JP2017079534A - ゲート制御回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】 過電流が流れたときにゲート型スイッチング素子をオフさせることが可能なゲート制御回路を提供する。
【解決手段】 ゲート型スイッチング素子のゲートの電圧を制御するゲート制御回路であって、前記ゲートを充電する充電回路と、前記ゲートが充電されているときにミラー電圧を検出するミラー電圧検出回路と、前記ミラー電圧が閾値よりも高い場合に、前記ゲートを放電する放電回路を有する。ミラー電圧を検出することで、過電流を検出することができる。
【選択図】図3
【解決手段】 ゲート型スイッチング素子のゲートの電圧を制御するゲート制御回路であって、前記ゲートを充電する充電回路と、前記ゲートが充電されているときにミラー電圧を検出するミラー電圧検出回路と、前記ミラー電圧が閾値よりも高い場合に、前記ゲートを放電する放電回路を有する。ミラー電圧を検出することで、過電流を検出することができる。
【選択図】図3
Description
本明細書が開示する技術は、ゲート制御回路に関する。なお、本明細書において、ゲート制御回路は、ゲート型スイッチング素子のゲートの電圧を制御する回路を意味する。また、ゲート型スイッチング素子は、ゲート(すなわち、半導体から電気的に分離されている電極)の電圧に応じて、電流が流れるオン状態と電流が流れないオフ状態とにスイッチングする素子を意味する。ゲート型スイッチング素子には、FET(Field Effect Transistor)やIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等が含まれる。
特許文献1に、IGBTのゲートの電圧を制御するゲート制御回路が開示されている。このゲート制御回路は、ゲートを充電する充電回路を有している。充電回路がゲートの充電を開始すると、ゲート電圧が上昇する。ゲート電圧が所定電圧まで上昇すると、一定期間、ゲート電圧が略一定値で推移するようになる。一般に、このときのゲート電圧は、ミラー電圧と呼ばれる。さらにゲートを充電すると、ゲート電圧がミラー電圧から上昇する。充電時にゲート制御回路に異常が発生すると、ゲート電圧がミラー電圧に維持される期間が短くなり、通常よりも早いタイミングでゲート電圧がミラー電圧から上昇する。このゲート制御回路は、ゲートの充電を開始してから所定時間経過後のゲート電圧を検出する。このとき検出されるゲート電圧は、正常時にはミラー電圧と略一致する。また、このとき検出されるゲート電圧は、異常時にはミラー電圧よりも高い電圧となる。したがって、検出されたゲート電圧によって、ゲート制御回路に異常が発生しているか否かを判定することができる。
ゲート型スイッチング素子に、過電流が流れる場合がある。例えば、ゲート型スイッチング素子の両端に、負荷を介さずに高い電圧が印加されると、ゲート型スイッチング素子に過電流が流れる。ゲート型スイッチング素子に過電流が流れても、過電流が流れる時間が短時間であれば、ゲート型スイッチング素子に問題は生じない。しかしながら、過電流が流れる時間が長くなると、ゲート型スイッチング素子に過大な負荷が加わる。したがって、本明細書では、過電流が流れたときにゲート型スイッチング素子をオフさせることが可能なゲート制御回路を提供する。
本明細書は、ゲート型スイッチング素子のゲートの電圧を制御するゲート制御回路を提供する。このゲート制御回路は、前記ゲートを充電する充電回路と、前記ゲートが充電されているときにミラー電圧を検出するミラー電圧検出回路と、前記ミラー電圧が閾値よりも高い場合に、前記ゲートを放電する放電回路を有する。
なお、上記のミラー電圧は、ゲートの充電中にゲート電圧が略一定電圧で推移する期間におけるゲート電圧を意味する。したがって、ミラー電圧を検出することは、ゲートの充電中のゲート電圧が略一定電圧で推移している期間内にゲート電圧を検出することに相当する。したがって、上昇中のゲート電圧を検出することは、ミラー電圧を検出することには当たらない。
ゲートの充電を開始すると、ゲート型スイッチング素子の高電位端子と低電位端子の間に電流が流れる。通常は、高電位端子と低電位端子の間に電流が流れると、高電位端子と低電位端子の間の電圧が低下する。すると、ゲートが充電されてもゲート電圧が上昇しなくなり、ミラー電圧が発生する。これに対し、ゲートの充電の開始後に高電位端子と低電位端子の間に過電流が流れると、高電位端子と低電位端子の間の電圧があまり低下しない。このため、過電流が流れている場合には、ゲート電圧が通常よりも高い電圧まで上昇し、ミラー電圧が高くなる。上述したゲート制御回路は、ゲートが充電されているときにミラー電圧を検出する。したがって、このゲート制御回路は、ミラー電圧に基づいて過電流が流れているか否かを判定することができる。このゲート制御回路は、ミラー電圧が閾値よりも高い場合(すなわち、過電流が流れているとき)に、ゲートを放電する。このため、過電流が流れているときにゲート型スイッチング素子をオフさせることができる。したがって、ゲート型スイッチング素子に過大な負荷が加わることを防止することができる。
図1に示すインバータ回路10は、モータ92に交流電流を供給する。インバータ回路10は、高電位配線12と低電位配線14を有している。高電位配線12と低電位配線14は、図示しない直流電源に接続されている。高電位配線12には高電位V+が印加されており、低電位配線14には低電位V−が印加されている。高電位配線12と低電位配線14の間には、3つの直列回路15が並列に接続されている。各直列回路15は、高電位配線12と低電位配線14の間に直列に接続されている2つのIGBT16を有している。以下では、各直列回路15において、高電位配線12側に配置されているIGBT16を上アームのIGBT16といい、低電位配線14側に配置されているIGBT16を下アームのIGBT16という場合がある。各IGBT16のゲートは、ゲート制御回路20に接続されている。また、各IGBT16に対して、ダイオード17が並列に接続されている。ダイオード17のアノードがIGBT16のエミッタに接続されており、ダイオード17のカソードがIGBTのコレクタに接続されている。直列接続されている2つのIGBT16の間の接続配線13のそれぞれには、出力配線11a〜11cが接続されている。出力配線11a〜11cの他端は、モータ92に接続されている。
各ゲート制御回路20は、IGBT16のゲート電圧を制御する。これによって、各IGBTがスイッチングする。インバータ回路10は、各IGBT16をスイッチングさせることによって、モータ92に三相交流電流を供給する。なお、通常時は、1つの直列回路15内において、上アームのIGBT16と下アームのIGBT16が同時にオンすることはない。このため、通常時は、電流が、オンしているIGBT16とモータ92を通って流れる。しかしながら、ノイズ等によって何れかのIGBT16が意図せずオンする場合がある。このような誤動作時には、1つの直列回路15内において、上アームのIGBT16と下アームのIGBT16が同時にオンする場合がある。このように上アームのIGBT16と下アームのIGBT16が同時にオンすると、高電位配線12と低電位配線14がモータ92を介さずに短絡されるため、上アームのIGBT16と下アームのIGBT16に過電流が流れる。
図2は、ゲート制御回路20の回路図を示している。なお、図1のゲート制御回路20のそれぞれが、図2に示す構成を有している。ゲート制御回路20は、ゲート抵抗22、NMOS24、PMOS26及び駆動IC28を有している。ゲート抵抗22の一端は、IGBT16のゲートに接続されている。ゲート抵抗22の他端は、NMOS24のソースに接続されている。NMOS24のドレインは、ゲート電源の出力端子30(プラスの電圧Vccが印加される端子)に接続されている。PMOS26のソースは、NMOSのソースに接続されている。PMOS26のドレインは、ゲート電源のGND端子32(IGBT16のエミッタの電位が印加されている端子)に接続されている。駆動IC28は、NMOS24のゲートとPMOS26のゲートに接続されている。駆動IC28は、高電位VHと低電位VLの間で変動するパルス信号Vpを出力する。パルス信号Vpは、NMOS24のゲートとPMOS26のゲートに入力される。パルス信号Vpが高電位VHである場合は、NMOS24がオン状態となり、PMOS26がオフ状態となる。パルス信号Vpが低電位VLである場合は、NMOS24がオフ状態となり、PMOS26がオン状態となる。また、駆動IC28は、IGBT16のゲート電圧Vgを検出する。
次に、ゲート制御回路20がIGBT16をオンさせるときの動作について説明する。最初に、通常時の動作について、図3を用いて説明する。
図3の期間T1では、パルス信号Vpが低電位VLに維持されている。したがって、NMOS24がオフしているとともにPMOS26がオンしている。このため、ゲート電圧Vgが0Vとなっており、IGBT16がオフ状態となっている。したがって、IGBT16のコレクタ電流Icが略ゼロとなっている。
図3のタイミングt1で、駆動IC28が、パルス信号Vpを低電位VLから高電位VHまで上昇させる。すると、NMOS24がオンするとともにPMOS26がオフする。すると、ゲート電源の出力端子30から、NMOS24とゲート抵抗22を介して、IGBT16のゲートに電流(ゲート電流)が流れる。すなわち、IGBT16のゲートが充電される。ここでは、IGBT16のゲートとエミッタの間の容量が充電される。したがって、タイミングt1の後の期間T2において、ゲート電圧Vgが上昇する。
図3のタイミングt2に示すように、ゲート電圧Vgが所定電圧Vm1まで上昇すると、コレクタ電流Icが流れ始める。タイミングt2の後の期間T3において、コレクタ電流Icは所定値まで上昇する。すると、IGBT16のコレクタ‐エミッタ間電圧が徐々に低下する。IGBT16のコレクタ‐エミッタ間電圧が低下している期間T3では、ゲート電流によってIGBT16のゲートとコレクタの間の容量が充電され、IGBT16のゲートとエミッタの間の容量がほとんど充電されない。このため、期間T3では、ゲート電圧Vgが略一定の電圧Vm1に維持される。すなわち、電圧Vm1は、ミラー電圧である。
駆動IC28は、タイミングt1から一定時間経過後のタイミングt3において、ゲート電圧Vgを検出する。タイミングt3は、図3に示す通常動作時に期間T3(すなわち、ゲート電圧Vgがミラー電圧Vm1に維持されている期間)の途中のタイミングとなるように設定されている。駆動IC28は、ゲート電圧Vgを検出すると、検出したゲート電圧Vgが閾値Vthよりも高いか否かを判定する。閾値Vthは、通常時のミラー電圧Vm1よりも高く、ゲート電源の出力電圧Vccよりも低い値に設定されている。駆動IC28は、検出したゲート電圧Vgが閾値Vthよりも高い場合には、IGBT16をオフさせる。また、駆動IC28は、検出したゲート電圧Vgが閾値Vthよりも低い場合には、IGBT16をオンさせる動作を継続する。
図3では、タイミングt3におけるゲート電圧Vgが、ミラー電圧Vm1である。したがって、ミラー電圧Vm1が駆動IC28によって検出される。ミラー電圧Vm1が閾値Vthよりも低いので、駆動IC28は、パルス信号Vpを高電位VHに維持して、IGBT16をオンさせる動作を継続する。
期間T3の後のタイミングt4において、IGBT16のコレクタ‐エミッタ間電圧がオン電圧まで低下する。すると、ゲート電流によってIGBT16のゲートとエミッタの間の容量が再び充電されるようになる。このため、タイミングt4の後の期間T4で、ゲート電圧Vgが再び上昇する。期間T4の間に、ゲート電圧Vgは、ゲート電源の出力電圧Vccまで上昇し、その後は電圧Vccに維持される。
以上に説明したように、通常時は、駆動IC28は、ゲート電圧Vgを電圧Vccまで上昇させて、IGBT16をオンさせる。
次に、短絡時の動作について説明する。直列回路15の一方のIGBT16(例えば、上アームのIGBT16)が誤動作によってオン状態となっている時に、他方のIGBT16(例えば、下アームのIGBT16)がオンして、高電位配線12と低電位配線14の間が短絡する場合がある。短絡が生じると、IGBT16に過電流が流れる。駆動IC28は、過電流が流れると短時間で、制御対象のIGBT16をオフさせる。これによって、過電流を遮断し、IGBT16に過大な負荷が加わることを防止する。以下に、短絡時の動作について、図4を用いて説明する。
図4の期間T1では、図3の期間T1と同様にIGBT16がオフしている。タイミングt1で、駆動IC28が、パルス信号Vpを高電位VHまで上昇させる。すると、図3の場合と同様にゲート電流が流れ、期間T2においてIGBT16のゲートが充電される。つまり、IGBT16のゲートとエミッタの間の容量が充電され、ゲート電圧Vgが上昇する。
図4のタイミングt2でゲート電圧Vgが通常時のミラー電圧Vm1まで上昇すると、コレクタ電流Icが流れ始める。このとき、インバータ回路10が短絡状態となるため、コレクタ電流Icが急激に上昇し、IGBT16に過電流が流れる。IGBT16に流れる電流が極めて高いため、IGBT16のコレクタ‐エミッタ間電圧は、ほとんど低下することなく高電圧に維持される。このため、タイミングt2以降もIGBT16のゲートとエミッタの間の容量が充電される。したがって、タイミングt2の後の期間T3の間に、ゲート電圧Vgは、閾値Vthよりも高い電圧Vm2まで上昇し、その後は電圧Vm2で略一定値で推移するようになる。つまり、電圧Vm2は、短絡時のミラー電圧である。短絡時のミラー電圧Vm2は、通常時のミラー電圧Vm1よりも高く、ゲート電源の出力電圧Vccよりも低い。
駆動IC28は、タイミングt1から一定時間経過後のタイミングt3において、ゲート電圧Vgを検出する。タイミングt3は、短絡時のミラー電圧Vm2を検出できるタイミングに設定されている。したがって、短絡時には、駆動IC28はミラー電圧Vm2を検出する。ミラー電圧Vm2が閾値Vthよりも高いので、駆動IC28は、タイミングt3においてパルス信号Vpを高電位VHから低電位VLまで低下させる。すると、PMOS26がオンするとともにNMOS24がオフする。その結果、IGBT16のゲートから、ゲート抵抗22とPMOS26を介して、GND端子32へゲート電流が流れる。すなわち、IGBT16のゲートが放電される。したがって、タイミングt3の後の期間T5において、ゲート電圧Vgが低下し、IGBT16がオフする。したがって、期間T5において、コレクタ電流Icも略ゼロまで低下する。
以上に説明したように、IGBT16に過電流が流れる場合には、ミラー電圧が通常時よりも高くなる。このため、駆動IC28は、ミラー電圧が閾値よりも高い場合には、IGBT16をオフさせて、過電流を低下させる。したがって、このゲート制御回路によれば、IGBT16を過電流から保護することができる。IGBT16に、過電流による過大な負荷が加わることを防止することができる。
上述した実施形態の構成要素と請求項の構成要素との関係について説明する。実施形態のIGBTは、請求項のゲート型スイッチング素子の一例である。実施形態のNMOS24は、請求項の充電回路の一例である。実施形態の駆動IC28は、請求項のミラー電圧検出回路の一例である。実施形態のPMOS26は、請求項の放電回路の一例である。
なお、上述した実施形態では、タイミングt1から一定時間経過したタイミングt3におけるゲート電圧Vgを、ミラー電圧として検出した。しかしながら、ゲート電圧Vgを定期的に検出し、一定値で推移しているときのゲート電圧Vgをミラー電圧として検出してもよい。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
10:インバータ回路
12:高電位配線
14:低電位配線
15:直列回路
16:IGBT
17:ダイオード
20:ゲート制御回路
22:ゲート抵抗
24:NMOS
26:PMOS
30:出力端子
32:GND端子
92:モータ
12:高電位配線
14:低電位配線
15:直列回路
16:IGBT
17:ダイオード
20:ゲート制御回路
22:ゲート抵抗
24:NMOS
26:PMOS
30:出力端子
32:GND端子
92:モータ
Claims (1)
- ゲート型スイッチング素子のゲートの電圧を制御するゲート制御回路であって、
前記ゲートを充電する充電回路と、
前記ゲートが充電されているときにミラー電圧を検出するミラー電圧検出回路と、
前記ミラー電圧が閾値よりも高い場合に、前記ゲートを放電する放電回路、
を有するゲート制御回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015206352A JP2017079534A (ja) | 2015-10-20 | 2015-10-20 | ゲート制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015206352A JP2017079534A (ja) | 2015-10-20 | 2015-10-20 | ゲート制御回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017079534A true JP2017079534A (ja) | 2017-04-27 |
Family
ID=58665918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015206352A Pending JP2017079534A (ja) | 2015-10-20 | 2015-10-20 | ゲート制御回路 |
Country Status (1)
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-
2015
- 2015-10-20 JP JP2015206352A patent/JP2017079534A/ja active Pending
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