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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6926450B2 (ja) 2016-11-22 2021-08-25 ソニーグループ株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
JP6884647B2 (ja) * 2017-06-19 2021-06-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置および電子機器
US11538843B2 (en) * 2018-04-09 2022-12-27 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging unit, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
JP7248674B2 (ja) 2018-06-08 2023-03-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
TWI846699B (zh) * 2018-06-15 2024-07-01 日商索尼股份有限公司 固體攝像元件、固體攝像裝置、電子機器及固體攝像元件之製造方法
EP4391062A3 (en) * 2018-06-15 2024-09-11 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device and method for manufacturing same, and electronic apparatus
WO2020008801A1 (ja) * 2018-07-03 2020-01-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子及び固体撮像装置
WO2020008802A1 (ja) * 2018-07-03 2020-01-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置
TWI840387B (zh) * 2018-07-26 2024-05-01 日商索尼股份有限公司 固態攝像元件、固態攝像裝置及固態攝像元件之讀出方法
TWI840383B (zh) 2018-07-26 2024-05-01 日商索尼半導體解決方案公司 固體攝像裝置
JP2020017688A (ja) * 2018-07-27 2020-01-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、電子機器
DE112019003868T5 (de) 2018-07-30 2021-04-22 Sony Semiconductor Solutions Corporation Festkörper-bildgebungselement und elektronische vorrichtung
US12063801B2 (en) 2018-07-31 2024-08-13 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element and imaging device including an organic semiconductor material
TW202035577A (zh) * 2018-09-06 2020-10-01 日商富士軟片股份有限公司 結構體、光感測器及圖像顯示裝置
US12376410B2 (en) * 2019-07-04 2025-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with embedded conductive layers
WO2021085227A1 (ja) * 2019-11-01 2021-05-06 ソニー株式会社 光電変換素子および撮像素子
JP7531272B2 (ja) * 2019-11-15 2024-08-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
TW202145595A (zh) * 2020-01-14 2021-12-01 美商寬騰矽公司 用於壽命及光譜特性分析之感應器
JP7414569B2 (ja) * 2020-02-12 2024-01-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子
TW202147591A (zh) 2020-03-02 2021-12-16 美商寬騰矽公司 用於多維信號分析之整合感應器
JPWO2022130835A1 (https=) * 2020-12-15 2022-06-23
JP2022190538A (ja) * 2021-06-14 2022-12-26 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置
JP2023005880A (ja) * 2021-06-29 2023-01-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光電変換素子、光検出装置、および電子機器
TWI825846B (zh) * 2022-07-13 2023-12-11 力成科技股份有限公司 封裝結構及其製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4379306A (en) * 1977-08-26 1983-04-05 Texas Instruments Incorporated Non-coplanar barrier-type charge coupled device with enhanced storage capacity and reduced leakage current
FR2597647B1 (fr) * 1986-04-18 1992-06-12 Thomson Csf Registre a decalage a transfert de charge muni d'un dispositif de lecture en tension sur diode flottante
JP2606225B2 (ja) * 1987-08-27 1997-04-30 セイコーエプソン株式会社 電荷結合素子
JPH0595100A (ja) 1991-08-13 1993-04-16 Fuji Xerox Co Ltd イメージセンサ
US7242449B1 (en) * 1999-07-23 2007-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and integral image recognition/display apparatus
KR100745595B1 (ko) 2004-11-29 2007-08-02 삼성전자주식회사 이미지 센서의 마이크로 렌즈 및 그 형성 방법
JP2007258424A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Seiko Epson Corp 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子
JP2008021875A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Toshiba Corp 固体撮像装置
CN101170118B (zh) * 2006-10-25 2010-11-10 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像感测器封装、影像感测器模组及它们的制造方法
JP2008112907A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Powerchip Semiconductor Corp イメージセンサー及びその製作方法
JP4961590B2 (ja) * 2007-04-13 2012-06-27 力晶科技股▲ふん▼有限公司 イメージセンサー及びその製作方法
JP5509846B2 (ja) 2009-12-28 2014-06-04 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5534981B2 (ja) * 2010-06-30 2014-07-02 株式会社東芝 固体撮像装置
JP5909975B2 (ja) * 2011-10-06 2016-04-27 ソニー株式会社 撮像装置および電子機器
KR101774491B1 (ko) * 2011-10-14 2017-09-13 삼성전자주식회사 유기 포토다이오드를 포함하는 유기 픽셀, 이의 제조 방법, 및 상기 유기 픽셀을 포함하는 장치들
KR101861650B1 (ko) * 2011-10-17 2018-05-29 삼성전자주식회사 이미지 센서, 이를 포함하는 전자 시스템 및 그 이미지 센싱 방법
JP2013157883A (ja) 2012-01-31 2013-08-15 Sony Corp 固体撮像素子およびカメラシステム
JP5885608B2 (ja) * 2012-07-23 2016-03-15 株式会社東芝 固体撮像装置
JP6108172B2 (ja) * 2013-09-02 2017-04-05 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
JP2015103735A (ja) * 2013-11-27 2015-06-04 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
KR102355558B1 (ko) * 2014-07-31 2022-01-27 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP2016039203A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 ソニー株式会社 機能性素子および電子機器
KR102441803B1 (ko) 2014-09-02 2022-09-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
US9515105B2 (en) 2015-02-18 2016-12-06 Semiconductor Components Industries, Llc Dual photodiode image pixels with preferential blooming path
JP6555468B2 (ja) * 2015-04-02 2019-08-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
JP6808316B2 (ja) * 2015-12-04 2021-01-06 キヤノン株式会社 撮像装置、および、撮像システム
JP6780421B2 (ja) * 2016-03-01 2020-11-04 ソニー株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法
JP6926450B2 (ja) 2016-11-22 2021-08-25 ソニーグループ株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置

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