JP2018148179A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018148179A JP2018148179A JP2017045085A JP2017045085A JP2018148179A JP 2018148179 A JP2018148179 A JP 2018148179A JP 2017045085 A JP2017045085 A JP 2017045085A JP 2017045085 A JP2017045085 A JP 2017045085A JP 2018148179 A JP2018148179 A JP 2018148179A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brush
- substrate
- spray nozzle
- droplets
- landing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 406
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 59
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 262
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 114
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 48
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 48
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 33
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 25
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 51
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 29
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- B08B1/32—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Abstract
【解決手段】基板Wを回転させながらブラシ21の下面を基板Wの上面に沿って移動させる。ブラシ21およびスプレーノズル22を離陸位置から下側非接触位置まで上方に移動させることにより、ブラシ21の下面を基板Wの上面から離す。ブラシ21およびスプレーノズル22が下側非接触位置に位置している状態でスプレーノズル22に複数の液滴を生成させることにより、複数の液滴を基板Wの上面に衝突させ、その後、基板Wの上面に衝突した複数の液滴を、ブラシ21の下面に供給しながらブラシ21の下面と基板Wの上面との間の隙間から排出する。
【選択図】図5G
Description
特許文献1には、スクラブ洗浄を行う枚葉式の基板処理装置が開示されている。ブラシは、最初に基板の上面中央部に押し付けられる。その後、ブラシは、基板の上面中央部と基板の上面外周部との間を移動する。続いて、ブラシが、基板の上面外周部から上方に移動し、基板の上面から離れる。ブラシが基板から離れた後は、基板を乾燥させるために、基板を高速回転させて、純水などの基板上の液体を基板の周囲に振り切る。基板から離れたブラシは、待機ポッドで洗浄され、次の基板の洗浄に備えられる。
この構成によれば、ブラシの下面が基板の上面に接触している状態で、スプレーノズルが複数の液滴を生成する。ブラシの下面が基板の上面に接触しているときは、ブラシの下面で開口する中央開口が基板の上面で塞がれているので、ノズル挿入穴内で複数の液滴が生成されると、ノズル挿入穴内の圧力が高まる。したがって、ブラシの下面は、ノズル挿入穴内の圧力が高い状態で基板の上面から上方に離れる。
この構成によれば、ブラシの下面が基板の上面内の離陸領域から上方に離れた状態で、スプレーノズルに複数の液滴を生成させ、ブラシおよびスプレーノズルを径方向に移動させる。複数の液滴が衝突する基板の上面内の衝突領域は、スプレーノズルの移動に伴って径方向に移動する。これにより、離陸領域を含む基板の上面内のより広い範囲に液滴を衝突させることができ、離陸領域に残留する汚染の量をさらに低減できる。
この構成によれば、スプレーノズルに複数の液滴を生成させながら、ブラシおよびスプレーノズルを着陸位置から離陸位置の方に径方向に移動させる。ブラシが着陸位置に配置されると、ブラシの下面は、基板の上面内の着陸領域に接触する。このとき、ブラシの下面に残留している汚染は着陸領域に転移し得る。複数の液滴が衝突する基板の上面内の衝突領域は、径方向へのスプレーノズルの移動に伴って着陸領域に重なる。ブラシから着陸領域に移った汚染は、液滴の衝突による衝撃で除去される。これにより、基板の上面に残留する汚染の量を低減でき、基板の清浄度を高めることができる。
この構成によれば、ブラシが基板の上面に接触する前に、スプレーノズルが液滴の生成を開始する。この状態で、ブラシおよびスプレーノズルを着陸位置まで下降させる。さらに、ブラシおよびスプレーノズルを着陸位置から離陸位置の方に径方向に移動させる。したがって、ブラシおよびスプレーノズルが着陸位置に移動した後に液滴の生成を開始する場合と比較して、スムーズにブラシおよびスプレーノズルを着陸位置から離陸位置の方に移動させることができる。
この構成によれば、ブラシの下面が基板の上面に接触しており、スプレーノズルが液滴の生成を停止している状態で、ブラシおよびスプレーノズルを径方向に移動させる。ブラシの下面を基板の上面に接触させながら、スプレーノズルに液滴を生成させると、ブラシに設けられたノズル挿入穴内の圧力が高まるので、ブラシを基板から浮き上がらせる力が発生し得る。これは、ブラシを基板に押し付ける力が弱まることを意味する。したがって、液滴の生成を停止しながら、ブラシを基板の上面に押し付けることにより、汚染の除去率の低下を抑制または防止することができる。
ブラシの外面は、ブラシの下面以外の面を意味する。ブラシの外面は、ノズル挿入穴の内周面と同軸のブラシの外周面であってもよいし、ブラシの上面であってもよいし、これら以外の面であってもよい。逃がし穴は、ブラシの外面および下面の両方で開口していてもよい。ブラシが複数の微細孔を有するスポンジである場合、逃がし穴の内径は、微細孔の内径よりも大きい。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1に備えられた処理ユニット2の内部を水平に見た模式図である。図1は、ブラシ21およびスプレーノズル22が中央上位置に配置されている状態を示している。図2は、処理ユニット2の内部を上から鉛直に見た模式図である。図3は、ブラシ21およびスプレーノズル22を示す模式図である。
スピンチャック5は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース7と、スピンベース7の上方で基板Wを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン6と、スピンベース7と複数のチャックピン6とを回転させることにより回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンモータ8とを含む。スピンチャック5は、複数のチャックピン6を基板Wの外周面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Wの裏面(下面)をスピンベース7の上面に吸着させることにより基板Wを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。
図3(a)は、ブラシ21およびスプレーノズル22を水平に見た部分断面図である。図3(b)は、ブラシ21を下から鉛直に見た模式図である。図3(c)は、可動アーム23をボルト47の軸方向に見た模式図である。図3(b)では、液体吐出口22aおよび気体吐出口22bを黒で塗りつぶしている。
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、ブラシ21は、スポンジブラシに限らず、合成樹脂製の複数の繊維を備えるブラシであってもよい。
リンス液ノズル11とは別の保護液ノズル(いわゆる、カバーリンスノズル)が、処理ユニット2に設けられていてもよい。保護液ノズルは、ブラシ21の下面21aが基板Wの上面に擦り付けられているときに基板Wの上面全域を覆う保護液を吐出するノズルである。保護液は、リンス液ノズル11から吐出されるリンス液と同種の液体であってもよいし、リンス液とは異なる種類の液体であってもよい。
ブラシ21およびスプレーノズル22を上側非接触位置に位置させながら、スプレーノズル22に複数の液滴を噴射させる離陸後スプレー工程を省略してもよい。
ブラシ21およびスプレーノズル22が中央下位置に移動する前ではなく、移動した後に、スプレーノズル22に複数の液滴の噴射を開始させてもよい。
図6に示すように、複数の液滴が衝突する基板Wの上面内の衝突領域Rcを基板Wの上面外周部で径方向Drに移動させてもよい。
図7Aおよび図7Bは、逃がし穴51A、51Bがノズル挿入穴21cの内周面とブラシ21の外周面とで開口している例を示している。図7Aに示すように、逃がし穴51Aは、ブラシ21の下面21aで開口していてもよい。図7Bに示すように、逃がし穴51Bは、ブラシ21の下面21aで開口していなくてもよい。逃がし穴51Aがブラシ21の下面21aで開口している場合、逃がし穴51Aがブラシ21の洗浄力に影響を及ぼすことを防止するために、逃がし穴51Aは、ブラシ21の移動方向とは異なる方向に延びていることが好ましい。
前述の全ての構成の2つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の2つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
3 :制御装置
5 :スピンチャック(基板保持手段)
6 :チャックピン
8 :スピンモータ
21 :ブラシ
21a :ブラシの下面
21b :ブラシの中央開口
21c :ブラシのノズル挿入穴
22 :スプレーノズル
22a :液体吐出口
22b :気体吐出口
51A :逃がし穴
51B :逃がし穴
A1 :回転軸線
Dr :径方向
Pc :中央位置
Pe :外周位置
Ps :待機位置
Rc :衝突領域
Rl :着陸領域
Rli :着陸領域の内縁
Rlo :着陸領域の外縁
Rt :離陸領域
W :基板
Claims (18)
- 水平に保持された基板の上面に押し付けられる下面と、前記下面の中央部で開口する中央開口と、前記中央開口から上方に延びるノズル挿入穴と、を含むブラシと、前記ノズル挿入穴に挿入されており、前記中央開口を通じて前記基板の上面の方に飛散する複数の液滴を生成するスプレーノズルと、を備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記ブラシおよびスプレーノズルを着陸位置まで下方に移動させることにより、前記ブラシの下面を前記基板の上面に接触させるブラシ着陸工程と、
前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに前記基板を回転させながら、前記ブラシおよびスプレーノズルを前記回転軸線に直交する水平な径方向に前記着陸位置から離陸位置まで移動させることにより、前記ブラシの下面を前記基板の上面に沿って移動させるスクラブ洗浄工程と、
前記ブラシおよびスプレーノズルを前記離陸位置から下側非接触位置まで上方に移動させることにより、前記ブラシの下面を前記基板の上面から離すブラシ離陸工程と、
前記ブラシおよびスプレーノズルが前記下側非接触位置に位置している状態で前記スプレーノズルに前記複数の液滴を生成させることにより、前記複数の液滴を前記基板の上面に衝突させ、その後、前記基板の上面に衝突した前記複数の液滴を、前記ブラシの下面に供給しながら前記ブラシの下面と前記基板の上面との間の隙間から排出する離陸時スプレー工程とを含む、基板処理方法。 - 前記離陸時スプレー工程は、前記ブラシおよびスプレーノズルが前記離陸位置から上方に移動する前に、前記スプレーノズルに前記複数の液滴の生成を開始させる離陸前スプレー開始工程を含む、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記ブラシおよびスプレーノズルを前記下側非接触位置から上側非接触位置まで上方に移動させるブラシ上昇工程と、
前記ブラシおよびスプレーノズルが前記上側非接触位置に位置している状態で前記スプレーノズルに前記複数の液滴を生成させる離陸後スプレー工程とをさらに含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。 - 前記ブラシの下面が前記基板の上面から上方に離れる前記基板の上面内の離陸領域の上方で、前記スプレーノズルに前記複数の液滴を生成させながら、前記ブラシおよびスプレーノズルを前記径方向に移動させる移動スプレー工程をさらに含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記スプレーノズルに前記複数の液滴を生成させながら、前記ブラシおよびスプレーノズルを前記着陸位置から前記離陸位置の方に前記径方向に移動させる着陸時スプレー工程をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記着陸時スプレー工程は、少なくとも、前記複数の液滴が衝突する前記基板の上面内の衝突領域が、前記ブラシおよびスプレーノズルが前記着陸位置に配置されたときに前記ブラシの下面が接触する前記基板の上面内の着陸領域の外縁に達するまで、前記スプレーノズルに前記複数の液滴を生成させる工程である、請求項5に記載の基板処理方法。
- 前記着陸時スプレー工程は、前記ブラシおよびスプレーノズルが前記着陸位置に移動する前に、前記スプレーノズルに前記複数の液滴の生成を開始させる着陸前スプレー開始工程を含む、請求項5または6に記載の基板処理方法。
- 前記スクラブ洗浄工程は、前記着陸位置から前記離陸位置までの範囲の少なくとも一部において前記スプレーノズルに前記複数の液滴の生成を停止させながら、前記ブラシおよびスプレーノズルを前記径方向に移動させるスプレー停止中スクラブ洗浄工程を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記ノズル挿入穴内の流体を前記ノズル挿入穴の内周面から前記ブラシの外面まで延びる逃がし穴を通じて排出する流体排出工程をさらに含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板を水平に保持しながら、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに前記基板を回転させる基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている前記基板の上面に押し付けられる下面と、前記下面の中央部で開口する中央開口と、前記中央開口から上方に延びるノズル挿入穴と、を含むブラシと、
前記ノズル挿入穴に挿入されており、前記中央開口を通じて前記基板保持手段に保持されている前記基板の上面の方に飛散する複数の液滴を生成するスプレーノズルと、
前記ブラシおよびスプレーノズルを移動させる駆動手段と、
前記スプレーノズルおよび駆動手段を制御する制御装置とを備え、
前記駆動手段に前記ブラシおよびスプレーノズルを着陸位置まで下方に移動させることにより、前記ブラシの下面を前記基板保持手段に保持されている前記基板の上面に接触させるブラシ着陸工程と、
前記基板保持手段に前記基板を前記回転軸線まわりに回転させながら、前記駆動手段に前記ブラシおよびスプレーノズルを前記回転軸線に直交する水平な径方向に前記着陸位置から離陸位置まで移動させることにより、前記ブラシの下面を前記基板保持手段に保持されている前記基板の上面に沿って移動させるスクラブ洗浄工程と、
前記駆動手段に前記ブラシおよびスプレーノズルを前記離陸位置から下側非接触位置まで上方に移動させることにより、前記ブラシの下面を前記基板保持手段に保持されている前記基板の上面から離すブラシ離陸工程と、
前記ブラシおよびスプレーノズルが前記下側非接触位置に位置している状態で前記スプレーノズルに前記複数の液滴を生成させることにより、前記複数の液滴を前記基板保持手段に保持されている前記基板の上面に衝突させ、その後、前記基板の上面に衝突した前記複数の液滴を、前記ブラシの下面に供給しながら前記ブラシの下面と前記基板の上面との間の隙間から排出する離陸時スプレー工程と、を実行する、基板処理装置。 - 前記離陸時スプレー工程は、前記ブラシおよびスプレーノズルが前記離陸位置から上方に移動する前に、前記スプレーノズルに前記複数の液滴の生成を開始させる離陸前スプレー開始工程を含む、請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記制御装置は、
前記駆動手段に前記ブラシおよびスプレーノズルを前記下側非接触位置から上側非接触位置まで上方に移動させるブラシ上昇工程と、
前記ブラシおよびスプレーノズルが前記上側非接触位置に位置している状態で前記スプレーノズルに前記複数の液滴を生成させる離陸後スプレー工程と、をさらに実行する、請求項10または11に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置は、前記ブラシの下面が前記基板の上面から上方に離れる前記基板の上面内の離陸領域の上方で、前記スプレーノズルに前記複数の液滴を生成させながら、前記駆動手段に前記ブラシおよびスプレーノズルを前記径方向に移動させる移動スプレー工程をさらに実行する、請求項10または11に記載の基板処理装置。
- 前記制御装置は、前記スプレーノズルに前記複数の液滴を生成させながら、前記駆動手段に前記ブラシおよびスプレーノズルを前記着陸位置から前記離陸位置の方に前記径方向に移動させる着陸時スプレー工程をさらに実行する、請求項10〜13のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記着陸時スプレー工程は、少なくとも、前記複数の液滴が衝突する前記基板の上面内の衝突領域が、前記ブラシおよびスプレーノズルが前記着陸位置に配置されたときに前記ブラシの下面が接触する前記基板の上面内の着陸領域の外縁に達するまで、前記スプレーノズルに前記複数の液滴を生成させる工程である、請求項14に記載の基板処理装置。
- 前記着陸時スプレー工程は、前記ブラシおよびスプレーノズルが前記着陸位置に移動する前に、前記スプレーノズルに前記複数の液滴の生成を開始させる着陸前スプレー開始工程を含む、請求項14または15に記載の基板処理装置。
- 前記スクラブ洗浄工程は、前記着陸位置から前記離陸位置までの範囲の少なくとも一部において前記スプレーノズルに前記複数の液滴の生成を停止させながら、前記駆動手段に前記ブラシおよびスプレーノズルを前記径方向に移動させるスプレー停止中スクラブ洗浄工程を含む、請求項10〜16のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ブラシは、前記ノズル挿入穴の内周面から前記ブラシの外面まで延びる逃がし穴をさらに含む、請求項10〜17のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017045085A JP6885754B2 (ja) | 2017-03-09 | 2017-03-09 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US15/866,606 US10685856B2 (en) | 2017-03-09 | 2018-01-10 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN201810090437.7A CN108573897B (zh) | 2017-03-09 | 2018-01-30 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
TW107104737A TWI668756B (zh) | 2017-03-09 | 2018-02-09 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
KR1020180022170A KR101975143B1 (ko) | 2017-03-09 | 2018-02-23 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017045085A JP6885754B2 (ja) | 2017-03-09 | 2017-03-09 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018148179A true JP2018148179A (ja) | 2018-09-20 |
JP6885754B2 JP6885754B2 (ja) | 2021-06-16 |
Family
ID=63445041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017045085A Active JP6885754B2 (ja) | 2017-03-09 | 2017-03-09 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10685856B2 (ja) |
JP (1) | JP6885754B2 (ja) |
KR (1) | KR101975143B1 (ja) |
CN (1) | CN108573897B (ja) |
TW (1) | TWI668756B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020129584A (ja) * | 2019-02-07 | 2020-08-27 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6684191B2 (ja) * | 2016-09-05 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置 |
US10386856B2 (en) | 2017-06-29 | 2019-08-20 | Uber Technologies, Inc. | Autonomous vehicle collision mitigation systems and methods |
CN109212793A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-15 | 惠科股份有限公司 | 一种用于显示面板的制造设备和清洗方法 |
CN115815095A (zh) * | 2022-11-29 | 2023-03-21 | 南京海创表面处理技术有限公司 | 一种金属型材喷涂工艺及其喷涂设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10335281A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009231628A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2016111265A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | 株式会社荏原製作所 | バフ処理装置、および、基板処理装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0745955Y2 (ja) | 1990-08-31 | 1995-10-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板のディスクブラシ式洗浄装置 |
JP2988366B2 (ja) | 1996-03-28 | 1999-12-13 | 日本電気株式会社 | 洗浄装置 |
US6558471B2 (en) * | 2000-01-28 | 2003-05-06 | Applied Materials, Inc. | Scrubber operation |
JP4722570B2 (ja) | 2005-06-02 | 2011-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法,記録媒体及び基板洗浄装置 |
KR20070060713A (ko) * | 2005-12-09 | 2007-06-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 기판 세정 장치 및 방법 |
WO2009076201A1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-06-18 | Fontana Technology | Method and composition for cleaning wafers |
JP5103356B2 (ja) | 2008-10-31 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄ブラシ及び基板処理装置並びに基板洗浄方法 |
JP6076011B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2017-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理ブラシ及び基板処理装置 |
JP6143589B2 (ja) | 2013-07-12 | 2017-06-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR102213468B1 (ko) * | 2014-08-26 | 2021-02-08 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 버프 처리 장치 및 기판 처리 장치 |
SG10201906815XA (en) * | 2014-08-26 | 2019-08-27 | Ebara Corp | Substrate processing apparatus |
SG10201508329UA (en) * | 2014-10-10 | 2016-05-30 | Ebara Corp | Buffing apparatus and substrate processing apparatus |
TWI821887B (zh) * | 2016-11-29 | 2023-11-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體 |
-
2017
- 2017-03-09 JP JP2017045085A patent/JP6885754B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-10 US US15/866,606 patent/US10685856B2/en active Active
- 2018-01-30 CN CN201810090437.7A patent/CN108573897B/zh active Active
- 2018-02-09 TW TW107104737A patent/TWI668756B/zh active
- 2018-02-23 KR KR1020180022170A patent/KR101975143B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10335281A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009231628A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2016111265A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | 株式会社荏原製作所 | バフ処理装置、および、基板処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020129584A (ja) * | 2019-02-07 | 2020-08-27 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP7149869B2 (ja) | 2019-02-07 | 2022-10-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
US11817311B2 (en) | 2019-02-07 | 2023-11-14 | Ebara Corporation | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201835996A (zh) | 2018-10-01 |
TWI668756B (zh) | 2019-08-11 |
KR20180103699A (ko) | 2018-09-19 |
KR101975143B1 (ko) | 2019-05-03 |
JP6885754B2 (ja) | 2021-06-16 |
CN108573897A (zh) | 2018-09-25 |
US10685856B2 (en) | 2020-06-16 |
US20180261474A1 (en) | 2018-09-13 |
CN108573897B (zh) | 2022-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101975143B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP6057334B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US9892955B2 (en) | Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method | |
US10192771B2 (en) | Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method | |
KR101989230B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 노즐 세정 방법 | |
US11967509B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium | |
JP6718714B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2013026381A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2017147273A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2015220436A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6593591B2 (ja) | 基板処理方法 | |
US10546763B2 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment device | |
US20160256901A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP6575983B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US11201067B2 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment device | |
TWI732320B (zh) | 基板處理裝置以及基板處理方法 | |
KR101939905B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP5865093B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6443806B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5824225B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7191591B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP2023122439A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2013157353A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200917 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210513 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6885754 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |