JP2017537474A - オプトエレクトロニクス部品およびオプトエレクトロニクス部品の製造方法 - Google Patents
オプトエレクトロニクス部品およびオプトエレクトロニクス部品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017537474A JP2017537474A JP2017526521A JP2017526521A JP2017537474A JP 2017537474 A JP2017537474 A JP 2017537474A JP 2017526521 A JP2017526521 A JP 2017526521A JP 2017526521 A JP2017526521 A JP 2017526521A JP 2017537474 A JP2017537474 A JP 2017537474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recess
- plane
- region
- active zone
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0217—Removal of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本特許出願は、独国特許出願第102014117510.7号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。
2 層構造
3 リッジ部
4 レーザモード領域
5 表面
6 凹部
7 第1の側面
8 第2の側面
9 底面
10 側面領域
11 溝
12 割断方向
13 端面
14 転位
15 基板
16 層
17 第1の遷移領域
18 第2の遷移領域
19 第1の側面領域
20 第2の側面領域
21 さらなる第1の側面領域
22 さらなる第2の側面領域
23 さらなる第1の底面
24 さらなる第2の底面
25 第2の凹部
26 第3の側面
27 第4の側面
28 角度
29 第2の端面
31 第1のエッチングマスク
32 第2のエッチングマスク
33 縁部領域
34 エッチング開口部
Claims (15)
- 電磁放射を生成する活性ゾーン(1)を有する層構造(2)を備えたオプトエレクトロニクス部品であって、
前記活性ゾーン(1)が第1の平面内に配置されており、前記層構造(2)の表面に凹部(6,25)が導入されており、前記凹部(6,25)が前記部品の端面(13)に隣接しており、前記端面(6,25)が第2の平面内に配置されており、前記第2の平面が前記第1の平面に実質的に垂直に配置されており、前記凹部(6,25)が底面(9)および側面(7,8)を備えており、前記側面(7,8)が前記端面(13)に実質的に垂直に配置されており、前記側面(7,8)が前記活性ゾーンの平面に対する90゜に等しくない角度に傾斜した状態に配置されており、前記底面(9)が前記活性ゾーンの前記第1の平面の領域に配置されている、
オプトエレクトロニクス部品。 - 前記底面(9)が、前記層構造(2)の表面(5)の下、100nm〜800nmの範囲内の深さに配置されている、
請求項1に記載の部品。 - 前記側面(7,8)が、95゜〜160゜、特に98゜〜130゜の範囲内の角度に傾斜した状態に配置されている、
請求項1または請求項2のいずれかに記載の部品。 - 前記凹部が第2の側面(8)を備えており、前記第2の側面(8)が前記第1の側面(7)の向かい側に配置されている、
請求項1から請求項3のいずれかに記載の部品。 - 前記第1および第2の側面(7,8)が異なる角度に配置されている、
請求項4に記載の部品。 - 前記側面(7,8)が、前記第1の平面に実質的に垂直に配置されている面領域と、傾斜した面領域とを備えており、前記側面の前記傾斜した面領域が、前記側面の深さに関して前記側面(7,8)の上側の面領域(19,20)に配置されており、実質的に垂直に配置されている前記面領域が、前記側面(7,8)の下側領域(21,22)に配置されている、請求項1から請求項5のいずれかに記載の部品。
- 前記側面(7,8)が、前記第1の平面に実質的に垂直に配置されている面領域と、傾斜した面領域とを備えており、前記側面の前記傾斜した面領域が、前記側面の深さに関して前記側面(7,8)の下側の面領域(21,22)に配置されており、実質的に垂直に配置されている前記面領域が、前記側面(7,8)の上側領域(19,20)に配置されている、請求項1から請求項6のいずれかに記載の部品。
- 前記凹部(6,25)が、前記第2の平面に平行な平面内において、前記凹部(6,25)の前記側面(7,8)と、前記層構造(2)の上面(5)との間、および/または、前記凹部の底面(9,23)との間に、少なくとも1つの丸みを帯びた遷移部(17,18)を備えている、請求項1から請求項6のいずれかに記載の部品。
- 前記凹部(6,25)の少なくとも一方の前記側面(7,8)が、少なくとも2つの面領域(19,20,21,22)を有する階段形状を備えており、前記面領域(19,20,21,22)が、横方向にオフセットした状態に配置されており、前記面領域(19,20,21,22)が、第2の底面(23,24)を介して互いに結合されており、少なくとも1つの面領域(19,20,21,22)が、傾斜した側面として形成されている、請求項1から請求項8のいずれかに記載の部品。
- 前記凹部(6,25)が、前記第2の平面において10μm〜200μmの範囲内である幅を有する、請求項1から請求項9のいずれかに記載の部品。
- 前記凹部(6,25)が、10μm〜150μmの範囲内であるリッジ部(3)からの距離、を有する、請求項1から請求項10のいずれかに記載の部品。
- メサ溝(11)が設けられており、前記メサ溝(11)が、前記第2の平面内において、前記部品の側面(10)と前記凹部(6,25)の間に、前記凹部(6,25)に対して横方向にオフセットした状態に配置されている、請求項1から請求項11のいずれかに記載の部品。
- 請求項1から請求項12のいずれかに記載の部品を製造する方法であって、傾斜した状態に配置されている少なくとも1つの側面(7,8)を備えた凹部(6)が層構造(2)に導入されるように、前記凹部がエッチング工程を利用して前記層構造に導入され、エッチングマスク(31)のエッチング開口部(24)の横方向の拡張が、少なくとも部分的に前記エッチング工程において行われる、方法。
- 少なくとも1つの傾斜した側面(7,8)を備えた凹部(6)を作製する目的で、異なる硬度のエッチングマスク(31,32)が使用される、請求項13に記載の方法。
- 硬度が低い方のエッチングマスクが、フォトレジスト、またはSiNx、または半導体材料からなるマスク、または金属から形成されているマスクであり、前記マスクが、特に少なくとも部分的に横方向に除去される、請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014117510.7 | 2014-11-28 | ||
DE102014117510.7A DE102014117510A1 (de) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | Optoelektronisches Bauelement |
PCT/EP2015/077142 WO2016083246A1 (de) | 2014-11-28 | 2015-11-19 | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelementes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017537474A true JP2017537474A (ja) | 2017-12-14 |
JP6450842B2 JP6450842B2 (ja) | 2019-01-09 |
Family
ID=54608527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017526521A Active JP6450842B2 (ja) | 2014-11-28 | 2015-11-19 | オプトエレクトロニクス部品およびオプトエレクトロニクス部品の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10553746B2 (ja) |
EP (2) | EP3224917B1 (ja) |
JP (1) | JP6450842B2 (ja) |
CN (1) | CN107251342B (ja) |
DE (1) | DE102014117510A1 (ja) |
WO (1) | WO2016083246A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014117510A1 (de) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE102016113071A1 (de) | 2016-07-15 | 2018-01-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaserdiode |
DE102017104282A1 (de) * | 2017-03-01 | 2018-09-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur selbstjustierten Freilegung von Seitenflächen eines Halbleiterkörpers |
US10784354B2 (en) * | 2018-03-16 | 2020-09-22 | Lumentum Operations Llc | Trenches for increasing a quantity of reliable chips produced from a wafer |
CN115565868B (zh) * | 2022-11-23 | 2023-04-28 | 广东芯粤能半导体有限公司 | 半导体结构及其制备方法 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185802A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2004037945A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
WO2004086580A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Nec Corporation | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2005044996A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置 |
JP2005197347A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子及び、その製造方法 |
US20050226297A1 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-13 | Hung-Cheng Lin | [semiconductor laser device structure and method of manufacturing the same] |
JP2006190980A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-07-20 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2006287137A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
WO2007074688A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 窒化化合物半導体素子およびその製造方法 |
US20070221977A1 (en) * | 2006-03-24 | 2007-09-27 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device with trench isolation structure and method of manufacturing the same |
JP4266694B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2009-05-20 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子および光学装置 |
JP2009267377A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 |
US20100230776A1 (en) * | 2007-12-11 | 2010-09-16 | Bishnu Prasanna Gogoi | Semiconductor structure and method of manufacture |
JP2011029224A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2011052240A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Denso Corp | 溶射絶縁膜が備えられる構造体の製造方法 |
JP2011249556A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2013012680A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5708280A (en) * | 1996-06-21 | 1998-01-13 | Motorola | Integrated electro-optical package and method of fabrication |
JP4058691B2 (ja) * | 2002-09-17 | 2008-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 液体吐出ヘッド及び液体吐出装置 |
JP5013661B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2012-08-29 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子の製造方法及び窒化物系半導体素子 |
US7157297B2 (en) * | 2004-05-10 | 2007-01-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabrication of semiconductor device |
KR100856281B1 (ko) * | 2004-11-24 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
JP4963060B2 (ja) | 2005-11-30 | 2012-06-27 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法 |
KR100696764B1 (ko) | 2006-03-23 | 2007-03-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 |
JP5082752B2 (ja) * | 2006-12-21 | 2012-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子用基板の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子 |
JP4614988B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2011-01-19 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP5151400B2 (ja) * | 2007-11-04 | 2013-02-27 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
US20100265981A1 (en) * | 2007-12-21 | 2010-10-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light-emitting diode, nitride-based semiconductor laser device, method of manufacturing the same, and method of forming nitride-based semiconductor layer |
JP2010123869A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Panasonic Corp | 窒化物半導体レーザ素子 |
DE102009023849B4 (de) * | 2009-06-04 | 2022-10-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper und optoelektronischer Halbleiterchip |
US8692382B2 (en) * | 2010-03-11 | 2014-04-08 | Yu-Lin Yen | Chip package |
CN101859856B (zh) * | 2010-06-04 | 2016-06-15 | 清华大学 | 发光二极管 |
JP6091206B2 (ja) | 2012-12-21 | 2017-03-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
DE102014117510A1 (de) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
-
2014
- 2014-11-28 DE DE102014117510.7A patent/DE102014117510A1/de not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-11-19 US US15/531,342 patent/US10553746B2/en active Active
- 2015-11-19 CN CN201580064555.5A patent/CN107251342B/zh active Active
- 2015-11-19 EP EP15797665.5A patent/EP3224917B1/de active Active
- 2015-11-19 WO PCT/EP2015/077142 patent/WO2016083246A1/de active Application Filing
- 2015-11-19 EP EP20153892.3A patent/EP3660988B1/de active Active
- 2015-11-19 JP JP2017526521A patent/JP6450842B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-30 US US16/730,858 patent/US11031524B2/en active Active
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185802A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2004037945A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
WO2004086580A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Nec Corporation | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP4266694B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2009-05-20 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子および光学装置 |
JP2005044996A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置 |
JP2005197347A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子及び、その製造方法 |
US20050226297A1 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-13 | Hung-Cheng Lin | [semiconductor laser device structure and method of manufacturing the same] |
JP2006190980A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-07-20 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2006287137A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
WO2007074688A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 窒化化合物半導体素子およびその製造方法 |
JP2007288137A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-11-01 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
US20070221977A1 (en) * | 2006-03-24 | 2007-09-27 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device with trench isolation structure and method of manufacturing the same |
US20100230776A1 (en) * | 2007-12-11 | 2010-09-16 | Bishnu Prasanna Gogoi | Semiconductor structure and method of manufacture |
JP2009267377A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2011029224A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2011052240A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Denso Corp | 溶射絶縁膜が備えられる構造体の製造方法 |
JP2011249556A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2013012680A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
LUKE, KEVIN ET AL.: "Overcoming SiN film stress limitations for high quality factor ring resonators", PHOTONICS SOCIETY SUMMER TOPICAL MEETING SERIES, JPN6018019488, 8 July 2013 (2013-07-08), pages 64 - 65, XP032491896, ISSN: 0003804721, DOI: 10.1109/PHOSST.2013.6614541 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016083246A1 (de) | 2016-06-02 |
DE102014117510A1 (de) | 2016-06-02 |
JP6450842B2 (ja) | 2019-01-09 |
US20200135964A1 (en) | 2020-04-30 |
EP3660988A1 (de) | 2020-06-03 |
US10553746B2 (en) | 2020-02-04 |
EP3660988B1 (de) | 2021-10-20 |
CN107251342A (zh) | 2017-10-13 |
EP3224917A1 (de) | 2017-10-04 |
CN107251342B (zh) | 2020-01-10 |
US20170330997A1 (en) | 2017-11-16 |
US11031524B2 (en) | 2021-06-08 |
EP3224917B1 (de) | 2020-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6450842B2 (ja) | オプトエレクトロニクス部品およびオプトエレクトロニクス部品の製造方法 | |
US8306085B2 (en) | Nitride compound semiconductor element and method for manufacturing same | |
US8686432B2 (en) | Semiconductor light emitting device with laser scribed end faces | |
US11742633B2 (en) | Optoelectronic component | |
JP5961989B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
WO2018135207A1 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP2012243866A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
US8871612B2 (en) | Method for forming a cleaved facet of semiconductor device | |
US20100085996A1 (en) | Nitride semiconductor laser device and its manufacturing method | |
JP5658433B2 (ja) | 窒化物半導体ウェハ及び窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP7468361B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2013093619A (ja) | 窒化物半導体ウェハ | |
US8912528B2 (en) | Method for forming a cleaved facet of semiconductor device | |
US20240186765A1 (en) | Method for manufacturing a light emitting semiconductor chip and light emitting semiconductor chip | |
JP2008311547A (ja) | 半導体レーザ素子及び製造方法 | |
JP4964026B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子の作製方法 | |
JP2009295693A (ja) | 窒化物半導体発光素子の作製方法 | |
JP2010141115A (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2009094386A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170608 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180823 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6450842 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |