JP6350301B2 - 負荷駆動制御装置および負荷駆動制御方法 - Google Patents
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以下、本発明の第1実施形態について図1〜図7を参照しながら説明する。図2は本実施形態に係る車両用インバータ装置の電気的構成ブロックを概略的に示す図である。本実施形態では、誘導性負荷としての車両用モータのコイルを負荷とし、駆動制御部がパワー半導体素子をオンオフすることで負荷を駆動制御する形態について説明する。
以下、本実施形態に係る特徴部分の技術思想を説明する。前述したIGBTデバイス2udは、各第1及び第2IGBTセル8a、9aの充放電経路のインピーダンスの値を意図的に変化させている。まずこの理由について説明する。ここでは、第1及び第2IGBTセル8a、9aのスイッチング処理の挙動についても補足説明する。各第1セル8及び第2セル9が、充放電経路のインピーダンス(ゲート電荷の充放電経路の時定数相当)に差を生じていると、各IGBTセル8a、9aのスイッチングオフ時の各ノードの信号変化特性が図3(b)に示すように得られる。
以下、前述した技術思想に基づく実施例について説明する。図1に示すように、負荷駆動制御装置4udは、電源端子及びグランドG間に電源電圧Vccが与えられることでIGBTデバイス2udを駆動するように構成され、IGBTデバイス2udのゲート入力端子10に制御信号を入力させる。この負荷駆動制御装置4udは、機能的には、駆動制御部15と、取得部16と、保持部17と、を備える。取得部16は、例えばセンス抵抗18、コンパレータ19、閾値電圧生成部20により構成される。センス抵抗18は、第2セル9の第2エミッタE2とグランドGとの間に接続されている。このセンス抵抗18には、IGBTデバイス2udのセンス端子14を通じて、IGBTデバイス2udのコレクタ端子12−第1エミッタE1間に流れる電流に対応(例えば比例)した電流が流れる。コンパレータ19は、このセンス抵抗18に印加されるセンス電圧Vsと、閾値電圧生成部20が生成する閾値電圧Vtとを比較し、例えばセンス電圧Vsが閾値電圧Vtより高くなればHレベルを出力し、センス電圧Vsが閾値電圧Vt以下となればLレベルを出力することでコンパレータ19の比較結果を保持部17に出力する。保持部17は、例えばDフリップフロップにより構成され、取得部16の取得値(コンパレータ19の比較結果)を、ECU6からの指令信号のレベルが「H」レベルに切り替わったときに保持する。
図8及び図9は第2実施形態の追加説明図を示す。図8は、スイッチング速度の切換を3段階にした場合の回路構成を示す。図8に示すように、負荷駆動制御装置4udに代わる負荷駆動制御装置104udは、駆動制御部15に代わる駆動制御部115、取得部16に代わる取得部116、保持部17に代わる保持部117を備える。なお、図8には、駆動制御部115としてスイッチングオフ用の論理ゲートの構成を示しているが、スイッチングオン駆動用の論理ゲートについては図8への図示を省略している。
図10は第3実施形態の追加説明図を示す。この図10にIGBTデバイス2udに対応したIGBTデバイス202udを示すように、IGBTデバイス202udは、その内部セルの並列接続数を5とした多数個の並列接続セル208、209、219、229、239を備えている。並列接続数は3、4など他の個数としても良い。そして、これらの各セル208、209、219、229、239の間の充放電経路の時定数(例えばゲート抵抗211、221、231、241の抵抗値(インピーダンス値)等)が互いに異なるように構成されている。このような場合、負荷電流に応じて各セル208、209、219、229、239には互いに異なる電流が流れることになり、前述実施形態で説明した作用効果と同一又は類似の作用効果を奏する。なお、第1実施形態に示したIGBTデバイス2udにはセンス端子14が設けられていたが、本実施形態におけるセンス端子14に相当する出力は何れかのセル208、209、219、229、239のエミッタをマルチエミッタとして出力すれば良く図10には省略している。
図11は第4実施形態の追加説明図を示す。この図11にIGBTデバイス2udに対応したIGBTデバイス302udを示すように、IGBTデバイス302udは、第1セル308及び第2セル309を備え、第1セル308のエミッタに抵抗311を接続して構成されている。
図12は第5実施形態の追加説明図を示す。第5実施形態では、パワー半導体素子としてのIGBTデバイス402uda、402udbによる複数構造の充放電経路の時定数が互いに異なる形態を示す。この図12に示すように、駆動制御部15は、IGBTデバイス402uda、402udbを複数(2個)接続している。ここで各IGBTデバイス402uda、402udbは、それぞれIGBT409、408を、それぞれ1つの半導体パッケージに収容して構成されている。IGBT409は、IGBTセル9a、ダイオードセル9bを備え、IGBT408は、IGBTセル8a、ダイオードセル8bを備える。そして各IGBTデバイス402uda、402udbの充放電経路の時定数が互いに異なるように設定されている。例えば、IGBTデバイス402udbのIGBT408のゲートにはゲート抵抗411が接続されており、IGBTデバイス402udaのセル409のゲートにはゲート抵抗が設けられていない。これにより、各IGBTデバイス402uda、402udbは、それらのセル409、408に通電する充放電経路の抵抗値が互いに異なる値に設定されている。そして、IGBT409、408のコレクタはパッケージ外部で共通接続されており、IGBT409の第1エミッタE1とIGBT408のエミッタとがパッケージ外部で共通接続されている。このような実施形態においても、電気的接続は前述実施形態と同様であるため、前述実施形態で説明した作用効果と同一又は類似の作用効果を奏する。
図13及び図14は第6実施形態の追加説明図を示す。第6実施形態では、概ね無段階で制御する形態を示す。図13に示すように、IGBTデバイス2udには、負荷駆動制御装置4udに代えて負荷駆動制御装置504udが接続されている。負荷駆動制御装置504udは、電源端子及びグランドG間に電源電圧Vccが与えられることでIGBTデバイス2udを駆動するように構成され、駆動制御部515、A/D変換器550、選択部551、センス抵抗18を備える。駆動制御部515は、PMOSトランジスタ27、NMOSトランジスタ28、抵抗29の他、スイッチ552a〜552m、抵抗530a〜530n、を図示形態に接続して備える。センス抵抗18にはA/D変換器550が接続されており、A/D変換器550はセンス抵抗18による検出電圧をA/D変換する。ゲート入力端子10とグランドGとの間には、複数の抵抗530a〜530n、及び、Nチャネル型のMOSトランジスタ28のドレイン−ソース間、が直列接続されている。複数の抵抗530a〜530n間の共通接続点とMOSトランジスタ28のドレインとの間には、それぞれスイッチ552a〜552mが構成されている。これらのスイッチ552a〜552mの制御端子には選択部551が接続されており、選択部551は、A/D変換器550のA/D変換結果に応じてスイッチ552a〜552mをオンオフ切換可能になっている。
前述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に示す変形または拡張が可能である。前述した各実施形態は組み合わせて適用することができる。
パワー半導体素子としては、IGBTデバイス2uu、2ud、2vu、2vd、2wu、2wdに限らず、MOSFETデバイスなどを用いても良い。定電圧駆動で示したが、定電流駆動でも同様の効果を得られる。
Claims (14)
- 共通のゲート入力端子(10)に互いに電気的に接続された複数のセル(8,9;208,209,219,229,239)又は/及び複数のデバイス(402uda,402udb)からなる複数構造を有しゲート電荷の充放電経路の時定数が少なくとも2つの前記構造の間で異なるパワー半導体素子(2ud;202ud;302ud;402uda,402udb等)を駆動することに応じて負荷(5)を駆動制御する駆動制御部(15;115;515)と、
前記パワー半導体素子を通じて前記負荷に流れる電流に対応する値を取得する取得部(16;116)と、を備え、
前記駆動制御部は、前記取得部の取得値に対応して検出される負荷の通電電流が高くなるに従ってスイッチングオフ速度を低速にして前記パワー半導体素子を駆動するものであり、
前記パワー半導体素子のターンオフのタイミングにおいて前記取得部により取得された取得値を次回の前記パワー半導体素子のスイッチングオン期間用に保持する保持部(17;117)を備え、
前記駆動制御部は、前記保持部により保持された取得値に応じて前記パワー半導体素子のスイッチングオン速度を変化させることを特徴とする負荷駆動制御装置。 - 前記駆動制御部は、前記複数構造のうちゲート電荷の充放電経路の時定数が最も大きい構造の電流許容量に応じてスイッチングオフ速度を変化させることを特徴とする請求項1記載の負荷駆動制御装置。
- 共通のゲート入力端子(10)に互いに電気的に接続された複数のセル(8,9;208,209,219,229,239)又は/及び複数のデバイス(402uda,402udb)からなる複数構造を有しゲート電荷の充放電経路の時定数が少なくとも2つの前記構造の間で異なるパワー半導体素子(2ud;202ud;302ud;402uda,402udb等)を駆動することに応じて負荷(5)を駆動制御する駆動制御部(15;115;515)と、
前記パワー半導体素子を通じて前記負荷に流れる電流に対応する値を取得する取得部(16;116)と、を備え、
前記駆動制御部は、前記取得部の取得値に対応して検出される負荷の通電電流が高くなるに従ってスイッチングオフ速度を低速にして前記パワー半導体素子を駆動するものであり、
前記駆動制御部は、前記複数構造のうちゲート電荷の充放電経路の時定数が最も大きい構造の電流許容量に応じてスイッチングオフ速度を変化させることを特徴とする負荷駆動制御装置。 - 前記駆動制御部は、前記取得部の取得値に応じて段階的にスイッチングオフ速度を切換えることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の負荷駆動制御装置。
- 前記複数構造は、互いに同サイズで構成されていることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の負荷駆動制御装置。
- 前記負荷は、誘導性負荷であることを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の負荷駆動制御装置。
- 前記ゲート電荷の充放電経路のインピーダンスは、ゲート抵抗(11;111;211,221,231,241;411)又はエミッタ抵抗(311)を含むことを特徴とする請求項1から6の何れか一項に記載の負荷駆動制御装置。
- パワー半導体素子(2ud;202ud;302ud;402uda、402udb等)は共通のゲート入力ノード(10)に互いに電気的に接続された複数のセル(8,9;208,209,219,229,239)又は/及び複数のデバイス(402uda,402udb)からなる複数構造を有しゲート電荷の充放電経路の時定数が少なくとも2つの前記セルの間で異なるものであり、
前記パワー半導体素子を通じて負荷に流れる電流に対応する値を取得し、
取得される取得値に応じて検出される負荷の電流が高くなるに従ってスイッチングオフ速度を低速にして前記パワー半導体素子を駆動することに応じて前記負荷を駆動制御するものであり、
前記パワー半導体素子のターンオフのタイミングにおいて前記負荷に流れる電流に対応する値を取得した取得値を次回の前記パワー半導体素子のスイッチングオン期間用に保持し、
保持された取得値に応じて前記パワー半導体素子のスイッチングオン速度を変化させる、ことを特徴とする負荷駆動制御方法。 - 前記複数構造のうちゲート電荷の充放電経路の時定数が最も大きい構造の電流許容量に応じてスイッチングオフ速度を変化させることを特徴とする請求項8記載の負荷駆動制御方法。
- パワー半導体素子(2ud;202ud;302ud;402uda、402udb等)は共通のゲート入力ノード(10)に互いに電気的に接続された複数のセル(8,9;208,209,219,229,239)又は/及び複数のデバイス(402uda,402udb)からなる複数構造を有しゲート電荷の充放電経路の時定数が少なくとも2つの前記セルの間で異なるものであり、
前記パワー半導体素子を通じて負荷に流れる電流に対応する値を取得し、
取得される取得値に応じて検出される負荷の電流が高くなるに従ってスイッチングオフ速度を低速にして前記パワー半導体素子を駆動することに応じて前記負荷を駆動制御するものであり、
前記複数構造のうちゲート電荷の充放電経路の時定数が最も大きい構造の電流許容量に応じてスイッチングオフ速度を変化させることを特徴とする負荷駆動制御方法。 - 前記取得される取得値に応じて段階的にスイッチングオフ速度を切換えることを特徴とする請求項8から10の何れか一項に記載の負荷駆動制御方法。
- 前記複数構造は、互いに同サイズで構成されていることを特徴とする請求項8から11の何れか一項に記載の負荷駆動制御方法。
- 前記負荷は、誘導性負荷であることを特徴とする請求項8から12の何れか一項に記載の負荷駆動制御方法。
- 前記ゲート電荷の充放電経路のインピーダンスは、ゲート抵抗又はエミッタ抵抗を含むことを特徴とする請求項8から13の何れか一項に記載の負荷駆動制御方法。
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