JP6086101B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
ゲート電極と、第1の主電極と、第2の主電極と、前記第1の主電極を流れる主電流に応じて前記主電流よりも小さなセンス電流を出力するセンス電極とを有し、前記ゲート電極と前記第1の主電極との間に印加される制御電圧の低下によってターンオフするスイッチング素子と、
前記センス電極に接続されるアノードと、前記第2の主電極に接続されるカソードとを有するセンスダイオードと、
前記スイッチング素子のターンオフ時に前記ゲート電極と前記センス電極とを接続する接続回路とを備える、半導体装置が提供される。
12 メイントランジスタ(メイン素子の一例)
13 センストランジスタ(センス素子の一例)
20 チップ
51 駆動電源
61,62 導電部
80 異常電流検出回路
81 無効化回路
82 電流検出回路
D1 メインダイオード
D2 センスダイオード
Rse 抵抗
S1 スイッチング素子
Claims (4)
- ゲート電極と、第1の主電極と、第2の主電極と、前記第1の主電極を流れる主電流に応じて前記主電流よりも小さなセンス電流を出力するセンス電極とを有し、前記ゲート電極と前記第1の主電極との間に印加される制御電圧の低下によってターンオフするスイッチング素子と、
前記センス電極に接続されるアノードと、前記第2の主電極に接続されるカソードとを有するセンスダイオードと、
前記スイッチング素子のターンオフ時に前記ゲート電極と前記センス電極とを接続する接続回路とを備える、半導体装置。 - 前記第1の主電極に接続されるアノードと、前記第2の主電極に接続されるカソードとを有するメインダイオードを備える、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記センス電極と前記第1の主電極との間に接続される抵抗と、
電流が前記抵抗に流れることにより発生する電圧に基づいて、前記スイッチング素子に流れる電流の異常を検出する異常検出回路と、
前記異常検出回路の出力信号を前記スイッチング素子のターンオフ時に無効にする無効化回路とを備える、請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記ゲート電極を駆動電源にプルアップした状態を、前記接続回路に流れる電流が所定の電流値以下に低下するまで維持させるプルアップ制御回路を備える、請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置。
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