JP2018065738A - ナノ粒子 - Google Patents
ナノ粒子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018065738A JP2018065738A JP2017193397A JP2017193397A JP2018065738A JP 2018065738 A JP2018065738 A JP 2018065738A JP 2017193397 A JP2017193397 A JP 2017193397A JP 2017193397 A JP2017193397 A JP 2017193397A JP 2018065738 A JP2018065738 A JP 2018065738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- core
- nanoparticle
- periodic table
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
- C09K11/562—Chalcogenides
- C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/60—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing iron, cobalt or nickel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Developing Agents For Electrophotography (AREA)
- Manufacturing Of Micro-Capsules (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Medicinal Preparation (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】分子クラスター化合物と分子クラスター化合物に配置されるコアであって、周期表の第13族及び第15族からのイオンを、又は周期表の第12族及び第16族からのイオンを組み込んでいる半導体材料からなる、コア量子収量を有するコアと、周期表の第8,9,11,12族、又は第13族から選択された金属イオンを組み込んでいる金属酸化物材料を含む、コアの外側に配置される少なくとも1つのシェル層と、配位化合物を含む有機キャッピング層とを備えているナノ粒子。有機キャッピング層は、最外層であり、コア又は少なくとも一つのシェル層の表面原子と配位化合物を介し形成される、ナノ粒子。
【選択図】図2
Description
周期表の第2族からの第1元素と、周期表の第16族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIIA−VIB(2−16)材料。ナノ粒子半導体材料はMgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTeを含むがこれに限定されない。
周期表の第12族からの第1元素と、周期表の第16族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIIB−VIB(12−16)材料。ナノ粒子半導体材料はZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTeを含むがこれに限定されない。
周期表の第12族からの第1元素と、周期表の第15族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むII−V材料。ナノ粒子半導体材料はZn3P2、Zn3As2、Cd3P2、Cd3As2、Cd3N2、Zn3N2を含むがこれに限定されない。
周期表の第13族からの第1元素と、周期表の第14族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIII−IV材料。ナノ粒子半導体材料はB4C、Al4C3、Ga4Cを含むがこれに限定されない。
周期表の第13族からの第1元素と、周期表の第16族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料を含むIII−VI材料。ナノ粒子半導体材料はAl2S3、Al2Se3、Al2Te3、Ga2S3、Ga2Se3;In2S3、In2Se3、Ga2Te3、In2Te3を含むがこれに限定されない。
周期表の第14族からの第1元素と、周期表の第16族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIV−VI材料。ナノ粒子半導体材料はPbS、PbSe、PbTe、SnS、SnSe、SnTeを含むがこれに限定されない。
周期表の遷移金属における任意の族からの第1元素と、周期表のd−ブロック元素の任意の族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むナノ粒子材料。ナノ粒子半導体材料はNiS、CrS、CuInS2を含むがこれに限定されない。
周期表の第13族からの第1元素と、周期表の第15族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIII−V材料。ナノ粒子半導体材料はBP、AlP、AlAs、AlSb;GaN、GaP、GaAs、GaSb;InN、InP、InAs、InSb、AlN、BNを含むがこれに限定されない。
周期表の第2族からの第1元素と、周期表の第16族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIIA−VIB(2−16)材料。ナノ粒子半導体材料はMgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTeを含むがこれに限定されない。
周期表の第12族からの第1元素と、周期表の第16族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIIB−VIB(12−16)材料。ナノ粒子半導体材料は、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTeを含むがこれに限定されない。
周期表の第12族からの第1元素と、周期表の第15族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むII−V材料。ナノ粒子半導体材料はZn3P2、Zn3As2、Cd3P2、Cd3As2、Cd3N2、Zn3N2を含むがこれに限定されない。
周期表の第13族からの第1元素と、周期表の第15族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIII−V材料。ナノ粒子半導体材料はBP、AlP、AlAs、AlSb;GaN、GaP、GaAs、GaSb;InN、InP、InAs、InSb、AlN、BNを含むがこれに限定されない。
周期表の第13族からの第1元素と、周期表の第14族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIII−IV材料。ナノ粒子半導体材料はB4C、Al4C3、Ga4Cを含むがこれに限定されない。
周期表の第13族からの第1元素と、周期表の第16族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料を含むIII−VI材料。ナノ粒子半導体材料はAl2S3、Al2Se3、Al2Te3、Ga2S3、Ga2Se3、GeTe;In2S3、In2Se3、Ga2Te3、In2Te3、InTeを含むがこれに限定されない。
周期表の第14族からの第1元素と、周期表の第16族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIV−VI材料。ナノ粒子半導体材料はPbS、PbSe、PbTe、SnS、SnSe、SnTeを含むがこれに限定されない。
周期表の遷移金属における任意の族からの第1元素と、周期表のd−ブロック元素の任意の族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むナノ粒子半導体材料。ナノ粒子半導体材料はNiS、CrS、CuInS2を含むがこれに限定されない。
周期表の第2族からの第1元素と、周期表の第16族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIIA−VIB(2−16)材料。ナノ粒子半導体材料は、MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTeを含むがこれに限定されない。
周期表の第12族からの第1元素と、周期表の第16族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIIB−VIB(12−16)材料。ナノ粒子半導体材料はZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTeを含むがこれに限定されない。
周期表の第12族からの第1元素と、周期表の第15族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むII−V材料。ナノ粒子半導体材料はZn3P2、Zn3As2、Cd3P2、Cd3As2、Cd3N2、Zn3N2を含むがこれに限定されない。
周期表の第13族からの第1元素と、周期表の第15族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIII−V材料。ナノ粒子半導体材料はBP、AlP、AlAs、AlSb;GaN、GaP、GaAs、GaSb;InN、InP、InAs、InSb、AlN、BNを含むがこれに限定されない。
周期表の第13族からの第1元素と、周期表の第14族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIII−IV材料。ナノ粒子半導体材料は、B4C、Al4C3、Ga4Cを含むがこれに限定されない。
周期表の第13族からの第1元素と、周期表の第16族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料を含むIII−VI材料。ナノ粒子半導体材料はAl2S3、Al2Se3、Al2Te3、Ga2S3、Ga2Se3;In2S3、In2Se3、Ga2Te3、In2Te3を含むがこれに限定されない。
