KR101994719B1 - 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 - Google Patents
적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101994719B1 KR101994719B1 KR1020130086320A KR20130086320A KR101994719B1 KR 101994719 B1 KR101994719 B1 KR 101994719B1 KR 1020130086320 A KR1020130086320 A KR 1020130086320A KR 20130086320 A KR20130086320 A KR 20130086320A KR 101994719 B1 KR101994719 B1 KR 101994719B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thickness
- internal electrode
- pores
- ceramic body
- ceramic
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 30
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBNHCGDYYBMKJN-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methylcyclohexyl)propan-2-yl acetate Chemical compound CC1CCC(C(C)(C)OC(C)=O)CC1 HBNHCGDYYBMKJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
- C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/95—Products characterised by their size, e.g. microceramics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
본 발명은 적층 세라믹 전자 부품에 관한 것으로서, 유전체층을 포함하는 세라믹 본체; 상기 세라믹 본체의 내부에 형성되며, 기공을 포함하는 내부 전극; 및 상기 세라믹 본체의 양측 단부에 형성된 제1 및 제2 외부전극;을 포함하며, 상기 세라믹 본체의 길이 방향 및 두께 방향이 형성하는 단면에 있어서, 상기 내부 전극의 두께를 te 및 상기 기공의 두께를 tp라 하면 0.41≤tp/te≤0.86을 만족하는 적층 세라믹 전자 부품을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 고용량 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 커패시터, 인덕터, 압전 소자, 바리스터 또는 서미스터 등의 세라믹 재료를 사용하는 전자부품은 세라믹 재료로 이루어진 세라믹 본체, 세라믹 본체 내부에 형성된 내부전극층 및 상기 내부전극층과 접속되도록 세라믹 본체 표면에 설치된 외부전극을 구비한다.
세라믹 전자부품 중 적층 세라믹 커패시터는 적층된 복수의 유전체층, 일 유전체층을 사이에 두고 대향 배치되는 내부전극층, 상기 내부전극층에 전기적으로 접속된 외부전극을 포함한다.
적층 세라믹 커패시터는 소형이면서 고용량이 보장되고, 실장이 용이하다는 장점으로 인하여 컴퓨터, PDA, 휴대폰 등의 이동 통신장치의 부품으로서 널리 사용되고 있다.
최근 전기, 전자기기 산업의 고성능화 및 경박단소화에 따라 전자부품에 있어서도 소형, 고성능 및 저가격화가 요구되고 있다. 특히 CPU의 고속화, 기기의 소형 경량화, 디지털화 및 고기능화가 진전됨에 따라, 적층 세라믹 커패시터도 소형화, 박층화, 고용량화, 고주파영역에서의 저임피던스화 등의 특성을 구현하기 위한 연구 개발이 활발히 진행되고 있다.
특히, 내부전극이 박층화되면서 내부전극의 연결성에 문제가 있어 적층 세라믹 전자부품의 신뢰성 저하의 한 요인이 되고 있다.
또한, 내부전극이 박층화되면서 내부전극의 연결성에 문제가 있어 적층 세라믹 전자부품의 고용량 구현에 문제가 있다.
본 발명은 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 고용량 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시 형태는 유전체층을 포함하는 세라믹 본체; 상기 세라믹 본체의 내부에 형성되며, 기공을 포함하는 내부 전극; 및 상기 세라믹 본체의 양측 단부에 형성된 제1 및 제2 외부전극;을 포함하며, 상기 세라믹 본체의 길이 방향 및 두께 방향이 형성하는 단면에 있어서, 상기 내부 전극의 두께를 te 및 상기 기공의 두께를 tp라 하면 0.41≤tp/te≤0.86을 만족하는 적층 세라믹 전자 부품을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 내부 전극의 두께는 0.1㎛≤te≤0.8㎛을 만족할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 내부 전극의 전체 길이에 대한 실제 내부 전극이 형성된 부분의 길이의 비를 내부 전극의 연결성이라 정의하면, 상기 내부 전극의 연결성은 85% 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 기공의 두께 tp는 하나의 기공을 상기 세라믹 본체의 길이 방향으로 3등분할 경우 형성되는 4개 영역의 두께의 평균값일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 기공의 두께 tp는 상기 기공 전체의 두께의 평균값일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 내부 전극의 두께 te는 내부 전극의 평균 두께일 수 있다.
본 발명의 다른 실시 형태는 도전성 금속 분말 및 세라믹 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 마련하는 단계; 상기 도전성 페이스트를 이용하여 세라믹 그린 시트 상에 내부 전극을 형성하는 단계; 상기 내부 전극이 형성된 세라믹 그린 시트를 적층하는 단계; 및 상기 세라믹 그린 시트가 적층된 적층체를 압착 및 소결하여 유전체층과 내부 전극을 포함하는 세라믹 본체를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 세라믹 본체의 길이 방향 및 두께 방향이 형성하는 단면에 있어서, 상기 내부 전극의 두께를 te 및 상기 기공의 두께를 tp라 하면 0.41≤tp/te≤0.86을 만족하는 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 내부 전극의 두께는 0.1㎛≤te≤0.8㎛을 만족할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 내부 전극의 전체 길이에 대한 실제 내부 전극이 형성된 부분의 길이의 비를 내부 전극의 연결성이라 정의하면, 상기 내부 전극의 연결성은 85% 이상일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 기공의 두께 tp는 하나의 기공을 상기 세라믹 본체의 길이 방향으로 3등분할 경우 형성되는 4개 영역의 두께의 평균값일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 기공의 두께 tp는 상기 기공 전체의 두께의 평균값일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 내부 전극의 두께 te는 내부 전극의 평균 두께일 수 있다.
본 발명에 의하면, 세라믹 본체를 형성하는 단계에서 두께 방향 수축력을 조절하여 내부 전극 내의 기공의 두께를 감소시킴으로써, 적층 세라믹 커패시터의 유효 용량을 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터의 단면을 개략적으로 나타내는 일부 확대도이다.
도 4는 도 3의 B 영역을 개략적으로 나타내는 확대도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터의 단면을 개략적으로 나타내는 일부 확대도이다.
도 4는 도 3의 B 영역을 개략적으로 나타내는 확대도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터의 단면을 개략적으로 나타내는 일부 확대도이다.
도 4는 도 3의 B 영역을 개략적으로 나타내는 확대도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태인 적층 세라믹 전자 부품은 세라믹 본체(10), 세라믹 본체의 내부에 형성된 내부 전극(21, 22), 세라믹 본체(10)의 외부에 형성된 외부 전극(31, 32)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터에 있어서, '길이 방향'은 도 1의 'L' 방향, '폭 방향'은 'W' 방향, '두께 방향'은 'T' 방향으로 정의하기로 한다. 여기서 '두께 방향'은 유전체층을 쌓아 올리는 방향 즉 '적층 방향'과 동일한 개념으로 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 세라믹 본체(10)는 형상에 있어 특별히 제한은 없지만, 도시된 바와 같이 육면체 형상일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 세라믹 본체(10)는 서로 마주보는 제1, 제2 주면, 서로 마주보는 제1 측면, 제2 측면 및 서로 마주보는 제1, 제2 단면을 가질 수 있으며, 상기 제1 및 제2 주면은 상기 세라믹 본체(10)의 상면 및 하면으로 표현될 수도 있다.
세라믹 본체(10)는 유전체층(11)을 포함하며, 상기 유전체층(11)은 유전율이 높은 유전 재료를 포함할 수 있다.
유전 재료는 전기 이중극자(electric dipole)를 포함하고 있기 때문에 더 많은 양의 전하 축적을 유도할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 유전체층(11)을 형성하는 원료는 충분한 정전 용량을 얻을 수 있는 한 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 티탄산바륨(BaTiO3) 분말일 수 있다.
상기 유전체층(11)을 형성하는 재료는 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 파우더에 본 발명의 목적에 따라 다양한 세라믹 첨가제, 유기용제, 가소제, 결합제, 분산제 등이 첨가될 수 있다.
상기 유전체층(11) 형성에 사용되는 세라믹 분말의 평균 입경은 특별히 제한되지 않으며, 본 발명의 목적 달성을 위해 조절될 수 있으나, 예를 들어, 400 nm 이하로 조절될 수 있다.
상기 내부 전극(21, 22)은 서로 다른 극성을 갖는 한 쌍의 전극으로서, 유전체층(11) 상에 소정의 두께로 도전성 금속을 포함하는 도전성 페이스트를 인쇄하여 형성될 수 있다.
또한, 상기 내부 전극(21, 22)은 유전체층(11)의 적층 방향을 따라 양 단면을 통해 번갈아 노출되도록 형성될 수 있으며, 중간에 배치된 유전체층(11)에 의해 서로 전기적으로 절연될 수 있다.
즉, 상기 내부 전극(21, 22)은 제1 및 제2 내부 전극(21, 22)을 가질 수 있으며, 세라믹 본체(10)의 양 단면을 통해 번갈아 노출되는 부분을 통해 외부 전극(31, 32)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
따라서, 상기 외부 전극(31, 32)에 전압을 인가하면 서로 대향하는 제1 및 제2 내부 전극(21, 22) 사이에 전하가 축적되고, 이때 적층 세라믹 커패시터의 정전 용량은 제1 및 제2 내부 전극(21, 22)의 서로 중첩되는 영역의 면적과 비례하게 된다.
또한, 상기 내부 전극(21, 22)을 형성하는 도전성 페이스트에 포함되는 도전성 금속은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 또는 이들의 합금일 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 도전성 페이스트의 인쇄 방법은 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법 등을 사용할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 내부 전극(21, 22)의 두께를 te라 하면, 0.1㎛≤te≤0.8㎛을 만족할 수 있다.
상기 내부 전극(21, 22)의 두께(te)는 평균값일 수 있다. 세라믹 본체(10)의 길이 방향 및 두께 방향이 이루는 단면(L-T 단면)을 주사전자현미경을 이용하여 관찰하고 등간격으로 10개 지점에서 측정하여 그 평균값을 내부 전극(21, 22)의 두께(te)로 할 수 있다.
상기 내부 전극(21, 22)의 두께는 실제 내부 전극(21, 22)의 길이에 대한 내부 전극(21, 22) 면적의 비(내부 전극 면적/실제 내부 전극의 길이)로 계산될 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 내부 전극(21, 22) 면적은 전극 영역을 포함하는 면적을 의미하고, 상기 실제 내부 전극(21, 22)의 길이는 각 내부 전극 사이에 형성된 기공(12)을 제외한 길이일 수 있다.
내부 전극(21, 22)의 면적 및 실제 내부 전극(21, 22)의 길이는 한 개의 내부 전극 층에서 측정되고, 적층수 만큼 곱하여 적층 세라믹 커패시터 전체로 일반화될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 내부 전극(21, 22)의 두께(te)가 0.1㎛≤Te≤0.8㎛을 만족하도록 조절함으로써, 내부전극이 박층화되더라도 신뢰성이 우수한 고용량 적층 세라믹 전자부품을 구현할 수 있다.
상기 내부 전극(21, 22)의 두께(te)가 0.1㎛ 미만의 경우에는 전극 끊김이 심화될 수 있어 고용량 적층 세라믹 커패시터를 구현할 수 없으며, 상기 내부 전극(21, 22)의 두께(te)가 0.8㎛를 초과하는 경우에는 내부전극이 박막인 적층 세라믹 커패시터를 구현할 수 없다.
상기 내부 전극(21, 22)의 두께(te)가 0.1㎛≤te≤0.8㎛을 만족하면서도 고용량 적층 세라믹 전자부품을 구현할 수 있는 구체적인 방법은 후술하도록 한다.
또한, 상기 내부 전극(21, 22)은 내부에 기공(12)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 세라믹 본체(10)의 양측 단부에는 외부전극(31, 32)이 형성될 수 있다.
상기 외부 전극(31, 32)은 세라믹 본체(10)의 길이 방향(“L 방향”)의 단면(end surface)에 형성될 수 있다.
상기 외부 전극(31, 32)은 세라믹 본체(10)의 상하면 및 측면의 일부로 연장되어 형성될 수 있다.
상기 외부 전극(31, 32)은 제1 및 제2 외부 전극(31, 32)을 가질 수 있으며, 제1 및 제2 외부 전극(31, 32)에는 서로 반대 극성의 전기가 인가될 수 있다.
상기 외부 전극(31, 32)은 도전성 금속 및 글래스를 포함할 수 있다. 도전성 금속은 금, 은 팔라듐, 구리, 니켈 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 세라믹 본체(10)의 길이 방향 및 두께 방향이 형성하는 단면(L-T 단면)에 있어서, 상기 내부 전극(21, 22)의 두께를 te 및 상기 기공(12)의 두께를 tp라 하면 0.41≤tp/te≤0.86을 만족할 수 있다.
최근 적층 세라믹 커패시터가 소형화 및 경량화됨에 따라 내부 전극은 보다 박층화되고 있다.
박층의 내부 전극을 형성하기 위하여 보다 미립의 금속 분말을 사용할 수 있으나, 이러한 경우 금속 분말의 소결 수축을 제어하기 어렵고, 내부전극의 연결성을 확보하기 어렵다.
일반적으로, 내부 전극은 도전성 금속 분말 및 세라믹 분말을 포함하는 도전성 페이스트에 의해 형성될 수 있다.
구체적으로, 상기 도전성 페이스트를 이용하여 세라믹 그린 시트 상에 내부 전극을 형성하고, 상기 내부 전극이 형성된 세라믹 그린 시트를 적층한 후 상기 세라믹 그린 시트가 적층된 적층체를 압착 및 소성하여 유전체층과 내부 전극을 포함하는 세라믹 본체를 형성할 수 있다.
이 경우, 상기 적층체를 압착 및 소성하는 과정에서 내부 전극의 일부 영역이 끊어져 기공이 형성될 수 있다.
내부 전극이 급격히 소성되면 내부 전극의 과소성으로 인하여 전극이 뭉치거나 끊어질 수 있으며, 이로 인하여 형성된 기공에 의해 내부 전극의 연결성이 저하되어 적층 세라믹 커패시터의 용량이 저하될 수 있다.
또한 소성 후 크랙과 같은 적층 세라믹 커패시터의 내부구조 결함이 발생할 수 있다.
즉, 적층 세라믹 커패시터의 용량 저하의 하나의 원인으로서, 상기 기공의 형성일 수 있으며, 특히 상기 기공의 두께가 클수록 적층 세라믹 커패시터의 용량 저하는 더 심해질 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터는 상기 세라믹 본체(10)의 길이 방향 및 두께 방향이 형성하는 단면(L-T 단면)에 있어서, 상기 내부 전극(21, 22)의 두께(te) 대비 상기 기공(12)의 두께(tp)의 비가 0.41≤tp/te≤0.86을 만족하도록 조절함으로써 적층 세라믹 커패시터의 유효 용량을 증가시킬 수 있다.
즉, 상기 기공(12)의 두께(tp)를 일정 범위 이내로 감소시킴으로써, 동일한 사이즈의 적층 세라믹 커패시터에 있어서 정전 용량을 형성하는 유효 면적을 증가시켜 용량이 증가할 수 있다.
상기 기공(12)의 두께(tp)는 하나의 기공을 상기 세라믹 본체(10)의 길이 방향으로 3등분할 경우 형성되는 4개 영역의 두께의 평균값일 수 있다.
즉, 상기 기공(12)의 두께(tp)는 하나의 기공을 상기 세라믹 본체(10)의 길이 방향으로 3등분할 경우 형성되는 4개 영역의 두께를 측정한 후 4개 영역의 두께의 평균값으로 얻어질 수 있음을 의미한다.
상기 기공(12)의 두께(tp)는 도 2 및 도 3과 같이 세라믹 본체(10)의 길이 방향 단면을 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)으로 이미지를 스캔하여 측정할 수 있다.
예를 들어, 도 2와 같이 세라믹 본체(10)의 폭(W) 방향의 중앙부에서 절단한 길이 및 두께 방향(L-T) 단면을 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)으로 스캔한 이미지에서 추출된 임의의 내부 전극에 있어서, 하나의 기공을 선택한 후 그 두께를 측정하여 평균값을 측정할 수 있다.
즉, 상기 선택된 하나의 기공에 대하여 상기 세라믹 본체의 길이 방향으로 가상의 3등분을 할 경우, 상기 하나의 기공은 4개의 영역으로 분할될 수 있다.
이러한 4개의 영역에 대하여 각각 두께를 측정하여 얻어진 값에 대하여 평균을 계산하여 얻어진 값을 상기 기공(12)의 두께(tp)로 할 수 있다.
또한, 상기 기공(12)의 두께(tp)는 상기 기공 전체의 두께의 평균값일 수 있다.
즉, 상술한 하나의 기공에 대하여 분할된 4개의 영역의 두께의 평균값으로 기공의 두께를 측정하는 방법을 기공 전체에 대하여 적용하여 측정된 전체 기공의 두께의 평균값을 상기 기공(12)의 두께(tp)로 할 수도 있다.
상기 내부 전극(21, 22)의 두께(te) 대비 상기 기공(12)의 두께(tp)의 비(tp/te)가 0.41 미만의 경우에는 상기 기공(12)의 두께(tp)가 너무 감소함으로 인해 쇼트 불량이 발생할 수 있다.
상기 내부 전극(21, 22)의 두께(te) 대비 상기 기공(12)의 두께(tp)의 비(tp/te)가 0.86을 초과하는 경우에는 상기 기공(12)의 두께(tp)가 너무 두꺼워 유효 용량의 증가 효과가 없을 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 내부 전극(21, 22)의 전체 길이에 대한 실제 내부 전극이 형성된 부분의 길이의 비를 내부 전극의 연결성이라 정의하면, 상기 내부 전극(21, 22)의 연결성은 85% 이상일 수 있다.
상기 내부 전극(21, 22)의 연결성을 정의하면 다음과 같다.
적층 세라믹 커패시터의 내부에 형성되는 내부 전극(21, 22)은 일반적으로 중간에 끊긴 영역이 없이 완전하게 연결되어있지 않다.
내부 전극(21, 22)을 형성하는 공정은 세라믹 그린시트의 일면에 니켈(Ni) 등의 도전성 금속 분말이 포함된 도전성 페이스트를 이용하여 인쇄하는 방법으로 이루어지기 때문에 내부에 다소 빈공간이 남게 된다.
따라서, 적층 세라믹 커패시터를 일정 방향으로 자른 단면에서 보았을 때 내부 전극(21, 22)은 완전하게 이어져 있지 않고 중간 중간에 기공(12)이 존재하게 된다.
상기 기공(12)을 포함한 내부 전극(21, 22)의 길이를 A라고 하고, 기공(12)을 제외한 내부전극 부분들의 길이의 합을 B라고 한다면, 내부 전극의 연결성(S)은 B/A로 정의할 수 있다.
내부 전극(21, 22) 전체 길이 및 기공(12)을 제외한 내부전극 부분들의 길이의 합인 실제 내부 전극(21, 22)이 형성된 부분의 길이는 적층 세라믹 커패시터를 절단한 단면을 스캔한 광학 이미지를 이용하여 측정될 수 있다.
보다 구체적으로, 세라믹 본체의 폭 방향의 중앙부에서 절단한 길이 방향의 단면을 스캔한 이미지에서 내부 전극의 전체 길이에 대한 실제 내부 전극이 형성된 부분의 길이의 비를 측정할 수 있다.
내부 전극의 연결성에 따른 정전용량의 변화 및 열충격으로 인한 크랙의 발생 가능성의 관계는 다음과 같다.
내부 전극의 연결성이 높은 경우 중간에 끊어진 부분이 거의 없이 내부전극이 형성된 것이므로 연결성이 낮은 경우보다 큰 정전용량을 확보할 수 있다.
하지만, 내부전극을 형성하는 물질(예를 들어, 니켈(Ni) 등의 금속물질일 수 있다.)과 세라믹의 열팽창 계수의 차이로 인하여 발생하는 단차 때문에 열충격을 받을 경우 크랙 또는 절연파괴 현상이 발생하기 쉽다.
반대로, 내부 전극의 연결성이 낮은 경우 정전용량의 확보면에서는 불리하지만, 내부전극을 형성하는 물질과 세라믹의 열팽창 계수의 차이로 인하여 발생하는 단차를 완화하는 효과가 있어 열충격으로 인한 크랙 및 절연파괴 현상을 방지할 수 있다.
따라서, 안정적인 정전용량의 확보와 열충격으로 인한 크랙 및 절연파괴 현상의 방지라는 측면에서 내부전극의 연결성을 적절한 수치로 조절할 필요가 있다.
또한, 도전성 금속과 함께 내부 전극에 포함되는 세라믹 분말은 소성시 내부 전극의 수축 지연 효과를 주며, 이는 내부 전극의 연결성에 큰 영향을 미침으로써 적층 세라믹 커패시터의 용량과 관련성을 갖는다.
상기와 같은 내부 전극의 연결성의 조절 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 내부 전극을 형성하는 도전성 페이스트에 포함되는 세라믹 분말의 입경을 조절하거나 소성 온도를 조절하는 방법 등이 사용될 수 있으며, 이에 대한 자세한 사항은 후술하도록 한다.
상기 내부 전극(21, 22)의 연결성이 85% 이상을 만족하도록 조절함으로써, 정전 용량을 향상시켜 고용량 적층 세라믹 커패시터를 구현할 수 있다.
내부 전극의 연결성이 크다는 것은 중간에 빈 공간이 거의 없이 내부 전극이 형성된 것이므로 큰 정전 용량을 확보할 수 있다.
반대로 내부 전극의 연결성이 작은 경우에는 정전 용량을 형성하는 유효면이 감소하기 때문에 정전 용량 형성에 있어서는 불리하기 때문이다.
상기 내부 전극(21, 22)의 연결성이 85% 미만일 경우에는 정전 용량을 형성하는 유효면이 감소하기 때문에 목표로 하는 정전 용량을 구현할 수 없는 문제가 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 유전체층(11)의 두께를 td라 하면, td ≤ 1.0㎛을 만족할 수 있다.
상기 유전체층의 두께(td)는 상기 유전체층의 평균 두께를 의미할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 유전체층(11)의 평균 두께는 내부 전극(21, 22) 사이에 배치되는 유전체층(11)의 평균 두께를 의미할 수 있다.
상기 유전체층(11)의 평균 두께는 도 2와 같이 세라믹 본체(10)의 길이 방향 단면을 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)으로 이미지를 스캔하여 측정할 수 있다.
예를 들어, 도 2와 같이 세라믹 본체(10)의 폭(W) 방향의 중앙부에서 절단한 길이 및 두께 방향(L-T) 단면을 주사전자현미경(SEM, Scanning Eletron Microscope)으로 스캔한 이미지에서 추출된 임의의 유전체층에 대해서, 길이 방향으로 등간격인 30개의 지점에서 그 두께를 측정하여 평균값을 측정할 수 있다.
상기 등간격인 30개의 지점은 내부전극(21, 22)이 서로 중첩되는 영역을 의미하는 용량 형성부에서 측정될 수 있다.
또한, 이러한 평균값 측정을 10개 이상의 유전체층으로 확장하여 평균값을 측정하면, 유전체층의 평균 두께를 더욱 일반화할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 형태는 도전성 금속 분말 및 세라믹 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 마련하는 단계; 상기 도전성 페이스트를 이용하여 세라믹 그린 시트 상에 내부 전극을 형성하는 단계; 상기 내부 전극이 형성된 세라믹 그린 시트를 적층하는 단계; 및 상기 세라믹 그린 시트가 적층된 적층체를 압착 및 소결하여 유전체층과 내부 전극을 포함하는 세라믹 본체를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 세라믹 본체의 길이 방향 및 두께 방향이 형성하는 단면에 있어서, 상기 내부 전극의 두께를 te 및 상기 기공의 두께를 tp라 하면 0.41≤tp/te≤0.86을 만족하는 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법일 수 있다.
먼저, 외부 전극(31, 32)에 도전성을 부여하기 위한 도전성 금속 분말, 외부 전극(31, 32)의 치밀화를 위한 글래스 분말, 유기 용매로서 에탄올, 및 바인더로서 폴리비닐부티랄 등을 혼합한 후, 이를 볼 밀링하여 외부 전극용 페이스트를 마련할 수 있다.
내부 전극(21, 22)을 형성하는 도전성 페이스트 조성물은 바인더, 용제 및 기타의 첨가제 등을 더 포함할 수 있다.
상기 바인더는 이에 제한되는 것은 아니나, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스계 수지 등을 사용할 수 있다. 상기 폴리비닐부티랄은 접착력이 강한 특성을 도전성 페이스트와 세라믹 그린시트의 접착 강도를 향상시킬 수 있다.
상기 셀룰로오스계 수지는 의자형 구조를 가지는 것으로 변형이 발생하였을 경우에 탄성에 의한 회복이 빠른 특성을 가지고 있다. 셀룰로오스 수지를 포함함에 따라 평탄한 인쇄면의 확보가 가능하다.
상기 용제는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 부틸카르비톨, 케로신 또는 테르피네올계 용제를 사용할 수 있다. 상기 테르피네올계 용제의 구체적인 종류는 이에 제한되는 것은 아니나, 디하이드로테르피네올(dehydro terpineol), 디하이드로터피닐아세테이트 등을 사용할 수 있다.
다음으로, 도전성 금속 분말 및 세라믹 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 마련할 수 있다.
세라믹 분말의 입경은 금속 분말의 입경보다 작아 세라믹 분말은 금속 분말 사이에 분포될 수 있다.
다음으로, 상기 도전성 페이스트를 이용하여 세라믹 그린 시트 상에 내부 전극(21, 22)을 형성할 수 있다.
도전성 페이스트는 스크린 인쇄 등의 방법을 이용하여 세라믹 그린 시트 상에 형성될 수 있다.
다음으로, 내부 전극(21, 22)이 형성된 세라믹 그린 시트를 적층하여 세라믹 그린 적층체를 준비하고, 상기 세라믹 그린 시트가 적층된 적층체를 압착 및 소결하여 소결 칩을 제조하고, 소결 칩의 외부에 외부 전극(31, 32)을 형성하여 적층 세라믹 전자 부품을 완성할 수 있다.
내부 전극(21, 22)으로 베이스 메탈을 사용하는 경우 대기 중에서 소성을 행하면 내부 전극(21, 22)이 산화될 수 있기 때문에 소성은 환원 분위기에서 수행될 수 있다.
또한, 상기 적층체를 압착하는 단계에서 압착 강도를 조절하여 적층체의 두께 방향 수축력을 증가시킴으로써, 내부 전극 내에 형성된 기공의 두께를 감소시킬 수 있다.
또한, 외부 전극(31, 32) 상에는 실장의 용이성을 위하여 니켈 도금층 및 주석 도금층이 형성될 수 있다.
그외 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 전자부품의 특징과 동일한 부분의 설명은 중복을 피하기 위하여 여기서는 생략하도록 한다.
이하에서는 실시예 및 비교예를 참조하여, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
실시예 및 비교예에 따른 적층 세라믹 커패시터는 다음과 같은 방법에 따라 마련하였다.
티탄산바륨 분말, 유기 용매로서 에탄올, 바인더로서 폴리비닐부티랄을 혼합하고, 이를 볼 밀링하여 세라믹 슬러리를 제조하고, 이를 이용하여 세라믹 그린 시트를 제조하였다.
세라믹 그린 시트 상에 니켈을 함유하는 내부 전극용 도전성 페이스트를 인쇄하여 내부 전극을 형성하고, 이를 적층한 그린 적층체를 85℃에서 1,200kgf/㎠의 압력으로 등압 압축 성형(isostatic pressing) 하였다.
압착된 그린 적층체를 절단하여 그린 칩을 만들고, 절단된 그린 칩을 대기 분위기 하에서 230℃에서 60시간 유지하는 탈바인더 공정을 거친 후, 그린 칩을 1000℃에서 소결하여 소결 칩을 제조하였다. 소결은 환원 분위기 하에서 실시하여 내부 전극의 산화를 방지하였으며, 환원 분위기는 Ni/NiO 평형 산소 분압보다 낮은 10-11~10-10 atm이 되도록 하였다.
소결 칩의 외부에 구리 분말 및 글래스 분말을 포함하는 외부 전극용 페이스트를 이용하여 외부 전극을 형성하였으며, 외부 전극 상에는 전기 도금을 통하여 니켈 도금층 및 주석 도금층을 형성하였다.
상기 방법에 따라 0603 사이즈의 적층 세라믹 커패시터를 제조하였다. 0603 사이즈는 길이 및 폭이 각각 0.6㎛±0.1㎛ 및 0.3㎛±0.1㎛ 일 수 있다. 상기 적층 세라믹 커패시터에 대하여 다음과 같이 특성을 평가하였다.
아래의 표 1은 내부 전극의 두께(te) 대비 기공의 두께(tp)의 비(tp/te)에 따른 용량 특성 및 쇼트 불량 여부를 비교한 표이다.
용량 특성은 설계용량 목표치의 90%를 넘는 경우 우수(◎), 80% 내지 90%인 경우를 양호(○)로 판정하였고, 80% 미만의 경우 불량(×)으로 판정하였다.
쇼트 불량 여부에 대한 평가는 불량율이 0.01% 미만의 경우 우수(◎), 0.01% 내지 10%인 경우를 양호(○)로 판정하였고, 10%를 초과하는 경우 불량(×)으로 판정하였다.
* : 비교예
표 1을 참조하면, 비교예인 시료 1 내지 3은 내부 전극의 두께(te) 대비 기공의 두께(tp)의 비(tp/te)가 0.86을 초과하는 경우로서, 유효 용량의 증가 효과가 없음을 알 수 있다.
또한, 비교예인 시료 14 및 15는 내부 전극의 두께(te) 대비 기공의 두께(tp)의 비(tp/te)가 0.41 미만의 경우로서, 쇼트 불량이 발생하고 있음을 알 수 있다.
한편, 실시예인 시료 4 내지 13은 내부 전극의 두께(te) 대비 기공의 두께(tp)의 비(tp/te)가 본 발명의 수치 범위를 만족하는 경우로서, 쇼트 불량이 없고 설계 용량을 구현하고 있어 신뢰성이 우수한 고용량 적층 세라믹 커패시터를 구현할 수 있음을 알 수 있다.
본 발명에서 사용한 용어는 특정한 실시예를 설명하기 위한 것으로, 본 발명을 한정하고자 하는 것이 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하지 않는 한, 복수의 의미를 포함한다고 보아야 할 것이다.
“포함하다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소 또는 이들을 조합한 것이 존재한다는 것을 의미하는 것이지, 이를 배제하기 위한 것이 아니다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.
따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
10: 세라믹 본체
11: 유전체층 12: 기공
21, 22: 내부 전극
31, 32: 외부 전극
te: 내부 전극의 두께 td: 유전체층의 두께
tp: 기공의 두께
11: 유전체층 12: 기공
21, 22: 내부 전극
31, 32: 외부 전극
te: 내부 전극의 두께 td: 유전체층의 두께
tp: 기공의 두께
Claims (12)
- 유전체층을 포함하는 세라믹 본체;
상기 세라믹 본체의 내부에 형성되며, 기공을 포함하는 내부 전극; 및
상기 세라믹 본체의 양측 단부에 형성된 제1 및 제2 외부전극;을 포함하며,
상기 세라믹 본체의 길이 방향 및 두께 방향이 형성하는 단면에 있어서, 상기 내부 전극의 두께를 te 및 상기 기공의 두께를 tp라 하면 0.41≤tp/te≤0.86을 만족하며, 상기 기공의 두께 tp는 하나의 기공을 상기 세라믹 본체의 길이 방향으로 3등분할 경우 형성되는 4개 영역의 두께의 평균값인 적층 세라믹 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 내부 전극의 두께는 0.1㎛≤te≤0.8㎛을 만족하는 적층 세라믹 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 내부 전극의 전체 길이에 대한 실제 내부 전극이 형성된 부분의 길이의 비를 내부 전극의 연결성이라 정의하면, 상기 내부 전극의 연결성은 85% 이상인 적층 세라믹 전자 부품.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 기공의 두께 tp는 상기 기공 전체의 두께의 평균값인 적층 세라믹 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 내부 전극의 두께 te는 내부 전극의 평균 두께인 적층 세라믹 전자 부품.
- 도전성 금속 분말 및 세라믹 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 마련하는 단계;
상기 도전성 페이스트를 이용하여 세라믹 그린 시트 상에 내부 전극을 형성하는 단계;
상기 내부 전극이 형성된 세라믹 그린 시트를 적층하는 단계; 및
상기 세라믹 그린 시트가 적층된 적층체를 압착 및 소결하여 유전체층과 기공을 포함하는 내부 전극을 포함하는 세라믹 본체를 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 세라믹 본체의 길이 방향 및 두께 방향이 형성하는 단면에 있어서, 상기 내부 전극의 두께를 te 및 상기 기공의 두께를 tp라 하면 0.41≤tp/te≤0.86을 만족하며, 상기 기공의 두께 tp는 하나의 기공을 상기 세라믹 본체의 길이 방향으로 3등분할 경우 형성되는 4개 영역의 두께의 평균값인 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,
상기 내부 전극의 두께는 0.1㎛≤te≤0.8㎛을 만족하는 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,
상기 내부 전극의 전체 길이에 대한 실제 내부 전극이 형성된 부분의 길이의 비를 내부 전극의 연결성이라 정의하면, 상기 내부 전극의 연결성은 85% 이상인 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법.
- 삭제
- 제7항에 있어서,
상기 기공의 두께 tp는 상기 기공 전체의 두께의 평균값인 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,
상기 내부 전극의 두께 te는 내부 전극의 평균 두께인 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130086320A KR101994719B1 (ko) | 2013-07-22 | 2013-07-22 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
US14/067,922 US9245689B2 (en) | 2013-07-22 | 2013-10-30 | Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130086320A KR101994719B1 (ko) | 2013-07-22 | 2013-07-22 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150011264A KR20150011264A (ko) | 2015-01-30 |
KR101994719B1 true KR101994719B1 (ko) | 2019-07-01 |
Family
ID=52343401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130086320A KR101994719B1 (ko) | 2013-07-22 | 2013-07-22 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9245689B2 (ko) |
KR (1) | KR101994719B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101883016B1 (ko) * | 2013-07-22 | 2018-07-27 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
US10892105B2 (en) | 2017-01-31 | 2021-01-12 | International Business Machines Corporation | Multi-layer capacitor package |
JP2022191911A (ja) * | 2021-06-16 | 2022-12-28 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002075771A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 積層型電子部品および導電性ペースト |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5016137A (en) * | 1988-12-05 | 1991-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-layer ceramic capacitor |
JP2000049039A (ja) | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2001126946A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
JP3753935B2 (ja) | 2000-11-29 | 2006-03-08 | Tdk株式会社 | 積層型電子部品の製造方法 |
KR20110068231A (ko) * | 2009-12-15 | 2011-06-22 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
-
2013
- 2013-07-22 KR KR1020130086320A patent/KR101994719B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-30 US US14/067,922 patent/US9245689B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002075771A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 積層型電子部品および導電性ペースト |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150022944A1 (en) | 2015-01-22 |
US9245689B2 (en) | 2016-01-26 |
KR20150011264A (ko) | 2015-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6766996B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
US9837215B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and board for mounting of the same | |
KR101843190B1 (ko) | 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 | |
KR101565641B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 그 실장 기판 | |
JP6257060B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP5825322B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ、その製造方法及び積層セラミックキャパシタの実装基板 | |
KR101952843B1 (ko) | 내부전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자부품 | |
JP2012253337A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
US20130258546A1 (en) | Multilayer ceramic electronic component and fabrication method thereof | |
JP7260226B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
KR20140081568A (ko) | 적층 세라믹 전자 부품 | |
KR20140107963A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 | |
KR101912266B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 | |
KR101514515B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 그 실장 기판 | |
KR20140147371A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
US20130009516A1 (en) | Conductive paste composition for internal electrodes and multilayer ceramic electronic component including the same | |
JP2014082435A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP2013214698A (ja) | 内部電極用導電性ペースト組成物及びそれを含む積層セラミック電子部品 | |
KR101883016B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 | |
KR20170077542A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 | |
JP2022067608A (ja) | 積層型電子部品 | |
KR101792275B1 (ko) | 내부 전극용 도전성 페이스트, 이를 포함하는 적층 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법 | |
KR101994719B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 | |
JP2015023270A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
JP2010212503A (ja) | 積層セラミックコンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |