JP2018093684A - 半導体装置および電力変換装置 - Google Patents
半導体装置および電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018093684A JP2018093684A JP2016237423A JP2016237423A JP2018093684A JP 2018093684 A JP2018093684 A JP 2018093684A JP 2016237423 A JP2016237423 A JP 2016237423A JP 2016237423 A JP2016237423 A JP 2016237423A JP 2018093684 A JP2018093684 A JP 2018093684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- igbt
- current
- drive
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 21
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 105
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 22
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 126
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 58
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 42
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 23
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 101100130886 Candida albicans (strain SC5314 / ATCC MYA-2876) MNT1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100454113 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KRE2 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/5387—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
- H02M7/53871—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration with automatic control of output voltage or current
- H02M7/53875—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration with automatic control of output voltage or current with analogue control of three-phase output
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/539—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters with automatic control of output wave form or frequency
- H02M7/5395—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters with automatic control of output wave form or frequency by pulse-width modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P27/00—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage
- H02P27/04—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage using variable-frequency supply voltage, e.g. inverter or converter supply voltage
- H02P27/06—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage using variable-frequency supply voltage, e.g. inverter or converter supply voltage using dc to ac converters or inverters
- H02P27/08—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage using variable-frequency supply voltage, e.g. inverter or converter supply voltage using dc to ac converters or inverters with pulse width modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P27/00—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage
- H02P27/04—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage using variable-frequency supply voltage, e.g. inverter or converter supply voltage
- H02P27/06—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage using variable-frequency supply voltage, e.g. inverter or converter supply voltage using dc to ac converters or inverters
- H02P27/08—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage using variable-frequency supply voltage, e.g. inverter or converter supply voltage using dc to ac converters or inverters with pulse width modulation
- H02P27/085—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage using variable-frequency supply voltage, e.g. inverter or converter supply voltage using dc to ac converters or inverters with pulse width modulation wherein the PWM mode is adapted on the running conditions of the motor, e.g. the switching frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/12—Modifications for increasing the maximum permissible switched current
- H03K17/127—Modifications for increasing the maximum permissible switched current in composite switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/165—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches by feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/166—Soft switching
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
- H02M1/0009—Devices or circuits for detecting current in a converter
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Description
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
すなわち、半導体装置は電力用半導体装置を駆動する駆動制御回路を備える。前記駆動制御回路には接続する電力用半導体装置の特性に応じたゲート信号を任意に発生できる波形生成回路を備える。
インバータ回路内にはIGBT等の電力用半導体装置の他に電力用半導体装置を駆動する駆動用半導体装置および駆動用半導体装置を制御する制御用半導体装置が用いられる。駆動用半導体装置は電力用半導体装置を駆動するゲート駆動回路の他に電力用半導体装置を過電流等による破壊から保護するために過電流保護機能を有する。
まず、本願発明者が検討した技術(比較例)に係る電力変換装置について図1、2を用いて説明する。図1は比較例に係る電力変換装置の構成を示すブロック図である。図2は比較例に係る電力変換装置の問題点を説明するための電圧および電流の波形図である。
スイッチング素子11はIGBT12_1とIGBT12_2とが並列接続されて構成される。
ドライバIC20Rは、スイッチング素子11のIGBT12_1,12_2を駆動する駆動制御回路21Rと、IGBT12_1,12_2の駆動電流を検出する電流モニタ回路22と、IGBT12_1,12_2に遮断抵抗Rcを介して接続される遮断回路23と、制御回路30RとインタフェースするMCU_I/F24と、を一つの半導体チップに備える。駆動制御回路21Rは制御回路30RからのPWM信号に基づいてIGBT12_1,12_2をオン・オフするためにゲート電極を駆動するドライブ信号を生成する。駆動制御回路21RとIGBT12_1,12_2との間にそれぞれゲート抵抗Rg1,Rg2が設けられている。IGBT12_1,12_2のセンスエミッタ端子と電流モニタ回路22とに電流検出用抵抗Re1,Re2が接続されている。なお、電流モニタ回路22はIGBT12_1,12_2に過電流が流れないように監視するための回路であり、所定の大きさの電流を検出した場合は遮断回路23および遮断抵抗Rcによりゲート電圧を低下させてIGBT12_1,12_2の電流を減少させる。
制御回路30RはCPU31とPWM回路(PWM)33と記憶装置(MEMORY)32と外部デバイスとのインタフェース入出力部であるI/Oインタフェース(I/O_IF)34とを一つの半導体チップに備え、例えばマイクロコンピュータユニット(MCU)で構成される。記憶装置32はフラッシュメモリ等の電気的に書き換えが可能な不揮発性メモリで構成している。また、CPU31が実行するプログラム(モータ制御プログラム)は記憶装置32に格納している。
(a)並列接続される二つのIGBTの特性(例えば、Vth)が異なる場合の動作について図2を用いて説明する。
駆動制御回路21Rから出力されるゲート信号電圧(VG)がIGBT12_1,12_2に印加される場合、IGBT12_1とIGBT12_2とのVth特性が異なると、IGBT12_1のゲート端子電圧(VGE1)およびセンス電流(ISE1)とIGBT12_2のゲート端子電圧(VGE2)およびセンス電流(ISE2)の波形は異なるものになる。ここで、IGBT12_1のVthがVth1、IGBT12_2のVthがVth2とすると、Vth2>Vth1(Vth1≠Vth2)である。なお、センス電流はエミッタ電流と相関(所定のミラー比)を有する微小電流である。IGBT12_1のVthがIGBT12_2のVthよりも低いと、IGBT12_1のターンオン時間(TON1)はIGBT12_2のターンオン時間(TON2)よりも短くなる。なお、IGBTがターンオンすると、VGE1,VGE2の傾きが小さくなる方向に変化し、ISE1,ISE2が流れ始める。
このように、IGBT12_1,12_2のオン/オフ(ON/OFF)の閾値ズレがある場合、1つのIGBTがオン、もう1つがまだオフ状態となるような、状態不一致が発生する。これにより、IGBT12_1,12_2のそれぞれ流れる電流にアンバランスが生じ、電流ループによる発振状態などによる異常電流発生、破壊モードに入る危険性がある。
(b)上記(a)の課題の対策として、ゲート抵抗Rg1,Rg2によるバラツキ補正を行うと、抵抗値が大きくなることにより応答性が低下してモータ回転周波数の限界値が低下し、性能が上げられない。
(c)上記(a)の課題の対策として、IGBT12_1,12_2の特性を揃えるランク分けの選別をIGBTの製造者が行うと、特殊選別対応などにより製造者側のコストアップになる。
(d)IGBT12_1,12_2のランク分けを行っても、ゲート抵抗Rg1,Rg2のバラツキや駆動制御回路の駆動バラツキ等のため、システム実装後の調整・確認作業は必ず発生し、調整範囲を超える場合、当該システムボードは不良扱いとなり使用者側のコストアップになる。
次に、実施形態に係る半導体装置について説明する。
実施形態に係る半導体装置は、並列接続される複数の電力用半導体装置(例えばIGBT)を個別に駆動する複数の駆動制御回路と、ゲート電圧を監視するための電圧モニタ回路と、駆動電流を監視するための電流モニタ回路と、を備える。各駆動制御回路には接続するIGBTの特性に応じたゲート信号を任意に発生できる波形生成回路を備える。
(1)複数のIGBTを並列接続することができ、IGBTの駆動電流を上げてモータ駆動能力を高めることができる。
(2)異なる特性を持つIGBTの並列接続であっても、オンおよびオフの状態遷移を同期化させることができるため、特性不一致による異常電流発生を抑えることができ、品質が向上する。
(3)高速なスイッチングを実施する際のオーバシュートまたはアンダシュート電流をゲート信号の駆動能力を変更することにより、スイッチングノイズおよびスイッチング損失の低減が可能になる。(低消費電力につながる)
(4)特性最適化による駆動を行うことで、モータ回転周波数の向上が図れる。
(5)制御用半導体装置を使った各IGBTの特性検査を行うことにより、IGBT毎のゲート抵抗補正作業が不要になり調整作業時間を短縮することができる。また、IGBT特性のランク分け選別を行うための検査工程および製品区分出荷工程が不要になり、IGBTのコスト増加を防ぐことができる。
(6)テストモードでIGBTの特性を取得するので、実験や計算機シミュレーションによって予め特性を準備する必要はない。
(7)IGBTを使用するシステムで特性を取得するので、IGBTや駆動回路、ゲート抵抗等も含めて特性を取得できるので、精度を高くすることができる。
図17に示すように、出力端子OTにおけるゲート信号電圧(VG)は、クロック信号(Clock)に同期して小さい駆動能力の電流駆動回路212で駆動されるので、階段状に立ち上がる。
ゲート信号電圧(VG)が立ち上がり始めると、IGBT12のゲート回路容量のチャージが開始され、電圧モニタ回路25の入力であるゲート端子電圧(VGE)のdV/dtは正方向に大きくなる(タイミングA)。図17のタイミングAは図9の通常モードのタイミングAに対応する。
ゲート回路容量のチャージが完了し、IGBT12がオン状態に変化すると、VGEのdV/dtが下がる(タイミングB)。図17のタイミングBは図9の通常モードのタイミングBに対応する。
VGEが閾値電圧を越えると、IGBT12に電流が流れ始め、センス電流(ISE)>0となる。なお、電流モニタ回路22にはISEが電圧に変換された電流検出電圧(VSE)が入力され、VSE>0となる(タイミングC)。図17のタイミングCは図9の通常モードのタイミングCに対応する。
IGBT12の安定したオン状態により電流がほぼ一定になり、ISEのdI/dtが下がる。よって、VSEのdV/dtが下がる(タイミングD)。図17のタイミングDは図9の通常モードのタイミングDに対応する。
ゲート信号電圧(VG)が立下り始めると、IGBT12のゲート回路容量のディスチャージが開始される(タイミングE)。図18のタイミングEは図9の通常モードのタイミングEに対応する。
VGEがスレッショルド電圧よりも下がると、IGBT12のオフ状態が開始される(タイミングF)。図18のタイミングFは図9の通常モードのタイミングFに対応する。
VGEが閾値電圧よりも下がると、IGBT12の電流が急激に下降開始し、ISEのdI/dt<0となる。よって、VSEのdV/dt<0となる(タイミングG)。図18のタイミングGは図9の通常モードのタイミングGに対応する。
ゲート回路容量のディスチャージが完了し、IGBT12が安定したオフ状態になると、VGEのdV/dtが負方向に大きくなる(タイミングH)。図18のタイミングHは図9の通常モードのタイミングHに対応する。
ISEの電流値がほぼゼロ状態になり、IGBT12が安定したオフ状態になる(タイミングI)。図18のタイミングIは図9の通常モードのタイミングIに対応する。
ステップS11:図26に示すように、モータの代わりに基準抵抗を電力変換装置2に接続して特性検査用電動機システムを構成する。
ステップ21:CPU31は“Test”コマンドを発し、全ドライバIC20U、20V、20W、20X、20Y、20Zをテストモード(“Test Mode”)状態に遷移させる。例えば、スイッチング素子11のIGBT12をテスト対象とする場合、スイッチング素子11UのIGBTと基準抵抗を介して電流経路をつくるため、例えばスイッチング素子11ZのIGBTをオンにするように第二テスト状態にし、他のスイッチング素子11V、11W、11X、11YのIGBT12をオフにするように第四テスト状態にする。
以下、代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施例にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施例と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施例における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施例の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
次に、変形例1に係る電力変換装置の構成ついて図31を用いて説明する。図31は変形例1に係る電力変換装置の構成を示すブロック図である。図31では、電力変換装置2のうち一相のみを示して説明するが、他相も同様である。以下、スイッチング素子11U,11V,11W,11X,11Y,11Zの各スイッチを区別する必要がない場合は、スイッチング素子11として説明する。
変形例2に係るテストモードの基底データメモリについて図32を用いて説明する。図32はテストモードの状態と基底データメモリとの関係を説明する図である。
IGBT特性補正処理の変形例について図33,34を用いて説明する。図33は変形例3に係るIGBT特性補正処理のフロー図である。図34はIGBT特性補正確認処理のフロー図である。変形例3では、図27のIGBT特性検査の後の図29のIGBT特性補正処理に代えて、図33のIGBT特性補正処理および図34のIGBT特性補正確認処理を行う。テストモードにおいて電流駆動回路212を基底データメモリの駆動能力情報で制御することにより、IGBT特性補正の確認を行うことができる。
変形例に係る駆動制御回路について図35、36を用いて説明する。図35は変形例に係る駆動制御回路の構成を示すブロック図である。図36は変形例に係る波形生成回路の構成を示すブロック図である。
図37は変形例5に係るIGBTの特性検査を荷う回路部分のブロック図である。
実施例、変形例1〜5では、複数のIGBTのオン時間およびオフ時間を揃えることを説明したが、実施例、変形例1〜5の構成において過渡応答のオーバシュートの対策にも適用することができる。また、スイッチング素子11U、11V、11W、11X、11Y、11Zの各スイッチング素子が一つのIGBTで構成されている場合(並列接続されない場合)の過渡応答のオーバシュートの対策にも適用することができる。
第一状態(State1):最大電流駆動に設定する(IG=I1)。例えば、図43に示すように、基底データメモリのアドレス(Address)0〜L−1の“High side”のデータを“000000”に、“Low side”のデータを“000000”にする。
第二状態(State2):電流駆動能力を制限する設定にする(IG=I2<I1)。例えば、図43に示すように、基底データメモリのアドレス(Address)L〜M−1の“High side”のデータを“110000”に、“Low side”のデータを“000000”にする。“High side”のデータに“1”がある程と電流駆動能力が低くなる。
第三状態(State3):一旦、電流駆動能力を上げ、オーバシュートしないよう徐々に電流駆動能力を下げる設定にする(IG=I1⇒I3)。例えば、図43に示すように、基底データメモリのアドレス(Address)M〜N−nの“High side”のデータを“000000”にし、アドレス(Address)N−2の“High side”のデータを“111100”、アドレス(Address)N−1のデータを“111101”、アドレス(Address)Nの“High side”のデータを“111110”と徐々に駆動能力を下げる。アドレス(Address)M〜Nの“Low side”のデータを“000000”にする。
第四状態(State4):最低限のオン状態を維持するための電流駆動能力に設定する(IG=I3)。例えば、基底データメモリの“High side”のデータを“111100”に、“Low side”のデータを“000000”にする。
2・・・電力変換装置
10・・・インバータ回路
11・・・スイッチング素子
12・・・IGBT(電力用半導体装置)
20・・・ドライバIC(半導体装置)
21・・・駆動制御回路
211・・・波形生成回路
212・・・電流駆動回路
213・・・基底データメモリ
214・・・ステートマシン制御回路
215・・・ステートマシン判断回路
21・・・駆動制御回路
22・・・電流モニタ回路
23・・・遮断回路
24・・・MCU_I/F
25・・・電圧モニタ回路
30・・・制御回路(MCU,制御用半導体装置)
31・・・CPU
32・・・記憶装置
33・・・PWM回路
34・・・I/Oインタフェース
Claims (20)
- 半導体装置は、IGBTのゲート端子を駆動する駆動制御回路を備え、
前記駆動制御回路は、
制御用半導体装置からのPWM信号の立ち上がりおよび立下りに基づいて状態を制御するステートマシン制御回路と、
立上げ用の駆動電流情報および立下げ用の駆動電流情報を格納する基底データメモリと、
前記基底データメモリに格納される駆動電流情報に基づいて前記IGBTを駆動する電流駆動回路と、
前記電流駆動回路の出力が接続される出力端子と、
を備え、
前記ステートマシン制御回路は、
前記PWM信号の立ち上がり時、前記基底データメモリに格納される立上げ用の駆動電流情報を所定期間内に複数回読み出して前記電流駆動回路を駆動し、
前記PWM信号の立下り時、前記基底データメモリに格納される立下げ用の駆動電流情報を所定期間内に複数回読み出して前記電流駆動回路を駆動する。 - 請求項1の半導体装置において、
前記電流駆動回路は、
所定電位が印加される端子と前記出力端子との間に並列に接続される複数の立上げ用のトランジスタと、
前記所定電位よりも低い基準電位が印加される端子と前記出力端子との間に並列に接続される複数の立下げ用のトランジスタと、
を備え、
前記駆動電流情報は、
前記複数の立上げ用のトランジスタの何れのトランジスタをオンにするか、および、
前記複数の立下げ用のトランジスタの何れのトランジスタをオンするか、
の情報である。 - 請求項2の半導体装置において、
前記基底データメモリは前記所定期間内に読み出される立上げ用の駆動電流情報が変化するように設定され、
前記基底データメモリは前記所定期間内に読み出される立下げ用の駆動電流情報が変化するように設定される。 - 請求項2の半導体装置において、
前記駆動制御回路を複数備え、
前記複数の駆動制御回路のそれぞれは並列接続される複数のIGBTのゲート端子のそれぞれを駆動する。 - 請求項4の半導体装置において、
前記複数のIGBTのゲート閾値電圧が異なることによりゲート端子電圧の立上げ特性が異なる場合、前記複数のIGBTのゲート端子電圧の立上げ特性を近づけるように前記所定期間内に読み出される立上げ用の駆動電流情報が調整される。 - 請求項4の半導体装置において、
前記複数のIGBTのゲート閾値電圧が異なることによりゲート端子電圧の立下げ特性が異なる場合、前記複数のIGBTのゲート端子電圧の立下げ特性を近づけるように前記所定期間内に読み出される立下げ用の駆動電流情報が調整される。 - 半導体装置は、
IGBTのゲート端子を駆動する電流駆動回路と、
前記電流駆動回路の出力が接続される出力端子と、
前記電流駆動回路を制御する制御回路と、
前記IGBTのゲート端子電圧を検知する電圧モニタ回路と、
前記IGBTのセンス電流を検知する電流モニタ回路と、
前記電圧モニタ回路または電流モニタ回路の検知結果に基づいて前記IGBTのゲート閾値に対応する時間情報を取得する時間計測回路と、
を備え、
前記電流駆動回路は、
所定電位が印加される端子と前記出力端子との間に接続される立上げ用のトランジスタと、
前記所定電位よりも低い基準電位が印加される端子と前記出力端子との間に接続される立下げ用のトランジスタと、
を備える。 - 請求項7の半導体装置において、
前記電流駆動回路は、
前記所定電位が印加される端子と前記出力端子との間に並列に接続される複数の立上げ用のトランジスタと、
前記基準電位が印加される端子と前記出力端子との間に並列に接続される複数の立下げ用のトランジスタと、
を備え、
前記制御回路は前記電流駆動回路の駆動能力情報を格納する基底データメモリを備える。 - 請求項7の半導体装置において、
前記制御回路は前記電流駆動回路をクロック信号に基づいて駆動する。 - 請求項7の半導体装置において、
前記時間計測回路はスタート信号が活性化されるときクロック信号を計数し、ストップ信号が活性化されるとき計数を停止し、
前記ストップ信号は前記電流モニタ回路または前記電圧モニタ回路の検知信号である。 - 電力変換装置は、
並列接続される第一IGBTおよび第二IGBTと、
半導体装置と、
メモリを有する制御用半導体装置と、
を備え、
前記半導体装置は、
前記第一IGBTを駆動する第一駆動制御回路と、
前記第二IGBTを駆動する第二駆動制御回路と、
前記第一IGBTの駆動電流を検知する第一電流モニタ回路と、
前記第二IGBTの駆動電流を検知する第二電流モニタ回路と、
前記第一IGBTおよび第二IGBTのそれぞれの駆動電圧を検知する電圧モニタ回路と、
を備え、
前記第一駆動制御回路および第二駆動制御回路のそれぞれは、
前記制御用半導体装置からのコマンドに基づいて動作モードを制御するステートマシン制御回路と、
駆動電流情報を格納する基底データメモリと、
前記基底データメモリに格納される前記駆動電流情報に基づいて前記第一IGBTおよび第二IGBTをそれぞれ駆動する電流駆動回路と、
を備え、
前記制御用半導体装置は、前記半導体装置を第一動作モードに設定して、前記第一および第二駆動制御回路に前記第一または第二電流モニタ回路と前記電圧モニタ回路とによって前記第一IGBTおよび第二IGBTの特性を取得させ、取得した前記第一IGBTおよび第二IGBTの特性を前記メモリに格納し、
前記制御用半導体装置は前記メモリに格納される前記第一IGBTおよび第二IGBT特性に基づいて、前記第一IGBTおよび第二IGBT特性のずれが少なくなるように電流駆動情報を算出し、前記第一駆動制御回路および第二駆動制御回路の前記基底データメモリに前記算出した電流駆動情報を格納し、
前記制御用半導体装置は、前記半導体装置を第二動作モードに設定して、前記第一駆動制御回路および第二駆動制御回路にそれぞれの基底データメモリに格納される電流駆動情報に基づいて前記第一IGBTおよび第二IGBTを駆動させる。 - 請求項11の電力変換装置において、
前記電流駆動回路の前記第一動作モードにおける駆動能力は、前記第二動作モードにおける駆動能力よりも小さい。 - 請求項12の電力変換装置において、
前記半導体装置が第一動作モードの場合、
前記第一駆動制御回路は、前記第一IGBTのゲート回路容量をチャージする状態からゲート回路容量のチャージが完了しオン状態に遷移するタイミングと、前記第一IGBTのゲート回路容量をディチャージする状態からゲート回路容量のディチャージが完了しオフ状態に遷移するタイミングと、を検出し、それらを時間情報として第一レジスタに保持し、
前記第二駆動制御回路は、前記第二IGBTのゲート回路容量をチャージする状態からゲート回路容量のチャージが完了しオン状態に遷移するタイミングと、前記第二IGBTのゲート回路容量をディチャージする状態からゲート回路容量のディチャージが完了しオフ状態に遷移するタイミングと、を検出し、それらを時間情報として第二レジスタに保持する。 - 請求項13の電力変換装置において、
前記半導体装置が第一動作モードの場合、
前記制御用半導体装置は、
前記第一レジスタおよび第二レジスタの内容を前記メモリに格納し、
前記メモリに格納される前記第一レジスタおよび第二レジスタの内容に基づいて、前記第一IGBTおよび第二IGBT特性のずれが少なくなるように電流駆動情報を算出し、前記第一駆動制御回路および第二駆動制御回路の前記基底データメモリに前記算出した電流駆動情報を格納する。 - 請求項14の電力変換装置において、
前記ステートマシン制御回路は前記電流駆動回路をクロック信号に基づいて駆動する。 - 請求項14の電力変換装置において、
前記第一電流モニタ回路、前記第二電流モニタ回路または前記電圧モニタ回路の検知結果に基づいて前記第一IGBTおよび第二IGBTのゲート閾値に対応する時間情報を取得する時間計測回路と、
を備え、
前記時間計測回路はスタート信号が活性化されるときクロック信号を計数し、ストップ信号が活性化されるとき計数を停止し、
前記ストップ信号は前記電流モニタ回路または前記電圧モニタ回路の検知信号である。 - 請求項11の電力変換装置において、
前記半導体装置が第二動作モードの場合、
前記ステートマシン制御回路は、
前記PWM信号の立ち上がり時、前記基底データメモリに格納される立上げ用の駆動電流情報を所定期間内に複数回読み出して前記電流駆動回路を駆動し、
前記PWM信号の立下り時、前記基底データメモリに格納される立下げ用の駆動電流情報を所定期間内に複数回読み出して前記電流駆動回路を駆動する。 - 請求項17の電力変換装置において、
前記電流駆動回路は、
所定電位が印加される端子と前記出力端子との間に並列に接続される複数の立上げ用のトランジスタと、
前記所定電位よりも低い基準電位が印加される端子と前記出力端子との間に並列に接続される複数の立下げ用のトランジスタと、
を備え、
前記駆動電流情報は、
前記複数の立上げ用のトランジスタの何れのトランジスタをオンにするか、および、
前記複数の立下げ用のトランジスタの何れのトランジスタをオンするか、
の情報である。 - 請求項18の電力変換装置において、
前記複数のIGBTのゲート閾値電圧が異なることによりゲート端子電圧の立上げ特性が異なる場合、前記複数のIGBTのゲート端子電圧の立上げ特性を近づけるように前記所定期間内に読み出される立上げ用の駆動電流情報が調整される。 - 請求項19の電力変換装置において、
前記複数のIGBTのゲート閾値電圧が異なることによりゲート端子電圧の立下げ特性が異なる場合、前記複数のIGBTのゲート端子電圧の立下げ特性を近づけるように前記所定期間内に読み出される立下げ用の駆動電流情報が調整される。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016237423A JP2018093684A (ja) | 2016-12-07 | 2016-12-07 | 半導体装置および電力変換装置 |
US15/795,132 US10211824B2 (en) | 2016-12-07 | 2017-10-26 | Drive control circuit driving a semiconductor device for power conversion |
EP17204313.5A EP3334046B1 (en) | 2016-12-07 | 2017-11-29 | Semiconductor device and power conversion apparatus |
TW106141747A TWI746713B (zh) | 2016-12-07 | 2017-11-30 | 半導體裝置及功率轉換裝置 |
KR1020170164971A KR20180065919A (ko) | 2016-12-07 | 2017-12-04 | 반도체 장치 및 전력 변환 장치 |
CN201711284620.2A CN108173418B (zh) | 2016-12-07 | 2017-12-07 | 半导体装置和电力转换设备 |
JP2022066135A JP2022093390A (ja) | 2016-12-07 | 2022-04-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016237423A JP2018093684A (ja) | 2016-12-07 | 2016-12-07 | 半導体装置および電力変換装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022066135A Division JP2022093390A (ja) | 2016-12-07 | 2022-04-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018093684A true JP2018093684A (ja) | 2018-06-14 |
Family
ID=60515184
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016237423A Pending JP2018093684A (ja) | 2016-12-07 | 2016-12-07 | 半導体装置および電力変換装置 |
JP2022066135A Pending JP2022093390A (ja) | 2016-12-07 | 2022-04-13 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022066135A Pending JP2022093390A (ja) | 2016-12-07 | 2022-04-13 | 半導体装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10211824B2 (ja) |
EP (1) | EP3334046B1 (ja) |
JP (2) | JP2018093684A (ja) |
KR (1) | KR20180065919A (ja) |
CN (1) | CN108173418B (ja) |
TW (1) | TWI746713B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020145560A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社東芝 | 電子回路、方法、およびプログラム |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI671988B (zh) | 2018-07-10 | 2019-09-11 | 群光電能科技股份有限公司 | 電源轉換裝置及其控制方法 |
US11067629B2 (en) * | 2019-06-03 | 2021-07-20 | Teradyne, Inc. | Automated test equipment for testing high-power electronic components |
US10790818B1 (en) * | 2019-09-27 | 2020-09-29 | Infineon Technologies Austria Ag | Slew rate control by adaptation of the gate drive voltage of a power transistor |
US11362646B1 (en) * | 2020-12-04 | 2022-06-14 | Skyworks Solutions, Inc. | Variable current drive for isolated gate drivers |
US11641197B2 (en) | 2021-04-28 | 2023-05-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Gate driver output protection circuit |
TWI781814B (zh) * | 2021-11-03 | 2022-10-21 | 致茂電子股份有限公司 | 可切換電源供應模式與電子負載模式之電源整合系統及其切換方法 |
CN116436450B (zh) * | 2023-03-28 | 2024-04-09 | 重庆大学 | Mos型半导体器件的栅极驱动电路和电力变换装置 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1070878A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-03-10 | Fuji Electric Co Ltd | 電力変換装置のゲート駆動回路 |
JPH11235015A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-27 | Toshiba Corp | 電圧駆動型電力用半導体装置およびそのゲート制御方法 |
JPH11252896A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | Iegtのゲート制御装置 |
JP2000092820A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 駆動制御装置、モジュール、および、複合モジュール |
JP2004229382A (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Toshiba Corp | ゲート駆動回路、および電力変換装置 |
JP2007502569A (ja) * | 2003-08-12 | 2007-02-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電力変換回路及び電力制御回路の動作及び回路 |
JP2011082764A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | パワーデバイス制御回路およびそれを用いたipm |
JP2013183600A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Denso Corp | スイッチング素子の駆動装置 |
JP2014014233A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Hitachi Ltd | 半導体モジュール |
JP2014150701A (ja) * | 2013-02-04 | 2014-08-21 | Denso Corp | 回路制御装置 |
JP2014230307A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-08 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP2018082587A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置及びパワー半導体素子制御方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5485341A (en) * | 1992-09-21 | 1996-01-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power transistor overcurrent protection circuit |
JP3125622B2 (ja) * | 1995-05-16 | 2001-01-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US6717785B2 (en) * | 2000-03-31 | 2004-04-06 | Denso Corporation | Semiconductor switching element driving circuit |
EP2445110B1 (en) * | 2010-10-22 | 2014-05-14 | ABB Research Ltd | Gate driver unit for electrical switching device |
US8723590B2 (en) * | 2010-12-23 | 2014-05-13 | General Electric Company | Power switch current estimator at gate driver |
CN102496933B (zh) * | 2011-11-25 | 2014-11-05 | 东北大学 | 一种双并联有源电力滤波装置 |
CN103401219B (zh) * | 2013-07-31 | 2016-02-24 | 华南理工大学 | 一种移相全桥驱动信号控制电路及其控制方法 |
JP6549451B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2019-07-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置および電子装置 |
CN105897073B (zh) * | 2016-05-23 | 2018-08-03 | 上海交通大学 | 开关磁阻电机调速系统 |
-
2016
- 2016-12-07 JP JP2016237423A patent/JP2018093684A/ja active Pending
-
2017
- 2017-10-26 US US15/795,132 patent/US10211824B2/en active Active
- 2017-11-29 EP EP17204313.5A patent/EP3334046B1/en active Active
- 2017-11-30 TW TW106141747A patent/TWI746713B/zh active
- 2017-12-04 KR KR1020170164971A patent/KR20180065919A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-12-07 CN CN201711284620.2A patent/CN108173418B/zh active Active
-
2022
- 2022-04-13 JP JP2022066135A patent/JP2022093390A/ja active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1070878A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-03-10 | Fuji Electric Co Ltd | 電力変換装置のゲート駆動回路 |
JPH11235015A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-27 | Toshiba Corp | 電圧駆動型電力用半導体装置およびそのゲート制御方法 |
JPH11252896A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | Iegtのゲート制御装置 |
JP2000092820A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 駆動制御装置、モジュール、および、複合モジュール |
JP2004229382A (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Toshiba Corp | ゲート駆動回路、および電力変換装置 |
JP2007502569A (ja) * | 2003-08-12 | 2007-02-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電力変換回路及び電力制御回路の動作及び回路 |
JP2011082764A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | パワーデバイス制御回路およびそれを用いたipm |
JP2013183600A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Denso Corp | スイッチング素子の駆動装置 |
JP2014014233A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Hitachi Ltd | 半導体モジュール |
JP2014150701A (ja) * | 2013-02-04 | 2014-08-21 | Denso Corp | 回路制御装置 |
JP2014230307A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-08 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP2018082587A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置及びパワー半導体素子制御方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020145560A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社東芝 | 電子回路、方法、およびプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201834397A (zh) | 2018-09-16 |
CN108173418B (zh) | 2021-10-15 |
JP2022093390A (ja) | 2022-06-23 |
US10211824B2 (en) | 2019-02-19 |
TWI746713B (zh) | 2021-11-21 |
EP3334046A3 (en) | 2018-08-22 |
US20180159521A1 (en) | 2018-06-07 |
EP3334046A2 (en) | 2018-06-13 |
KR20180065919A (ko) | 2018-06-18 |
EP3334046B1 (en) | 2021-06-23 |
CN108173418A (zh) | 2018-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI746713B (zh) | 半導體裝置及功率轉換裝置 | |
JP5801001B2 (ja) | 駆動保護回路、半導体モジュール及び自動車 | |
US8981689B2 (en) | Driver for switching element and control system for rotary machine using the same | |
JP6350301B2 (ja) | 負荷駆動制御装置および負荷駆動制御方法 | |
JP2020182258A (ja) | 駆動装置、電力供給システム、及び、駆動装置のテスト方法 | |
WO2015079492A1 (ja) | ゲート駆動回路及びインテリジェントパワーモジュール | |
JP7388052B2 (ja) | パワー半導体用試験装置およびパワー半導体試験方法 | |
JP2017079534A (ja) | ゲート制御回路 | |
JP5056405B2 (ja) | スイッチング装置 | |
JP5282492B2 (ja) | スイッチング素子駆動回路 | |
JP7205091B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2019110431A (ja) | 半導体装置およびパワーモジュール | |
JP2019004558A (ja) | 電力変換ユニットの駆動回路および駆動方法、電力変換ユニット、並びに電力変換装置 | |
JP2009254199A (ja) | モータ駆動回路およびモータの異常判定方法 | |
JP2020182334A (ja) | 駆動回路 | |
JP6409982B2 (ja) | 多相電力変換装置の制御回路 | |
JP6753348B2 (ja) | スイッチング素子の駆動回路 | |
JP6052417B2 (ja) | 半導体スイッチング装置 | |
US11539349B1 (en) | Integrated circuit and power module | |
JP7427949B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
JP7107121B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
US20230231549A1 (en) | Overcurrent detection circuit, drive control device, and power conversion device | |
US20230141552A1 (en) | Semiconductor testing device, semiconductor testing method, and manufacturing method for semiconductor device | |
JP2022183824A (ja) | ゲート駆動装置 | |
JP2005160177A (ja) | インバータ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190408 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210802 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220118 |