JP2018014492A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 基板処理システムのための基板支持体であって、
   ベースプレートと、
   前記ベースプレート上に設けられた接着層と、
   前記接着層上に配置されたセラミック層と、を備え、
   前記セラミック層は、第１の領域と、前記第１の領域の半径方向外側に位置する第２の領域とを含み、
   前記第１の領域は第１の厚さを有し、
   前記第２の領域は第２の厚さを有し、
   前記第１の厚さは、前記第２の厚さより大きく、
   前記ベースプレートは、伝熱ガスを前記セラミック層の裏面に供給するように配置された伝熱ガス供給孔を備え、
   前記伝熱ガス供給孔は、前記第１の領域の下ではなく前記第２の領域の外縁の下に配置される、基板支持体。
2. 請求項１に記載の基板支持体であって、
   前記第１の領域は、前記セラミック層の中央領域に対応し、前記第２の領域は、前記中央領域を囲む環状領域に対応する、基板支持体。
3. 請求項１に記載の基板支持体であって、
   前記第１の厚さは２ミリメータより大きく、前記第２の厚さは２ミリメータより小さい、基板支持体。
4. 請求項１に記載の基板支持体であって、
   前記セラミック層は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に第３の領域を備える、基板支持体。
5. 請求項４に記載の基板支持体であって、
   前記第３の領域は、前記第１の領域と前記第２の領域との間で変化する第３の厚さを有する移行領域に対応する、基板支持体。
6. 請求項４に記載の基板支持体であって、
   前記第３の領域には、段差、面取り、および湾曲のうちの１つが施されている、基板支持体。
7. 請求項１に記載の基板支持体であって、
   前記セラミック層は、セラミックディスクと、前記セラミックディスク上に配置されたセラミックプレートとを含む、基板支持体。
8. 請求項７に記載の基板支持体であって、さらに、
   前記セラミックディスクと前記セラミックプレートとの間に設けられた第２の接着層を備える、基板支持体。
9. 請求項７に記載の基板支持体であって、
   前記セラミックディスクおよび前記セラミックプレートの内側部分は、前記第１の領域に対応し、
   前記セラミックディスクおよび前記セラミックプレートの前記内側部分は、前記第１の厚さを規定する、基板支持体。
10. 請求項９に記載の基板支持体であって、
    前記セラミックプレートの外側部分は、前記第２の領域に対応し、
    前記セラミックプレートの前記外側部分は、前記第２の厚さを規定する、基板支持体。
11. 請求項７に記載の基板支持体であって、
    前記セラミックプレートは、第１の材料を含み、
    前記セラミックディスクは、第２の材料を含む、基板支持体。
12. 基板処理システムのための基板支持体であって、
    ベースプレートと、
    前記ベースプレート上に設けられた接着層と、
    前記接着層上に配置されたセラミック層と、
    前記ベースプレートと前記セラミック層との間に設けられた誘電体フィラー層と、を備え、
    前記セラミック層は、内側部分および外側部分を含み、
    前記誘電体フィラー層および前記セラミック層の前記内側部分は、第１の領域を規定し、
    前記セラミック層の前記外側部分は、前記第１の領域の半径方向外側に位置する第２の領域を規定し、
    前記第１の領域は第１の厚さを有し、
    前記第２の領域は第２の厚さを有し、
    前記第１の厚さは、前記第２の厚さより大きく、
    前記ベースプレートは、伝熱ガスを前記セラミック層の裏面に供給するように配置された伝熱ガス供給孔を備え、
    前記伝熱ガス供給孔は、前記第１の領域の下ではなく前記第２の領域の外縁の下に配置される、基板支持体。
13. 請求項１２に記載の基板支持体であって、
    前記第１の厚さは、２ミリメータより大きく、前記第２の厚さは、２ミリメータより小さい、基板支持体。
14. 請求項１２に記載の基板支持体であって、
    前記セラミック層および前記誘電体フィラー層は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置する第３の領域を規定する、基板支持体。
15. 請求項１４に記載の基板支持体であって、
    前記第３の領域は、前記第１の領域と前記第２の領域との間で変化する第３の厚さを有する移行領域に対応する、基板支持体。
16. 請求項１４に記載の基板支持体であって、
    前記第３の領域には、段差、面取り、および湾曲のうちの１つが施されている、基板支持体。