に配置される積層セラミック電子部品１００については、前述のとおりであるため省略する。
＜実験例＞
本発明による積層セラミック電子部品の信頼性及び不良率をテストするために、下記表１に記載のサイズのセラミック本体を有するプロトタイプチップをそれぞれ２００個ずつ製作した。上記プロトタイプチップは、内部電極が実装面に垂直に配置され、第１マージン部及び第２マージン部を形成してから第１カバー部及び第２カバー部を形成する構造を適用した。比較例としては、下記表１に記載のサイズのセラミック本体を有するが、内部電極が実装面に対して水平であり、第１カバー部及び第２カバー部を先に形成してから第１マージン部及び第２マージン部を形成する既存の製品を使用した。
本発明による積層セラミック電子部品の信頼性及び不良率をテストするために、下記表１に記載のサイズのセラミック本体を有するプロトタイプチップをそれぞれ２００個ずつ製作した。上記プロトタイプチップは、内部電極が実装面に垂直に配置され、第１マージン部及び第２マージン部を形成してから第１カバー部及び第２カバー部を形成する構造を適用した。比較例としては、下記表１に記載のサイズのセラミック本体を有するが、内部電極が実装面に対して水平であり、第１カバー部及び第２カバー部を先に形成してから第１マージン部及び第２マージン部を形成する既存の製品を使用した。
上記表２は、製造されたチップのマージン部に浮き上がりや開きが発生したか否かを確認した結果である。実施例では、４種類のサンプルをそれぞれ２００個ずつテストした。従来の製品である比較例では、マージン部に浮き上がりや開きが発生した製品が発見されたが、実施例では、マージン部の浮き上がりや開きが発生していないという結果が確認できた。
上記表３は、８５℃、６０％の相対湿度下で２．８Ｖの電圧を印加し、６時間が経過した後、さらにそれに８５℃、８５％の相対湿度下で２．８Ｖの電圧を印加し、１２時間放置した後、故障が発生する頻度をテストした結果である。実施例では、４種類のサンプルをそれぞれ２００個ずつテストした。
表３を参照すると、実施例では、比較例に比べて不良発生頻度が３３．３％減少したことが確認できる。このことから、本発明による積層セラミック電子部品の耐湿信頼性が著しく向上したことが確認できる。
上記表４は、セラミックチップの切断過程で発生するショート不良の頻度を確認した結果である。セラミックチップを切断する時に、切断面でのひずみにより内部電極の先端でショートが起こる不良が発生し得る。上記表４を参照すると、実施例では、比較例に比べてショート不良率が３２．３５％減少したという結果が確認できる。このことから、本発明による積層セラミック電子部品は、既存の製品と比較してショート不良率が著しく改善されたことが分かる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態及び添付図面により限定されず、添付の特許請求の範囲により限定しようとする。よって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野の通常の知識を有する者による多様な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。
１００ 積層セラミック電子部品
１１１ 誘電体層
１１２ 第１マージン部
１１３ 第２マージン部
１４１ 第１カバー部
１４２ 第２カバー部
１２１ 第１内部電極
１２２ 第２内部電極
１３１ 第１外部電極
１３２ 第２外部電極
１１１ 誘電体層
１１２ 第１マージン部
１１３ 第２マージン部
１４１ 第１カバー部
１４２ 第２カバー部
１２１ 第１内部電極
１２２ 第２内部電極
１３１ 第１外部電極
１３２ 第２外部電極
Claims (26)
- 誘電体層、及び前記誘電体層を挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極及び第２内部電極を含むセラミック本体と、
前記第１内部電極と連結される第１外部電極と、
前記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を備える積層セラミック電子部品であって、
前記セラミック本体は、第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、並びに第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を有し、前記第２方向に積層された前記第１内部電極及び前記第２内部電極を含んで容量が形成される容量部と、
前記容量部の前記第３面上に配置される第１マージン部と、前記容量部の前記第４面上に配置される第２マージン部と、前記容量部、前記第１マージン部、及び前記第２マージン部の前記第３方向の両面上にそれぞれ配置される第１カバー部及び第２カバー部と、を含み、
前記セラミック本体の前記第１方向の平均長さが、前記セラミック本体の前記第２方向の平均幅（ａ）の１倍超過及び／または３倍未満の範囲を満たし、
前記セラミック本体の前記第２方向の平均幅（ａ）及び前記セラミック本体の前記第３方向の平均高さ（ｂ）が、ｂ＞ａの関係を満たす、積層セラミック電子部品。 - 前記セラミック本体の前記第２方向の平均幅（ａ）及び前記セラミック本体の前記第３方向の平均高さ（ｂ）が、ｂ≧１．２×ａの関係を満たす、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第１マージン部及び前記第２マージン部の前記第３方向の平均高さ（ｘ）と、前記容量部の前記第３方向の平均高さ（ｙ）の偏差（｜ｃ－ｄ｜／ｃ）が５％以下である、請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第１カバー部及び前記第２カバー部はそれぞれ、前記誘電体層、前記第１内部電極、及び前記第２内部電極と接して配置される、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第１カバー部は、前記容量部、前記第１マージン部、及び前記第２マージン部の前記第３方向の一面に接して配置され、
前記第２カバー部は、前記容量部、前記第１マージン部、及び前記第２マージン部の前記第３方向の他面に接して配置される、請求項１から４のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。 - 前記第１カバー部と前記第１及び第２マージン部とが接する界面は、前記容量部の前記第５面と同一の平面上に配置され、
前記第２カバー部と前記第１及び第２マージン部とが接する界面は、前記容量部の前記第６面と同一の平面上に配置される、請求項５に記載の積層セラミック電子部品。 - 前記第１内部電極及び前記第２内部電極の平均厚さが０．４μｍ以下である、請求項１から６のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記誘電体層の平均厚さが０．０１μｍ以上及び／または０．４μｍ以下の範囲内である、請求項１から７のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記セラミック本体の前記第３方向の両面のうち何れか一面が、外部基板に対する実装面である、請求項１から８のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第１外部電極は前記容量部の前記第１面上に配置され、
前記第２外部電極は前記容量部の前記第２面上に配置される、請求項１から９のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。 - 前記第１外部電極の少なくとも一部が、前記容量部の前記第３面、前記第４面、前記第５面、及び前記第６面上に延びて配置され、
前記第２外部電極の少なくとも一部が、前記容量部の前記第３面、前記第４面、前記第５面、及び前記第６面上に延びて配置される、請求項１０に記載の積層セラミック電子部品。 - 前記第１内部電極及び／または前記第２内部電極は、前記容量部の前記第２方向に露出し、
前記第１マージン部及び／または前記第２マージン部はそれぞれ、前記第１内部電極または前記第２内部電極と接して配置される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。 - 前記第１カバー部は、前記容量部、前記第１マージン部、及び前記第２マージン部の前記第３方向の一面に接して配置され、
前記第２カバー部は、前記容量部、前記第１マージン部、及び前記第２マージン部の前記第３方向の他面に接して配置される、請求項４から１２のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。 - 前記容量部の前記第２方向の平均幅（ａ）及び前記容量部の前記第３方向の平均高さ（ｂ）が、ｂ≧１．２×ａの関係を満たす、請求項１３に記載の積層セラミック電子部品。
- 積層セラミック電子部品と、
第１電極パッド及び第２電極パッドが配置される基板と、
半田と、を備える積層セラミック電子部品の実装基板であって、
前記積層セラミック電子部品は、
誘電体層、及び前記誘電体層を挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極及び第２内部電極を含むセラミック本体と、
前記第１内部電極と連結される第１外部電極と、
前記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を含み、
前記セラミック本体は、
第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、並びに第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を有し、前記第２方向に積層された前記第１内部電極及び前記第２内部電極を含んで容量が形成される容量部と、
前記容量部の前記第３面上に配置される第１マージン部と、前記容量部の前記第４面上に配置される第２マージン部と、前記容量部、前記第１マージン部、及び前記第２マージン部の前記第３方向の両面上にそれぞれ配置される第１カバー部及び第２カバー部と、を含み、
前記第１電極パッド及び前記第２電極パッドは、前記基板の前記第３方向の一面に配置され、
前記セラミック本体の前記第１方向の平均長さが、前記セラミック本体の前記第２方向の平均幅（ａ）の１倍超過及び／または３倍未満の範囲を満たし、
前記セラミック本体の前記第２方向の平均幅（ａ）及び前記セラミック本体の前記第３方向の平均高さ（ｂ）が、ｂ＞ａの関係を満たす、積層セラミック電子部品の実装基板。 - 前記第１内部電極及び前記第２内部電極は前記基板に垂直に配置される、請求項１５に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。
- 前記セラミック本体の前記第２方向の幅（ａ）及び前記セラミック本体の前記第３方向の高さ（ｂ）が、ｂ≧１．２×ａの関係を満たす、請求項１５または１６に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。
- 前記第１カバー部及び前記第２カバー部はそれぞれ、前記誘電体層、前記第１内部電極、及び前記第２内部電極と接して配置される、請求項１５から１７のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。
- 前記第１カバー部と、前記容量部、前記第１マージン部、及び前記第２マージン部とが接する前記第３方向の一面、及び前記第２カバー部と、前記容量部、前記第１マージン部、及び前記第２マージン部とが接する前記第３方向の他面は、前記基板の実装面に平行に配置される、請求項１５から１８のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。
- 前記第１内部電極及び前記第２内部電極の平均厚さが０．４μｍ以下である、請求項１５から１９のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。
- 前記誘電体層の平均厚さが０．０１μｍ以上及び／または０．４μｍ以下である、請求項１５から２０のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。
- 前記第１外部電極は前記容量部の前記第１面上に配置され、
前記第２外部電極は前記容量部の前記第２面上に配置される、請求項１５から２１のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。 - 前記第１外部電極の少なくとも一部が、前記容量部の前記第３面、前記第４面、前記第５面、及び前記第６面上に延びて配置され、
前記第２外部電極の少なくとも一部が、前記容量部の前記第３面、前記第４面、前記第５面、及び前記第６面上に延びて配置される、請求項２２に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。 - 前記第１内部電極及び／または前記第２内部電極は、前記容量部の前記第２方向に露出し、
前記第１マージン部及び／または前記第２マージン部はそれぞれ、前記第１内部電極または前記第２内部電極と接して配置される、請求項１５から２３のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。 - 前記第１カバー部は、前記容量部、前記第１マージン部、及び前記第２マージン部の前記第３方向の一面に接して配置され、
前記第２カバー部は、前記容量部、前記第１マージン部、及び前記第２マージン部の前記第３方向の他面に接して配置される、請求項１８から２４のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。 - 前記容量部の前記第２方向の平均幅（ａ）及び前記容量部の前記第３方向の平均高さ（ｂ）が、ｂ≧１．２×ａの関係を満たす、請求項２５に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2020-0182056 | 2020-12-23 | ||
| KR1020200182056A KR20220090988A (ko) | 2020-12-23 | 2020-12-23 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 실장 기판 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022100208A true JP2022100208A (ja) | 2022-07-05 |
Family
ID=82021523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021129352A Pending JP2022100208A (ja) | 2020-12-23 | 2021-08-05 | 積層セラミック電子部品及びその実装基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220199330A1 (ja) |
| JP (1) | JP2022100208A (ja) |
| KR (1) | KR20220090988A (ja) |
| CN (1) | CN114664565A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024047966A1 (ja) * | 2022-08-31 | 2024-03-07 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品、回路基板、電子機器およびセラミック電子部品の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230090738A (ko) * | 2021-12-15 | 2023-06-22 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터의 제조 방법 및 적층 세라믹 커패시터 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AR205357A1 (es) * | 1973-10-25 | 1976-04-30 | Trw Inc | Una composicion elastomerica curada con peroxido |
| KR101058697B1 (ko) * | 2010-12-21 | 2011-08-22 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터의 회로 기판 실장 구조, 실장 방법과 이를 위한 회로 기판의 랜드 패턴, 수평 방향으로 테이핑한 적층 세라믹 커패시터의 포장체 및 수평 방향 정렬방법 |
| KR101862396B1 (ko) * | 2011-09-08 | 2018-05-30 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
| KR101452067B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2014-10-16 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
| JP6798766B2 (ja) * | 2013-06-19 | 2020-12-09 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR102078012B1 (ko) * | 2014-01-10 | 2020-02-17 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
| JP6822155B2 (ja) * | 2017-01-12 | 2021-01-27 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその実装構造体 |
| JP7053095B2 (ja) * | 2018-11-29 | 2022-04-12 | サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミックキャパシタ |
-
2020
- 2020-12-23 KR KR1020200182056A patent/KR20220090988A/ko active Search and Examination
-
2021
- 2021-07-23 US US17/384,019 patent/US20220199330A1/en active Pending
- 2021-08-05 JP JP2021129352A patent/JP2022100208A/ja active Pending
- 2021-10-14 CN CN202111196010.3A patent/CN114664565A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024047966A1 (ja) * | 2022-08-31 | 2024-03-07 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品、回路基板、電子機器およびセラミック電子部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220199330A1 (en) | 2022-06-23 |
| CN114664565A (zh) | 2022-06-24 |
| KR20220090988A (ko) | 2022-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6632808B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| US11646161B2 (en) | Capacitor component | |
| CN212257192U (zh) | 电容器组件 | |
| JP7364152B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| US11657978B2 (en) | Capacitor component | |
| JP2022100208A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその実装基板 | |
| JP2021048388A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| KR20220063555A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| JP2022119088A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2013115426A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| KR20190116183A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
| JP2022090595A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| US11908626B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same | |
| US11791103B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component | |
| KR20210089860A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조 방법 | |
| JP2023079141A (ja) | 積層セラミックキャパシタ | |
| JP2023099438A (ja) | 積層型電子部品 |