WO2013190718A1 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

積層セラミックコンデンサ Download PDF

Info

Publication number
WO2013190718A1
WO2013190718A1 PCT/JP2012/077458 JP2012077458W WO2013190718A1 WO 2013190718 A1 WO2013190718 A1 WO 2013190718A1 JP 2012077458 W JP2012077458 W JP 2012077458W WO 2013190718 A1 WO2013190718 A1 WO 2013190718A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
stacking direction
ceramic capacitor
internal electrode
multilayer ceramic
dielectric layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/077458
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
賢二 齊藤
Original Assignee
太陽誘電株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 太陽誘電株式会社 filed Critical 太陽誘電株式会社
Priority to US14/406,905 priority Critical patent/US9607766B2/en
Priority to CN201280074116.9A priority patent/CN104620341B/zh
Priority to KR1020147030738A priority patent/KR20150005577A/ko
Publication of WO2013190718A1 publication Critical patent/WO2013190718A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/248—Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps

Definitions

  • the present invention relates to a multilayer ceramic capacitor provided with a capacitor body having a structure in which a plurality of internal electrode layers are stacked via a dielectric layer.
  • the deterioration of the insulation resistance value is considered to be mainly caused by oxygen defects (structural defects) generated in the dielectric crystal under a high electric field, but in any case, the deterioration of the insulation resistance value is caused by the life of the multilayer ceramic capacitor. Because it is directly related, early improvement is required.
  • An object of the present invention is to provide a multilayer ceramic capacitor whose insulation resistance value is unlikely to deteriorate.
  • the present invention provides a multilayer ceramic capacitor having a capacitor body having a structure in which a plurality of internal electrode layers are stacked via a dielectric layer, and two internal electrode layers adjacent in the stacking direction;
  • a portion constituted by one dielectric layer interposed between the two internal electrode layers is captured as a unit capacitor, the capacitance of each of the plurality of unit capacitors arranged in the stacking direction is higher in the stacking direction than on both sides in the stacking direction.
  • the center is characterized by having a smaller distribution.
  • Multilayer ceramic capacitors that have a distribution in which the capacitance of each of unit capacitors arranged in the stacking direction is smaller in the center of the stacking direction than in both sides of the stacking direction are more insulative than multilayer ceramic capacitors that do not have such a distribution. Resistance value hardly deteriorates. Therefore, it is possible to provide a multilayer semi-rack capacitor in which the insulation resistance value hardly deteriorates even when the dielectric layer is thinned in order to satisfy the needs for miniaturization and large capacity.
  • FIG. 1A is a longitudinal sectional view of a multilayer ceramic capacitor to which the present invention is applied;
  • FIG. 1B is a transverse sectional view of the multilayer ceramic capacitor taken along line BB in FIG. 1A;
  • (C) is a diagram showing an equivalent circuit of the multilayer ceramic capacitor;
  • FIG. 1 (D) is a diagram showing a distribution of capacitance of each unit capacitor included in the multilayer ceramic capacitor.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a distribution of capacitance of each unit capacitor included in each of the working samples 1 and 2 and the comparative sample 1.
  • FIG. 3 is a diagram showing the capacitance and HALT results of the working samples 1 to 6 and the comparative samples 1 to 3, respectively.
  • the length corresponds to the horizontal dimension in FIG. 1 (A)
  • the width corresponds to the vertical dimension in FIG. 1 (B)
  • the height corresponds to the vertical dimension in FIG. 1 (A).
  • the capacitor body 11 has a structure in which a total of 20 internal electrode layers 12 are laminated via a dielectric layer 13 (total 19). Further, on the upper side of the uppermost internal electrode layer 12 and the lower side of the lowermost internal electrode layer 12 of the capacitor body 11, there are upper and lower margins (not indicated) that are formed by laminating only a plurality of dielectric layers 13. Exists. Furthermore, left and right margins (not shown) consisting only of a plurality of dielectric layers 13 exist on one side in the width direction and the other side in the width direction of the capacitor body 11.
  • 1A and 1B show a multilayer ceramic capacitor 10 in which the number of internal electrode layers 12 is 20 for the sake of illustration, but it actually meets the needs for miniaturization and large capacity. The number of internal electrode layers of the multilayer ceramic capacitor is over 100.
  • Each internal electrode layer 12 is made of nickel, copper, palladium, platinum, silver, gold, an alloy thereof, or the like, and the thickness, composition, and top view shape (substantially rectangular) are substantially the same.
  • Each dielectric layer 13 includes the dielectric layer 13 constituting the upper and lower margins, including barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, calcium zirconate, calcium zirconate titanate, barium zirconate, or It consists of titanium oxide and the like, and the thickness and composition and the top view shape (substantially rectangular) are substantially the same, but the top view shape is longer and wider than the top view shape of each internal electrode layer 12.
  • the odd-numbered internal electrode layers 12 (total 10) from the top in FIG. 1A and the even-numbered internal electrode layers 12 (total 10) from the top are shifted in the length direction.
  • the odd-numbered internal electrode layers 12 from the top are electrically connected to the left external electrode 14, and the even-numbered internal electrode layers 12 from the top are electrically connected to the right external electrode 14.
  • Each external electrode 14 has a two-layer structure of a base layer (no reference) closely attached to both ends in the length direction of the capacitor body 11 and a surface layer formed on the surface of the base layer, or a base layer and a surface layer.
  • the underlayer is preferably made of the same material as the internal electrode layer 12, the surface layer is made of tin, palladium, gold, zinc, or the like, and the intermediate layer is made of platinum, palladium, gold, copper, nickel, or the like.
  • the multilayer ceramic capacitor 10 is constituted by two internal electrode layers 12 adjacent to each other in the vertical direction of the capacitor body 11, that is, in the stacking direction, and one dielectric layer 13 interposed between the two internal electrode layers 12.
  • a total of 19 unit capacitors UC1 to UC19 arranged in the stacking direction are included, and the unit capacitors UC1 to UC19 are a pair of external electrodes 14 Can be regarded as being connected in parallel.
  • FIG. 1D shows the capacitance of each of unit capacitors UC1 to UC19 in a state where a pair of external electrodes 14 are removed from the multilayer ceramic capacitor 10 using a manual prober and an LCR meter (manufactured by Agilent, 4284A).
  • the capacitances of a total of 19 unit capacitors UC1 to UC19 arranged in the stacking direction are plotted in a two-dimensional graph.
  • the capacitance of each of the unit capacitors UC1 to UC19 in total in the stacking direction is greater in the center in the stacking direction than on both sides in the stacking direction. It has a smaller distribution.
  • the capacitance of each of the 19 unit capacitors UC1 to UC19 arranged in the stacking direction has a distribution that gradually decreases from the unit capacitors UC1 and UC19 on both sides in the stacking direction toward the unit capacitor UC10 in the center in the stacking direction.
  • dielectric layer slurry containing additives such as barium titanate powder, ethanol (solvent), polyvinyl butyral (binder) and dispersant, nickel powder, terpineol (solvent), ethyl cellulose (binder) and dispersant
  • additives such as barium titanate powder, ethanol (solvent), polyvinyl butyral (binder) and dispersant, nickel powder, terpineol (solvent), ethyl cellulose (binder) and dispersant
  • a dielectric layer slurry is applied on the carrier film with a predetermined thickness and width using a die coater and the like, and dried to produce a first sheet, and an internal electrode layer paste is formed on the first sheet. Is printed in a matrix with a predetermined thickness and shape using a screen printing machine or the like, and dried to produce a second sheet.
  • a predetermined number of third sheets punched from the first sheet are stacked up to a predetermined number and thermocompression bonded, and then a predetermined shape punched from the second sheet thereon 4th sheets (including those printed in a matrix and dried) are stacked up to a predetermined number and thermocompression-bonded, and then a predetermined number of third sheets punched from the first sheet are stacked on the predetermined number.
  • the unfired laminated sheet is cut into a lattice shape using a dicing machine or the like, and an unfired chip corresponding to the capacitor body 11 is produced.
  • a plurality of unsintered chips are put into a firing furnace and fired at a temperature profile corresponding to the nickel powder and the barium titanate powder in a reducing atmosphere or a low oxygen partial pressure atmosphere (binder removal treatment and (Including baking treatment).
  • the important point in this firing step is that rapid increase in the temperature in the firing process, for example, 5000 to 10000 ° C./hr is adopted, and the progress of sintering is actively reduced from the surface of the unsintered chip toward the center. Is to appear in
  • external electrode paste (applying internal electrode layer paste) is applied to both ends in the length direction of the baked chip using a roller coater and the like, and a baking process is performed in the same atmosphere as above to form a base layer Subsequently, a surface layer, or an intermediate layer and a surface layer are formed on the surface of the underlayer by electrolytic plating or the like, and a pair of external electrodes is manufactured.
  • the second manufacturing method differs from the first manufacturing method in that (1) In the preparation step, in addition to the dielectric layer slurry and the internal electrode layer paste, the dielectric layer slurry.
  • a layer slurry is coated with a die coater or the like with a predetermined thickness and width and dried to produce a fifth sheet.
  • a predetermined stamped from the fifth sheet in the unfired laminated sheet production step A predetermined number of sixth sheets having a predetermined shape are stacked and thermocompression bonded, and a predetermined number of fourth sheets (including those printed in a matrix and dried) are punched from the second sheet.
  • thermocompression bonding Stack up to thermocompression bonding and The sixth sheet of a predetermined shape punched out from the sheet is stacked up to a predetermined number and thermocompression bonded, and finally this is thermocompression bonded with a hot isostatic press or the like to produce an unfired laminated sheet. is there. Since other processes are the same as those in the first manufacturing method, the description thereof is omitted.
  • a second dielectric layer slurry was prepared in a preparation configuration, a fifth sheet was produced from the second dielectric layer slurry in the sheet production step, and obtained from the fifth sheet in an unfired laminated sheet production step.
  • the reason why the sixth sheet is laminated on the upper and lower portions is that the sintering progress appears more prominently in the portion corresponding to the upper and lower margins of the unfired chip in the firing process of the firing step.
  • Silica and rare earth oxides can be used as the sintering aid for the second dielectric layer slurry, and the amount added is preferably 0.5 to 5.0 wt%.
  • the working samples 1, 3 and 5 are manufactured according to the first manufacturing method
  • the working samples 2, 4 and 6 are manufactured according to the second manufacturing method
  • Nos. 1 to 3 are produced according to the production method in which the temperature rise in the firing step of the first production method is a normal temperature rise, for example, 300 to 600 ° C./hr.
  • the working samples 1 to 6 and the comparative samples 1 to 3 are all 1005 types (the standard dimensions of length, width and height are 1.0 mm, 0.5 mm and 0.5 mm, respectively), and the number of internal electrode layers is 100.
  • the thicknesses of the dielectric layers of the working samples 1 and 2 and the comparative sample 1 are 1.0 ⁇ m and the thickness of the internal electrode layer is 1.2 ⁇ m.
  • the working samples 3 and 4 and the comparative sample 2 respectively The thickness of the dielectric layer is 0.8 ⁇ m and the thickness of the internal electrode layer is 1.2 ⁇ m.
  • the thickness of each dielectric layer of the working samples 5 and 6 and the comparative sample 3 is 3.0 ⁇ m, and the internal electrode layer The thickness is 1.2 ⁇ m.
  • each of the working samples 1 to 6 and the comparative samples 1 to 3 includes a portion constituted by two internal electrode layers adjacent in the stacking direction and one dielectric layer interposed between the two internal electrode layers.
  • the unit capacitors UC1 to UC99 are arranged in the stacking direction and a total of 99 unit capacitors UC1 to UC99 are connected in parallel to a pair of external electrodes.
  • FIG. 2 shows a manual prober and an LCR meter (Agilent's 4284A) for the capacitances of 99 unit capacitors UC1 to UC99 in a state where a pair of external electrodes are removed from each of working samples 1 and 2 and comparative sample 1.
  • the capacitance of each of the 99 unit capacitors UC1 to UC99 arranged in the stacking direction is plotted in a two-dimensional graph similar to FIG. 1D.
  • the capacitance of each of the 99 unit capacitors UC1 to UC99 arranged in the stacking direction is smaller at the center in the stacking direction than at both sides in the stacking direction.
  • the distribution, specifically, the capacitance of each of 99 unit capacitors UC1 to UC99 arranged in the stacking direction has a distribution that gradually decreases from the unit capacitors UC1 and UC99 on both sides in the stacking direction toward the unit capacitor UC50 in the center in the stacking direction.
  • the capacitance of each of the 99 unit capacitors UC1 to UC99 arranged in the stacking direction has a substantially linear distribution with slight increase and decrease.
  • the distribution of the capacitance of each of the 99 unit capacitors UC1 to UC99 arranged in the stacking direction is 19 unit capacitors UC1 to UC19 in total shown in FIG. While confirming that it is the same as that of each electrostatic capacitance, it can confirm that this distribution is clearly different from the distribution of the comparative sample 1.
  • the capacitance of each of the 99 unit capacitors UC1 to UC99 arranged in the stacking direction is stacked from both sides in the stacking direction even in each of the working samples 3 and 4, and the working sample 5 and each.
  • the electrostatic capacity of 99 unit capacitors UC1 to UC99 arranged in the stacking direction is smaller from the unit capacitors UC1 and UC99 on both sides in the stacking direction toward the unit capacitor UC50 in the stacking direction center. It has a gradually decreasing distribution.
  • the capacitance of each of the 99 unit capacitors UC1 to UC99 arranged in the stacking direction has a substantially linear distribution with slight increase and decrease.
  • FIG. 3 shows the values (unit: nF) of the capacitance values of the working samples 1 to 6 and the comparative samples 1 to 3 measured by an LCR meter (Agilent 4284A) before performing the HALT described later.
  • the results (unit: sec) when the HALT (High Accelerated Life Test) is performed on each of the execution samples 1 to 6 and the comparison samples 1 to 3 are indicated in the HALT result column. .
  • the HALT conditions of each of the working samples 1 and 2 and the comparative sample 1 are a temperature of 125 ° C. and an applied voltage of 20 V
  • the HALT conditions of the working samples 3 and 4 and the comparative sample 2 are a temperature of 125 ° C. and an applied voltage of 10 V
  • the HALT conditions of the working samples 5 and 6 and the comparative sample 3 are a temperature of 125 ° C. and an applied voltage of 50V.
  • the HALT results of the working samples 1 to 6 and the comparative samples 1 to 3 are the time from the start of HALT until the insulation resistance value becomes 1 ⁇ 10 5 ⁇ or less.
  • the HALT results of each of the implementation samples 1 and 2 are comparative samples.
  • the HALT result of Example 1 is approximately 2.4 times the HALT result of Comparative Sample 1
  • the HALT result of Example 2 is approximately the same as the HALT result of Comparative Sample 1. It can be confirmed that it is 2.4 times.
  • the HALT result of each of the execution samples 3 and 4 is more than that of the comparison sample 2.
  • the HALT result of the execution sample 3 is about 29.4 times the HALT result of the comparison sample 2
  • the HALT result of the execution sample 4 is about 28.5 times the HALT result of the comparison sample 2. It can be confirmed that there is.
  • the HALT result of each of the execution samples 5 and 6 is higher than the HALT result of the comparison sample 3.
  • the HALT result of the execution sample 5 is about 1.5 times the HALT result of the comparison sample 3
  • the HALT result of the execution sample 6 is about 1.4 times the HALT result of the comparison sample 3. It can be confirmed that there is.
  • a total of 99 unit capacitors UC1 to UC99 arranged in the stacking direction have a distribution in which the capacitance of each of the unit capacitors UC1 to UC99 is smaller in the center in the stacking direction than in both sides in the stacking direction.
  • the comparative samples 1 to 3 do not have such a distribution (see FIG. 2), although the distribution gradually decreases from UC99 toward the unit capacitor UC50 in the center in the stacking direction.
  • the HALT result of each of the execution samples 1 and 2 is superior to the HALT result of the comparison sample 1
  • the HALT result of each of the execution samples 3 and 4 is superior to the HALT result of the comparison sample 2
  • the execution sample 5 6 and 6 are superior to the HALT result of Comparative Sample 3 (see FIG. 3).
  • the electrostatic capacitance of each of the unit capacitors arranged in the stacking direction is distributed to be smaller in the center in the stacking direction than in both sides of the stacking direction. It can be said that the monolithic ceramic capacitor having a distribution that is reduced to a lower level is less likely to cause deterioration of the insulation resistance value than the monolithic ceramic capacitor having no such distribution.
  • the HALT result of each of the working samples 1 and 2 having the dielectric layer thickness of 1.0 ⁇ m is approximately 2.4 times the HALT result of the comparative example 1, and the working thickness of the dielectric layer is 0.8 ⁇ m.
  • the HALT results of Samples 3 and 4 are about 29.4 times and about 28.5 times the HALT results of Comparative Example 2, respectively, and the HALT results of each of Working Samples 5 and 6 with a dielectric layer thickness of 3.0 ⁇ m Is about 1.5 times and about 1.4 times the HALT result of Comparative Sample 3 (see FIG. 3).
  • a multilayer ceramic capacitor having a dielectric layer thickness of 1.0 ⁇ m or less is more effective in suppressing deterioration of insulation resistance than a multilayer ceramic capacitor having a dielectric layer thickness greater than 1.0 ⁇ m.
  • I can say that.
  • the insulation resistance value It can be said that deterioration can be sufficiently suppressed.
  • the thickness of the dielectric layer constituting each unit capacitor is smaller than the outside in the stacking direction so that the capacitance of each of the unit capacitors arranged in the stacking direction is smaller in the center in the stacking direction than in both sides in the stacking direction.
  • the thickness of the dielectric layer sheet is changed so that the center in the stacking direction becomes thicker, or the dielectric constant of the dielectric layer constituting each unit capacitor is lower in the stacking direction center than in the stacking direction outside.
  • SYMBOLS 10 Multilayer ceramic capacitor, 11 ... Capacitor main body, 12 ... Internal electrode layer, 13 ... Dielectric layer, 14 ... External electrode, UC ... Unit capacitor.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

【課題】絶縁抵抗値が劣化し難い積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。 【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０は、積層方向で隣接する２つの内部電極層１２と該２つの内部電極層１２の間に介在する１つの誘電体層１３によって構成される部分を単位コンデンサとして捕らえたとき、積層方向に並ぶ計１９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ１９それぞれの静電容量が積層方向両側よりも積層方向中央の方が小さくなる分布を有する。

Description

積層セラミックコンデンサ
　本発明は、複数の内部電極層が誘電体層を介して積層された構造を有するコンデンサ本体を備えた積層セラミックコンデンサに関する。
　この種の積層セラミックコンデンサに対する小型化及び大容量化のニーズは依然として高く、該ニーズを満足するには内部電極層と誘電体層の更なる薄層化は避けられない。しかしながら、誘電体層の薄層化が進むと、具体的には誘電体層の厚さが１．０μｍ以下になると、積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗値の劣化が生じ易くなる。
　前記絶縁抵抗値の劣化は、高電界下で誘電体結晶に生じる酸素欠陥（構造欠陥）が主原因として考えられているが、何れにせよ、該絶縁抵抗値の劣化は積層セラミックコンデンサの寿命に直接的に係わるものであるため、早期の改善が求められている。
　本発明者は前記絶縁抵抗値の劣化の改善策をコストを考慮の上で種々模索した結果、下記特許文献１に記載されるようなアプローチとは異なるアプローチによって、該絶縁抵抗値の劣化を抑制できることを捻出して本発明に到達した。
特開２００５－２８１０６６号公報
　本発明の目的は、絶縁抵抗値が劣化し難い積層セラミックコンデンサを提供することにある。
　前記目的を達成するため、本発明は、複数の内部電極層が誘電体層を介して積層された構造を有するコンデンサ本体を備えた積層セラミックコンデンサにおいて、積層方向で隣接する２つの内部電極層と該２つの内部電極層の間に介在する１つの誘電体層によって構成される部分を単位コンデンサとして捕らえたとき、積層方向に並ぶ複数の単位コンデンサそれぞれの静電容量が積層方向両側よりも積層方向中央の方が小さくなる分布を有する、ことをその特徴とする。
　積層方向に並ぶ複数の単位コンデンサそれぞれの静電容量が積層方向両側よりも積層方向中央の方が小さくなる分布を有する積層セラミックコンデンサは、このような分布を有しない積層セラミックコンデンサに比べて、絶縁抵抗値の劣化が生じ難い。依って、小型化及び大容量化のニーズを満足するために誘電体層の薄層化が進んでも、絶縁抵抗値の劣化が生じ難い積層セミラックコンデンサを提供できる。
　本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
図１（Ａ）は、本発明を適用した積層セラミックコンデンサの縦断面図；図１（Ｂ）は、同積層セラミックコンデンサの図１（Ａ）のＢ－Ｂ線に沿う横断面図；図１（Ｃ）は、同積層セラミックコンデンサの等価回路を示す図；図１（Ｄ）は、同積層セラミックコンデンサが含む単位コンデンサそれぞれの静電容量の分布を示す図である。 図２は、実施サンプル１及び２と比較サンプル１のそれぞれが含む単位コンデンサそれぞれの静電容量の分布を示す図である。 図３は、実施サンプル１～６と比較サンプル１～３のそれぞれの静電容量及びＨＡＬＴ結果を示す図である。
　《積層セラミックコンデンサの構造》
　先ず、図１（Ａ）～（Ｄ）を引用して、本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０の構造について説明する。
　図１（Ａ）及び（Ｂ）に示した積層セラミックコンデンサ１０は、長さ、幅及び高さの基準寸法が長さ＞幅＝高さの寸法関係を有する略直方体形状のコンデンサ本体１１と、該コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に設けられた１対の外部電極１４を備えている。因みに、前記長さは図１（Ａ）における左右方向の寸法が該当し、前記幅は図１（Ｂ）における上下方向の寸法が該当し、前記高さは図１（Ａ）における上下方向の寸法が該当する。また、前記寸法関係は長さ＞幅＝高さに限らず、例えば長さ＞幅＞高さの寸法関係であっても良い。
　コンデンサ本体１１は、計２０の内部電極層１２が誘電体層１３（計１９）を介して積層された構造を有している。また、コンデンサ本体１１の最上位の内部電極層１２の上側と最下位の内部電極層１２の下側には、複数の誘電体層１３のみを積層して構成された上下マージン（符号無し）が存在する。さらに、コンデンサ本体１１の幅方向一側と幅方向他側には、複数の誘電体層１３のみから成る左右マージン（符号無し）が存在する。因みに、図１（Ａ）及び（Ｂ）には、図示の便宜上、内部電極層１２の数を２０とした積層セラミックコンデンサ１０を示してあるが、小型化及び大容量化のニーズを満足する実際の積層セラミックコンデンサの内部電極層の数は１００以上に及ぶ。
　各内部電極層１２は、ニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、又はこれらの合金等から成り、各々の厚さ及び組成と上面視形状（略矩形）は略同じである。各誘電体層１３は、上下マージンを構成する誘電体層１３も含め、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、又は酸化チタン等から成り、各々の厚さ及び組成と上面視形状（略矩形）は略同じであるが、該上面視形状は各内部電極層１２の上面視形状よりも長さ及び幅が大きい。
　計２０の内部電極層１２のうち、図１（Ａ）における上から奇数番目の内部電極層１２（計１０）と上から偶数番目の内部電極層１２（計１０）は長さ方向にずれていて、上から奇数番目の内部電極層１２は左側の外部電極１４に電気的に接続され、且つ、上から偶数番目の内部電極層１２は右側の外部電極１４に電気的に接続されている。
　各外部電極１４は、コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に密着した下地層（符号無し）と該下地層の表面に形成された表面層との２層構造、或いは、下地層と表面層との間に中間層を有する３層構造を有している。下地層は好ましくは内部電極層１２と同じ材料から成り、表面層はスズ、パラジウム、金、又は亜鉛等から成り、中間層は白金、パラジウム、金、銅、又はニッケル等から成る。
　前記積層セラミックコンデンサ１０は、コンデンサ本体１１の上下方向、即ち、積層方
向で隣接する２つの内部電極層１２と該２つの内部電極層１２の間に介在する１つの誘電体層１３によって構成される部分を単位コンデンサとして捕らえたとき、図１（Ｃ）に示したように、積層方向に並ぶ計１９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ１９を含み、且つ、該単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ１９が１対の外部電極１４に並列接続されたものとみなすことができる。
　図１（Ｄ）は、前記積層セラミックコンデンサ１０から１対の外部電極１４を取り除いた状態で計１９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ１９それぞれの静電容量をマニュアルプローバーとＬＣＲメータ（Ａｇｉｌｅｎｔ製　４２８４Ａ）によって個別に測定して、積層方向に並ぶ計１９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ１９それぞれの静電容量を２次元グラフにプロットしたものである。
　図１（Ｄ）から分かるように、前記積層セラミックコンデンサ１０にあっては、積層方向に並ぶ計１９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ１９それぞれの静電容量は、積層方向両側よりも積層方向中央の方が小さくなる分布を有する。詳しくは、積層方向に並ぶ計１９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ１９それぞれの静電容量は、積層方向両側の単位コンデンサＵＣ１及びＵＣ１９から積層方向中央の単位コンデンサＵＣ１０に向かって徐々に低減する分布を有する。
　《積層セラミックコンデンサの第１の製造方法》
　次に、前記積層セラミックコンデンサ１０を得るのに好適な第１の製造方法について説明する。
　製造に際しては、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤を含む誘電体層用スラリーと、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤を含む内部電極層用ペーストを準備する。
　そして、キャリアフィルム上に誘電体層用スラリーをダイコータ等を用いて所定厚さ及び幅で塗工し乾燥処理を施して第１シートを作製すると共に、該第１シート上に内部電極層用ペーストをスクリーン印刷機等を用いて所定厚さ及び形状でマトリクス状に印刷し乾燥処理を施して第２シートを作製する。
　そして、打ち抜き刃及びヒータを有する吸着ヘッド等を用いて、第１シートから打ち抜いた所定形状の第３シートを所定数に至るまで積み重ねて熱圧着し、その上に第２シートから打ち抜いた所定形状の第４シート（マトリクス状に印刷し乾燥されたものを含む）を所定数に至るまで積み重ねて熱圧着し、その上に第１シートから打ち抜いた所定形状の第３シートを所定数に至るまで積み重ねて熱圧着し、これを熱間静水圧プレス機等を用いて最終的に熱圧着して未焼成積層シートを作製する。
　そして、未焼成積層シートをダイシング機等を用いて格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。
　そして、複数の未焼成チップを焼成炉に投入し、還元性雰囲気下、或いは、低酸素分圧雰囲気下で、前記ニッケル粉末及び前記チタン酸バリウム粉末に応じた温度プロファイルで焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行う。この焼成工程で肝要なところは、焼成処理における昇温に急速昇温、例えば５０００～１００００℃／ｈｒを採用して、未焼成チップの表面から中心に向かって焼結進行度の低下が積極的に現れるようにすることにある。
　そして、焼成済みチップの長さ方向両端部にローラ塗布機等を用いて外部電極用ペースト（内部電極層用ペーストを流用）を塗布し前記同様の雰囲気下で焼付け処理を施して下地層を形成し、続いて該下地層の表面に表面層、又は中間層及び表面層を電解メッキ等で形成して、１対の外部電極を作製する。
　《積層セラミックコンデンサの第２の製造方法》
　次に、前記積層セラミックコンデンサ１０を得るのに好適な第２の製造方法について説明する。
　この第２の製造方法が、前記第１の製造方法と異なるところは、（１）前記準備工程で、前記誘電体層用スラリーと前記内部電極層用ペーストの他に、前記誘電体層用スラリーに焼結助剤を添加して得た第２の誘電体層用スラリーを準備する点、（２）前記シート作製工程で、前記第２シートの他に、キャリアフィルム上に第２の誘電体層用スラリーをダイコータ等を用いて所定厚さ及び幅で塗工し乾燥処理を施して第５シートを作製する点、（３）前記未焼成積層シート作製工程で、第５シートから打ち抜いた所定形状の第６シートを所定数に至るまで積み重ねて熱圧着し、その上に第２シートから打ち抜いた所定形状の第４シート（マトリクス状に印刷し乾燥されたものを含む）を所定数に至るまで積み重ねて熱圧着し、その上に第５シートから打ち抜いた所定形状の第６シートを所定数に至るまで積み重ねて熱圧着し、これを熱間静水圧プレス機等で最終的に熱圧着して未焼成積層シートを作製する点、にある。他のプロセスは前記第１の製造方法と同じであるためのその説明を省略する。
　準備構成で第２の誘電体層用スラリーを準備し、シート作製工程で該第２の誘電体層用スラリーによる第５シートを作製し、未焼成積層シート作製工程で該第５シートから得た第６シートを上下部分に積層した理由は、焼成工程の焼成処理において未焼成チップの上下マージンに相当する部分に焼結進行がより顕著に現れるようにすることにある。第２の誘電体層用スラリーの焼結助剤にはシリカや希土類酸化物が利用でき、その添加量は０．５～５．０ｗｔ％が好ましい。
　《実施サンプル１～６と比較サンプル１～３》
　次に、前記積層セラミックコンデンサ１０の構造及び特性を確認するために用意した実施サンプル１～６と比較サンプル１～３について説明する。
　実施サンプル１、３及び５は前記第１の製造方法に準じて製造されたものであり、実施サンプル２、４及び６は前記第２の製造方法に準じて製造されたものであり、比較サンプル１～３は前記第１の製造方法の焼成工程における昇温を通常昇温、例えば３００～６００℃／ｈｒとした製造方法に準じて製造されたものである。
　実施サンプル１～６と比較サンプル１～３は何れも１００５タイプ（長さ、幅及び高さの基準寸法がそれぞれ１．０ｍｍ、０．５ｍｍ、０．５ｍｍ）であり、内部電極層の数は１００である。また、実施サンプル１及び２と比較サンプル１のそれぞれの誘電体層の厚さは１．０μｍで内部電極層の厚さは１．２μｍであり、実施サンプル３及び４と比較サンプル２のそれぞれの誘電体層の厚さは０．８μｍで内部電極層の厚さは１．２μｍであり、実施サンプル５及び６と比較サンプル３のそれぞれの誘電体層の厚さは３．０μｍで内部電極層の厚さは１．２μｍである。
　つまり、実施サンプル１～６と比較サンプル１～３のそれぞれは、積層方向で隣接する２つの内部電極層と該２つの内部電極層の間に介在する１つの誘電体層によって構成される部分を単位コンデンサとして捕らえたとき、積層方向に並ぶ計９９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ９９を含み、且つ、該単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ９９が１対の外部電極に並
列接続されたものとみなすことができる。
　《実施サンプル１～６と比較サンプル１～３のそれぞれによる構造の確認》
　次に、用意した実施サンプル１～６と比較サンプル１～３を用いて各々の構造を確認した結果について説明する。
　図２は、実施サンプル１及び２と比較サンプル１のそれぞれから１対の外部電極を取り除いた状態で計９９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ９９それぞれの静電容量をマニュアルプローバーとＬＣＲメータ（Ａｇｉｌｅｎｔ製　４２８４Ａ）によって個別に測定して、積層方向に並ぶ計９９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ９９それぞれの静電容量を図１（Ｄ）と同様の２次元グラフにプロットしたものである。
　図２から分かるように、実施サンプル１及び２それぞれにあっては、積層方向に並ぶ計９９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ９９それぞれの静電容量は、積層方向両側よりも積層方向中央の方が小さくなる分布、詳しくは積層方向に並ぶ計９９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ９９それぞれの静電容量は、積層方向両側の単位コンデンサＵＣ１及びＵＣ９９から積層方向中央の単位コンデンサＵＣ５０に向かって徐々に低減する分布を有する。一方、比較サンプル１にあっては、積層方向に並ぶ計９９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ９９それぞれの静電容量は、僅かな増減はあるものの略直線的な分布を有する。
　つまり、実施サンプル１及び２それぞれにあっては、積層方向に並ぶ計９９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ９９それぞれの静電容量の分布は、図１（Ｄ）に示した計１９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ１９それぞれの静電容量の分布と同様であることが確認できると共に、該分布は比較サンプル１の分布と明らかに異なることが確認できる。
　図示を省略したが、実施サンプル３及び４それぞれ、並びに、実施サンプル５及びそれぞれにあっても、積層方向に並ぶ計９９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ９９それぞれの静電容量は、積層方向両側よりも積層方向中央の方が小さくなる分布、詳しくは積層方向に並ぶ計９９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ９９それぞれの静電容量は、積層方向両側の単位コンデンサＵＣ１及びＵＣ９９から積層方向中央の単位コンデンサＵＣ５０に向かって徐々に低減する分布を有する。一方、比較サンプル２及び３それぞれにあっては、積層方向に並ぶ計９９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ９９それぞれの静電容量は、僅かな増減はあるものの略直線的な分布を有する。
　《実施サンプル１～６と比較サンプル１～３のそれぞれによる特性の確認》
　次に、用意した実施サンプル１～６と比較サンプル１～３を用いて各々の特性を確認した結果について説明する。
　図３は、実施サンプル１～６と比較サンプル１～３のそれぞれの静電容量を後記ＨＡＬＴを実施する前にＬＣＲメータ（Ａｇｉｌｅｎｔ製　４２８４Ａ）によって測定した値（単位はｎＦ）を静電容量欄に記し、実施サンプル１～６と比較サンプル１～３のそれぞれにＨＡＬＴ（高加速寿命試験：Ｈｉｇｈｌｙ　Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ　Ｌｉｆｅ　Ｔｅｓｔ）を実施したときの結果（単位はｓｅｃ）をＨＡＬＴ結果欄に記したものである。
　実施サンプル１及び２と比較サンプル１のそれぞれのＨＡＬＴ条件は温度１２５℃及び印加電圧２０Ｖであり、実施サンプル３及び４と比較サンプル２のそれぞれのＨＡＬＴ条件は温度１２５℃及び印加電圧１０Ｖであり、実施サンプル５及び６と比較サンプル３のそれぞれのＨＡＬＴ条件は温度１２５℃及び印加電圧５０Ｖである。また、実施サンプル１～６と比較サンプル１～３のそれぞれのＨＡＬＴ結果は、ＨＡＬＴを開始してから絶縁抵抗値が１×１０5Ω以下になるまでの時間である。
　図３から分かるように、実施サンプル１及び２それぞれの静電容量と比較サンプル１の静電容量との間に顕著な差異は認められないものの、実施サンプル１及び２それぞれのＨＡＬＴ結果は比較サンプル１のＨＡＬＴ結果よりも優れていること、詳しくは実施サンプル１のＨＡＬＴ結果は比較サンプル１のＨＡＬＴ結果の約２．４倍であり、実施サンプル２のＨＡＬＴ結果は比較サンプル１のＨＡＬＴ結果の約２．４倍であることが確認できる。
　また、実施サンプル３及び４それぞれの静電容量と比較サンプル２の静電容量との間に顕著な差異は認められないものの、実施サンプル３及び４それぞれのＨＡＬＴ結果は比較サンプル２のＨＡＬＴ結果よりも優れていること、詳しくは実施サンプル３のＨＡＬＴ結果は比較サンプル２のＨＡＬＴ結果の約２９．４倍であり、実施サンプル４のＨＡＬＴ結果は比較サンプル２のＨＡＬＴ結果の約２８．５倍であることが確認できる。
　さらに、実施サンプル５及び６それぞれの静電容量と比較サンプル３の静電容量との間に顕著な差異は認められないものの、実施サンプル５及び６それぞれのＨＡＬＴ結果は比較サンプル３のＨＡＬＴ結果よりも優れていること、詳しくは実施サンプル５のＨＡＬＴ結果は比較サンプル３のＨＡＬＴ結果の約１．５倍であり、実施サンプル６のＨＡＬＴ結果は比較サンプル３のＨＡＬＴ結果の約１．４倍であることが確認できる。
　《確認結果に基づく効果の立証》
　次に、前記構造及び特性の確認結果に基づき発明の効果について立証する。
　実施サンプル１～６は、積層方向に並ぶ計９９の単位コンデンサＵＣ１～ＵＣ９９それぞれの静電容量が、積層方向両側よりも積層方向中央の方が小さくなる分布、詳しくは積層方向両側の単位コンデンサＵＣ１及びＵＣ９９から積層方向中央の単位コンデンサＵＣ５０に向かって徐々に低減する分布を有するが、比較サンプル１～３はこのような分布を有しない（図２を参照）。加えて、実施サンプル１及び２それぞれのＨＡＬＴ結果は比較サンプル１のＨＡＬＴ結果よりも優れており、実施サンプル３及び４それぞれのＨＡＬＴ結果は比較サンプル２のＨＡＬＴ結果よりも優れており、実施サンプル５及び６それぞれのＨＡＬＴ結果は比較サンプル３のＨＡＬＴ結果よりも優れている（図３を参照）。
　つまり、積層方向に並ぶ複数の単位コンデンサそれぞれの静電容量が積層方向両側よりも積層方向中央の方が小さくなる分布、詳しくは積層方向両側の単位コンデンサから積層方向中央の単位コンデンサに向かって徐々に低減する分布を有する積層セラミックコンデンサは、このような分布を有しない積層セラミックコンデンサに比べて、絶縁抵抗値の劣化が生じ難いと言える。
　また、誘電体層の厚さが１．０μｍの実施サンプル１及び２それぞれのＨＡＬＴ結果は比較例１のＨＡＬＴ結果の約２．４倍であり、誘電体層の厚さが０．８μｍの実施サンプル３及び４それぞれのＨＡＬＴ結果は比較例２のＨＡＬＴ結果の約２９．４倍と約２８．５倍であり、誘電体層の厚さが３．０μｍの実施サンプル５及び６それぞれのＨＡＬＴ結果は比較サンプル３のＨＡＬＴ結果の約１．５倍と約１．４倍である（図３を参照）。
　つまり、誘電体層の厚さが１．０μｍ以下の積層セラミックコンデンサは、誘電体層の厚さが１．０μｍよりも厚い積層セラミックコンデンサに比べて、絶縁抵抗値の劣化抑制が効果的に発揮できると言える。勿論、誘電体層の厚さが１．０μｍよりも厚い積層セラミックコンデンサであっても、積層方向に並ぶ複数の単位コンデンサそれぞれの静電容量が前記分布を有していれば、絶縁抵抗値の劣化抑制は十分に為し得ると言える。
　《積層セラミックコンデンサの製造方法の変形例》
　前記第１及び第２の製造方法では、焼成工程の焼成処理における昇温に急速昇温を採用することによって、単位コンデンサを構成する誘電体層の厚さ及び組成が略同じ場合において前記分布を有する積層セラミックコンデンサを得る方法を例示したが、急速昇温を採用しない他の製造方法によって前記分布を有する積層セラミックコンデンサを得ることも可能である。
　例えば、積層方向に並ぶ複数の単位コンデンサそれぞれの静電容量が積層方向両側よりも積層方向中央の方が小さくなるように、各単位コンデンサを構成する誘電体層の厚さが積層方向外側よりも積層方向中央の方が厚くなるように誘電体層用シートの厚さを変化させたり、或いは、各単位コンデンサを構成する誘電体層の誘電率が積層方向外側よりも積層方向中央の方が低くなるように誘電体層用シートの組成を変化させても、前記分布を有する積層セラミックコンデンサを得ることができる。
　１０…積層セラミックコンデンサ、１１…コンデンサ本体、１２…内部電極層、１３…誘電体層、１４…外部電極、ＵＣ…単位コンデンサ。

Claims (4)

  1. 　複数の内部電極層が誘電体層を介して積層された構造を有するコンデンサ本体を備えた積層セラミックコンデンサにおいて、
    　積層方向で隣接する２つの内部電極層と該２つの内部電極層の間に介在する１つの誘電体層によって構成される部分を単位コンデンサとして捕らえたとき、積層方向に並ぶ複数の単位コンデンサそれぞれの静電容量が積層方向両側よりも積層方向中央の方が小さくなる分布を有する、
    　ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
  2. 　前記分布は、積層方向に並ぶ複数の単位コンデンサそれぞれの静電容量が積層方向両側の単位コンデンサから積層方向中央の単位コンデンサに向かって徐々に低減する分布である、
    　ことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
  3. 　前記誘電体層の厚さが１．０μｍ以下である、
    　ことを特徴とする請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ
  4. 　前記内部電極層の数が１００以上である、
    　ことを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
PCT/JP2012/077458 2012-06-19 2012-10-24 積層セラミックコンデンサ WO2013190718A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/406,905 US9607766B2 (en) 2012-06-19 2012-10-24 Laminated ceramic capacitor
CN201280074116.9A CN104620341B (zh) 2012-06-19 2012-10-24 层叠陶瓷电容器
KR1020147030738A KR20150005577A (ko) 2012-06-19 2012-10-24 적층 세라믹 콘덴서

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012137898 2012-06-19
JP2012-137898 2012-06-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013190718A1 true WO2013190718A1 (ja) 2013-12-27

Family

ID=49396827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/077458 WO2013190718A1 (ja) 2012-06-19 2012-10-24 積層セラミックコンデンサ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9607766B2 (ja)
JP (1) JP5298255B1 (ja)
KR (1) KR20150005577A (ja)
CN (1) CN104620341B (ja)
WO (1) WO2013190718A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6312633B2 (ja) * 2014-08-01 2018-04-18 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
US11289412B2 (en) 2019-03-13 2022-03-29 Texas Instruments Incorporated Package substrate with partially recessed capacitor

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03246915A (ja) * 1990-02-24 1991-11-05 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JPH0997733A (ja) * 1995-09-29 1997-04-08 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミック部品の製造方法
JP2006179643A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層コンデンサ及びモールドコンデンサ
JP2008226941A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミックコンデンサの製造方法
WO2010146967A1 (ja) * 2009-06-15 2010-12-23 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP2012060030A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Sony Corp 静電容量素子、静電容量素子の製造方法、及び共振回路

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2804325B2 (ja) * 1989-12-15 1998-09-24 ティーディーケイ株式会社 積層型卑金属セラミックチップコンデンサ
JPH08181031A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Tokin Corp 積層セラミックコンデンサ
JPH09266130A (ja) * 1996-03-27 1997-10-07 Taiyo Yuden Co Ltd 積層コンデンサ
JP4305808B2 (ja) * 2002-07-03 2009-07-29 太陽誘電株式会社 積層コンデンサ
JP4506233B2 (ja) 2004-03-30 2010-07-21 株式会社村田製作所 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
JP2007258279A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Tdk Corp 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP4998222B2 (ja) * 2007-11-14 2012-08-15 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP2012156193A (ja) * 2011-01-24 2012-08-16 Tdk Corp 積層コンデンサ
JP5414940B1 (ja) * 2012-09-27 2014-02-12 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03246915A (ja) * 1990-02-24 1991-11-05 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JPH0997733A (ja) * 1995-09-29 1997-04-08 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミック部品の製造方法
JP2006179643A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層コンデンサ及びモールドコンデンサ
JP2008226941A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミックコンデンサの製造方法
WO2010146967A1 (ja) * 2009-06-15 2010-12-23 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP2012060030A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Sony Corp 静電容量素子、静電容量素子の製造方法、及び共振回路

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150005577A (ko) 2015-01-14
CN104620341A (zh) 2015-05-13
JP2014027254A (ja) 2014-02-06
US9607766B2 (en) 2017-03-28
CN104620341B (zh) 2018-01-19
US20150131201A1 (en) 2015-05-14
JP5298255B1 (ja) 2013-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101843182B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품
JP7227690B2 (ja) 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR101946259B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품
JP5632046B2 (ja) 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法
KR101474138B1 (ko) 적층 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법
US9627142B2 (en) Multilayer ceramic capacitor and board for mounting of the same
TWI270092B (en) Stack capacitor and the manufacturing method thereof
JP4807169B2 (ja) 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP2014204113A (ja) 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法
JP2021044533A (ja) 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法
JP5414940B1 (ja) 積層セラミックコンデンサ
KR20140032293A (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
JP2005136131A (ja) 積層コンデンサ
WO2013190718A1 (ja) 積層セラミックコンデンサ
KR101994719B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
JP4175284B2 (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法
JP2018182107A (ja) 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR101933426B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품
JP6117557B2 (ja) 積層型電子部品
JP2018182106A (ja) 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP5501392B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP5827358B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
TWI587334B (zh) 積層陶瓷電容器
TWI546832B (zh) Laminated ceramic capacitors
JP2024025641A (ja) 積層型キャパシタおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12879315

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147030738

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14406905

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12879315

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1