JP7224922B2 - 高周波集積回路 - Google Patents
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Description
<1.1.構成>
図1は、第1実施形態の集積回路に含まれる機能ブロックを示す。集積回路10は、例えば半導体チップとして形成され、例えば、スマートフォンなどの無線通信端末などの装置100に含まれる。集積回路10は、例えば、LTE(登録商標)(long term evolution)および(または)Wifi用の無線通信端末において使用されることができる。
図4から図6は各々、第1実施形態のスイッチ部2の一状態を示し、図3のスイッチ部2の動作中の一状態を示す。図4は、トランジスタ26をオフに維持している間の状態を示す。図5は、トランジスタ26のオンとオフとの切り替わりの間に生じる状態を示す。図6は、トランジスタ26をオンに維持している間の状態を示す。
第1実施形態によれば、以下に記述されるように、スイッチング時間の短いスイッチ部2を含んだ集積回路10が提供されることができる。
第2実施形態は、スイッチ部2の第1実施形態と同様の動作を実現するための構成の点で、第1実施形態と異なる。以下、第1実施形態と異なる特徴が主に記述される。
Claims (6)
- 第1制御ノードに印加される電位に応じて第1ノードと第2ノードの導通を制御する第1スイッチ回路と、
第2制御ノードに印加される電位に応じて前記第1制御ノードと第1電位ノードの導通を制御する第2スイッチ回路と、
前記第1制御ノードに接続された第1出力ノードおよび前記第2制御ノードに接続された第2出力ノードを含み、前記第1出力ノードにおいて第1電位を出力している間に前記第2出力ノードにおいて前記第2スイッチ回路を非導通にさせる電位を出力し、前記第2出力ノードにおいて前記第2スイッチ回路を導通させる電位を出力している間に前記第1出力ノードにおいて前記第1出力ノードが前記第1電位を出力している間のインピーダンスより高いインピーダンスを有する、第1回路と、
を備え、
前記第1回路は、前記第1出力ノードにおいて前記第1電位を出力している間および第2電位を出力している間に前記第2出力ノードにおいて前記第2スイッチ回路を非導通にさせる電位を出力し、
前記第1電位ノードの電位は、前記第1電位より低く、前記第2電位より高い、
高周波集積回路。 - 前記第1回路は、前記第1出力ノードにおいて前記第1電位を出力している状態から前記第2電位を出力している状態との間または前記第2電位を出力している状態から前記第1電位を出力している状態の間に、前記第2出力ノードにおいて前記第2スイッチ回路を導通させる前記電位を出力する、
請求項1の高周波集積回路。 - 前記第1電位は正電位であり、
前記第2電位は負電位である、
請求項1または請求項2の高周波集積回路。 - 前記第1電位ノードの前記電位は、グランド電位である、
請求項3の高周波集積回路。 - 第1制御ノードに印加される電位に応じて第1ノードと第2ノードの導通を制御する第1スイッチ回路と、
第2制御ノードに印加される電位に応じて前記第1制御ノードと第1電位ノードの導通を制御する第2スイッチ回路と、
前記第1制御ノードに接続された第1出力ノードおよび前記第2制御ノードに接続された第2出力ノードを含み、前記第1出力ノードにおいて第1電位を出力している間に前記第2出力ノードにおいて前記第2スイッチ回路を非導通にさせる電位を出力し、前記第2出力ノードにおいて前記第2スイッチ回路を導通させる電位を出力している間に前記第1出力ノードにおいて前記第1出力ノードが前記第1電位を出力している間のインピーダンスより高いインピーダンスを有する、第1回路と、
を備え、
前記第1回路は、
第3ノードにおいて前記第1電位を出力する第1電位回路と、
前記第3ノードと前記第1出力ノードとの間の、前記第2スイッチ回路と排他的に導通になる第3スイッチ回路と、
前記第2出力ノードを含んだ第2回路と、
を備え、
前記第1電位回路は、第1信号のレベルに基づいて前記第3ノードにおいて前記第1電位または第2電位を出力し、
前記第2回路は、前記第1信号の前記レベルの変化から第1期間に亘って第1レベルの電位を前記第2出力ノードで発生させる、
高周波集積回路。 - 前記第1スイッチ回路は、FETである、
請求項1乃至請求項5のいずれか1項の高周波集積回路。
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