CN108573897A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents
基板处理方法以及基板处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108573897A CN108573897A CN201810090437.7A CN201810090437A CN108573897A CN 108573897 A CN108573897 A CN 108573897A CN 201810090437 A CN201810090437 A CN 201810090437A CN 108573897 A CN108573897 A CN 108573897A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- brush body
- spray nozzle
- dropping place
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 395
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 267
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 99
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 97
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 45
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 40
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 20
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 19
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 8
- 238000009991 scouring Methods 0.000 claims description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 95
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 53
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 53
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 21
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 11
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 6
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 208000031872 Body Remains Diseases 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- B08B1/32—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Abstract
一边使基板旋转一边使刷体的下表面沿着基板的上表面移动。通过使刷体以及喷雾嘴向上方从离位位置移动至下侧非接触位置,来使刷体的下表面离开基板的上表面。通过在刷体以及喷雾嘴位于下侧非接触位置的状态下使喷雾嘴产生多个液滴,来使多个液滴与基板的上表面碰撞,然后,一边将与基板的上表面碰撞的多个液滴供给至刷体的下表面,一边将其从刷体的下表面与基板的上表面之间的间隙排出。
Description
技术领域
本发明涉及对基板进行处理的基板处理方法以及基板处理装置。作为处理对象的基板,例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(FieldEmission Display:场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置或液晶显示装置等的制造工序中,使用对半导体晶片或液晶显示装置用玻璃基板等基板进行处理的基板处理装置。
在日本2015-19024A中,公开了进行擦洗清洗的单张式的基板处理装置。刷体最初按压在基板的上表面中央部。然后,刷体在基板的上表面中央部与基板的上表面外周部之间移动。接着,刷体从基板的上表面外周部向上方移动,从基板的上表面离开。在刷体从基板离开后,为了使基板干燥,使基板高速旋转,来将基板上的纯水等液体向基板的周围甩出。离开基板的刷体在备用容器中被清洗,一直待机到开始对下一个基板进行清洗。
在日本2015-19024A中,刷体最初与基板的上表面中央部接触,然后,从基板的上表面外周部向上方离开。在这样的处理中,刷体的痕迹有时残留在基板的上表面中央部和基板的上表面外周部。图8示出刷体在基板的上表面中央部和基板的上表面外周部上残留的痕迹的例子。这意味着,在基板的上表面中央部和基板的上表面外周部残留有污染物。
基板的上表面中央部是刷体最初接触的区域。基板的上表面外周部是刷体离开的区域。考虑在基板的上表面中央部残留污染物的原因是:在将刷体按压在基板上时,残留在刷体上的污染物转移至基板。考虑在基板的上表面外周部残留污染物的原因是:在刷体向上方离开基板时,在擦洗清洗中聚集在刷体的下表面的污染物残留在基板上。
发明内容
本发明的一个实施方式提供一种由具有刷体和喷雾嘴的基板处理装置执行的基板处理方法,所述刷体包括按压在被保持为水平姿势的基板的上表面上的下表面、在所述下表面的中央部开口而成的中央开口以及从所述中央开口向上方延伸的喷嘴插入孔,所述喷雾嘴插入所述喷嘴插入孔,产生经由所述中央开口向所述基板的上表面飞散的多个液滴。
所述基板处理方法包括:刷体落位工序,通过使所述刷体以及喷雾嘴向下方移动至落位位置,来使所述刷体的下表面与所述基板的上表面接触;擦洗清洗工序,一边使所述基板围绕从所述基板的中央部穿过的铅锤的旋转轴线旋转,一边使所述刷体以及喷雾嘴在与所述旋转轴线垂直的水平的径向上从所述落位位置移动至离位位置,由此使所述刷体的下表面沿着所述基板的上表面移动;刷体离位工序,通过使所述刷体以及喷雾嘴向上方从所述离位位置移动至下侧非接触位置,来使所述刷体的下表面离开所述基板的上表面;离位时喷洒工序,通过在所述刷体以及喷雾嘴位于所述下侧非接触位置的状态下使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,来使多个所述液滴与所述基板的上表面碰撞,然后,一边将与所述基板的上表面碰撞的多个所述液滴供给至所述刷体的下表面,一边将其从所述刷体的下表面与所述基板的上表面之间的间隙排出。
根据该结构,使刷体以及喷雾嘴向下方移动至落位位置。由此,刷体的下表面与基板的上表面接近,而与基板的上表面内的落位区域接触。然后,在基板围绕铅锤的旋转轴线旋转,刷体的下表面与基板的上表面接触的状态下,使刷体在径向上从落位位置移动至离位位置。由此,刷体的下表面擦拭基板的上表面,基板的上表面被刷体清洗。
然后,使刷体以及喷雾嘴向上方从离位位置移动至下侧非接触位置。由此,刷体的下表面离开基板的上表面内的离位区域。在该状态下,喷雾嘴产生多个液滴。多个液滴向下方通过在刷体的下表面开口而成的中央开口,与基板的上表面内的离位区域碰撞。借助因液滴的碰撞而产生的冲击,从基板上除去在刷体离开基板时残留在离位区域的污染物。
由喷雾嘴产生的多个液滴,在与基板的上表面碰撞后,向外侧通过刷体的下表面与基板的上表面之间的间隙。通过该间隙的液体的一部分被供给至刷体的下表面。由此,冲洗附着在刷体的下表面的污染物。另外,多个液滴在与基板的上表面内的碰撞区域碰撞后,从碰撞区域以放射状扩展。即,与基板碰撞的液体从碰撞区域向多个方向扩展。因此,与液体仅向一个方向流动时相比,能够从刷体的下表面内的更广的范围除去污染物。
这样,能够冲洗附着在刷体的下表面上的污染物,能够降低污染物的残留量,因此在刷体与下一个基板接触时,能够降低从刷体的下表面转移至基板的上表面内的落位区域的污染物的量。另外,在刷体的下表面离开基板的上表面后,使多个液滴与基板的上表面内的离位区域碰撞,因此能够降低残留在离位区域的污染物的量。由此,能够降低残留在基板的上表面上的污染物的量,能够提高基板的清洁度。
在所述实施方式中,可以在所述基板处理方法中加入以下至少一个特征。
所述离位时喷洒工序包括离位前喷洒开始工序,在所述离位前喷洒开始工序中,在所述刷体以及喷雾嘴从所述离位位置向上方移动前,使所述喷雾嘴开始产生多个所述液滴。所述离位前喷洒开始工序可以在所述刷体以及喷雾嘴位于所述离位位置的状态下,使所述喷雾嘴开始产生多个所述液滴,也可以在所述刷体以及喷雾嘴到达所述离位位置前,使所述喷雾嘴开始产生多个所述液滴。
根据该结构,在刷体的下表面与基板的上表面接触的状态下,喷雾嘴产生多个液滴。在刷体的下表面与基板的上表面接触时,在刷体的下表面开口而成的中央开口被基板的上表面堵塞,因此,当在喷嘴插入孔内产生多个液滴时,喷嘴插入孔内的压力变高。因此,刷体的下表面在喷嘴插入孔内的压力高的状态下向上方离开基板的上表面。
在刷体的下表面离开基板的上表面时,喷嘴插入孔内的液体,借助喷嘴插入孔内的压力从刷体的中央开口向下方排出,以放射状在刷体的下表面与基板的上表面之间的间隙中飞散。高速通过刷体与基板之间的间隙的液体,与附着在刷体的下表面和基板的上表面的污染物碰撞。由此,能够除去附着在刷体的下表面和基板的上表面的污染物,能够降低残留在它们上的污染物的量。
所述基板处理方法还包括:刷体上升工序,使所述刷体以及喷雾嘴向上方从所述下侧非接触位置移动至上侧非接触位置;离位后喷洒工序,在所述刷体以及喷雾嘴位于所述上侧非接触位置的状态下,使所述喷雾嘴产生多个所述液滴。
根据该结构,一边使刷体以及喷雾嘴位于下侧非接触位置的上方的上侧非接触位置,一边使喷雾嘴生成多个液滴。通常,多个液滴不从喷雾嘴的下端部以直线状飞散,而是从喷雾嘴的下端部一边以圆锥状扩展一边向下方飞散。当喷雾嘴远离基板时,基板的上表面内的被多个液滴碰撞的碰撞区域的外径增加。因此,通过使喷雾嘴位于上侧非接触位置,能够在基板的上表面内的更广的范围内使多个液滴进行碰撞,能够降低从刷体的下表面转移至基板的上表面的污染物的残留量。
所述基板处理方法还包括移动喷洒工序,在所述移动喷洒工序中,在离位区域的上方,一边使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,一边使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上移动;所述离位区域是指,在所述基板的上表面内,所述刷体的下表面从所述基板的上表面向上方离开的区域。所述移动喷洒工序可以在所述刷体的至少一部分在俯视时与所述离位区域重合的范围内,使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上移动。
根据该结构,在刷体的下表面向上方离开基板的上表面内的离位区域的状态下,使喷雾嘴产生多个液滴,且使刷体以及喷雾嘴在径向上移动。基板的上表面内的被多个液滴碰撞的碰撞区域随着喷雾嘴的移动而在径向上移动。由此,能够在基板的上表面内的包括离位区域在内的更广的范围内使液滴进行碰撞,能够进一步降低残留在离位区域的污染物的量。
所述基板处理方法还包括落位时喷洒工序,在所述落位时喷洒工序中,一边使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,一边使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上从所述落位位置向所述离位位置移动。
根据该结构,一边使喷雾嘴产生多个液滴,一边使刷体以及喷雾嘴在径向上从落位位置向离位位置移动。当刷体配置在落位位置上时,刷体的下表面与基板的上表面内的落位区域接触。此时,残留在刷体的下表面上的污染物能够转移至落位区域。基板的上表面内的被多个液滴碰撞的碰撞区域伴随喷雾嘴在径向上的移动而与落位区域重合。借助因液滴的碰撞而产生的冲击,除去从刷体转移至落位区域的污染物。由此,能够降低残留在基板的上表面上的污染物的量,能够提高基板的清洁度。
在所述落位时喷洒工序中,至少直到碰撞区域到达落位区域的外边缘为止,一直使所述喷雾嘴产生多个所述液滴;所述碰撞区域是指,所述基板的上表面内的被多个所述液滴碰撞的区域;所述落位区域是指,在所述刷体以及喷雾嘴配置在所述落位位置时,所述基板的上表面内的被所述刷体的下表面接触的区域。
根据该结构,液滴所碰撞的碰撞区域在径向上在基板的上表面内移动。在刷体以及喷雾嘴配置在落位位置时,刷体的下表面所接触的落位区域为包围碰撞区域的环状的区域。碰撞区域伴随喷雾嘴在径向上的移动,而经过落位位置的内边缘。一直持续产生液滴,至少直到碰撞区域到达落位区域的外边缘为止。因此,能够使液滴与落位区域的各部分碰撞,能够降低残留在基板的上表面上的污染物的量。
所述落位时喷洒工序包括落位前喷洒开始工序,在所述落位前喷洒开始工序中,在所述刷体以及喷雾嘴移动至所述落位位置前,使所述喷雾嘴开始产生多个所述液滴。
根据该结构,在刷体与基板的上表面接触前,喷雾嘴开始生成液滴。在该状态下,使刷体以及喷雾嘴下降至落位位置。另外,使刷体以及喷雾嘴在径向上从落位位置向离位位置移动。因此,与刷体以及喷雾嘴移动至落位位置后开始产生液滴的情况相比,能够顺畅地使刷体以及喷雾嘴从落位位置向离位位置移动。
所述擦洗清洗工序包括喷洒停止中擦洗清洗工序,在所述喷洒停止中擦洗清洗工序中,一边在从所述落位位置至所述离位位置为止的范围内的至少一部分范围内使所述喷雾嘴停止产生多个所述液滴,一边使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上移动。
根据该结构,在刷体的下表面与基板的上表面接触,喷雾嘴停止产生液滴的状态下,使刷体以及喷雾嘴在径向上移动。当一边使刷体的下表面与基板的上表面接触,一边使喷雾嘴产生液滴时,设置在刷体上的喷嘴插入孔内的压力变高,因此能够产生使刷体从基板上浮起的力。这意味着,将刷体按压在基板上的力变弱。因此,通过在停止产生液滴的状态下将刷体按压在基板的上表面,能够抑制或防止污染物的除去率降低。
所述基板处理方法还包括流体排出工序,在所述流体排出工序中,使所述喷嘴插入孔内的流体经由从所述喷嘴插入孔的内周面延伸至所述刷体的外表面的排放孔排出。
刷体的外表面是指刷体的下表面以外的面。刷体的外表面可以是与喷嘴插入孔的内周面同轴的刷体的外周面,也可以是刷体的上表面,也可以是除此以外的面。排放孔可以在刷体的外表面以及下表面双方开口而成。在刷体是具有多个细微孔的海绵体时,排放孔的内径比细微孔的内径大。
根据该结构,设置在刷体上的喷嘴插入孔内的流体,不经由刷体的中央开口,而经由排放孔向刷体外排出。因此,即使一边使刷体的下表面与基板的上表面接触,一边使喷雾嘴产生液滴,喷嘴插入孔内的压力也难以上升。由此,能够抑制或防止因刷体而引起的清洗力的降低。
本发明的其它实施方式提供一种基板处理装置,其具有:基板保持单元,一边将基板保持为水平,一边使所述基板围绕从所述基板的中央部穿过的铅锤的旋转轴线旋转;刷体,包括下表面、中央开口以及喷嘴插入孔,所述下表面按压在被所述基板保持单元保持的所述基板的上表面上,所述中央开口在所述下表面的中央部开口而成,所述喷嘴插入孔从所述中央开口向上方延伸;喷雾嘴,插入所述喷嘴插入孔,产生经由所述中央开口向被所述基板保持单元保持的所述基板的上表面飞散的多个液滴;驱动机构,使所述刷体以及喷雾嘴移动;控制装置,控制所述喷雾嘴以及驱动机构。
所述控制装置执行如下工序:刷体落位工序,通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴向下方移动至落位位置,由此使所述刷体的下表面与被所述基板保持单元保持的所述基板的上表面接触;擦洗清洗工序,一边通过所述基板保持单元使所述基板围绕所述旋转轴线旋转,一边通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴在与所述旋转轴线垂直的水平的径向上从所述落位位置移动至离位位置,由此使所述刷体的下表面沿着被所述基板保持单元保持的所述基板的上表面移动;刷体离位工序,通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴向上方从所述离位位置移动至下侧非接触位置,由此使所述刷体的下表面离开被所述基板保持单元保持的所述基板的上表面;离位时喷洒工序,通过在所述刷体以及喷雾嘴位于所述下侧非接触位置的状态下使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,来使多个所述液滴与被所述基板保持单元保持的所述基板的上表面碰撞,然后,一边将与所述基板的上表面碰撞的多个所述液滴供给至所述刷体的下表面,一边将其从所述刷体的下表面与所述基板的上表面之间的间隙排出。。
根据该结构,能够发挥与上述的作用效果相同的作用效果。具体地说,根据该结构,能够使刷体以及喷雾嘴向下方朝向落位位置移动。由此,刷体的下表面接近基板的上表面,与基板的上表面内的落位区域接触。然后,在基板围绕铅锤的旋转轴线旋转,刷体的下表面与基板的上表面接触的状态下,使刷体在径向上从落位位置移动至离位位置。由此,刷体的下表面擦拭基板的上表面,基板的上表面被刷体清洗。
然后,使刷体以及喷雾嘴向上方从离位位置移动至下侧非接触位置。由此,刷体的下表面离开基板的上表面内的离位区域。在该状态下,喷雾嘴产生多个液滴。多个液滴向下方经过在刷体的下表面开口而成的中央开口,与基板的上表面内的离位区域碰撞。借助因液滴的碰撞而产生的冲击,从基板上除去在刷体离开基板时残留在离位区域的污染物。
由喷雾嘴产生的多个液滴,在与基板的上表面碰撞后,向外侧通过刷体的下表面与基板的上表面之间的间隙。通过该间隙的液体的一部分被供给至刷体的下表面。由此,冲洗附着在刷体的下表面的污染物。另外,多个液滴,在与基板的上表面内的碰撞区域碰撞后,从碰撞区域以放射状扩展。即,与基板碰撞的液体从碰撞区域向多个方向扩展。因此,与液体仅向一个方向流动时相比,能够从刷体的下表面内的更广的范围除去污染物。
这样,能够冲洗附着在刷体的下表面的污染物,且能够降低污染物的残留量,由此在使刷体与下一个基板接触时,能够降低从刷体的下表面转移至基板的上表面内的落位区域的污染物的量。进而,在刷体的下表面离开基板的上表面后,使多个液滴与基板的上表面内的离位区域碰撞,因此能够降低残留在离位区域的污染物的量。由此,能够降低残留在基板的上表面上的污染物的量,能够提高基板的清洁度。
在上述实施方式中,在所述基板处理装置中可以加入以下的至少一个特征。
所述离位时喷洒工序包括离位前喷洒开始工序,在所述离位前喷洒开始工序中,在所述刷体以及喷雾嘴从所述离位位置向上方移动前,使所述喷雾嘴开始产生多个所述液滴。根据该结构,能够发挥与上述作用效果相同的作用效果。
所述控制装置还执行如下工序:刷体上升工序,通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴向上方从所述下侧非接触位置移动至上侧非接触位置;离位后喷洒工序,在所述刷体以及喷雾嘴位于所述上侧非接触位置的状态下,使所述喷雾嘴产生多个所述液滴。根据该结构,能够发挥与上述的作用效果相同的作用效果。
所述控制装置还执行移动喷洒工序,在所述移动喷洒工序中,在离位区域的上方,一边使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,一边通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上移动;所述离位区域是指,在所述基板的上表面内,所述刷体的下表面从所述基板的上表面向上方离开的区域。根据该结构,能够发挥与上述的作用效果相同的作用效果。
所述控制装置还执行落位时喷洒工序,在所述落位时喷洒工序中,一边使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,一边通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上从所述落位位置向所述离位位置移动。根据该结构,能够发挥与上述的作用效果相同的作用效果。
在所述落位时喷洒工序中,至少直到碰撞区域到达落位区域的外边缘为止,一直使所述喷雾嘴产生多个所述液滴;所述碰撞区域是指,所述基板的上表面内的被多个所述液滴碰撞的区域;所述落位区域是指,在所述刷体以及喷雾嘴配置在所述落位位置时,所述基板的上表面内的被所述刷体的下表面接触的区域。根据该结构,能够发挥与上述的作用效果相同的作用效果。
所述落位时喷洒工序包括落位前喷洒开始工序,在所述落位前喷洒开始工序中,在所述刷体以及喷雾嘴移动至所述落位位置前,使所述喷雾嘴开始产生多个所述液滴。根据该结构,能够发挥与上述的作用效果相同的作用效果。
所述擦洗清洗工序包括喷洒停止中擦洗清洗工序,在所述喷洒停止中擦洗清洗工序中,一边在从所述落位位置至所述离位位置的范围内的至少一部分范围内中使所述喷雾嘴停止产生多个所述液滴,一边通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上移动。根据该结构,能够发挥与上述的作用效果相同的作用效果。
所述刷体还具有排放孔,所述排放孔从所述喷嘴插入孔的内周面延伸至所述刷体的外表面。根据该结构,能够发挥与上述的作用效果相同的作用效果。
参照附图通过如下描述的实施方式的说明,本发明中的上述或进一步其它的目的、特征以及效果会变得明确。
附图说明
图1是沿着水平方向观察本发明的一个实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的内部结构时的示意图。
图2是从上方沿着铅锤方向观察处理单元的内部结构时的示意图。
图3A是沿着水平方向观察刷体以及喷雾嘴时的局部剖视图。
图3B是从下方沿着铅锤方向观察刷体时的示意图。
图3C是沿着螺栓的轴向观察可动臂时的示意图。
图4A是用于说明基板处理装置所执行的基板处理的一个例子的工序图。
图4B是用于说明基板处理装置所执行的基板处理的一个例子的工序图。
图5A是示出执行处理时的基板的状态的示意图。
图5B是示出执行处理时的基板的状态的示意图。
图5C是示出执行处理时的基板的状态的示意图。
图5D是示出执行处理时的基板的状态的示意图。
图5E是示出执行处理时的基板的状态的示意图。
图5F是示出执行处理时的基板的状态的示意图。
图5G是示出执行处理时的基板的状态的示意图。
图5H是示出执行处理时的基板的状态的示意图。
图5I是示出执行处理时的基板的状态的示意图。
图5J是示出执行处理时的基板的状态的示意图。
图6是示出执行基板处理的其它例子时的基板的状态的示意图。
图7A是示出本发明的其它实施方式的刷体以及喷雾嘴的示意图。
图7B是示出本发明的又一其它实施方式的刷体以及喷雾嘴的示意图。
图8是示出进行擦洗清洗后的刷体残留在基板的上表面上的痕迹的示意图。
具体实施方式
图1是沿着水平方向观察本发明的一个实施方式的基板处理装置1所具有的处理单元2的内部结构时的示意图。图1示出刷体21以及喷雾嘴22配置在中央上方位置的状态。图2是从上方沿着铅锤方向观察处理单元2的内部结构时的示意图。图3A、图3B、图3C是示出刷体21以及喷雾嘴22的示意图。
如图1所示,基板处理装置1是逐张(一张一张)对半导体晶片等圆板状的基板W进行处理的单张式的装置。基板处理装置1包括:多个处理单元2,通过处理液、处理气体等处理流体对基板W进行处理;搬运机械手(未图示),向多个处理单元2搬运基板W;控制装置3,对基板处理装置1进行控制。控制装置3为计算机,包括:存储器3m,存储程序等信息;处理器3p,按照存储在存储器3m中的信息对基板处理装置1进行控制。
处理单元2包括:箱形的腔体4,具有内部空间;旋转卡盘5,一边在腔体4内将1张基板W保持为水平,一边使基板W围绕从基板W的中央部穿过的铅锤的旋转轴线A1旋转;筒状的杯体9,阻挡从被旋转卡盘5保持的基板W向外侧排出的处理液。旋转卡盘5是基板保持单元的一个例子。
旋转卡盘5包括:圆板状的旋转基座7,被保持为水平姿势;多个卡盘销6,在旋转基座7的上方将基板W保持为水平姿势;旋转马达8,通过使旋转基座7和多个卡盘销6旋转,来使基板W围绕旋转轴线A1旋转。旋转卡盘5不限于使多个卡盘销6与基板W的外周面接触的夹持式的卡盘,也可以是真空式的卡盘,所述真空式的卡盘将非器件形成面即基板W的背面(下表面)吸附在旋转基座7的上表面上,来将基板W保持为水平姿势。
杯体9包括:筒状的引导部9b,包围旋转卡盘5;筒状的倾斜部9a,从引导部9b的上端部朝向旋转轴线A1而斜向上延伸;储液部9c,与引导部9b一起形成向上敞开的环状的槽。如图2所示,倾斜部9a具有圆环状的上端,该上端具有比基板W以及旋转基座7大的内径。倾斜部9a的上端相当于杯体9的上端。在俯视时,杯体9的上端包围基板W以及旋转基座7。
如图1所示,处理单元2包括使杯体9沿着铅锤方向在上方位置(图1所示的位置)与下方位置之间升降的杯体升降单元10,在杯体9位于上方位置时,杯体9的上端位于旋转卡盘5保持基板W的保持位置的上方;在杯体9位于下方位置时,杯体9的上端位于保持位置的下方。在向基板W供给处理液时,杯体9被配置在上方位置。从基板W向外侧飞散的处理液,在被倾斜部9a阻挡后,被引导部9b聚集到储液部9c内。
处理单元2包括向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面且向下方喷出漂洗液的漂洗液喷嘴11。漂洗液喷嘴11与安装有漂洗液阀12的漂洗液配管13连接。漂洗液喷嘴11固定在腔体4内的规定位置。处理单元2可以具有使漂洗液喷嘴11水平地在处理位置与待机位置之间移动的喷嘴移动单元,在漂洗液喷嘴11位于处理位置时,从漂洗液喷嘴11喷出的漂洗液能够供给至基板W;在漂洗液喷嘴11位于待机位置时,在俯视状态下漂洗液喷嘴11与基板W相离。
如果打开漂洗液阀12,则漂洗液从漂洗液配管13向漂洗液喷嘴11供给,并从漂洗液喷嘴11喷出。漂洗液例如为纯水(去离子水:DIW(Deionized water))。漂洗液不限于纯水,也可以是碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水以及浓度被稀释(例如,10~100ppm程度)的盐酸水中的某种。
处理单元2包括:刷体21,按压在被旋转卡盘5保持的基板W的上表面上;喷雾嘴22,使多个液滴与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面碰撞。处理单元2还包括对刷体21以及喷雾嘴22进行保持的可动臂23和使可动臂23移动的驱动机构24。驱动机构24包括:铅锤驱动机构24a,使可动臂23沿着铅锤方向移动;水平驱动机构24b,通过使铅锤驱动机构24a水平移动,来使可动臂23水平移动。
喷雾嘴22例如为二流体喷嘴,通过使液体和气体在其内部或外部进行碰撞,来产生向基板W的上表面且向下方飞散的多个液滴。图3A示出喷雾嘴22为外部混合型的二流体喷嘴的例子。喷雾嘴22包括:液体喷出口22a,向基板W的上表面喷出液体;气体喷出口22b,喷出用于与从液体喷出口22a喷出的液体碰撞的气体。液体喷出口22a以及气体喷出口22b设置在喷雾嘴22的下端部。喷雾嘴22的下端部配置在刷体21的内部。液体喷出口22a为与喷雾嘴22的中心线重合的圆形,气体喷出口22b为包围液体喷出口22a的环状。
喷雾嘴22与液体配管26和气体配管28连接,该液体配管26对向喷雾嘴22供给的液体进行引导,该气体配管28对向喷雾嘴22供给的气体进行引导。用于切换向喷雾嘴22供给液体以及停止供给的液体阀25安装在液体配管26上。用于切换向喷雾嘴22供给气体以及停止供给的气体阀27安装在气体配管28上。向喷雾嘴22供给的液体例如为纯水,向喷雾嘴22供给的气体例如为氮气。也可以向喷雾嘴22供给纯水以外的液体。同样,也可以向喷雾嘴22供给氮气以外的气体。
水平驱动机构24b包括:促动器,产生使铅锤驱动机构24a移动的动力;传递机构,将促动器的动力传递给铅锤驱动机构24a。如图2所示,水平驱动机构24b是滑动机构,使刷体21以及喷雾嘴22沿着在俯视时从基板W的中央部通过的直线状的路径P1水平移动。水平驱动机构24b也可以是旋转机构,使刷体21以及喷雾嘴22沿着在俯视时从基板W的中央部通过的圆弧状的路径水平移动。
水平驱动机构24b能够使刷体21以及喷雾嘴22在路径P1上的任意位置静止。待机位置Ps、中央位置Pc以及外周位置Pe都是路径P1上的位置。待机位置Ps是在俯视时刷体21位于杯体9的外围的位置。中央位置Pc是在俯视时刷体21与基板W的中央部重合的位置。外周位置Pe是在俯视时刷体21与基板W的外周部重合的位置。外周位置Pe也可以是相对于中央位置Pc而靠待机位置Ps侧的位置,也可以是相对于中央位置Pc而靠与待机位置Ps相反一侧的位置。
中央位置Pc包括中央上方位置和中央下方位置,该中央上方位置是使刷体21的下表面21a向上方离开基板W的上表面的位置,该中央下方位置是使刷体21的下表面21a与基板W的上表面接触的位置。同样,外周位置Pe包括外周上方位置和外周下方位置,该外周上方位置是使刷体21的下表面21a向上方离开基板W的上表面的位置,该外周下方位置是使刷体21的下表面21a与基板W的上表面接触的位置。中央上方位置以及中央下方位置是在俯视时相互重合的位置,外周上方位置以及外周下方位置是在俯视时相互重合的位置。待机位置Ps包括待机上方位置和待机下方位置,该机上方位置是与中央上方位置以及外周上方位置高度相同的位置,该待机下方位置是待机上方位置的下方的位置。
铅锤驱动机构24a包括:促动器,产生使可动臂23移动的动力;传递机构,将促动器的动力传递给可动臂23。铅锤驱动机构24a能够使刷体21以及喷雾嘴22在中央上方位置至中央下方位置之间的任意位置静止。同样,铅锤驱动机构24a能够使刷体21以及喷雾嘴22在外周上方位置至外周下方位置之间的任意位置静止,且能够使刷体21以及喷雾嘴22在待机上方位置至待机下方位置之间的任意位置静止。
如图2所示,处理单元2包括筒状的备用容器31,该备用容器31容纳位于待机下方位置的刷体21。备用容器31在俯视时配置在杯体9的外围。备用容器31配置在位于待机上方位置的刷体21的下方。在刷体21配置在待机上方位置以及待机下方位置中的某一位置时,刷体21在俯视时都与备用容器31重合。
备用容器31包括:多个清洗液喷出口31a,朝向备用容器31内的空间喷出清洗液;清洗液流路31b,向各清洗液喷出口31a引导清洗液。清洗液流路31b与安装有清洗液阀32的清洗液配管33连接。清洗液例如为纯水。但清洗液不限于纯水,也可以为碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水以及浓度被稀释(例如,10~100ppm程度)的盐酸水中的某一种。清洗液也可以是与漂洗液种类相同的液体,也可以是与漂洗液种类不同的液体。
接着,参照图3A~图3C,详细说明刷体21及喷雾嘴22和与它们相关联的结构。
图3A是沿着水平方向观察刷体21以及喷雾嘴22时的局部剖视图。图3B是从下方沿着铅锤方向观察刷体21时的示意图。图3C是沿着螺栓47的轴向观察可动臂23时的示意图。在图3B中,将液体喷出口22a以及气体喷出口22b涂黑。
如图3A所示,可动臂23包括保持刷体21的刷体臂43、保持喷雾嘴22的喷嘴臂42和保持刷体臂43及喷嘴臂42的主臂41。主臂41包括水平延伸的水平部41a和从水平部41a的前端向铅锤方向的下方延伸的铅锤部41b。刷体臂43以及喷嘴臂42相对于铅锤部41b而向与水平部41a相反的方向水平延伸。刷体臂43配置在喷嘴臂42的下方,在俯视时与喷嘴臂42重合。
喷雾嘴22插入沿着铅锤方向贯通喷嘴臂42的贯通孔42h中,并固定在喷嘴臂42上。喷雾嘴22还插入沿着铅锤方向贯通刷体臂43的通孔43h中,从刷体臂43向下方突出。刷体21配置在刷体臂43的下方。喷雾嘴22的下端部配置在刷体21的内部。
刷体21经由支架45以及支架安装部44而被刷体臂43支撑。支架安装部44固定在刷体臂43上。支架45以能够拆卸的方式安装在支架安装部44上。支架45包括包围刷体21的圆筒状的周壁部45a和从周壁部45a的下端向内侧延伸的圆环状的底壁部45b。刷体21从底壁部45b向下方突出。
刷体21例如是由PVA(聚乙烯醇)或聚氨酯等合成树脂形成的能够弹性变形的柱状的海绵体。刷体21包括按压在基板W的上表面上的下表面21a、在下表面21a的中央部开口的中央开口21b以及从中央开口21b向上方延伸的喷嘴插入孔21c。刷体21的下表面21a也可以是平坦的水平面,也可以是向下方凸出的半球面。如图3B所示,当从刷体21的下方沿着铅锤方向观察刷体21时,刷体21的下表面21a为圆环状。
如图3A所示,喷雾嘴22插入在铅锤方向上贯通支架安装部44的通孔44h中。喷雾嘴22还插入在上下方向上贯通刷体21的喷嘴插入孔21c中。喷雾嘴22的下端部配置在喷嘴插入孔21c内。刷体21的下表面21a配置在喷雾嘴22的下端部的下方。如图3B所示,当从刷体21的下方沿着铅锤方向观察刷体21时,喷雾嘴22的液体喷出口22a以及气体喷出口22b从刷体21露出。
支架安装部44的通孔44h的内径比喷雾嘴22的外径大。同样,喷嘴插入孔21c的内径比喷雾嘴22的外径大。支架安装部44以及刷体21能够相对于喷雾嘴22而沿着铅锤方向移动。喷嘴插入孔21c的内径可以与喷雾嘴22的外径大致相等。这是因为,即使喷嘴插入孔21c的内径稍微小于喷雾嘴22的外径,但是在当喷雾嘴22插入喷嘴插入孔21c时,因刷体21的弹性变形,喷嘴插入孔21c的内径会扩展。
如图3A所示,刷体臂43的基部插入设置在主臂41上的滑槽46中。滑槽46在水平方向上凹陷,且在铅锤方向上延伸。刷体臂43的基部能够沿着滑槽46在铅锤方向上移动。刷体臂43通过螺栓47固定在主臂41上。螺栓47的头部47a相对于主臂41而配置在刷体臂43的相反侧。螺栓47的轴部47b插入在水平方向上贯通主臂41的螺栓孔41h中。螺栓47的轴部47b安装在设置于刷体臂43上的内螺纹孔43h中。由此,刷体臂43与主臂41紧固连接。
如图3C所示,主臂41的螺栓孔41h是在铅锤方向上延伸的长孔。螺栓孔41h在水平方向上的长度比螺栓47的轴部47b的外径大,且比螺栓47的头部47a的外径小。螺栓孔41h在铅锤方向上的长度比螺栓47的头部47a的外径大。若拧松螺栓47,则能够使螺栓47相对于主臂41而在铅锤方向上移动。然后,若拧紧螺栓47,则能够固定刷体臂43。由此,能够在铅锤方向上改变刷体21相对于主臂41的位置,能够改变刷体21的下表面21a与喷雾嘴22的下端部之间的高低差。
图4A以及图4B是用于说明基板处理装置1所执行的基板W的处理的一个例子的工序图。图5A~图5J是示出执行图4A或图4B所示的处理时的基板W的状态的示意图。以下,参照图1。适当参照图4A、图4B以及图5A等。以下的各工序通过控制装置3控制基板处理装置1来执行。换言之,控制装置3被程序化为能够执行以下各工序。
在通过基板处理装置1对基板W进行处理时,在刷体21以及喷雾嘴22从基板W的上方退避且杯体9位于下方位置的状态下,搬运机械手(未图示)一边通过手部支撑基板W,一边使手部进入腔体4内。然后,搬运机械手以使基板W的表面或背面朝上的状态,将手部上的基板W放置在旋转卡盘5上(步骤S1)。旋转马达8在基板W被卡盘销6把持后,开始使基板W旋转(步骤S2)。搬运机械手在将基板W放置在旋转卡盘5上后,使手部从腔体4的内部退避出来。
驱动机构24在基板W被放置在旋转卡盘5上后,使刷体21以及喷雾嘴22从待机下方位置移动至中央上方位置和中央下方位置之间的中央中间位置(图5A所示的位置)(步骤S3)。另外,杯体升降单元10使杯体9从下方位置上升至上方位置(步骤S4)。然后,打开漂洗液阀12,漂洗液喷嘴11开始向基板W的上表面中央部喷出纯水(步骤S5)。落在旋转的基板W的上表面的纯水借助离心力而沿着基板W的上表面向外侧流动,从基板W的外周部向外侧飞散。由此,纯水被供给至基板W的上表面的各部分,形成覆盖基板W的上表面整个区域的纯水的液膜。
接着,如图5A所示,在刷体21以及喷雾嘴22位于中央中间位置的状态下,打开液体阀25以及气体阀27,喷雾嘴22开始喷射多个液滴(步骤S6)。多个液滴贯穿对基板W的上表面中央部进行覆盖的纯水的液膜,与基板W的上表面中央部碰撞。如图5B所示,在该状态下,驱动机构24使刷体21以及喷雾嘴22从中央中间位置向中央下方位置(图5B所示的位置)下降(步骤S7)。在此期间,刷体21的下表面21a经由纯水的液膜而按压在基板W的上表面中央部,与基板W的上表面内的落位区域RL接触。
接着,驱动机构24,在喷雾嘴22喷射多个液滴且刷体21的下表面21a按压在基板W的上表面上的状态下,使刷体21以及喷雾嘴22向径向Dr的外侧移动(步骤S8)。如图5C所示,基板W的上表面内的碰撞区域Rc即多个液滴所碰撞的区域,随着喷雾嘴22在径向Dr上的移动,经过落位区域RL的内边缘RLi。并且,当碰撞区域Rc到达落位区域RL的外边缘RLo时,关闭液体阀25以及气体阀27,喷雾嘴22停止喷射多个液滴(步骤S9)。在此期间,多个液滴与落位区域RL的各部分碰撞,从而除去从刷体21转移至落位区域RL的污染物。
如图5D以及图5E所示,在停止喷射液滴后,在刷体21的下表面21a按压在基板W的上表面的状态下,驱动机构24使刷体21以及喷雾嘴22向径向Dr的外侧移动,直到移动至外周下方位置(图5E所示位置)(步骤S10)。由此,刷体21的下表面21a擦拭基板W的上表面的各部分,基板W的上表面被刷体21清洗。
如图5F所示,当刷体21以及喷雾嘴22到达外周下方位置时,在刷体21的下表面21a与基板W的上表面接触的状态下,打开液体阀25以及气体阀27,喷雾嘴22开始喷射多个液滴(步骤S11)。由于刷体21为多孔质的海绵体,所以喷嘴插入孔21c内的流体的一部分,不在刷体21的中央开口21b排出,而是透过刷体21向刷体21外排出。但是,当在刷体21的中央开口21b被堵塞的状态下向喷嘴插入孔21c供给流体时,喷嘴插入孔21c内的压力变高。
如图5G所示,在喷雾嘴22开始喷射多个液滴后,驱动机构24使刷体21以及喷雾嘴22从外周下方位置上升至外周下方位置与外周上方位置之间的下侧非接触位置(图5G所示的位置)(步骤S12)。由此,刷体21的下表面21a向上方离开基板W的上表面外周部内的区域即离位区域Rt。从位于下侧非接触位置的刷体21的下表面21a至基板W的上表面为止的在铅锤方向上的距离,例如比刷体21的下表面21a的外径小。该距离还可以比刷体21的中央开口21b的直径小。
由于喷嘴插入孔21c内的压力上升,所以当驱动机构24使刷体21以及喷雾嘴22从外周下方位置上升至下侧非接触位置时,喷嘴插入孔21c内的气体以及液体,借助喷嘴插入孔21c内的压力而从刷体21的中央开口21b向下方排出,以放射状在刷体21的下表面21a与基板W的上表面之间的间隙中飞散。高速通过该间隙的气体以及液体,与附着在刷体21的下表面21a和基板W的上表面的污染物碰撞。由此,能够降低残留在刷体21的下表面21a和基板W的上表面上污染物的量。
在驱动机构24使刷体21以及喷雾嘴22上升至下侧非接触位置后,喷雾嘴22还继续喷射多个液滴。此时,基板W的上表面内的被多个液滴碰撞的碰撞区域Rc,位于正在旋转的基板W的上表面外周部。因此,多个液滴与离位区域Rt的整周进行碰撞。由此,能够借助因液滴的碰撞而引起的冲击,从基板W上除去在刷体21离开离位区域Rt时残留在该区域的污染物。
与基板W的上表面碰撞的多个液滴,在刷体21的下表面21a离开基板W的上表面且喷嘴插入孔21c内的压力被释放后,还以放射状在刷体21的下表面21a与基板W的上表面之间的间隙中流动。下侧非接触位置也可以是使刷体21的下表面21a与基板W的上表面之间的间隙被液体充满的位置,也可以是使在该间隙中流动的液体间歇性地与刷体21的下表面21a接触的位置。不论那种情况,向外侧流动的液体都供给至刷体21的下表面21a,因此能够降低残留在刷体21的下表面21a上的污染物的量。
如图5H所示,驱动机构24,在使刷体21以及喷雾嘴22静止在下侧非接触位置后,在喷雾嘴22正在喷射多个液滴的状态下,使刷体21以及喷雾嘴22从下侧非接触位置上升至上侧非接触位置(图5H所示的位置)(步骤S13)。上侧非接触位置是下侧非接触位置的上方的位置。上侧非接触位置也可以是外周上方位置。从配置在上侧非接触位置的刷体21的下表面21a至基板W的上表面为止的在铅锤方向上的距离,可以为中央开口21b的半径以上。
当刷体21以及喷雾嘴22配置在上侧非接触位置时,喷雾嘴22向上方远离基板W的上表面。多个液滴从喷雾嘴22的下端部一边以圆锥状扩展一边向下方飞散。当喷雾嘴22远离基板W时,基板W的上表面内的被多个液滴碰撞的碰撞区域Rc的外径增加。在刷体21以及喷雾嘴22配置在上侧非接触位置时,基板W也在旋转。因此,能够使多个液滴碰撞基板W的上表面内的更广的范围,能够降低从刷体21的下表面21a转移至基板W的上表面的污染物的残留量。
如图5I所示,在刷体21以及喷雾嘴22在上侧非接触位置静止后,关闭液体阀25以及气体阀27,喷雾嘴22停止喷射多个液滴(步骤S14)。然后,驱动机构24使刷体21以及喷雾嘴22向径向Dr的内侧,从上侧非接触位置移动至中央中间位置(步骤S15)。然后,根据需要,进行一次以上的步骤S6至步骤S15的一系列的工序(步骤S16)。其中,在最后一次的工序中,不将刷体21以及喷雾嘴22移动至中央中间位置,而将其移动至待机下方位置(步骤S17)。
如图5J所示,在刷体21以及喷雾嘴22到达待机下方位置前,打开清洗液阀32,切换为从备用容器31的清洗液喷出口31a喷出纯水。由此,多个清洗液喷出口31a开始喷出纯水。在多个清洗液喷出口31a正在喷出纯水的状态下,驱动机构24将刷体21从备用容器31的上方插入备用容器31内。驱动机构24还使刷体21在备用容器31内在铅锤方向上往返一次以上。刷体21被供给纯水的位置,随着刷体21的升降而在铅锤方向上移动。由此,附着在刷体21上的污染物被冲洗掉,降低污染物的残留量(步骤S18)。
漂洗液喷嘴11,在刷体21离开基板W后,还继续喷出纯水。因此,基板W的上表面整个区域被纯水的液膜覆盖。在关闭漂洗液阀12(步骤S19),漂洗液喷嘴11停止喷出纯水后,旋转马达8使基板W在旋转方向加速,以比在此之前的旋转速度大的高旋转速度(例如数千rpm)使基板W旋转。基板W上的液体,借助离心力而从基板W向其周围飞散,被从基板W上除去。由此,干燥基板W(步骤S20)。如果从基板W开始高速旋转经过了规定时间,则旋转马达8停止旋转(步骤S21)。由此,基板W停止旋转。
在基板W停止旋转后,杯体升降单元10使杯体9下降至下方位置(步骤S22)。然后,搬运机械手(未图示)使手部进入腔体4内。在多个卡盘销6解除对基板W的把持后,搬运机械手通过手部支撑旋转卡盘5上的基板W。然后,搬运机械手一边通过手部支撑基板W,一边使手部从腔体4的内部退避出来。由此,将处理完的基板W从腔体4搬出(步骤S23)。
在以上那样的本实施方式中,使刷体21以及喷雾嘴22朝向中央下方位置向下方移动。由此,刷体21的下表面21a接近基板W的上表面,与基板W的上表面内的落位区域RL接触。然后,在基板W围绕铅锤的旋转轴线A1旋转,刷体21的下表面21a与基板W的上表面接触的状态下,使刷体21在径向Dr上从中央下方位置移动至外周下方位置。由此,刷体21的下表面21a擦拭基板W的上表面,基板W的上表面被刷体21清洗。
然后,使刷体21以及喷雾嘴22向上方从外周下方位置移动至下侧非接触位置。由此,刷体21的下表面21a离开基板W的上表面内的离位区域Rt。在该状态下,喷雾嘴22产生多个液滴。多个液滴向下方通过在刷体21的下表面21a开口的中央开口21b,与基板W的上表面内的离位区域Rt碰撞。借助因液滴碰撞而产生的冲击,从基板W上除去在刷体21离开基板W时残留在离位区域Rt上的污染物。
喷雾嘴22所产生的多个液滴,在与基板W的上表面碰撞后,向外侧通过刷体21的下表面21a与基板W的上表面之间的间隙。通过该间隙的液体的一部分被供给至刷体21的下表面21a。由此,冲洗附着在刷体21的下表面21a上的污染物。进而,多个液滴在与基板W的上表面内的碰撞区域Rc碰撞后,从碰撞区域Rc以放射状扩展。即,与基板W碰撞的液体从碰撞区域Rc向多个方向扩展。因此,与液体仅向一个方向流动时相比,能够从刷体21的下表面21a内的更广的范围除去污染物。
这样,由于能够冲洗附着在刷体21的下表面21a上的污染物,能够降低污染物的残留量,所以在使刷体21与下一个基板W接触时,能够降低从刷体21的下表面21a向基板W的上表面内的落位区域RL转移的污染物的量。而且,在刷体21的下表面21a离开基板W的上表面后,使多个液滴与基板W的上表面内的离位区域Rt碰撞,因此能够降低残留在离位区域Rt内的污染物的量。由此,能够降低残留在基板W的上表面上的污染物的量,能够提高基板W的清洁度。
在本实施方式中,在刷体21的下表面21a与基板W的上表面接触的状态下,喷雾嘴22产生多个液滴。由于在刷体21的下表面21a与基板W的上表面接触时,在刷体21的下表面21a开口的中央开口21b被基板W的上表面堵塞,所以当在喷嘴插入孔21c内产生多个液滴时,喷嘴插入孔21c内的压力变高。因此,刷体21的下表面21a,在喷嘴插入孔21c内的压力高的状态下向上方离开基板W的上表面。
在刷体21的下表面21a离开基板W的上表面时,喷嘴插入孔21c内的液体因喷嘴插入孔21c内的压力而从刷体21的中央开口21b向下方排出,以放射状在刷体21的下表面21a与基板W的上表面之间的间隙中飞散。高速通过刷体21与基板W之间的间隙的液体,与附着在刷体21的下表面21a和基板W的上表面上的污染物碰撞。由此,能够除去附着在刷体21的下表面21a和基板W的上表面的污染物,能够降低残留在它们上的污染物的量。
在本实施方式中,一边使刷体21以及喷雾嘴22位于下侧非接触位置的上方的上侧非接触位置,一边使喷雾嘴22产生多个液滴。多个液滴通常不以直线状从喷雾嘴22的下端部飞散,而是一边从喷雾嘴22的下端部以圆锥状扩展一边向下方飞散。当喷雾嘴22远离基板W时,基板W的上表面内的被多个液滴碰撞的碰撞区域Rc的外径增加。因此,通过使喷雾嘴22位于上侧非接触位置,能够使多个液滴与基板W的上表面内的更广的范围碰撞,能够降低从刷体21的下表面21a向基板W的上表面转移的污染物的残留量。
在本实施方式中,一边使喷雾嘴22产生多个液滴,一边使刷体21以及喷雾嘴22在径向Dr上从中央下方位置向外周下方位置移动。当刷体21配置在中央下方位置上时,刷体21的下表面21a与基板W的上表面内的落位区域RL接触。此时,残留在刷体21的下表面21a上的污染物能够转移至落位区域RL。基板W的上表面内的被多个液滴碰撞的碰撞区域Rc,随着喷雾嘴22在径向Dr上的移动而与落位区域RL重合。借助因液滴的碰撞而产生的冲击,除去从刷体21转移至落位区域RL的污染物。由此,能够降低残留在基板W的上表面上的污染物的量,能够提高基板W的清洁度。
在本实施方式中,液滴所碰撞的碰撞区域Rc在径向Dr上在基板W的上表面内移动。刷体21以及喷雾嘴22配置在中央下方位置时,刷体21的下表面21a所接触的落位区域RL是包围碰撞区域Rc的环状的区域。碰撞区域Rc随着喷雾嘴22在径向Dr上的移动,而通过中央下方位置的内边缘。至少直到碰撞区域Rc到达落位区域RL的外边缘RLo为止,一直持续产生液滴。因此,能够使液滴与落位区域RL的各部分碰撞,能够降低残留在基板W的上表面上的污染物的量。
在本实施方式中,在刷体21与基板W的上表面接触前,喷雾嘴22开始产生液滴。在该状态下,使刷体21以及喷雾嘴22下降至中央下方位置。而且,使刷体21以及喷雾嘴22在径向Dr上从中央下方位置向外周下方位置移动。因此,与刷体21以及喷雾嘴22移动至中央下方位置后开始产生液滴的情况相比,能够更加顺畅地使刷体21以及喷雾嘴22从中央下方位置向外周下方位置移动。
在本实施方式中,在刷体21的下表面21a与基板W的上表面接触,喷雾嘴22停止产生液滴的状态下,使刷体21以及喷雾嘴22在径向Dr上移动。当一边使刷体21的下表面21a与基板W的上表面接触,一边使喷雾嘴22产生液滴时,设置在刷体21上的喷嘴插入孔21c内的压力变高,因此能够产生使刷体21从基板W上浮起的力。这意味着,使刷体21按压基板W的力变弱。因此,通过在停止产生液滴的状态下将刷体21按压在基板W的上表面上,能够抑制或防止污染物的除去率降低。
其它实施方式
本发明不限于上述实施方式的内容,能够进行各种变更。
例如,刷体21不限于海绵体刷体,也可以是具有合成树脂制的多纤维的刷体。
喷雾嘴22也可以是二流体喷嘴以外的嘴。例如,喷雾嘴22也可以具有分别喷射多个液滴的多个液体喷出口。
可以在处理单元2中设置漂洗液喷嘴11以外的其它保护液喷嘴(所谓的保护漂洗嘴)。保护液喷嘴是在刷体21的下表面21a擦拭基板W的上表面时喷出用于覆盖基板W的上表面整个区域的保护液的喷嘴。保护液也可以是与从漂洗液喷嘴11喷出的漂洗液种类相同的液体,也可以是与漂洗液种类不同的液体。
也可以一边使刷体21的下表面21a与旋转的基板W的上表面接触,一边使刷体21以及喷雾嘴22从外周下方位置向中央下方位置移动。例如,可以使刷体21以及喷雾嘴22在外周下方位置和中央下方位置之间往复移动。可以以使刷体21以及喷雾嘴22通过基板W的直径的两端的方式,使刷体21以及喷雾嘴22从基板W的外周向基板W外周移动。
可以不在刷体21以及喷雾嘴22从外周下方位置向上方移动前,而是在移动后,使喷雾嘴22开始喷射多个液滴。
也可以省略用于一边使刷体21以及喷雾嘴22位于上侧非接触位置一边使喷雾嘴22喷射多个液滴的离位后喷洒工序。
可以不在刷体21以及喷雾嘴22向中央下方位置移动前,而是在移动后,使喷雾嘴22开始喷射多个液滴。
也可以在刷体21以及喷雾嘴22移动至外周下方位置后,开始从喷雾嘴22喷射液滴。或者,也可以始终使喷雾嘴22喷射多个液滴。即,可以在刷体21以及喷雾嘴22从中央下方位置向外周下方位置移动的期间,使喷雾嘴22喷射多个液滴。
如图6所示,可以使基板W的上表面内的被多个液滴碰撞的碰撞区域Rc,在径向Dr上在基板W的上表面外周部移动。
例如,可以在刷体21以及喷雾嘴22位于基板W的上表面外周部的上方的状态下,一边使喷雾嘴22喷射多个液滴,一边使刷体21以及喷雾嘴22在径向Dr上往复移动。此时,刷体21以及喷雾嘴22可以配置在下侧非接触位置或上侧非接触位置,也可以配置在与它们不同的高度。根据该结构,能够使液滴碰撞基板W的上表面内的包含离位区域Rt在内的更广的范围,能够进一步降低残留在离位区域Rt的污染物的量。
如图7A以及图7B所示,刷体21还可以具有用于使喷嘴插入孔21c内的流体向刷体21外排放的至少一个排放孔51A、51B。
图7A以及图7B示出排放孔51A、51B在喷嘴插入孔21c的内周面和刷体21的外周面开口的例子。但如图7A所示,排放孔51A也可以在刷体21的下表面21a开口。如图7B所示,排放孔51B也可以不在刷体21的下表面21a开口。在排放孔51A在刷体21的下表面21a开口时,为了防止排放孔51A影响刷体21的清洗力,优选排放孔51A在与刷体21的移动方向不同的方向上延伸。
根据图7A以及图7B所示的结构,设置在刷体21上的喷嘴插入孔21c内的流体不通过刷体21的中央开口21b,而通过排放孔51A、51B向刷体21外排出。因此,即使一边使刷体21的下表面21a与基板W的上表面接触一边使喷雾嘴22产生液滴,喷嘴插入孔21c内的压力也难以上升。由此,能够抑制或防止因刷体21而导致清洗力降低。
基板处理装置1不限于对圆板状的基板W进行处理的装置,也可以是对多边形的基板W进行处理的装置。
可以将上述所有的结构中的两个以上的结构进行组合。也可以将上述所有工序中的两个以上的工序组合。
本申请与2017年3月9日向日本专利局提出的特愿2017-045085号对应,该申请的全部公开内容通过引用而被引入。
虽然详细说明了本发明的实施方式,但是这些仅是用于明确说明本发明的技术内容的具体例子,本发明不应该被解释为限定于这些具体例子,本发明的精神以及范围仅由附上的权利要求书限定。
Claims (18)
1.一种基板处理方法,由具有刷体和喷雾嘴的基板处理装置执行,
所述刷体包括:
下表面,按压在被保持为水平的基板的上表面上,
中央开口,在所述下表面的中央部开口而成,
喷嘴插入孔,从所述中央开口向上方延伸;
所述喷雾嘴插入所述喷嘴插入孔,产生经由所述中央开口向所述基板的上表面飞散的多个液滴,
所述基板处理方法的特征在于,包括:
刷体落位工序,通过使所述刷体以及喷雾嘴向下方移动至落位位置,来使所述刷体的下表面与所述基板的上表面接触,
擦洗清洗工序,一边使所述基板围绕从所述基板的中央部穿过的铅锤的旋转轴线旋转,一边使所述刷体以及喷雾嘴在与所述旋转轴线垂直的水平的径向上从所述落位位置移动至离位位置,由此使所述刷体的下表面沿着所述基板的上表面移动,
刷体离位工序,通过使所述刷体以及喷雾嘴向上方从所述离位位置移动至下侧非接触位置,来使所述刷体的下表面离开所述基板的上表面,
离位时喷洒工序,通过在所述刷体以及喷雾嘴位于所述下侧非接触位置的状态下使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,来使多个所述液滴与所述基板的上表面碰撞,然后,一边将与所述基板的上表面碰撞的多个所述液滴供给至所述刷体的下表面,一边将其从所述刷体的下表面与所述基板的上表面之间的间隙排出。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
所述离位时喷洒工序包括离位前喷洒开始工序,在所述离位前喷洒开始工序中,在所述刷体以及喷雾嘴从所述离位位置向上方移动前,使所述喷雾嘴开始产生多个所述液滴。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括:
刷体上升工序,使所述刷体以及喷雾嘴向上方从所述下侧非接触位置移动至上侧非接触位置,
离位后喷洒工序,在所述刷体以及喷雾嘴位于所述上侧非接触位置的状态下,使所述喷雾嘴产生多个所述液滴。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括移动喷洒工序,在所述移动喷洒工序中,在离位区域的上方,一边使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,一边使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上移动,
所述离位区域是指,在所述基板的上表面内,所述刷体的下表面从所述基板的上表面向上方离开的区域。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括落位时喷洒工序,在所述落位时喷洒工序中,一边使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,一边使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上从所述落位位置向所述离位位置移动。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述落位时喷洒工序中,至少直到碰撞区域到达落位区域的外边缘为止,一直使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,
所述碰撞区域是指,所述基板的上表面内的被多个所述液滴碰撞的区域,
所述落位区域是指,在所述刷体以及喷雾嘴配置在所述落位位置时,所述基板的上表面内的被所述刷体的下表面接触的区域。
7.根据权利要求5所述的基板处理方法,其特征在于,
所述落位时喷洒工序包括落位前喷洒开始工序,在所述落位前喷洒开始工序中,在所述刷体以及喷雾嘴移动至所述落位位置前,使所述喷雾嘴开始产生多个所述液滴。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,
所述擦洗清洗工序包括喷洒停止中擦洗清洗工序,在所述喷洒停止中擦洗清洗工序中,一边在从所述落位位置至所述离位位置为止的范围内的至少一部分范围内使所述喷雾嘴停止产生多个所述液滴,一边使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上移动。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括流体排出工序,在所述流体排出工序中,使所述喷嘴插入孔内的流体经由从所述喷嘴插入孔的内周面延伸至所述刷体的外表面的排放孔排出。
10.一种基板处理装置,其特征在于,
具有:
基板保持单元,一边将基板保持为水平,一边使所述基板围绕从所述基板的中央部穿过的铅锤的旋转轴线旋转,
刷体,包括下表面、中央开口以及喷嘴插入孔,所述下表面按压在被所述基板保持单元保持的所述基板的上表面上,所述中央开口在所述下表面的中央部开口而成,所述喷嘴插入孔从所述中央开口向上方延伸,
喷雾嘴,插入所述喷嘴插入孔,产生经由所述中央开口向被所述基板保持单元保持的所述基板的上表面飞散的多个液滴,
驱动机构,使所述刷体以及喷雾嘴移动,
控制装置,控制所述喷雾嘴以及驱动机构;
所述控制装置执行如下工序:
刷体落位工序,通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴向下方移动至落位位置,由此使所述刷体的下表面与被所述基板保持单元保持的所述基板的上表面接触,
擦洗清洗工序,一边通过所述基板保持单元使所述基板围绕所述旋转轴线旋转,一边通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴在与所述旋转轴线垂直的水平的径向上从所述落位位置移动至离位位置,由此使所述刷体的下表面沿着被所述基板保持单元保持的所述基板的上表面移动,
刷体离位工序,通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴向上方从所述离位位置移动至下侧非接触位置,由此使所述刷体的下表面离开被所述基板保持单元保持的所述基板的上表面,
离位时喷洒工序,通过在所述刷体以及喷雾嘴位于所述下侧非接触位置的状态下使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,来使多个所述液滴与被所述基板保持单元保持的所述基板的上表面碰撞,然后,一边将与所述基板的上表面碰撞的多个所述液滴供给至所述刷体的下表面,一边将其从所述刷体的下表面与所述基板的上表面之间的间隙排出。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,
所述离位时喷洒工序包括离位前喷洒开始工序,在所述离位前喷洒开始工序中,在所述刷体以及喷雾嘴从所述离位位置向上方移动前,使所述喷雾嘴开始产生多个所述液滴。
12.根据权利要求10或11所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制装置还执行如下工序:
刷体上升工序,通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴向上方从所述下侧非接触位置移动至上侧非接触位置,
离位后喷洒工序,在所述刷体以及喷雾嘴位于所述上侧非接触位置的状态下,使所述喷雾嘴产生多个所述液滴。
13.根据权利要求10或11所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制装置还执行移动喷洒工序,在所述移动喷洒工序中,在离位区域的上方,一边使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,一边通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上移动,
所述离位区域是指,在所述基板的上表面内,所述刷体的下表面从所述基板的上表面向上方离开的区域。
14.根据权利要求10或11所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制装置还执行落位时喷洒工序,在所述落位时喷洒工序中,一边使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,一边通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上从所述落位位置向所述离位位置移动。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述落位时喷洒工序中,至少直到碰撞区域到达落位区域的外边缘为止,一直使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,
所述碰撞区域是指,所述基板的上表面内的被多个所述液滴碰撞的区域,
所述落位区域是指,在所述刷体以及喷雾嘴配置在所述落位位置时,所述基板的上表面内的被所述刷体的下表面接触的区域。
16.根据权利要求14所述的基板处理装置,其特征在于,
所述落位时喷洒工序包括落位前喷洒开始工序,在所述落位前喷洒开始工序中,在所述刷体以及喷雾嘴移动至所述落位位置前,使所述喷雾嘴开始产生多个所述液滴。
17.根据权利要求10或11所述的基板处理装置,其特征在于,
所述擦洗清洗工序包括喷洒停止中擦洗清洗工序,在所述喷洒停止中擦洗清洗工序中,一边在从所述落位位置至所述离位位置的范围内的至少一部分范围内中使所述喷雾嘴停止产生多个所述液滴,一边通过所述驱动机构使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上移动。
18.根据权利要求10或11所述的基板处理装置,其特征在于,
所述刷体还具有排放孔,所述排放孔从所述喷嘴插入孔的内周面延伸至所述刷体的外表面。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017045085A JP6885754B2 (ja) | 2017-03-09 | 2017-03-09 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2017-045085 | 2017-03-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108573897A true CN108573897A (zh) | 2018-09-25 |
CN108573897B CN108573897B (zh) | 2022-03-18 |
Family
ID=63445041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810090437.7A Active CN108573897B (zh) | 2017-03-09 | 2018-01-30 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10685856B2 (zh) |
JP (1) | JP6885754B2 (zh) |
KR (1) | KR101975143B1 (zh) |
CN (1) | CN108573897B (zh) |
TW (1) | TWI668756B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6684191B2 (ja) * | 2016-09-05 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置 |
US10386856B2 (en) | 2017-06-29 | 2019-08-20 | Uber Technologies, Inc. | Autonomous vehicle collision mitigation systems and methods |
CN109212793A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-15 | 惠科股份有限公司 | 一种用于显示面板的制造设备和清洗方法 |
JP7149869B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2022-10-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
CN115815095A (zh) * | 2022-11-29 | 2023-03-21 | 南京海创表面处理技术有限公司 | 一种金属型材喷涂工艺及其喷涂设备 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10335281A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006339434A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法,記録媒体及び基板洗浄装置 |
KR20070060713A (ko) * | 2005-12-09 | 2007-06-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 기판 세정 장치 및 방법 |
JP2009231628A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2010109225A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄ブラシ及び基板処理装置並びに基板洗浄方法 |
CN101952057A (zh) * | 2007-12-07 | 2011-01-19 | 丰塔纳技术公司 | 用于清洗晶片的方法以及组合物 |
US20130206171A1 (en) * | 2012-02-09 | 2013-08-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing scrubber, substrate processing apparatus and substrate processing method |
US20160101498A1 (en) * | 2014-10-10 | 2016-04-14 | Ebara Corporation | Buffing apparatus and substrate processing apparatus |
JP2016111265A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | 株式会社荏原製作所 | バフ処理装置、および、基板処理装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0745955Y2 (ja) | 1990-08-31 | 1995-10-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板のディスクブラシ式洗浄装置 |
JP2988366B2 (ja) | 1996-03-28 | 1999-12-13 | 日本電気株式会社 | 洗浄装置 |
US6558471B2 (en) * | 2000-01-28 | 2003-05-06 | Applied Materials, Inc. | Scrubber operation |
JP6143589B2 (ja) | 2013-07-12 | 2017-06-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US9700988B2 (en) * | 2014-08-26 | 2017-07-11 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus |
KR102213468B1 (ko) * | 2014-08-26 | 2021-02-08 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 버프 처리 장치 및 기판 처리 장치 |
TWI821887B (zh) * | 2016-11-29 | 2023-11-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體 |
-
2017
- 2017-03-09 JP JP2017045085A patent/JP6885754B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-10 US US15/866,606 patent/US10685856B2/en active Active
- 2018-01-30 CN CN201810090437.7A patent/CN108573897B/zh active Active
- 2018-02-09 TW TW107104737A patent/TWI668756B/zh active
- 2018-02-23 KR KR1020180022170A patent/KR101975143B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10335281A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006339434A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法,記録媒体及び基板洗浄装置 |
KR20070060713A (ko) * | 2005-12-09 | 2007-06-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 기판 세정 장치 및 방법 |
CN101952057A (zh) * | 2007-12-07 | 2011-01-19 | 丰塔纳技术公司 | 用于清洗晶片的方法以及组合物 |
JP2009231628A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2010109225A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄ブラシ及び基板処理装置並びに基板洗浄方法 |
US20130206171A1 (en) * | 2012-02-09 | 2013-08-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing scrubber, substrate processing apparatus and substrate processing method |
US20160101498A1 (en) * | 2014-10-10 | 2016-04-14 | Ebara Corporation | Buffing apparatus and substrate processing apparatus |
JP2016111265A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | 株式会社荏原製作所 | バフ処理装置、および、基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201835996A (zh) | 2018-10-01 |
KR101975143B1 (ko) | 2019-05-03 |
CN108573897B (zh) | 2022-03-18 |
JP2018148179A (ja) | 2018-09-20 |
US20180261474A1 (en) | 2018-09-13 |
TWI668756B (zh) | 2019-08-11 |
JP6885754B2 (ja) | 2021-06-16 |
US10685856B2 (en) | 2020-06-16 |
KR20180103699A (ko) | 2018-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108573897A (zh) | 基板处理方法以及基板处理装置 | |
US9378988B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution | |
TWI505322B (zh) | 洗淨處理方法 | |
KR100949090B1 (ko) | 스핀 유닛 및 이를 갖는 기판 가공 장치 | |
JP5712061B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理ユニット | |
CN104051305B (zh) | 基板处理装置 | |
KR101187104B1 (ko) | 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 | |
US9768039B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2013026381A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
CN107799438A (zh) | 基板处理装置和喷嘴清洗方法 | |
JP2013128014A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 | |
KR102348772B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기억 매체 | |
KR20140135978A (ko) | 웨이퍼 형상의 물체의 표면을 처리하기 위한 프로세스 및 장치 | |
CN105938791B (zh) | 基板处理方法以及基板处理装置 | |
CN109216229A (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
JP4928428B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP6045840B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5747842B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 | |
JP2013026369A (ja) | 洗浄処理装置および洗浄処理方法 | |
CN108475630A (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
JP2002001240A (ja) | スピン処理装置 | |
KR100923267B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP5465465B2 (ja) | ウェーハ洗浄装置及びウェーハ製造方法 | |
JP2018181889A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
CN111341690B (zh) | 喷淋结构及反应腔室 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |