JP2018014475A - マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置 - Google Patents

マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018014475A
JP2018014475A JP2016185382A JP2016185382A JP2018014475A JP 2018014475 A JP2018014475 A JP 2018014475A JP 2016185382 A JP2016185382 A JP 2016185382A JP 2016185382 A JP2016185382 A JP 2016185382A JP 2018014475 A JP2018014475 A JP 2018014475A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
micro led
cmos
display device
array display
semiconductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016185382A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6131374B1 (ja
Inventor
ハン ビッ チャン，
Hanbeet Chang
ハン ビッ チャン，
ウン ソン シン，
Eunsung Shin
ウン ソン シン，
ヒョン ヨン チョ，
Hyunyong Cho
ヒョン ヨン チョ，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lumens Co Ltd
Original Assignee
Lumens Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lumens Co Ltd filed Critical Lumens Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of JP6131374B1 publication Critical patent/JP6131374B1/ja
Publication of JP2018014475A publication Critical patent/JP2018014475A/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

【課題】ＣＭＯＳバックプレーン上の各ＣＭＯＳセルに、マイクロＬＥＤパネルに含まれる各マイクロＬＥＤピクセルがそれぞれ対応するように形成されたマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】マイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置は、複数のマイクロＬＥＤピクセル１３０を含むマイクロＬＥＤパネル１００と、各マイクロＬＥＤピクセルにそれぞれ対応する複数のＣＭＯＳセル２３０を含むＣＭＯＳバックプレーン２００と、各マイクロＬＥＤピクセルと各ＣＭＯＳセルとがそれぞれ向い合うように配置され、各マイクロＬＥＤピクセルと各マイクロＬＥＤピクセルに対応するＣＭＯＳセルとをそれぞれ電気的に連結する各バンプ３００と、を備え、各マイクロＬＥＤピクセルは、ＣＭＯＳバックプレーン上に形成された各ＣＭＯＳセルにそれぞれ対応するように各バンプを用いてフリップチップボンディングされて個別的に制御される。
【選択図】図４

Description

本発明は、マイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置に関し、より詳細には、ＬＥＤチップの製造時、エッチング工程で一つのマイクロＬＥＤパネル上に複数のマイクロＬＥＤピクセルを配列し、その状態のマイクロＬＥＤパネルを、各バンプを用いてＣＭＯＳバックプレーン（Ｂａｃｋｐｌａｎｅ）上にフリップチップボンディングし、各マイクロＬＥＤピクセルを個別的に駆動可能に構成してマイクロディスプレイ用に使用するマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置に関する。
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）は、低電力消費と環境に優しいという側面でその需要が爆発的に増加しており、照明装置やＬＣＤ表示装置のバックライト用のみならず、ディスプレイ装置にも広く適用されている。
ＬＥＤは、電気エネルギーを光に変換する固体素子の一種であって、基本的に、二つのドーピング層、即ちｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に介在する活性層を含み、二つのドーピング層間に電圧が印加されると、電子と正孔が活性層に注入された後、活性層内で再結合することによって光が発生する原理を用いている。ＬＥＤは、比較的低い電圧で駆動が可能であると共に、高いエネルギー効率によって発熱が低いという特徴を有する。ＬＥＤは、様々なタイプに製造されるが、これらの様々なタイプのうち、特に、マイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置の製造に使用されるタイプとして、一つのウエハー上に複数のマイクロＬＥＤピクセルを形成したタイプがある。このように、一つのウエハー上に複数のマイクロＬＥＤピクセルを形成することによってマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置を製造する場合、従来は、チップ製造工程を通じて各ピクセルにｐ極とｎ極の２端子を形成した後、信号ラインの縦横軸に配列して駆動していた。この場合、各マイクロＬＥＤピクセルに対して信号制御を担当する各素子が周辺領域に別途に形成されなければならないことから、マイクロＬＥＤアレイディスプレイのサイズが大きくなり、縦横軸にアレイされた数多くのデータラインを各マイクロＬＥＤピクセルとワイヤボンディングで連結しなければならないため、その工程が複雑になり、多くの不便さを伴う。
また、一つの基板上に複数のマイクロＬＥＤピクセルを形成する場合、一つの基板上に赤色、緑色、及び青色の光を発光する構造物を形成する際の技術的な限界により、マイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置においてＬＥＤ光源を使用する場合、従来は単色のみで具現するしかないという問題があった。従って、これらの問題を解決するための方案が当該技術分野で要求されている。
韓国登録特許第１０−１１５０８６１号公報 韓国登録特許第１０−０４７０９０４号公報
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、マイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置を製造する際に、各マイクロＬＥＤピクセルと各種データラインとのワイヤボンディング作業の複雑さと不便さを解消し、各マイクロＬＥＤピクセルをそれぞれ個別的に制御可能にするために、ＣＭＯＳバックプレーン上に形成された各ＣＭＯＳセルに各マイクロＬＥＤピクセルがそれぞれ対応するように各バンプを用いてフリップチップボンディングされたマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置を提供することにある。
また本発明の目的は、一つの基板上に複数のマイクロＬＥＤピクセルを形成する場合、基板上に赤色、緑色、及び青色の光を発光する構造を形成する際の困難さを解決するために、ＣＭＯＳバックプレーン上にフリップチップボンディングされたマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置は、複数のマイクロＬＥＤピクセルを含むマイクロＬＥＤパネルと、各マイクロＬＥＤピクセルにそれぞれ対応する複数のＣＭＯＳセルを含むＣＭＯＳバックプレーンと、前記各マイクロＬＥＤピクセルと前記各マイクロＬＥＤピクセルに対応する各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ向い合うように配置し、前記各マイクロＬＥＤピクセルと前記各マイクロＬＥＤピクセルに対応する前記各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ電気的に連結した各バンプと、を備え、前記各マイクロＬＥＤピクセルは、前記ＣＭＯＳバックプレーン上に形成された前記各ＣＭＯＳセルにそれぞれ対応するように前記各バンプを用いてフリップチップボンディングされて個別的に制御されることを特徴とする。
前記各マイクロＬＥＤピクセルは、基板上に第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を順次含む垂直構造を有し、前記基板上の前記マイクロＬＥＤピクセルが形成されない部分は、前記活性層及び前記第２導電型半導体層が除去されて前記第１導電型半導体層が露出し得る。
前記マイクロＬＥＤピクセルが形成されない部分の第１導電型半導体層上には、前記各マイクロＬＥＤピクセルと離隔するように第１導電型メタル層が形成され得る。
前記第１導電型メタル層は、前記第１導電型半導体層上に前記マイクロＬＥＤパネルの外郭に沿って形成され得る。
前記第１導電型メタル層の厚さは、前記各マイクロＬＥＤピクセルの厚さと同一であり得る。
前記第１導電型メタル層は、前記各マイクロＬＥＤピクセルの共通電極として機能し得る。
前記ＣＭＯＳバックプレーンは、前記第１導電型メタル層に対応するように形成された共通セルを含み、前記第１導電型メタル層と前記共通セルとは、共通バンプによって電気的に連結され得る。
前記第１導電型半導体層はｎ型であり、前記第２導電型半導体層はｐ型であり得る。
前記基板は、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ガラス、及びＺｎＯのうちのいずれか一つからなり得る。
前記各バンプは、前記各ＣＭＯＳセルに対応してそれぞれ形成され、前記各ＣＭＯＳセルと前記各ＣＭＯＳセルに対応する前記各マイクロＬＥＤピクセルとをそれぞれ電気的に連結し得る。
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様によるフルカラーを具現するためのマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置は、複数のマイクロＬＥＤピクセルをそれぞれ含み、それぞれ異なる波長帯域の光を発光する第１〜第３マイクロＬＥＤパネルと、各マイクロＬＥＤピクセルにそれぞれ対応する複数のＣＭＯＳセルを含む単一ＣＭＯＳバックプレーンと、前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、前記各マイクロＬＥＤピクセルと前記各マイクロＬＥＤピクセルに対応する各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ向い合うように配置し、前記各マイクロＬＥＤピクセルと前記各マイクロＬＥＤピクセルに対応する前記各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ電気的に連結した各バンプと、を備え、前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、前記各マイクロＬＥＤピクセルは、前記ＣＭＯＳバックプレーン上に形成された前記各ＣＭＯＳセルにそれぞれ対応するように前記各バンプを用いてフリップチップボンディングされて個別的に制御されることを特徴とする。
本発明は、ＣＭＯＳバックプレーン上に形成された各ＣＭＯＳセルに各マイクロＬＥＤピクセルがそれぞれ対応するように各バンプを用いてフリップチップボンディングされた新しい概念のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置を提供する。これによって、既存の工程の各マイクロＬＥＤピクセルと各種データラインとのワイヤボンディング作業の複雑さと不便さを解消し、各マイクロＬＥＤピクセルを個別的に制御することができる。
更に、単一ＣＭＯＳバックプレーンに、赤色、緑色、及び青色の光のそれぞれを発光する複数のマイクロＬＥＤパネルを、各バンプを用いてフリップチップボンディングし、光学系を用いて三つの色相を１ヶ所に集中させることによってフルカラーの具現を可能にすることから、従来の一つの基板上に複数のマイクロＬＥＤピクセルを形成する場合に、基板上に赤色、緑色、及び青色の光を発光する構造を形成する際の技術的困難さを解消できるという効果を有する。
本発明の一実施形態によるマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置のマイクロＬＥＤパネルの一例を示す図である。 図１に示したマイクロＬＥＤパネルとマイクロＬＥＤパネル上の各マイクロＬＥＤピクセルを個別的に駆動するための複数のＣＭＯＳセルを含むＣＭＯＳバックプレーンとを示す図である。 図２に示したマイクロＬＥＤパネルとＣＭＯＳバックプレーンとを各バンプを用いて電気的に連結するために、各バンプをＣＭＯＳバックプレーン上に配置した状態を示す図である。 図３に示した各バンプが配置されたＣＭＯＳバックプレーン上にマイクロＬＥＤパネルを向かい合うように配置し、マイクロＬＥＤパネル上の各マイクロＬＥＤピクセルとＣＭＯＳバックプレーン上の各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ電気的に連結した状態を示す図である。 本発明の一実施形態によるフルカラーを具現するための赤色、緑色、及び青色の光を発光するそれぞれのマイクロＬＥＤパネルに形成された各マイクロＬＥＤピクセルに対応する各ＣＭＯＳセルにそれぞれ電気的に連結するために、単一ＣＭＯＳバックプレーン上にＣＭＯＳセル領域をそれぞれ形成して各ＣＭＯＳセル上に各バンプをそれぞれ配置した状態を示す図である。 図５に示した赤色、緑色、及び青色のそれぞれのマイクロＬＥＤパネルを、各バンプ３０００を用いて単一ＣＭＯＳバックプレーンに電気的に連結した状態を示す図である。 本発明の一実施形態によるフルカラーを具現するためのマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置の駆動を簡略に説明するための図である。
本発明は、メサエッチング工程でマイクロＬＥＤピクセルを配列し、これをＣＭＯＳバックプレーン上にフリップチップボンディングすることによって、ＨＭＤ（Ｈｅａｄ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｉｓｐｌａｙ）又はＨＵＤ（Ｈｅａｄ Ｕｐ Ｄｉｓｐｌａｙ）などのマイクロディスプレイ（Ｍｉｃｒｏ Ｄｉｓｐｌａｙ）に適用可能にしたマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置に関する。本発明は、ＬＥＤチップの製造時、メサエッチング工程で各マイクロＬＥＤピクセルを配列し、これらを個別的に駆動可能なようにＣＭＯＳバックプレーン上にフリップチップボンディングする。また、本発明は、赤色、緑色、及び青色を有する三つの素子、即ち各マイクロＬＥＤパネルをＣＭＯＳバックプレーン上に配列することによってフルカラーを具現する。
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。各図面及び実施形態は、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に理解できるように簡略化して例示したものであって、各図面及び実施形態が本発明の範囲を限定するものと解釈してはならない。
図１は、本発明の一実施形態によるマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置のマイクロＬＥＤパネル１００の一例を示す図であり、図２は、図１に示したマイクロＬＥＤパネル１００とマイクロＬＥＤパネル１００上の各マイクロＬＥＤピクセルを個別的に駆動するための複数のＣＭＯＳセルを含むＣＭＯＳバックプレーン２００とを示す図であり、図３は、図２に示したマイクロＬＥＤパネル１００とＣＭＯＳバックプレーン２００とを各バンプ３００を用いて電気的に連結するために、各バンプ３００をＣＭＯＳバックプレーン２００上に配置した状態を示す図であり、図４は、図３に示した各バンプ３００が配置されたＣＭＯＳバックプレーン２００上にマイクロＬＥＤパネル１００を向かい合うように配置し、マイクロＬＥＤパネル１００上の各マイクロＬＥＤピクセルとＣＭＯＳバックプレーン２００上の各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ電気的に連結した状態を示す図である。
先ず、図１〜図４を参照して、本発明の一実施形態によるマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置に関して説明する。本実施形態によるマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置は、マイクロＬＥＤパネル１００、ＣＭＯＳバックプレーン２００、及び各バンプ３００を含む。マイクロＬＥＤパネル１００は、複数のマイクロＬＥＤピクセル１３０を含み、ＣＭＯＳバックプレーン２００は、各マイクロＬＥＤピクセル１３０をそれぞれ個別的に駆動するために各マイクロＬＥＤピクセル１３０にそれぞれ対応する複数のＣＭＯＳセル２３０を含む。そして、各バンプ３００は、各マイクロＬＥＤピクセル１３０と、各マイクロＬＥＤピクセル１３０に対応する各ＣＭＯＳセル２３０とがそれぞれ向い合うように配置された状態で、各マイクロＬＥＤピクセル１３０と、各マイクロＬＥＤピクセル１３０に対応する各ＣＭＯＳセル２３０とをそれぞれ電気的に連結する。本明細書内において、各マイクロＬＥＤピクセル及び各ＣＭＯＳセルの参照符号は、便宜上、それぞれ一つのマイクロＬＥＤピクセルと一つのＣＭＯＳセルに対して１３０と２３０として表示した。このような構成を通じて、ＣＭＯＳバックプレーン２００上に形成された各ＣＭＯＳセル２３０に各マイクロＬＥＤピクセル１３０がそれぞれ対応するように各バンプ３００を用いてフリップチップボンディングすることによって、マイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置は、各マイクロＬＥＤピクセル１３０を個別的に制御する。
マイクロＬＥＤパネル１００は、基板１１０上に第１導電型半導体層１３２、活性層１３４、及び第２導電型半導体層１３６を順次成長させた後でエッチングされる。従って、マイクロＬＥＤパネル１００上の各マイクロＬＥＤピクセル１３０は、このような過程を経て形成された垂直構造を有し、個々のマイクロＬＥＤピクセル１３０の垂直構造は、基板１１０上に第１導電型半導体層１３２、活性層１３４、及び第２導電型半導体層１３６を含む。基板１１０は、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ガラス、及びＺｎＯのうちのいずれか一つからなる。そして、第１導電型半導体層１３２はｎ型半導体層であり、第２導電型半導体層１３６はｐ型半導体層である。活性層１３４は、電源の印加時、第１導電型半導体層１３２と第２導電型半導体層１３６から供給される電子と正孔とが再結合される領域である。
マイクロＬＥＤパネル１００において、エッチングされた部分、即ちマイクロＬＥＤピクセル１３０が形成されない部分１２０は、第２導電型半導体層１３６と活性層１３４が除去されて第１導電型半導体層１３２が露出する。このようにマイクロＬＥＤパネル１００において、マイクロＬＥＤピクセル１３０が形成されない部分１２０の第１導電型半導体層１３２上には、各マイクロＬＥＤピクセル１３０と離隔するように第１導電型メタル層１４０が形成される。第１導電型メタル層１４０は、第１導電型半導体層１３２上に、マイクロＬＥＤパネル１００の外郭に沿って所定の幅を有するように形成される。第１導電型メタル層１４０の厚さは、各マイクロＬＥＤピクセル１３０の厚さと概略同一に形成される。第１導電型メタル層１４０は、共通バンプ３４０によってＣＭＯＳバックプレーン２００に電気的に連結され、各マイクロＬＥＤピクセル１３０の共通電極として機能する。例えば、第１導電型メタル層１４０は共通接地である。
ＣＭＯＳバックプレーン２００は、各マイクロＬＥＤピクセル１３０をそれぞれ個別的に駆動するための複数のＣＭＯＳセル２３０を含む。各ＣＭＯＳセル２３０は、各バンプ３３０を通じて、対応する各マイクロＬＥＤピクセルにそれぞれ電気的に連結される。各ＣＭＯＳセル２３０は、対応する各マイクロＬＥＤピクセルを個別的に駆動するための集積回路である。ＣＭＯＳバックプレーン２００は、例えばＡＭ（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）パネルである。従って、各ＣＭＯＳセル２３０は、二つのトランジスタ及び一つのキャパシタを含む（図示せず）ピクセル駆動回路である。各バンプ３００を用いてＣＭＯＳバックプレーン２００にマイクロＬＥＤパネル１００をフリップチップボンディングすると、等価回路上、ピクセル駆動回路のトランジスタのドレイン端子（図示せず）と共通接地端子（例えば、参照符号２４０）との間に個々のマイクロＬＥＤピクセルが配置された形態になる。
ＣＭＯＳバックプレーン２００は、第１導電型メタル層１４０に対応する位置に形成された共通セル２４０を含み、第１導電型メタル層１４０と共通セル２４０とは共通バンプ３４０によって電気的に連結される。本明細書では、複数のＣＭＯＳセルと、各ＣＭＯＳセルに対応する各マイクロＬＥＤピクセルとをそれぞれ電気的に連結する各バンプ３３０と、第１導電型メタル層１４０と共通セル２４０とを電気的に連結する共通バンプ３４０との両方を含む用語として「各バンプ３００」を使用することもある。
図３に示したように、各バンプ３３０及び共通バンプ３４０が各ＣＭＯＳセル２３０及び共通セル２４０の上部にそれぞれ配置されたＣＭＯＳバックプレーン２００とマイクロＬＥＤパネル１００とを互いに向かい合わせ、各ＣＭＯＳセル２３０と各マイクロＬＥＤピクセル１３０とをそれぞれ１対１に対応させて密着させた後で加熱すると、各バンプ３３０及び共通バンプ３４０が溶け、それによって、各ＣＭＯＳセル２３０と、各ＣＭＯＳセル２３０に対応する各マイクロＬＥＤピクセル１３０とが図４に示したようにそれぞれ電気的に連結され、共通セル２４０と第１導電型メタル層１４０とが電気的に連結された状態になる。
次に、図５及び図６を参照して、上記マイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置でフルカラーを具現した実施形態を説明する。図５は、本発明の一実施形態によるフルカラーを具現するための赤色、緑色、及び青色の光を発光するそれぞれのマイクロＬＥＤパネル１１００、１２００、１３００に形成された各マイクロＬＥＤピクセルに対応する各ＣＭＯＳセルにそれぞれ電気的に連結するために、単一ＣＭＯＳバックプレーン２０００上にＣＭＯＳセル領域２１００、２２００、２３００をそれぞれ形成して各ＣＭＯＳセル上に各バンプ３０００をそれぞれ配置した状態を示す図であり、図６は、図５に示した赤色、緑色及び、青色のそれぞれのマイクロＬＥＤパネル１１００、１２００、１３００を、各バンプ３０００を用いて単一ＣＭＯＳバックプレーン２０００に電気的に連結した状態を示す図である。
図５及び図６を参照すると、フルカラーを具現するためのマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置は、第１マイクロＬＥＤパネル１１００、第２マイクロＬＥＤパネル１２００、及び第３マイクロＬＥＤパネル１３００を含み、各マイクロＬＥＤパネル（１１００、１２００、１３００）は、アレイ形態の複数のマイクロＬＥＤピクセルをそれぞれ含む。第１マイクロＬＥＤパネル１１００、第２マイクロＬＥＤパネル１２００、及び第３マイクロＬＥＤパネル１３００のそれぞれは、それぞれ異なる波長帯域の光を発光する。例えば、第１マイクロＬＥＤパネル１１００は赤色の光を発光し、第２マイクロＬＥＤパネル１２００は緑色の光を発光し、第３マイクロＬＥＤパネル１３００は青色の光を発光するように構成される。また、フルカラーを具現するためのマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置は、第１マイクロＬＥＤパネル１１００、第２マイクロＬＥＤパネル１２００、及び第３マイクロＬＥＤパネル１３００のそれぞれに含まれる各マイクロＬＥＤピクセルをそれぞれ個別的に駆動するための単一ＣＭＯＳバックプレーン２０００を含む。単一ＣＭＯＳバックプレーン２０００は、第１マイクロＬＥＤパネル１１００、第２マイクロＬＥＤパネル１２００、及び第３マイクロＬＥＤパネル１３００のそれぞれに含まれる各マイクロＬＥＤピクセルにそれぞれ対応する複数のＣＭＯＳセルを含む。単一ＣＭＯＳバックプレーン２０００には、各マイクロＬＥＤパネル（１１００、１２００、１３００）が配置されるように各マイクロＬＥＤパネル（１１００、１２００、１３００）に対応する各ＣＭＯＳセル領域（２１００、２２００、２３００）がそれぞれ形成されており、各ＣＭＯＳセル領域（２１００、２２００、２３００）に各マイクロＬＥＤパネル（１１００、１２００、１３００）がそれぞれフリップチップボンディングされる。単一ＣＭＯＳバックプレーン２０００に各マイクロＬＥＤパネル（１１００、１２００、１３００）がフリップチップボンディングされ、各ＣＭＯＳセルと各マイクロＬＥＤピクセルとをそれぞれ電気的に連結させるため、各ＣＭＯＳセル領域（２１００、２２００、２３００）には、各マイクロＬＥＤパネル（１１００、１２００、１３００）に含まれる複数のマイクロＬＥＤピクセルに対応するように複数のＣＭＯＳセルがそれぞれ形成される。このような各ＣＭＯＳセルと各マイクロＬＥＤピクセルは、各バンプ３０００を介してそれぞれ電気的に連結される。単一ＣＭＯＳバックプレーン２０００に各マイクロＬＥＤパネル（１１００、１２００、１３００）をフリップチップボンディングする過程は、図１〜図４を参照して説明したＣＭＯＳバックプレーン２００にマイクロＬＥＤパネル１００をフリップチップボンディングする過程と同様である。
また、単一ＣＭＯＳバックプレーン２０００上には、各ＣＭＯＳセル領域（２１００、２２００、２３００）に共通セルがそれぞれ形成されており、各ＣＭＯＳセル領域（２１００、２２００、２３００）の共通セルは、各共通バンプを介して各マイクロＬＥＤパネル（１１００、１２００、１３００）の第１導電型メタル層にそれぞれ電気的に連結される。
上述したように、従来は、マイクロＬＥＤを製作する際に、一つの基板上に赤色、緑色、青色の光を発光する構造物を形成することには技術的に困難があるため、本発明では、単一ＣＭＯＳバックプレーン２０００にそれぞれ独立的に製作されてそれぞれ異なる波長帯域の光、即ち赤色、緑色、青色の光をそれぞれ発光する複数のマイクロＬＥＤパネルをフリップチップボンディングし、光学系を用いて三つの色相を１ヶ所に集中させることによってフルカラーの具現を可能にする。また、本発明は、従来のような各ＬＥＤチップとこれらの制御を担当するための縦横軸に沿う各種データ線との間をワイヤボンディングしなければならないという不便さや困難さを解消できるだけでなく、従来のように各ＬＥＤチップの信号制御を担当する各素子をＬＥＤチップの外部領域に別途に備えなくてもよいことから、全体のディスプレイ装置のサイズも減少させることができるという利点がある。
最後に、図７は、本発明の一実施形態によるフルカラーを具現するためのマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置の駆動を簡略に説明するための図であり、図７に示したように、本実施形態によるマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置の駆動は、駆動ＩＣ７００の制御信号によって行われる。駆動ＩＣ７００からの制御信号は、ＣＭＯＳバックプレーン２０００に形成された各ＣＭＯＳセル、即ちＣＭＯＳ集積回路によって各マイクロＬＥＤピクセルにそれぞれ供給される。駆動ＩＣ７００からの制御信号は、アナログ信号であるか又はデジタル信号である。或いは、デジタル信号はパルス幅変調（ＰＷＭ）信号である。
１００、１１００、１２００、１３００ マイクロＬＥＤパネル
１１０ 基板
１２０、１３２ 第１導電型半導体層
１３０ マイクロＬＥＤピクセル
１３４ 活性層
１３６ 第２導電型半導体層
１４０ 第１導電型メタル層
２００、２０００ ＣＭＯＳバックプレーン
２３０ ＣＭＯＳセル
２４０ 共通セル
３４０ 共通バンプ
３００、３３０、３０００、３１００、３２００、３３００ バンプ
２１００、２２００、２３００ ＣＭＯＳセル領域
７００ 駆動ＩＣ
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置は、複数のマイクロＬＥＤピクセルを含むマイクロＬＥＤパネルと、各マイクロＬＥＤピクセルにそれぞれ対応する複数のＣＭＯＳセルを含むＣＭＯＳバックプレーンと、前記各マイクロＬＥＤピクセルと前記各マイクロＬＥＤピクセルに対応する各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ向い合うように配置し、前記各マイクロＬＥＤピクセルと前記各マイクロＬＥＤピクセルに対応する前記各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ電気的に連結した各バンプと、を備え、前記各マイクロＬＥＤピクセルは、基板上に第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を順次含む垂直構造を有し、前記基板上の前記マイクロＬＥＤピクセルが形成されない部分は、前記活性層及び前記第２導電型半導体層が除去されて前記第１導電型半導体層が露出し、前記マイクロＬＥＤピクセルが形成されない部分の前記第１導電型半導体層上に、前記各マイクロＬＥＤピクセルと離隔するように第１導電型メタル層が形成され、前記第１導電型メタル層は、前記各マイクロＬＥＤピクセルの共通電極として機能し、前記各マイクロＬＥＤピクセルは、前記ＣＭＯＳバックプレーン上に形成された前記各ＣＭＯＳセルにそれぞれ対応するように前記各バンプを用いてフリップチップボンディングされて個別的に制御されることを特徴とする。
前記第１導電型メタル層は、前記第１導電型半導体層上に前記マイクロＬＥＤパネルの外郭に沿って形成され得る。
前記第１導電型メタル層の厚さは、前記各マイクロＬＥＤピクセルの厚さと同一であり得る。
前記ＣＭＯＳバックプレーンは、前記第１導電型メタル層に対応するように形成された共通セルを含み、前記第１導電型メタル層と前記共通セルとは、共通バンプによって電気的に連結され得る。
前記第１導電型半導体層はｎ型であり、前記第２導電型半導体層はｐ型であり得る。
前記基板は、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ガラス、及びＺｎＯのうちのいずれか一つからなり得る。
前記各バンプは、前記各ＣＭＯＳセルに対応してそれぞれ形成され、前記各ＣＭＯＳセルと前記各ＣＭＯＳセルに対応する前記各マイクロＬＥＤピクセルとをそれぞれ電気的に連結し得る。
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様によるフルカラーを具現するためのマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置は、複数のマイクロＬＥＤピクセルをそれぞれ含み、それぞれ異なる波長帯域の光を発光する第１〜第３マイクロＬＥＤパネルと、各マイクロＬＥＤピクセルにそれぞれ対応する複数のＣＭＯＳセルを含む単一ＣＭＯＳバックプレーンと、前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、前記各マイクロＬＥＤピクセルと前記各マイクロＬＥＤピクセルに対応する各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ向い合うように配置し、前記各マイクロＬＥＤピクセルと前記各マイクロＬＥＤピクセルに対応する前記各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ電気的に連結した各バンプと、を備え、前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、前記各マイクロＬＥＤピクセルは、基板上に第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を順次含む垂直構造を有し、前記基板上の前記マイクロＬＥＤピクセルが形成されない部分は、前記活性層及び前記第２導電型半導体層が除去されて前記第１導電型半導体層が露出し、前記マイクロＬＥＤピクセルが形成されない部分の前記第１導電型半導体層上に、前記各マイクロＬＥＤピクセルと離隔するように第１導電型メタル層が形成され、前記第１導電型メタル層は、前記各マイクロＬＥＤピクセルの共通電極として機能し、前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、前記各マイクロＬＥＤピクセルは、前記ＣＭＯＳバックプレーン上に形成された前記各ＣＭＯＳセルにそれぞれ対応するように前記各バンプを用いてフリップチップボンディングされて個別的に制御されることを特徴とする。

Claims (20)

  1. マイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置であって、
    複数のマイクロＬＥＤピクセルを含むマイクロＬＥＤパネルと、
    各マイクロＬＥＤピクセルにそれぞれ対応する複数のＣＭＯＳセルを含むＣＭＯＳバックプレーンと、
    前記各マイクロＬＥＤピクセルと前記各マイクロＬＥＤピクセルに対応する各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ向い合うように配置し、前記各マイクロＬＥＤピクセルと前記各マイクロＬＥＤピクセルに対応する前記各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ電気的に連結した各バンプと、を備え、
    前記各マイクロＬＥＤピクセルは、前記ＣＭＯＳバックプレーン上に形成された前記各ＣＭＯＳセルにそれぞれ対応するように前記各バンプを用いてフリップチップボンディングされて個別的に制御されることを特徴とするマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  2. 前記各マイクロＬＥＤピクセルは、基板上に第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を順次含む垂直構造を有し、
    前記基板上の前記マイクロＬＥＤピクセルが形成されない部分は、前記活性層及び前記第２導電型半導体層が除去されて前記第１導電型半導体層が露出することを特徴とする請求項１に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  3. 前記マイクロＬＥＤピクセルが形成されない部分の第１導電型半導体層上には、前記各マイクロＬＥＤピクセルと離隔するように第１導電型メタル層が形成されることを特徴とする請求項２に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  4. 前記第１導電型メタル層は、前記第１導電型半導体層上に前記マイクロＬＥＤパネルの外郭に沿って形成されることを特徴とする請求項３に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  5. 前記第１導電型メタル層の厚さは、前記各マイクロＬＥＤピクセルの厚さと同一であることを特徴とする請求項３に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  6. 前記第１導電型メタル層は、前記各マイクロＬＥＤピクセルの共通電極として機能することを特徴とする請求項３に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  7. 前記ＣＭＯＳバックプレーンは、前記第１導電型メタル層に対応するように形成された共通セルを含み、
    前記第１導電型メタル層と前記共通セルとは、共通バンプによって電気的に連結されることを特徴とする請求項３に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  8. 前記第１導電型半導体層はｎ型であり、前記第２導電型半導体層はｐ型であることを特徴とする請求項２に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  9. 前記基板は、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ガラス、及びＺｎＯのうちのいずれか一つからなることを特徴とする請求項２に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  10. 前記各バンプは、前記各ＣＭＯＳセルに対応してそれぞれ形成され、前記各ＣＭＯＳセルと前記各ＣＭＯＳセルに対応する前記各マイクロＬＥＤピクセルとをそれぞれ電気的に連結することを特徴とする請求項２に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  11. フルカラーを具現するためのマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置であって、
    複数のマイクロＬＥＤピクセルをそれぞれ含み、それぞれ異なる波長帯域の光を発光する第１〜第３マイクロＬＥＤパネルと、
    各マイクロＬＥＤピクセルにそれぞれ対応する複数のＣＭＯＳセルを含む単一ＣＭＯＳバックプレーンと、
    前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、前記各マイクロＬＥＤピクセルと前記各マイクロＬＥＤピクセルに対応する各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ向い合うように配置し、前記各マイクロＬＥＤピクセルと前記各マイクロＬＥＤピクセルに対応する前記各ＣＭＯＳセルとをそれぞれ電気的に連結した各バンプと、を備え、
    前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、前記各マイクロＬＥＤピクセルは、前記ＣＭＯＳバックプレーン上に形成された前記各ＣＭＯＳセルにそれぞれ対応するように前記各バンプを用いてフリップチップボンディングされて個別的に制御されることを特徴とするマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  12. 前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、
    前記各マイクロＬＥＤピクセルは、基板上に第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を順次含む垂直構造を有し、
    前記基板上の前記マイクロＬＥＤピクセルが形成されない部分は、前記活性層及び前記第２導電型半導体層が除去されて前記第１導電型半導体層が露出することを特徴とする請求項１１に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  13. 前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、前記マイクロＬＥＤピクセルが形成されない部分の第１導電型半導体層上には、前記各マイクロＬＥＤピクセルと離隔するように第１導電型メタル層が形成されることを特徴とする請求項１２に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  14. 前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、前記第１導電型メタル層は、前記第１導電型半導体層上に前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルの外郭に沿ってそれぞれ形成されることを特徴とする請求項１３に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  15. 前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、前記第１導電型メタル層の厚さは、前記マイクロＬＥＤピクセルの厚さと同一であることを特徴とする請求項１３に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  16. 前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、前記第１導電型メタル層は、前記各マイクロＬＥＤピクセルの共通電極として機能することを特徴とする請求項１３に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  17. 前記単一ＣＭＯＳバックプレーンは、前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、前記第１導電型メタル層に対応するように形成された共通セルを含み、
    前記第１〜第３マイクロＬＥＤパネルのそれぞれにおいて、前記第１導電型メタル層と前記共通セルとは、共通バンプによって電気的に連結されることを特徴とする請求項１３に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  18. 前記第１導電型半導体層はｎ型であり、前記第２導電型半導体層はｐ型であることを特徴とする請求項１２に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  19. 前記基板は、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ガラス、及びＺｎＯのうちのいずれか一つからなることを特徴とする請求項１２に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
  20. 前記各バンプは、前記各ＣＭＯＳセルに対応してそれぞれ形成され、前記各ＣＭＯＳセルと前記各ＣＭＯＳセルに対応する前記各マイクロＬＥＤピクセルとをそれぞれ電気的に連結することを特徴とする請求項１２に記載のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置。
JP2016185382A 2016-07-18 2016-09-23 マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置 Active JP6131374B1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160090600A KR102617466B1 (ko) 2016-07-18 2016-07-18 마이크로 led 어레이 디스플레이 장치
KR10-2016-0090600 2016-07-18

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017081498A Division JP6445075B2 (ja) 2016-07-18 2017-04-17 マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6131374B1 JP6131374B1 (ja) 2017-05-17
JP2018014475A true JP2018014475A (ja) 2018-01-25

Family

ID=58714722

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016185382A Active JP6131374B1 (ja) 2016-07-18 2016-09-23 マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置
JP2017081498A Active JP6445075B2 (ja) 2016-07-18 2017-04-17 マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置
JP2018222671A Active JP6722262B2 (ja) 2016-07-18 2018-11-28 マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017081498A Active JP6445075B2 (ja) 2016-07-18 2017-04-17 マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置
JP2018222671A Active JP6722262B2 (ja) 2016-07-18 2018-11-28 マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置

Country Status (7)

Country Link
US (3) US10062675B2 (ja)
EP (1) EP3487266A4 (ja)
JP (3) JP6131374B1 (ja)
KR (1) KR102617466B1 (ja)
CN (1) CN109479354B (ja)
TW (1) TW201804608A (ja)
WO (1) WO2018016728A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019068082A (ja) * 2016-07-18 2019-04-25 ルーメンス カンパニー リミテッド マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置
US11489008B2 (en) 2021-02-23 2022-11-01 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device
US11508292B2 (en) 2019-02-20 2022-11-22 Japan Display Inc. Display device
US11631366B2 (en) 2019-07-05 2023-04-18 Japan Display Inc. Display device
WO2023112599A1 (ja) * 2021-12-14 2023-06-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光装置及び電子機器

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11205677B2 (en) * 2017-01-24 2021-12-21 Goertek, Inc. Micro-LED device, display apparatus and method for manufacturing a micro-LED device
KR102305180B1 (ko) 2017-04-25 2021-09-28 주식회사 루멘스 마이크로 led 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102399464B1 (ko) * 2017-06-27 2022-05-19 주식회사 루멘스 엘이디 패널
WO2019014036A1 (en) 2017-07-11 2019-01-17 Corning Incorporated MOSAIC SCREENS AND METHODS OF MAKING SAME
CN111052418A (zh) * 2017-07-31 2020-04-21 耶鲁大学 纳米多孔微led器件及其制造方法
CN111108613B (zh) * 2017-09-13 2024-01-16 夏普株式会社 Led单元、图像显示元件及其制造方法
WO2019083154A1 (ko) * 2017-10-26 2019-05-02 주식회사 루멘스 개별 제어되는 마이크로 led 픽셀들을 갖는 플래쉬 유닛을 포함하는 촬상 장치 및 피부 진단용 촬상 장치
KR102456882B1 (ko) * 2017-11-24 2022-10-21 주식회사 루멘스 고효율 마이크로 엘이디 모듈의 제조방법
US10989376B2 (en) * 2017-11-28 2021-04-27 Facebook Technologies, Llc Assembling of strip of micro light emitting diodes onto backplane
JP7079106B2 (ja) * 2018-01-24 2022-06-01 シャープ株式会社 画像表示素子、及び画像表示素子の製造方法
KR101997104B1 (ko) * 2018-02-21 2019-07-05 순천대학교 산학협력단 마이크로 어레이 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
KR102521582B1 (ko) * 2018-04-03 2023-04-12 삼성전자주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
TWI672683B (zh) * 2018-04-03 2019-09-21 友達光電股份有限公司 顯示面板
JP6760542B2 (ja) 2018-05-24 2020-09-23 大日本印刷株式会社 自発光型表示体用または直下型バックライト用の封止材シート、自発光型表示体、直下型バックライト
EP3803976B1 (en) 2018-05-24 2024-05-22 Lumiode, Inc. Led display structures and fabrication of same
JP7066537B2 (ja) 2018-06-06 2022-05-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP7073198B2 (ja) 2018-06-07 2022-05-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102033108B1 (ko) * 2018-07-06 2019-10-16 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 및 그 구동 방법
KR102587133B1 (ko) 2018-07-19 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI661575B (zh) 2018-07-20 2019-06-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光元件及顯示裝置
CN110739380B (zh) * 2018-07-20 2021-02-19 錼创显示科技股份有限公司 微型发光元件及显示装置
KR102603399B1 (ko) 2018-08-09 2023-11-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
WO2020049392A1 (ja) * 2018-09-05 2020-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法
JP7206321B2 (ja) * 2018-09-10 2023-01-17 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 車両のための適応型ヘッドランプシステム
US11091087B2 (en) 2018-09-10 2021-08-17 Lumileds Llc Adaptive headlamp system for vehicles
KR102624297B1 (ko) 2018-10-02 2024-01-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111048543A (zh) * 2018-10-12 2020-04-21 致伸科技股份有限公司 显示模块
KR20200062762A (ko) 2018-11-27 2020-06-04 삼성전자주식회사 마이크로 광원 어레이, 이를 포함한 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
US11380252B2 (en) 2018-12-21 2022-07-05 Lumiode, Inc. Addressing for emissive displays
CN113490873A (zh) * 2018-12-28 2021-10-08 奇跃公司 带有机械致动图像投影仪的可变像素密度显示系统
US20220059521A1 (en) * 2019-01-02 2022-02-24 Lumiode, Inc. System and method of fabricating display structures
US11355665B2 (en) 2019-06-19 2022-06-07 Facebook Technologies, Llc Process flow for hybrid TFT-based micro display projector
EP3877804A1 (en) * 2019-02-05 2021-09-15 Facebook Technologies, LLC. Process flow for hybrid tft-based micro display projector
CN109888085B (zh) * 2019-03-11 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法
JP7289681B2 (ja) * 2019-03-20 2023-06-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11626448B2 (en) * 2019-03-29 2023-04-11 Lumileds Llc Fan-out light-emitting diode (LED) device substrate with embedded backplane, lighting system and method of manufacture
CN109841710B (zh) * 2019-04-12 2020-05-15 南京大学 用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件及其制备方法
US11637219B2 (en) 2019-04-12 2023-04-25 Google Llc Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate
WO2020219039A1 (en) * 2019-04-24 2020-10-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Displays with pixels coupled by beam splitters
US11710760B2 (en) 2019-06-21 2023-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display device
US11508700B2 (en) * 2019-12-10 2022-11-22 Meta Platforms Technologies, Llc Left and right projectors for display device
KR20210081512A (ko) 2019-12-23 2021-07-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 제조 방법
CN111063270B (zh) * 2019-12-30 2022-06-21 錼创显示科技股份有限公司 微型发光元件显示装置
KR20210089842A (ko) 2020-01-09 2021-07-19 주식회사 엘지화학 마이크로 led 디스플레이
KR102194978B1 (ko) * 2020-04-29 2020-12-24 (주) 리가스텍 마이크로 디스플레이 장치 및 이를 제조하는 방법
CN115997289A (zh) * 2020-07-21 2023-04-21 Lg电子株式会社 用于制造显示装置的转移基板、显示装置及其制造方法
US11830862B2 (en) 2020-11-12 2023-11-28 Excellence Opto. Inc. Chip structure of micro light-emitting diode display
CN112669715B (zh) * 2020-12-24 2022-08-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 连接件、显示面板及其制作方法、显示装置
KR102579242B1 (ko) 2022-02-22 2023-09-18 한국에너지공과대학교 마이크로 led 표시 장치 및 마이크로 led 표시 장치 제조 방법
CN114627773B (zh) * 2022-03-11 2024-02-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 拼接显示面板
WO2023244686A1 (en) * 2022-06-15 2023-12-21 Lumileds Llc Two-way transparent display
KR102607680B1 (ko) 2023-02-07 2023-11-29 웨이브로드 주식회사 마이크로디스플레이 패널 제조 방법
KR102650040B1 (ko) 2023-03-13 2024-03-21 웨이브로드 주식회사 칼라필터가 불필요한 수직 적층형 마이크로디스플레이 패널 및 그 제조 방법

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5029189A (ja) * 1973-07-17 1975-03-25
JPH08172219A (ja) * 1994-12-20 1996-07-02 Sharp Corp 多色ｌｅｄ素子およびその多色ｌｅｄ素子を用いたｌｅｄ表示装置、並びに多色ｌｅｄ素子の製造方法
JPH1012932A (ja) * 1996-01-18 1998-01-16 Motorola Inc 基板を除去したｌｅｄディスプレイ・パッケージおよび製造方法
JP2001044502A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Matsushita Electronics Industry Corp 複合発光素子及びその製造方法
JP2004055944A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2007324583A (ja) * 2006-05-01 2007-12-13 Mitsubishi Chemicals Corp 集積型半導体発光装置およびその製造方法
JP2010192802A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Sony Corp 実装基板および表示装置
JP2011113989A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Oki Data Corp 表示パネル及び投射型表示装置
JP2015501951A (ja) * 2011-12-06 2015-01-19 オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 空間光学型及び時空間光学型指向性光変調器
WO2015010554A1 (zh) * 2013-07-26 2015-01-29 利亚德光电股份有限公司 发光二极管显示屏

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3976812B2 (ja) * 1995-03-09 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 偏光照明装置および投写型表示装置
US6486499B1 (en) * 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
JP2001326388A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP2001343706A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Sony Corp 映像表示装置
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
KR100470904B1 (ko) 2002-07-20 2005-03-10 주식회사 비첼 고휘도 질화물 마이크로 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2004079972A (ja) * 2002-08-22 2004-03-11 Fuji Photo Film Co Ltd 面発光型発光素子
JP2005079385A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Toshiba Corp 光半導体装置および光信号入出力装置
US7285801B2 (en) * 2004-04-02 2007-10-23 Lumination, Llc LED with series-connected monolithically integrated mesas
JP2006073618A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Toyoda Gosei Co Ltd 光学素子およびその製造方法
JP2006012916A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子
AU2010273544B2 (en) 2009-07-15 2013-05-02 Cardiac Pacemakers, Inc. Remote sensing in an implantable medical device
US8642363B2 (en) * 2009-12-09 2014-02-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
US8557616B2 (en) * 2009-12-09 2013-10-15 Nano And Advanced Materials Institute Limited Method for manufacturing a monolithic LED micro-display on an active matrix panel using flip-chip technology and display apparatus having the monolithic LED micro-display
KR101666442B1 (ko) * 2010-03-25 2016-10-17 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR101150861B1 (ko) 2010-08-16 2012-06-13 한국광기술원 멀티셀 구조를 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법
DE102011056888A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
JP2013179215A (ja) * 2012-02-29 2013-09-09 Toyohashi Univ Of Technology Ｌｅｄアレイ及び光電子集積装置
DE102012217957B4 (de) * 2012-10-01 2014-10-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer Mikro-LED-Matrix
US9159700B2 (en) * 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
EP3084338A4 (en) * 2013-12-18 2017-07-26 Leupold & Stevens, Inc. Micro-pixelated led reticle display for optical aiming devices
US9207904B2 (en) * 2013-12-31 2015-12-08 Ultravision Technologies, Llc Multi-panel display with hot swappable display panels and methods of servicing thereof
US9831387B2 (en) * 2014-06-14 2017-11-28 Hiphoton Co., Ltd. Light engine array
FR3023065B1 (fr) * 2014-06-27 2017-12-15 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique a jonction p-n permettant une ionisation de dopants par effet de champ
KR20160027730A (ko) * 2014-09-02 2016-03-10 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드
GB201420452D0 (en) * 2014-11-18 2014-12-31 Mled Ltd Integrated colour led micro-display
KR102617466B1 (ko) * 2016-07-18 2023-12-26 주식회사 루멘스 마이크로 led 어레이 디스플레이 장치
CN110100309A (zh) * 2016-12-23 2019-08-06 株式会社流明斯 微型led模块及其制造方法
JP6366799B1 (ja) * 2017-02-10 2018-08-01 ルーメンス カンパニー リミテッド マイクロｌｅｄモジュール及びその製造方法
KR102399464B1 (ko) * 2017-06-27 2022-05-19 주식회사 루멘스 엘이디 패널

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5029189A (ja) * 1973-07-17 1975-03-25
JPH08172219A (ja) * 1994-12-20 1996-07-02 Sharp Corp 多色ｌｅｄ素子およびその多色ｌｅｄ素子を用いたｌｅｄ表示装置、並びに多色ｌｅｄ素子の製造方法
JPH1012932A (ja) * 1996-01-18 1998-01-16 Motorola Inc 基板を除去したｌｅｄディスプレイ・パッケージおよび製造方法
JP2001044502A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Matsushita Electronics Industry Corp 複合発光素子及びその製造方法
JP2004055944A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2007324583A (ja) * 2006-05-01 2007-12-13 Mitsubishi Chemicals Corp 集積型半導体発光装置およびその製造方法
JP2010192802A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Sony Corp 実装基板および表示装置
JP2011113989A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Oki Data Corp 表示パネル及び投射型表示装置
JP2015501951A (ja) * 2011-12-06 2015-01-19 オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 空間光学型及び時空間光学型指向性光変調器
WO2015010554A1 (zh) * 2013-07-26 2015-01-29 利亚德光电股份有限公司 发光二极管显示屏

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019068082A (ja) * 2016-07-18 2019-04-25 ルーメンス カンパニー リミテッド マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置
US11508292B2 (en) 2019-02-20 2022-11-22 Japan Display Inc. Display device
US11631366B2 (en) 2019-07-05 2023-04-18 Japan Display Inc. Display device
US11489008B2 (en) 2021-02-23 2022-11-01 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device
WO2023112599A1 (ja) * 2021-12-14 2023-06-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光装置及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US10784241B2 (en) 2020-09-22
CN109479354B (zh) 2021-05-14
JP2019068082A (ja) 2019-04-25
US20180331086A1 (en) 2018-11-15
JP2018014481A (ja) 2018-01-25
TW201804608A (zh) 2018-02-01
EP3487266A1 (en) 2019-05-22
US10062675B2 (en) 2018-08-28
WO2018016728A1 (ko) 2018-01-25
JP6131374B1 (ja) 2017-05-17
US10607973B2 (en) 2020-03-31
JP6722262B2 (ja) 2020-07-15
JP6445075B2 (ja) 2018-12-26
KR20180009116A (ko) 2018-01-26
US20180331085A1 (en) 2018-11-15
US20180019233A1 (en) 2018-01-18
KR102617466B1 (ko) 2023-12-26
EP3487266A4 (en) 2019-06-26
CN109479354A (zh) 2019-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6445075B2 (ja) マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置
CN107924964B (zh) 发光面板及制备此类发光面板的方法
CN110574174B (zh) 使用粘合剂对微结构进行传质
US11575067B2 (en) Display substrate, display apparatus, and manufacturing method for display substrate
TW201732770A (zh) 具有積體薄膜電晶體電路之半導體裝置
TWI689092B (zh) 具有透光基材之微發光二極體顯示模組及其製造方法
TW201947737A (zh) 一種發光裝置及其製造方法
TWI627740B (zh) 微發光二極體顯示模組及其製造方法
KR102078643B1 (ko) 원칩 타입의 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
TWI611573B (zh) 微發光二極體顯示模組的製造方法
CN113380929A (zh) 显示面板制造方法、显示面板及显示设备
EP2442362B1 (en) Light emitting device
KR102519201B1 (ko) 픽셀용 발광소자 및 엘이디 디스플레이 장치
KR20190117968A (ko) 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
TW202205659A (zh) 具驅動ic的像素單元、包含該像素單元的發光裝置及其製法
TWI633681B (zh) 微發光二極體顯示模組的製造方法
CN116544226A (zh) 发光模块、显示面板和显示装置
CN102456701B (zh) 发光装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170321

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170417

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6131374

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250