周期表の第14族からの第1元素と、周期表の第16族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むIV−VI材料。ナノ粒子半導体材料はPbS、PbSe、PbTe、SnS、SnSe、SnTeを含むがこれに限定されない。
周期表の遷移金属における任意の族からの第1元素と、周期表のd−ブロック元素の任意の族からの第2元素を組み込み、また、三元及び四元材料とドープ材料とを含むナノ粒子材料。ナノ粒子半導体材料はNiS、CrS、CuInS2を含むがこれに限定されない。
+1酸化状態
酸化銀(I)、Ag2O;
+2酸化状態
一酸化アルミニウム、AlO;酸化バリウム、BaO;酸化ベリリウム、BeO;酸化カドミウム、CdO;酸化カルシウム、CaO;酸化コバルト(II)、CoO;酸化銅(II)、CuO;酸化鉄(II)、FeO;酸化鉛(II)、PbO;酸化マグネシウム(II)、MgO;酸化水銀(II)、HgO;酸化ニッケル(II)、NiO;酸化パラジウム(II)、PdO;酸化銀(II)、AgO;酸化ストロンチウム、SrO;酸化スズ、SnO;酸化チタン(II)、TiO;酸化バナジウム(II)、VO;酸化亜鉛、ZnO
+3酸化状態
酸化アルミニウム、Al2O3;三酸化アンチモン、Sb2O3;三酸化ヒ素、As2O3;三酸化ビスマス、Bi2O3;酸化ホウ素、B2O3;酸化クロム(III)、Cr2O3;酸化エルビウム(III)、Er2O3;酸化ガドリニウム(III)、Gd2O3;酸化ガリウム(III)、Ga2O3;酸化ホルミウム(III)、Ho2O3;酸化インジウム(III)、In2O3;酸化鉄(III)、Fe2O3;酸化ランタン(III)、La2O3;酸化ルテチウム(III)、Lu2O3;酸化ニッケル(III)、Ni2O3;酸化ロジウム(III)、Rh2O3;酸化サマリウム(III)、Sm2O3;酸化スカンジウム、Sc2O3;酸化テルビウム(III)、Tb2O3;酸化タリウム(III)、Tl2O3;酸化ツリウム(III)、Tm2O3;酸化チタン(III)、Ti2O3;酸化タングステン(III)、W2O3;酸化バナジウム(III)、V2O3;酸化イッテルビウム(III)、Yb2O3;酸化イットリウム、Y2O3
+4酸化状態
酸化セリウム(IV)、CeO2;酸化クロミウム(IV)、CrO2;酸化ハフニウム(IV)、HfO2;酸化鉛(IV)、PbO2;酸化マンガン(IV)、MnO2;酸化プルトニウム(IV)、PuO2;酸化ルテニウム(IV)、RuO2;シリコン酸化物(IV)、SiO2;二酸化トリウム、ThO2;二酸化スズ、SnO2;二酸化チタン、TiO2;酸化タングステン(IV)、WO2;二酸化ウラン、UO2;酸化バナジウム(IV)、VO2;二酸化ジルコニウム、ZrO2
+5酸化状態
五酸化アンチモン、Sb2O5;五酸化ヒ素、As2O5;五酸化ニオブ、Nb2O5;五酸化タンタル、Ta2O5;酸化バナジウム(V)、V2O5
+6酸化状態
三酸化クロミウム、CrO3;酸化モリブデン(VI)、MoO3;三酸化レニウム、ReO3;三酸化テルル、TeO3;三酸化タングステン、WO3;三酸化ウラン、UO3
+7酸化状態
酸化マンガン(VII)、Mn2O7;酸化レニウム(VII)、Re2O7
混合酸化物
インジウムスズ酸化物及びインジウム亜鉛酸化物
ナノ粒子の形状は、球体に限定されず、任意の望ましい形状をとることができ、例えば桿体、球体、円板、四脚又は星形である。ナノ粒子の形状の制御は、反応粒子成長過程において、成長している粒子の特定の格子面と優先して結合し、その後特定の方向の粒子成長を阻害又は遅延させる化合物を加えることによって達成することができる。加えることができる化合物の例は、ホスホン酸(n−テトラデシルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、1−デカンスルホン酸、12−ヒドロキシドデカン酸、n−オクタデシルホスホン酸)を含むがこれに限定されない。
これらの分子フィードストックは、ナノ粒子の成長のために必要なすべての元素が単一化合物前駆体の中に存在する単一源前駆体の形、又は成長したナノ粒子となるために必要な1又は複数の元素/イオンをそれぞれが含む前駆体の組み合わせであることができる。これらのフィードストックを反応の初めに加えるか、又は粒子成長の反応の全体に亘って周期的に加えてもよい。このフィードストックは、液体、溶液、固体、スラリー又は気体の形であることができる。
化学式(ME)nLm(ただし、M=第1元素、E=第2元素、L=配位子(例えば配位有機層/キャッピング剤)、そしてn及びmが構成要素E及びLの適切な化学量論量を表す)を有している化合物半導体ナノ粒子材料のために、元素Mのための供給源(すなわち前駆体)は、反応と加えられ、そして成長している粒子にMイオンの供給源を提供する能力を有する任意のM含有種でもよい。前駆体は有機金属化合物、無機塩、配位化合物又は元素を含んでもよいがこれに限定されない。
MR2、ただしM=Mg、R=アルキル又はアリール基(MgtBu2);MR2、ただしM=Zn、Cd、Te;R=アルキル又はアリール基(Me2Zn、Et2Zn、Me2Cd、Et2Cd);MR3、ただしM=Ga、In、Al、B;R=アルキル又はアリール基[AlR3、GaR3、InR3(R=Me、Et、iPr)]に限定されないがこのような有機金属化合物。
MCO3 M=Ca、Sr、Ba、[水酸化炭酸マグネシウム[(MgCO3)4Mg(OH)2];M(CO3) 2 M=Zn、Cd、;MCO3 M=Pb:アセテート:M(CH3CO2)2 M=Mg、Ca、Sr、Ba;Zn、Cd、Hg;M(CH3C)3 M=B、Al、Ga、In:アセチルアセトネート(2,4−ペンタンジオネート)のようなβ−ジケトネート又はその誘導体、[CH3COOCH=C(O−)CH3]2 M=Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Hg;[CH3COOCH=C(O−)CH3]2 M=B、Al、Ga、In。オキザラートSrC2O4、CaC2O4、BaC2O4、SnC2O4に限定されないがこのような炭酸塩のような配位化合物。
酸化物(例えばSrO、ZnO、CdO、In2O3、Ga2O3、SnO2、PbO2)又は硝酸塩(例えばMg(NO3)2、Ca(NO3)2、Sr(NO3)2、Ba(NO3)2、Cd(NO3)2、Zn(NO3)2、Hg(NO3)2、Al(NO3)3、In(NO3)3、Ga(NO3)3、Sn(NO3)4、Pb(NO3)2)に限定されないがこのような無機塩。
Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Hg、B、Al、Ga、In、Sn、Pbに限定されないがこのような元素供給源。
化学式(ME)nLm(ただし、M=第1元素、E=第2元素、L=配位子(例えば配位有機層/キャッピング剤)、そしてn及びmが構成要素E及びLの適切な化学量論量を表す)を有している化合物半導体ナノ粒子材料のために、元素Eのための供給源(すなわち前駆体)は、反応と加えられ、そして成長している粒子にEイオンの供給源を提供する能力を有する任意のE含有種であってもよい。前駆体は有機金属化合物、無機塩、配位化合物又は元素を含んでもよいがこれに限定されない。
NR3、PR3、AsR3、SbR3(R=Me、Et、tBu、iBu、Pri、Ph等);NHR2、PHR2、AsHR2、SbHR2(R=Me、Et、tBu、iBu、Pri、Ph等);NH2R、PH2R、AsH2R、SbH2R3(R=Me、Et,tBu、iBu、Pri、Ph等);PH3、AsH3;M(NMe)3 M=P、Sb、As;ジメチルドラジン(Me2NNH2);エチルアジド(Et−NNN);ヒドラジン(H2NNH2);Me3SiN3に限定されないがこのような有機金属化合物。
MR2(M=S、Se、Te;R=Me、Et、tBu、iBu等);HMR(M=S、Se、Te;R=Me、Et、tBu、iBu、iPr、Ph等);チオ尿素S=C(NH2)2;Se=C(NH2)2
Sn(CH4)4、Sn(C4H9)、Sn(CH3)2(OOCH3)2
炭酸塩、MCO3 M=P、次炭酸ビスマス(BiO)2CO3;M(CO3)2;アセテートM(CH3CO)2 M=S、Se、Te:M(CH3C)3 M=Sn、Pb:アセチルアセトネート(2,4−ペンタンジオネート)のようなβ−ジケトネート又はその誘導体、[CH3COOCH=C(O−)CH3]3M M=Bi;[CH3COOCH=C(O−)CH3]2M M=S、Se、Te:[CH3COOCH=C(O−)CH3]2M、M=Sn、Pb:チオ尿素、セレノ尿素(H2NC(=Se)NH2に限定されないがこのような配位化合物。
酸化物P2O3、As2O3、Sb2O3、Sb2O4、Sb2O5、Bi2O3、SO2、SeO2、TeO2、Sn2O、PbO、PbO2;硝酸塩Bi(NO3)3、Sn(NO3)4、Pb(NO3)2に限定されないがこのような無機塩。
Sn、Ge、N、P、As、Sb、Bi、S、Se、Te、Sn、Pbに限定されないがこのような元素供給源。
元素M及びEを含む化合物半導体ナノ粒子では、元素M及びEのための供給源は単一源前駆体の形であることが可能であり、用いられる前駆体は単一分子内にM及びEの両方を含む。
GaNには[(Me)2GaN(H)tBu]2[H2GaNH2]3、
Gapには、[Ph2GaP(SiMe3)3Ga(Ph)2Cl][Et2GaP(SiMe3)2]2、[Et2GaPEt2]3、[tBu2GaPH2]3[Me2GaP(iPr)2]3[tBuGaPAr´]2、[tBu2GaP(H)C5H9]2、
GaAsには、Ga(AstBu2)3[Et2GaAs(SiMe3)2]2、[tBu2GaAs(SiMe3)2]2、
GaSbには、[Et2GaSb(SiMe3)2]2、
InPには、[(Me3SiCH2)2InP(SiMe3)2]2[R2InP(SiMe3)2]2、[Me2InPtBu2]2、
InSbには、[Me2InSbtBu2]3[Et2InSb(SiMe3)2]3、[Me2InNEt2]2、[Et2AlAstBu2]2、
AlSbには、[tBu2AlSb(SiMe3)2]2、
GaAsには、[nBu2GaAstBu2]2[Me2Ga2AstBu2]2[Et2GaAstBu2]2
Cd3P2には、[MeCdPtBu2]3Cd[P(SiPh3)2]2、Zn3P2Zn[P(SiPh3)2]2
PbSには、鉛(II)ジチオカルバメート、
PbSeには、鉛(II)セレノカルバメート
本発明の最初の4つの態様に係る金属酸化物コア及び/又はシェル層の成長のために、金属元素の供給源が反応に加えられ、そしてそれは成長している粒子に適切な金属イオンの供給源を提供する能力を有する任意の金属含有種を含んでいてもよい。酸素原子が前駆体の範囲内で存在する、又は酸素源が酸素を含む別の酸素含有前駆体からなることができる場合、前駆体は酸素原子の供給源であることもできる。前駆体は有機金属化合物、無機塩、配位化合物又は元素自体を含むことができるがこれに限定されない。
第1族(IA)の酸化物
リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)
第2族(IIA)の酸化物
ベリリウム(Be)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)バリウム(Ba)
遷移元素の酸化物、第3族〜第12族(IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB、IIB)
スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、クロミウム(Cr)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、マンガン(Mn)、レニウム(Re)、鉄(Fe)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、コバルト(Co)、ロジウム(Rh)、イリジウム、ニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)、プラチナ(Pt)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)及び水銀(Hg)
ランタニド元素の酸化物
ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジミウム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウムTM、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)
第13族(IIIA)の酸化物―本発明の第3及び第4の態様に用いられる
ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、タリウム(Tl)
第14族(IVA)の酸化物
シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、鉛(Pb)
第15族(VA)の酸化物
ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)
すべての合成及び操作は、異なる記載がない限り、乾燥無酸素アルゴン又は窒素雰囲気下で、標準的なシュレンク又はグローブボックス技術を用いて実行した。すべての溶媒は使用前に適当な乾燥剤から精製される(THF、Et2O、トルエン、ヘキサン、ペンタンにはNa/K−ベンゾフェノン)。
InP/ZnO コア/シェルナノ粒子(赤)の調製
InPコア粒子を次のように作成した。200mlのセバシン酸ジ―n―ブチルエステル及び10gのミリスチン酸を60℃で三つ口丸底フラスコに入れ、N2でパージし、その後0.94gのZnSクラスター[HNEt3]4[Zn10S4(SPh)16]を加えた。反応を、それから30分間100℃に加熱し、その後、セバシン酸ジ―n―ブチルエステルに溶解している0.25Mの[In2(Ac)3(MA)3]を12ml、電子シリンジポンプを用いて15分間に亘って48ml/hrの速度で加えた。その後、同じ添加速度で12ml、0.25Mの(TMS)3Pを加えた。
InP/ZnS/ZnO コア/シェル/シェルナノ粒子の調製
InPコア粒子を次のように作成した。200mlのセバシン酸ジ―n―ブチルエステル及び10gのミリスチン酸を60℃で三つ口丸底フラスコに入れ、N2でパージし、その後0.94gのZnSクラスター[HNEt3]4[Zn10S4(SPh)16]を加えた。それから反応を30分間100℃に加熱し、その後、セバシン酸ジ―n―ブチルエステルに溶解している0.25Mの[In2(Ac)3(MA)3]を12ml、電子シリンジポンプを用いて15分間に亘って48ml/hrの速度で加えた。その後、同じ添加速度で12ml、0.25Mの(TMS)3Pを加えた。
3.13g(13.7mmol)のミリスチン酸及び6.75mlのセバシン酸ジ―n―ブチルエステルを脱気した。300mgのHFエッチングしたInPドット及び1.68g(9.15mmol)の無水酢酸亜鉛を室温で加えた。溶液を180℃にゆっくり加熱した。9.2ml(2.3mmol)の0.25Mの(TMS)2Sを滴加し、その完了後、混合物を30分間撹拌した。
3.13gのミリスチン酸及び6.75mlのセバシン酸ジ―n―ブチルエステルを脱気した。300mgのHFエッチングしたInPドット及び1.68gの無水酢酸亜鉛を室温で加えた。溶液を120℃にゆっくり加熱した。0.4ml(2.3mmol)のオクタンチオールを1つの分量で加え、温度を180℃に上昇させ、その温度で30分間維持した。
InP/Fe2O3 コア/シェルナノ粒子の調製及び特性
InPコア粒子を次のように作成した。200mlのセバシン酸ジ―n―ブチルエステル及び10gのミリスチン酸を60℃で三つ口丸底フラスコに入れ、N2でパージし、その後0.94gのZnSクラスター[HNEt3]4[Zn10S4(SPh)16]を加えた。反応を、それから30分間100℃に加熱し、その後、セバシン酸ジ―n―ブチルエステルに溶解している0.25Mの[In2(Ac)3(MA)3]を12ml、電子シリンジポンプを用いて15分間に亘って48ml/hrの速度で加えた。その後、12ml、0.25Mのセバシン酸ジ―n―ブチルエステルに溶解している(TMS)3P溶液を同じ添加速度で加えた。
赤発光のInPナノ粒子コアを実施例1にて説明したように製造した。
CdSe/Fe2O3(緑色発光を有する)の合成
代表的な合成において、100gのHDA(ヘキサデシルアミン)を120℃で1時間脱気した。それからフラスコを窒素でパージし、1.25gの[Et3NH]4[Cd10Se4(SPh)16]を100℃で固形物として1つの分量で加えた。溶液を260℃までゆっくり加熱して、約1時間この温度に保った。溶液を150℃に冷却して、更なる0.25gの[Et3NH]4[Cd10Se4(SPh)16]を加えた。溶液を260℃に更に1時間、又は最大発光ピークが550nmに到達するまで再加熱した。反応溶液を冷却し、過剰メタノールで沈殿させ、遠心分離及び窒素フローで乾燥させることによってCdSeナノ粒子を収集した。
CdSe/Fe2O3 コア/シェルナノ粒子(赤発光を有する)の調製
25gの分量のヘキサデシルアミン(HDA)を三つ口丸底フラスコに入れて、動的真空下で>1時間、120℃まで加熱することによって乾燥させて脱気した。溶液を60℃に冷却し、反応フラスコに窒素を充填し、標準的な空気のない技術を用いて及び次の試剤をフラスコに入れた。0.10gの[HNEt3]4[Cd10Se4(SPh)16]、2mlの予め混合された前駆体溶液(トリオクチルホスフィン中に溶解している0.25MのMe2Cd及び0.25Mのセレン元素の溶液)。温度を120℃に上昇させ、2時間撹拌した。この時点で、120℃から210℃への、〜0.2℃/minの速度でのプログラムされた温度勾配を始めた。同時に、更に4mLの予め混合された前駆体溶液を〜0.05ml/minの速度で滴加した。
ZnSe/Fe2O3 コア/シェルナノ粒子の調製
125mL丸底フラスコに25gのオクタデシルアミン及び回転棒を入れ、フラスコをシュレンクラインに取り付け、空にした。溶媒を乾燥させ、120℃の真空下で1時間脱気した。フラスコに窒素を充填し、温度を2時間に亘って120℃から340℃まで上昇させた。ここで、予め混合した前駆体溶液4mL(TOPに溶解している0.25Mのジエチル亜鉛及び0.25Mのセレン元素)をフラスコに注入した。前駆体溶液の注入に伴って反応温度はすぐに300℃に急落し、300℃で維持した。
CdTe/Fe2O3 コア/シェルナノ粒子の調製及び特性
125mL丸底フラスコに25gのヘキサデシルアミン及び回転棒を入れた。フラスコをシュレンクラインに取り付け、空にした。溶媒を乾燥させ、120℃の真空下で1時間脱気した。フラスコに窒素を充填し、温度を2時間に亘って120℃から260℃まで上昇させた。ここで、予め混合した前駆体溶液4mL(TOPに溶解している0.25Mのジメチルカドミウム及び0.25Mのテルリウム元素)を添加した。前駆体溶液の注入に伴って反応温度はすぐに240℃に急落し、5分間240℃で維持した。フラスコをマントルから取り除き、冷気の流れにさらすことによって温度を50℃に下げた。CdTeナノ粒子をメタノールで沈殿させ、遠心分離による沈殿物として分離させた。
InP/In2O3/ZnS/ZnO コア/シェルナノ粒子の調製及び特性
InP/In2O3コアの合成
コンデンサ、温度計及び磁気撹拌棒を装備する三つ口丸底フラスコにエステルを加え、それから100℃の真空下で2時間脱気した。温度は70℃まで下がり、窒素雰囲気下に置いた。
上記のように作製されるエステル及びコア、そしてウンデシレン酸を共に、コンデンサ、温度計及び磁気撹拌棒を装備する三つ口丸底フラスコに入れ、それから100℃の真空下で2時間脱気した。温度を70℃まで下げ、それから強い窒素フロー下でフラスコの1つの口に小さな分量で酢酸亜鉛を加えた。温度は100℃まで上昇し、それから反応を減少した圧力下で20分間空にし、それから窒素でパージした。そして更に2回空にして/パージした。温度は120℃に上昇し、それからオクタンチオールを1つの分量で加えた。温度は230℃まで上昇し、90分間保持した。温度は180℃に下がり、それからオクタンチオールを1つの分量で加え、180℃で30分間保持した。それから溶液を室温に冷却した。粒子が凝集するまで無水アセトニトリルを加え、それから沈殿をセリット充填した焼結漏斗で濾過した。沈殿を最初に熱いアセトニトリルで洗浄し(洗浄液を廃棄する)、それから熱い酢酸エチル(それはドットを溶解させる)で洗浄した。ドットを酢酸エチルに溶解させ、アセトニトリルを加えることによって再沈殿させた。最後に、沈澱させたドットを最小量のトルエンに溶解させ、不活性雰囲気に格納した。506nmで発光し、55nmの半値全幅(FWHM)で50%の量子収量(QY)を有する、InP/In2O3/ZnS/ZnOコア/シェルナノ粒子を作製した。
Claims (12)
- 周期表の第13族及び第15族からのイオンを、又は周期表の第12族及び第16族からのイオンを組み込んでいる半導体材料を含んでおり、コア量子収量を有するコアと、
周期表の第8族、第9族、第11族、第12族、又は第13族から選択された金属イオンを組み込んでいる金属酸化物材料を含んでおり、コアの外側に配置される少なくとも1つのシェル層と、
配位化合物を含む有機キャッピング層と、
を備えているナノ粒子であって、
内層と、当該内層の直ぐ外側で成長する外層とは、同じ格子形材料であり、
有機キャッピング層は、最外層であって、コア又は少なくとも1つのシェル層の表面原子との配位化合物の配位を介して形成され、
ナノ粒子の量子収量は、コア量子収量よりも大きい、ナノ粒子。 - 金属は、周期表の第8族から選択される、請求項1に記載のナノ粒子。
- 第8族の金属は、鉄である、請求項2に記載のナノ粒子。
- 酸化鉄は、FeO、Fe2O3及びFe3O4からなる群から選択された式を有する、請求項3に記載のナノ粒子。
- 酸化鉄は、γ−Fe2O3である、請求項3に記載のナノ粒子。
- 金属は、周期表の第11族から選択される、請求項1に記載のナノ粒子。
- 金属は、周期表の第12族から選択される、請求項1に記載のナノ粒子。
- 金属は、周期表の第13族から選択される、請求項1に記載のナノ粒子。
- 半導体材料に組み込まれた第13族のイオンは、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムからなる群から選択される、請求項1に記載のナノ粒子。
- 半導体材料に組み込まれた第15族のイオンは、リン化物、ヒ化物、及び窒化物からなる群から選択される、請求項1に記載のナノ粒子。
- コアと少なくとも1つのシェル層との間に配置された緩衝層を更に備える、請求項1に記載のナノ粒子。
- 緩衝層は、周期表の第2乃至16族の少なくとも1つから選択されたイオンを組み込んでいる半導体材料を含んでいる、請求項11に記載のナノ粒子。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0719073.9 | 2007-09-28 | ||
GB0719073A GB0719073D0 (en) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | Nanoparticles |
GB0719075A GB0719075D0 (en) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | Nanoparticles |
GB0719075.4 | 2007-09-28 | ||
US98094607P | 2007-10-18 | 2007-10-18 | |
US60/980,946 | 2007-10-18 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015209457A Division JP6276238B2 (ja) | 2007-09-28 | 2015-10-26 | ナノ粒子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018065738A true JP2018065738A (ja) | 2018-04-26 |
JP6567013B2 JP6567013B2 (ja) | 2019-08-28 |
Family
ID=40257371
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010526363A Active JP5830243B2 (ja) | 2007-09-28 | 2008-09-26 | ナノ粒子 |
JP2015209457A Active JP6276238B2 (ja) | 2007-09-28 | 2015-10-26 | ナノ粒子 |
JP2017193397A Active JP6567013B2 (ja) | 2007-09-28 | 2017-10-03 | ナノ粒子 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010526363A Active JP5830243B2 (ja) | 2007-09-28 | 2008-09-26 | ナノ粒子 |
JP2015209457A Active JP6276238B2 (ja) | 2007-09-28 | 2015-10-26 | ナノ粒子 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20100283005A1 (ja) |
EP (2) | EP2190944B1 (ja) |
JP (3) | JP5830243B2 (ja) |
KR (3) | KR101695966B1 (ja) |
CN (1) | CN101815774B (ja) |
AT (1) | ATE513890T1 (ja) |
AU (1) | AU2008303396B2 (ja) |
CA (1) | CA2700179C (ja) |
HK (1) | HK1155770A1 (ja) |
IL (2) | IL204558A (ja) |
TW (3) | TWI665164B (ja) |
WO (1) | WO2009040553A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021106362A1 (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 信越化学工業株式会社 | コアシェル型量子ドット及びコアシェル型量子ドットの製造方法 |
Families Citing this family (88)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1805347B1 (en) * | 2004-09-27 | 2013-06-26 | Technion Research And Development Foundation, Ltd. | Spray method for producing semiconductor nanoparticles |
GB2472541B (en) * | 2005-08-12 | 2011-03-23 | Nanoco Technologies Ltd | Nanoparticles |
US8784701B2 (en) | 2007-11-30 | 2014-07-22 | Nanoco Technologies Ltd. | Preparation of nanoparticle material |
US9095837B2 (en) | 2008-06-18 | 2015-08-04 | Broad of Trustees of the University of Arkansas | Renewable resource-based metal oxide-containing materials and applications of the same |
US8920688B2 (en) * | 2008-06-18 | 2014-12-30 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Microwave-assisted synthesis of transition metal phosphide |
US8753603B2 (en) | 2008-06-18 | 2014-06-17 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Microwave-assisted synthesis of carbon nanotubes from tannin, lignin, and derivatives |
US8647512B2 (en) | 2008-06-18 | 2014-02-11 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Use of magnetic carbon composites from renewable resource materials for oil spill clean up and recovery |
US9643165B2 (en) | 2008-06-18 | 2017-05-09 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Doped-carbon composites, synthesizing methods and applications of the same |
US20110171108A1 (en) * | 2008-06-18 | 2011-07-14 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Microwave-assisted synthesis of nanodiamonds from tannin, lignin, asphalt, and derivatives |
US8574337B2 (en) | 2008-06-18 | 2013-11-05 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Renewable resource-based metal-containing materials and applications of the same |
US8790615B2 (en) * | 2008-06-18 | 2014-07-29 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Methods of synthesizing carbon-magnetite nanocomposites from renewable resource materials and application of same |
GB0821122D0 (en) | 2008-11-19 | 2008-12-24 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods |
DE102008055468B4 (de) * | 2008-12-01 | 2010-09-02 | Nukem Technologies Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Herstellung von Brennstoffkernen |
GB2467162A (en) | 2009-01-26 | 2010-07-28 | Sharp Kk | Fabrication of nitride nanoparticles |
GB2467161A (en) * | 2009-01-26 | 2010-07-28 | Sharp Kk | Nitride nanoparticles |
WO2010102178A2 (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-10 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Air stable organic-inorganic nanoparticles hybrid solar cells |
EP2453484A4 (en) * | 2009-07-06 | 2013-12-04 | Toyota Motor Co Ltd | PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT |
GB0916699D0 (en) | 2009-09-23 | 2009-11-04 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle-based materials |
GB0916700D0 (en) | 2009-09-23 | 2009-11-04 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle-based materials |
GB201005601D0 (en) | 2010-04-01 | 2010-05-19 | Nanoco Technologies Ltd | Ecapsulated nanoparticles |
WO2011134165A1 (zh) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种铝酸盐基荧光材料及其制备方法 |
US9882199B2 (en) | 2010-11-09 | 2018-01-30 | Cornell University | Sulfur containing nanoporous materials, nanoparticles, methods and applications |
KR101311920B1 (ko) * | 2010-12-21 | 2013-09-26 | 한국생명공학연구원 | 란타나이드 금속착체를 이용한 형광 나노입자 및 그 제조방법 |
US20140150860A1 (en) * | 2011-05-16 | 2014-06-05 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinoi | Electronic device from dissipative quantum dots |
CN102241975B (zh) * | 2011-05-20 | 2013-06-19 | 河南科技大学 | 一种具有核壳结构的量子点及其制备方法 |
WO2012167398A1 (zh) * | 2011-06-07 | 2012-12-13 | 拜尔技术工程(上海)有限公司 | 一种制备核壳纳米粒子及其溶液的方法 |
CN102872774A (zh) * | 2011-07-11 | 2013-01-16 | 张�林 | 二氧化钛(壳)-掺杂物(核)复合材料及其制备方法 |
GB2494659A (en) | 2011-09-14 | 2013-03-20 | Sharp Kk | Nitride nanoparticles with high quantum yield and narrow luminescence spectrum. |
KR101888427B1 (ko) * | 2011-10-27 | 2018-08-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 양자점 및 이의 제조 방법 |
KR101960369B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2019-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전기영동 표시소자 및 그 제조 방법 |
US10079389B2 (en) | 2012-05-18 | 2018-09-18 | Xg Sciences, Inc. | Silicon-graphene nanocomposites for electrochemical applications |
US20130343969A1 (en) * | 2012-06-21 | 2013-12-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Particulate Materials for Uranium Extraction and Related Processes |
TWI596188B (zh) * | 2012-07-02 | 2017-08-21 | 奈米系統股份有限公司 | 高度發光奈米結構及其製造方法 |
US20140174905A1 (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Sunpower Technologies Llc | Photo-catalytic systems for the production of hydrogen |
US20140174906A1 (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Sunpower Technologies Llc | Photocatalytic system for the reduction of carbon dioxide |
US11366061B2 (en) | 2013-01-24 | 2022-06-21 | Grace Bio-Labs, Inc. | Protein microarray assay imager |
KR101788786B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2017-10-19 | 나노코 테크놀로지스 리미티드 | Iii-v/아연 칼코겐 화합물로 합금된 반도체 양자점 |
US20160137916A1 (en) * | 2013-06-25 | 2016-05-19 | Konica Minolta, Inc. | Optical material, optical film, and light-emitting device |
EP3026011B1 (en) * | 2013-07-19 | 2019-06-12 | LG Chem, Ltd. | Core-shell nanoparticles for transparent electrically-conductive thin film formation, and production method for transparent electrically-conductive thin film using same |
CN103450875B (zh) * | 2013-08-30 | 2015-03-25 | 中国科学院化学研究所 | 800nm连续激光激发的稀土上转换纳米颗粒(UCNPs)及其制备方法和用途 |
JP6313860B2 (ja) * | 2013-09-13 | 2018-04-18 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 分子クラスタ化合物からの金属酸化物ナノ粒子の合成 |
US20150083201A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Compas Industries Llc | Hybrid solar cell |
KR102373062B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2022-03-11 | 엑스지 사이언시즈, 인크. | 전기화학적 애플리케이션을 위한 실리콘 그래핀 나노복합물 |
KR20160105460A (ko) | 2014-01-06 | 2016-09-06 | 나노코 테크놀로지스 리미티드 | 카드뮴이 없는 양자점 나노입자 |
KR101525525B1 (ko) * | 2014-02-05 | 2015-06-03 | 삼성전자주식회사 | 나노 결정 입자 및 그의 제조 방법 |
JP6283257B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2018-02-21 | シャープ株式会社 | ナノ粒子蛍光体及びその製造方法 |
KR20150131652A (ko) | 2014-05-15 | 2015-11-25 | 현대자동차주식회사 | Li2S를 이용한 복합화된 양극 구조 |
WO2016100967A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Dimien Llc | Vanadium oxide compositions and systems and methods for creating them |
CN104549306B (zh) * | 2015-01-20 | 2017-06-23 | 中国人民大学 | 磁性Zn0/Fe3O4催化剂及其制备方法与应用 |
KR102537772B1 (ko) * | 2015-02-02 | 2023-05-30 | 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 | 양자도트의 제조방법 및 양자도트 |
KR101641016B1 (ko) * | 2015-02-11 | 2016-07-20 | 엘지전자 주식회사 | InP계 양자점 및 그 제조방법 |
US9890329B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-02-13 | National Tsing Hua University | Quantum dot nanocrystal structure |
KR102115679B1 (ko) | 2015-07-17 | 2020-05-26 | 티디케이 일렉트로닉스 아게 | 유전체 조성물, 유전체 소자, 전자 부품 및 다층 전자 부품 |
US9768404B1 (en) * | 2016-03-17 | 2017-09-19 | Apple Inc. | Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot LED displays |
US10700236B2 (en) | 2016-03-17 | 2020-06-30 | Apple Inc. | Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot LED displays |
WO2017204193A1 (ja) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | 富士フイルム株式会社 | コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム |
CN106046874B (zh) * | 2016-06-30 | 2018-12-25 | 浙江大学 | 一种用于临海混凝土结构的杀菌防腐涂料及其制备工艺 |
US20180009659A1 (en) | 2016-07-05 | 2018-01-11 | Nanoco Technologies Ltd. | Ligand conjugated quantum dot nanoparticles and methods of detecting dna methylation using same |
US20180011346A1 (en) | 2016-07-05 | 2018-01-11 | Nanoco Technologies Ltd. | Probe for targeting and manipulating mitochondrial function using quantum dots |
US20180067121A1 (en) | 2016-09-06 | 2018-03-08 | Nanoco Technologies Ltd. | Exosome-conjugated quantum dot nanoparticles and methods of detecting exosomes and cancer using same |
KR101971586B1 (ko) * | 2016-09-26 | 2019-06-18 | 고려대학교 산학협력단 | 단일 전자 점유된 양자점 및 이의 자성 제어방법 |
CN109790029B (zh) * | 2016-09-29 | 2022-04-29 | 富士胶片株式会社 | 含有半导体纳米粒子的分散液及薄膜 |
US20180133345A1 (en) | 2016-11-15 | 2018-05-17 | Nanoco Technologies Ltd. | Nano-Devices for Detection and Treatment of Cancer |
CN109982967B (zh) * | 2016-11-15 | 2020-02-18 | 富士胶片株式会社 | 核壳粒子、核壳粒子的制造方法及薄膜 |
US10610591B2 (en) | 2017-03-15 | 2020-04-07 | Nanoco Technologies Ltd. | Light responsive quantum dot drug delivery system |
KR102003989B1 (ko) * | 2017-09-04 | 2019-07-25 | 홍익대학교 산학협력단 | 양자점 패시베이션 방법 및 이를 이용한 양자점-산화물 복합체 제조 방법 |
WO2019077362A1 (en) | 2017-10-18 | 2019-04-25 | Nanoco Technologies Ltd | METHODS FOR IMPROVING MEDICAL IMAGING BASED ON 5-AMINOLEVULINIC ACID AND PHOTOTHERAPY |
CN107802845B (zh) * | 2017-11-02 | 2020-12-25 | 福州大学 | 一种使用丝素蛋白分子对疏水性纳米粒子相转换的方法 |
CN111556850B (zh) * | 2017-12-28 | 2023-10-20 | 昭荣化学工业株式会社 | 半导体纳米粒子和芯/壳型半导体纳米粒子 |
KR102556011B1 (ko) * | 2018-01-23 | 2023-07-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반도체 나노 결정과, 이를 포함하는 표시 장치 및 유기발광 표시 장치 |
JP7307046B2 (ja) * | 2018-02-15 | 2023-07-11 | 国立大学法人大阪大学 | コアシェル型半導体ナノ粒子、その製造方法および発光デバイス |
CN108940317A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-12-07 | 三明学院 | 一种Fe3O4@C-CoS-TiO2复合光催化剂及其制备方法 |
WO2020120970A1 (en) | 2018-12-13 | 2020-06-18 | Nanoco Technologies Ltd | Methods for enhancing indocyanine green medical imaging and phototherapy |
CN109548765B (zh) * | 2019-01-04 | 2024-01-02 | 鄱阳县黑金刚钓具有限责任公司 | 一种鱼钩及其制造方法 |
WO2020193751A1 (en) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | A method for producing an oxide shell around nanocrystals |
US20210190775A1 (en) | 2019-12-18 | 2021-06-24 | Nanoco Technologies Ltd. | Compositions and methods for tagging and detecting nucleic acids |
CN111668501B (zh) * | 2020-05-12 | 2022-09-06 | 武汉大学苏州研究院 | 燃料电池阳极催化剂及其制备方法和应用 |
CN111799051B (zh) * | 2020-06-02 | 2022-11-15 | 杭州电子科技大学 | 纳米γ-Fe2O3包覆纳米二氧化硅复合材料及制备方法和高频抗干扰磁芯 |
WO2021261334A1 (ja) * | 2020-06-23 | 2021-12-30 | 国立大学法人静岡大学 | 標的物質の検出又は定量のためのナノ粒子及びその製造方法、並びに標的物質の検出又は定量方法 |
US20220077354A1 (en) * | 2020-07-08 | 2022-03-10 | Nanosys, Inc. | Method of improving performance of devices with qds comprising thin metal oxide coatings |
US20220018837A1 (en) | 2020-07-17 | 2022-01-20 | Nanoco Technologies Ltd. | Method for the Detection of Surface-Mounted Biological Materials and Pathogens |
CN111834074B (zh) * | 2020-07-20 | 2021-04-20 | 南京工业大学 | 一种对以油酸为配体的Fe3O4纳米颗粒的进行提纯并合成磁性纳米搅拌子方法和应用 |
CN112174206A (zh) * | 2020-10-16 | 2021-01-05 | 成都先进金属材料产业技术研究院有限公司 | 乙酰丙酮氧钒为钒源直接制备二氧化钒的方法 |
CN112592713B (zh) * | 2020-12-22 | 2023-10-13 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种量子点材料及其制备方法和应用 |
CN113782747B (zh) * | 2021-09-10 | 2024-05-03 | 天能集团(河南)能源科技有限公司 | 一种铅酸蓄电池板栅高钙合金及其制备方法 |
EP4183825A1 (en) | 2021-11-23 | 2023-05-24 | SHPP Global Technologies B.V. | Thermoplastic film compositions having improved blue led light stability |
CN114160135B (zh) * | 2021-11-27 | 2023-10-31 | 郑州轻工业大学 | 磁性Fe3O4复合纳米材料的制备方法 |
CN115582552B (zh) * | 2022-10-10 | 2023-10-27 | 武汉理工大学 | 一种基于溶剂辅助两相合成策略改良金团簇的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005106082A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Nanoco Technologies Limited | Preparation of nanoparticle materials |
WO2007049052A2 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Nanoco Technologies Limited | Controlled preparation of nanoparticle materials |
JP2007130755A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ナノ粒子のコーティング方法 |
WO2007066934A1 (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-14 | Lg Chem, Ltd. | Core-shell type nanoparticles and method for preparing the same |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4609689A (en) * | 1984-04-27 | 1986-09-02 | Becton, Dickinson And Company | Method of preparing fluorescently labeled microbeads |
DE4444872A1 (de) * | 1994-12-16 | 1996-06-20 | Philips Patentverwaltung | Leuchtstoffpulver, Verfahren zu seiner Herstellung und Niederenergie-Kathodenstrahl-Display |
GB9518910D0 (en) * | 1995-09-15 | 1995-11-15 | Imperial College | Process |
DE69834559T3 (de) * | 1997-02-24 | 2011-05-05 | Cabot Corp., Boston | Sauerstoffhaltige Phosphorpulver, Verfahren zur Herstellung von Phosphorpulvern und Vorrichtung hiermit |
US6322901B1 (en) * | 1997-11-13 | 2001-11-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials |
US6699723B1 (en) * | 1997-11-25 | 2004-03-02 | The Regents Of The University Of California | Organo luminescent semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes |
US6306610B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-10-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Biological applications of quantum dots |
US6114038A (en) * | 1998-11-10 | 2000-09-05 | Biocrystal Ltd. | Functionalized nanocrystals and their use in detection systems |
US6660379B1 (en) * | 1999-02-05 | 2003-12-09 | University Of Maryland, Baltimore | Luminescence spectral properties of CdS nanoparticles |
US6984369B1 (en) * | 1999-10-28 | 2006-01-10 | The Regents Of The University Of California | Process for making surfactant capped metal oxide nanocrystals, and products produced by the process |
DE10164768A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-10-02 | Itn Nanovation Gmbh | Nanoskalige Kern-Hülle-Teilchen |
JP4567436B2 (ja) * | 2001-07-20 | 2010-10-20 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | 発光ナノ粒子およびそれらの調製方法 |
US6710366B1 (en) * | 2001-08-02 | 2004-03-23 | Ultradots, Inc. | Nanocomposite materials with engineered properties |
JP2003064278A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | コアシェル型半導体ナノ粒子 |
JP2003155415A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 超微粒子を含有する樹脂組成物及びその成形体 |
US20030106488A1 (en) * | 2001-12-10 | 2003-06-12 | Wen-Chiang Huang | Manufacturing method for semiconductor quantum particles |
JP4056272B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2008-03-05 | 株式会社日本触媒 | 紫外線発光体および紫外線発光体用酸化亜鉛粒子 |
US6962685B2 (en) * | 2002-04-17 | 2005-11-08 | International Business Machines Corporation | Synthesis of magnetite nanoparticles and the process of forming Fe-based nanomaterials |
JP3683265B2 (ja) * | 2002-05-28 | 2005-08-17 | 松下電器産業株式会社 | ナノ粒子の製造方法及び該製造方法によって製造されたナノ粒子 |
TWI273091B (en) * | 2002-09-06 | 2007-02-11 | Masakazu Kobayashi | Compound semiconductor particles and production process thereof |
JP2006508793A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-03-16 | イーテーエン ナノヴェイション ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ナノスケールのコア/シェル粒子およびその製造 |
US7767260B2 (en) * | 2003-01-22 | 2010-08-03 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Monodisperse core/shell and other complex structured nanocrystals and methods of preparing the same |
EP1648622A4 (en) * | 2003-07-21 | 2009-11-11 | Dendritic Nanotechnologies Inc | STABILIZED AND CHEMICALLY FUNCTIONALIZED NANOPARTICLES |
CN1312479C (zh) * | 2003-08-08 | 2007-04-25 | 清华大学 | 一种纳米荧光磁粒及其制备方法 |
US20070184975A1 (en) * | 2004-03-11 | 2007-08-09 | Postech Foundation | Photocatalyst including oxide-based nanomaterial |
US7745001B2 (en) * | 2004-03-23 | 2010-06-29 | University Of New Orleans Research And Technology Foundation, Inc. | Synthesis of nanoassemblies containing luminescent quantum dots and magnetic nanoparticles |
US20050265922A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-12-01 | Emory University | Multimodality nanostructures, methods of fabrication thereof, and methods of use thereof |
KR100621309B1 (ko) * | 2004-04-20 | 2006-09-14 | 삼성전자주식회사 | 황 전구체로서 싸이올 화합물을 이용한 황화 금속나노결정의 제조방법 |
US7588828B2 (en) * | 2004-04-30 | 2009-09-15 | Nanoco Technologies Limited | Preparation of nanoparticle materials |
US7261940B2 (en) * | 2004-12-03 | 2007-08-28 | Los Alamos National Security, Llc | Multifunctional nanocrystals |
JP4928775B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2012-05-09 | 株式会社日立ソリューションズ | 半導体ナノ粒子表面修飾方法 |
KR100746312B1 (ko) * | 2005-03-14 | 2007-08-03 | 한국화학연구원 | 수용성 산화철 나노 입자 및 이의 제조방법 |
DE102005018452A1 (de) * | 2005-04-20 | 2006-10-26 | Degussa Ag | Herstellung von Zinkoxid-Nanopartikeln und diese als UV-Schutzmittel enthaltende transparente Kunststoffgläser |
JP4841628B2 (ja) * | 2005-06-25 | 2011-12-21 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | ナノ構造体及びそれを採用した発光ダイオードとその製造方法 |
ITRM20050379A1 (it) * | 2005-07-15 | 2007-01-16 | Rubeis Francesco De | Dispositivo per il livellamento di un supporto, in particolare di un supporto per macchine fotografiche e cineprese. |
GB2472541B (en) * | 2005-08-12 | 2011-03-23 | Nanoco Technologies Ltd | Nanoparticles |
CN101313222A (zh) * | 2005-11-22 | 2008-11-26 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发光粒子和使用发光粒子探测生物实体的方法 |
US20090226724A1 (en) * | 2005-11-28 | 2009-09-10 | National Research Council Of Canada | Multifunctional nanostructure and method |
JP2007204289A (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Nagoya Institute Of Technology | 酸化亜鉛ナノ粒子の合成方法 |
KR100745745B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2007-08-02 | 삼성전기주식회사 | 나노복합재료 및 그 제조방법 |
GB0606845D0 (en) * | 2006-04-05 | 2006-05-17 | Nanoco Technologies Ltd | Labelled beads |
JP4750051B2 (ja) * | 2007-02-05 | 2011-08-17 | 日本合成化学工業株式会社 | 光学部材用架橋樹脂組成物及び光学部材 |
US8563348B2 (en) * | 2007-04-18 | 2013-10-22 | Nanoco Technologies Ltd. | Fabrication of electrically active films based on multiple layers |
US20080264479A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-10-30 | Nanoco Technologies Limited | Hybrid Photovoltaic Cells and Related Methods |
-
2008
- 2008-09-26 KR KR1020157023265A patent/KR101695966B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-26 US US12/239,254 patent/US20100283005A1/en not_active Abandoned
- 2008-09-26 CA CA2700179A patent/CA2700179C/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-26 EP EP08806438A patent/EP2190944B1/en active Active
- 2008-09-26 KR KR1020107009280A patent/KR101575114B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-26 CN CN200880109049.3A patent/CN101815774B/zh active Active
- 2008-09-26 JP JP2010526363A patent/JP5830243B2/ja active Active
- 2008-09-26 KR KR1020177000530A patent/KR101813688B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-26 AU AU2008303396A patent/AU2008303396B2/en not_active Ceased
- 2008-09-26 AT AT08806438T patent/ATE513890T1/de not_active IP Right Cessation
- 2008-09-26 EP EP11002502.0A patent/EP2341117B1/en active Active
- 2008-09-26 WO PCT/GB2008/003288 patent/WO2009040553A2/en active Application Filing
- 2008-09-30 TW TW105132095A patent/TWI665164B/zh active
- 2008-09-30 TW TW103132676A patent/TWI656099B/zh active
- 2008-09-30 TW TW097137502A patent/TWI457272B/zh active
-
2010
- 2010-03-16 IL IL204558A patent/IL204558A/en active IP Right Grant
- 2010-06-14 HK HK11109750.8A patent/HK1155770A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2015
- 2015-10-26 JP JP2015209457A patent/JP6276238B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-02 IL IL243923A patent/IL243923A0/en unknown
-
2017
- 2017-04-13 US US15/487,218 patent/US20170218268A1/en not_active Abandoned
- 2017-10-03 JP JP2017193397A patent/JP6567013B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005106082A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Nanoco Technologies Limited | Preparation of nanoparticle materials |
WO2007049052A2 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Nanoco Technologies Limited | Controlled preparation of nanoparticle materials |
JP2007130755A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ナノ粒子のコーティング方法 |
WO2007066934A1 (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-14 | Lg Chem, Ltd. | Core-shell type nanoparticles and method for preparing the same |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021106362A1 (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 信越化学工業株式会社 | コアシェル型量子ドット及びコアシェル型量子ドットの製造方法 |
JP2021084839A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 信越化学工業株式会社 | コアシェル型量子ドット及びコアシェル型量子ドットの製造方法 |
JP7190420B2 (ja) | 2019-11-29 | 2022-12-15 | 信越化学工業株式会社 | コアシェル型量子ドットの製造方法 |
TWI836162B (zh) * | 2019-11-29 | 2024-03-21 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 核殼型量子點的製造方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6567013B2 (ja) | ナノ粒子 | |
JP6114369B2 (ja) | ナノ粒子 | |
US7867556B2 (en) | Controlled preparation of nanoparticle materials | |
US7867557B2 (en) | Nanoparticles | |
EP3044287B1 (en) | Synthesis of metal oxide semiconductor nanoparticles from a molecular cluster compound | |
KR20070064554A (ko) | 나노입자의 제조 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171010 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171010 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20181126 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190730 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6567013 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |