JP2001185802A - 半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体素子およびその製造方法Info
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Abstract
能な半導体素子を提供することである。 【解決手段】 半導体レーザ素子100は、サファイア
基板1上にバッファ層2、アンドープGaN層3、n−
GaN第1コンタクト層4、n−AlGaN第1クラッ
ド層5、発光層6、p−AlGaN第2クラッド層7、
p−GaN第2コンタクト層8が順に形成されてなる。
p−GaN第2コンタクト層8およびp−AlGaN第
2クラッド層7から構成されるリッジ部が形成されると
ともに、p−AlGaN第2クラッド層7の平坦部から
n−GaN第1コンタクト層4までの一部領域がエッチ
ングされ段差部50が形成されている。段差部50の側
面には矩形状の断面を有するストライプ状の凹部および
凸部が形成され、凹部内および凸部上にSiO2 膜20
が形成されている。
Description
素)、GaN(窒化ガリウム)、AlN(窒化アルミニ
ウム)、InN(窒化インジウム)もしくはTlN(窒
化タリウム)またはこれらの混晶等のIII −V族(以
下、窒化物系半導体と呼ぶ)からなる化合物半導体層を
有する半導体素子およびその製造方法に関する。
ステムに用いられる光ディスクの記録用および再生用の
光源として、青色または紫色の光を発するGaN系等の
窒化物系半導体レーザ素子の研究開発が行われている。
の一例を示す模式的断面図であり、図13(b)は図1
3(a)に示すGaN系半導体レーザ素子の模式的な斜
視図である。
は、サファイア基板31のC面上に、MOCVD法(有
機金属化学的気相成長法)により、アンドープのAl
0.5 Ga 0.5 Nからなるバッファ層32、アンドープの
GaN層33、n−GaN第1コンタクト層34、n−
Al0.07Ga0.93N第1クラッド層35、InGaN多
層膜からなる発光層36、p−Al0.07Ga0.93N第2
クラッド層37、およびp−GaN第2コンタクト層3
8が順に積層されている。
造を有しており、p−Al0.07Ga 0.93N第2クラッド
層37およびp−GaN第2コンタクト層38に高さD
1 が1μm以下のリッジ部が形成される。また、p−A
l0.07Ga0.93N第2クラッド層37の平坦部からn−
GaN第1コンタクト層34までの一部領域がエッチン
グされ、n−GaN第1コンタクト層34の所定領域が
露出する。このようにして、エッチングにより段差部5
0が形成される。段差部50の底面のn−GaN第1コ
ンタクト層34の所定領域上にn電極43が形成されて
いる。
ト層38上にp電極42が形成されている。リッジ部の
両側面、p−Al0.07Ga0.93N第2クラッド層37の
平坦部上、p−Al0.07Ga0.93N第2クラッド層3
7、発光層36、n−Al0.07Ga0.93N第1クラッド
層35およびn−GaN第1コンタクト層34を含む段
差部50の側面、ならびにn電極43を除く段差部50
の底面のn−GaN第1コンタクト層34上に、SiO
2 膜等からなる絶縁膜41が形成されている。
D1 が通常1μm以下の段差部においては半導体レーザ
素子の製造時において絶縁膜41が段差部の側面から剥
離しにくい。これに対して、段差部50のように高さD
2 が1μmより大きくなると、半導体レーザ素子の製造
時において、段差部50の側面およびその近傍において
絶縁膜41の剥離が起こりやすい。
工程等により半導体ウエハの温度変化が大きくなると、
半導体ウエハに反りが生じて段差部50の側面およびそ
の周辺に加わる応力が平坦な部分と比較して大きくなる
ため、段差部50の側面およびその周辺において絶縁膜
41の剥離が起こりやすくなる。このような絶縁膜41
の剥離により、図13の半導体レーザ素子の歩留りが低
下する。
高い歩留りで製造可能な半導体素子を提供することであ
る。
し、高い歩留りで半導体素子を製造することが可能な半
導体素子の製造方法を提供することである。
に係る半導体素子は、底面および側面を有する段差部を
備えたIII 族窒化物系半導体層が基板上に形成され、II
I 族窒化物系半導体層の段差部の側面に規則的または不
規則的な凹凸パターンが形成され、段差部の側面を含む
III 族窒化物系半導体層の所定領域上に絶縁膜が形成さ
れたものである。
おいては、凹凸パターンの上に絶縁膜が形成される。こ
のため、段差部の側面と絶縁膜との接触面積が増加する
とともに、段差部の側面に絶縁膜が付着する。それによ
り、半導体素子の製造時において、段差部の側面におけ
る絶縁膜の剥離が防止され、高い歩留りで製造可能な半
導体素子が実現可能となる。
電型の第1の半導体層、発光層および第2導電型の第2
の半導体層を順に含み、第2の半導体層から第1の半導
体層までの所定領域が除去されて段差部が形成され、第
1の半導体層が段差部の底面に露出するとともに第1の
半導体層、発光層および第2の半導体層が段差部の側面
に露出し、絶縁膜が段差部の底面の一部および第2の半
導体層の所定領域上ならびに段差部の側面に形成されて
もよい。
半導体層、発光層および第2の半導体層に規則的または
不規則な凹凸パターンが形成され、その上に絶縁膜が形
成される。このような半導体素子においては、半導体素
子の製造時において、段差部の側面の第1の半導体層、
発光層および第2の半導体層における絶縁膜の剥離が防
止される。
凸部からなってもよい。この場合、ストライプ状の凹部
および凸部の幅は0.2μm以上50μm以下であり、
凹部の深さは0.2μm以上50μm以下であることが
好ましい。また、絶縁膜の厚みtは4.2μm以下であ
り、絶縁膜の厚みtおよび基板と段差部の側面とがなす
角度θが、t<−0.2θ+24の関係を満足すること
が好ましい。
段差部の側面における絶縁膜の剥離がより効果的に防止
される。
層構造または多層構造を有してもよい。また、絶縁膜
は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウ
ム膜および酸化チタン膜の少なくとも1つを含んでもよ
い。規則的または不規則的な凹凸パターンが形成された
段差部の側面にこのような絶縁膜が形成された半導体素
子においては、半導体素子の製造時において、段差部の
側面における絶縁膜の剥離が防止される。
ガリウム、インジウム、ホウ素およびタリウムの少なく
とも1つを含んでもよい。このようなIII 族窒化物系半
導体層と基板との格子定数の差が大きい場合には、半導
体素子の製造時において基板およびその上に形成された
III 族窒化物系半導体層に反りが生じ、段差部の側面に
大きな応力が加わる。しかしながら、この場合において
は、段差部の側面に凹凸パターンが形成され、その上に
絶縁膜が形成されているので、段差部の側面における絶
縁膜の付着強度が向上している。したがって、段差部の
側面における絶縁膜の剥離が防止される。
板上にIII 族窒化物系半導体層を形成する工程と、III
族窒化物系半導体層の所定領域をエッチングし、底面お
よび側面を有する段差部を形成するとともに、段差部の
側面に規則的または不規則的な凹凸パターンを形成する
工程と、側面を含むIII 族窒化物系半導体層の所定領域
上に絶縁膜を形成する工程とを備えるものである。
ては、段差部の側面に規則的または不規則な凹凸パター
ンを形成するとともに、この凹凸パターン上に絶縁膜を
形成する。このため、段差部の側面と絶縁膜との接触面
積が増加するとともに、絶縁膜が側面に付着する。それ
により、半導体素子の製造時において、段差部の側面に
おける絶縁膜の剥離が防止され、高い歩留りで半導体素
子を製造することが可能となる。
ーンに対応する形状に形成された端部を有するマスクを
III 族窒化物系半導体層の所定領域上に形成する工程
と、このマスクを用いて所定の角度でIII 族窒化物系半
導体層のエッチングを行う工程とを含んでもよい。この
ようなマスクを用いてエッチングを行うことにより、段
差部の側面に容易に所望の凹凸パターンを形成すること
が可能となる。また、この場合、エッチングの角度を調
整することにより、段差部の側面と基板とが所定の角度
をなすように設定を行うことが可能となる。
素子の製造方法の例を示す模式的な工程図である。な
お、図1〜図3、図4(a)、図5(a)、図6および
図7は断面図であり、図4(b)および図5(b)は斜
視図である。本例においては、半導体素子として半導体
レーザ素子について説明する。
のC(0001)面上に、MOCVD法(有機金属化学
的気相成長法)により、アンドープのAl0.5 Ga0.5
Nからなる厚さ250Åのバッファ層2、厚さ2μmの
アンドープGaN層3、厚さ3μmのn−GaN第1コ
ンタクト層4、厚さ1μmのn−Al0.07Ga0.93N第
1クラッド層5、後述の発光層6、厚さ0.4μmのp
−Al0.07Ga0.93N第2クラッド層7、厚さ0.1μ
mのp−GaN第2コンタクト層8を順に成長させる。
なお、本例においては、n型ドーパントとしてSiを用
いており、p型ドーパントとしてMgを用いている。こ
のようにして、サファイア基板1上にIII 族窒化物系半
導体層が積層された半導体ウエハが形成される。
断面図である。図2に示すように、厚さ0.1μmのn
−GaN第1光ガイド層60と厚さ0.1μmのp−G
aN第2光ガイド層63との間に、4つの障壁層61と
3つの井戸層62とを交互に積層して発光層6を形成す
る。障壁層61はn−In0.02Ga0.98Nからなり、厚
さが60nmである。井戸層62はn−In0.1 Ga
0.9 Nからなり、厚さが30nmである。このように、
発光層6は多重量子井戸構造(MQW構造)を有する。
後、図3に示すように、p−GaN第2コンタクト層8
の所定領域上にNiマスク(図示せず)を形成し、この
Niマスクを用いてp−GaN第2コンタクト層8およ
びp−Al0.07Ga0.93N第2クラッド層7の所定領域
をエッチングする。それにより、p−GaN第2コンタ
クト層8およびp−Al0.07Ga0.93N第2クラッド層
7から構成されるリッジ部が形成される。エッチングの
後、Niマスクを除去する。この場合、p−Al 0.07G
a0.03N第2クラッド層7の平坦部の厚さD3 を0.1
〜0.3μmとすることが好ましい。それにより、製造
した半導体レーザ素子において、充分な横モード制御を
行うことが可能となる。
部の上面および側面、ならびにp−Al0.07Ga0.93N
第2クラッド層7の平坦部の所定領域上にNiマスク1
5を形成する。図4(b)は、図4(a)の半導体ウエ
ハの模式的な斜視図である。図4(b)に示すように、
Niマスク15の一方の端部には、矩形状の凹部および
凸部が形成されている。
(a)に示すように、p−Al0.07Ga0.93N第2クラ
ッド層7からn−GaN第1コンタクト層4までの一部
領域をエッチングし、段差部50を形成する。この段差
部50においては、底面でn−GaN第1コンタクト層
4が露出し、側面でp−Al0.07Ga0.93N第2クラッ
ド層7、発光層6、n−Al0.07Ga0.93N第1クラッ
ド層5およびn−GaN第1コンタクト層4が露出す
る。
の斜視図である。図5(b)に示すように、段差部50
の側面には、Niマスク15の端部の形状に相当する矩
形状の断面を有するストライプ状の凹部および凸部が形
成される。
した後、リッジ部の側面、p−Al 0.07Ga0.93N第2
クラッド層7の平坦部上、段差部50の側面、ならびに
ストライプ状の電極形成領域9を除く段差部50の底面
に、絶縁膜としてSiO2 膜20を形成する。
ストライプ状の凹部内および凸部上にSiO2 膜20を
形成する。それにより、段差部50の側面とSiO2 膜
20との接触面積が増加するとともに、SiO2 膜20
が側面に付着する。したがって、段差部50の側面にお
けるSiO2 膜20の付着強度が向上する。
面にp電極25を形成し、段差部50の底面の電極形成
領域9にn電極26を形成する。その後、熱処理を含む
所定の処理工程を行う。このような処理工程において
は、半導体ウエハの温度変化が大きくなるため半導体ウ
エハに反りが発生し、段差部50の側面に大きな応力が
加わる。しかしながら、前述のように段差部50の側面
におけるSiO2 膜20の付着強度が向上しているた
め、側面におけるSiO2 膜20の剥離が防止される。
する半導体レーザ素子100を形成する。図8は半導体
レーザ素子100の模式的な斜視図である。図8に示す
ように、半導体レーザ素子100においては、段差部5
0の側面に、所定の幅aおよび所定の深さbを有するス
トライプ状の凹部と、所定の幅aを有するストライプ状
の凸部が形成されている。この場合、段差部50の側面
とサファイア基板1の表面とがなす角度はθである。こ
のような凹部および凸部を有する側面がSiO 2 膜20
で被覆されている。
製造方法においては、段差部50の側面においてSiO
2 膜20をストライプ状の凹部内および凸部上に形成す
るため、SiO2 膜20と段差部50の側面とが接触す
る面積が増加するとともに、SiO2 膜20と側面とが
付着し、段差部50の側面におけるSiO2 膜20の付
着強度が向上する。それにより、半導体レーザ素子10
0の製造時において、段差部50の側面におけるSiO
2 膜20の剥離が防止される。したがって、高い歩留り
で半導体レーザ素子100を製造することが可能とな
る。
段差部50の側面におけるSiO2膜20の剥離を防止
するための最適な条件について検討する。
0の側面に形成するストライプ状の凹部および凸部の幅
a、ならびに凹部の深さbに関して、SiO2 膜20の
剥離を防止するのに最適な範囲を調べた。
および凸部の幅、ならびに凹部の深さがそれぞれ異なる
複数のNiマスク15(図4)を用意し、各Niマスク
15を用いて図5に示すようにエッチングを行う。それ
により、幅aおよび深さbがそれぞれ異なるストライプ
状の凹部および凸部が段差部50の側面に形成される。
このようにして段差部50の側面に幅aおよび深さbが
異なる凹部および凸部が形成された複数の半導体レーザ
素子100を製造し、各々の半導体レーザ素子100の
製造時において、段差部50の側面におけるSiO2 膜
20の剥離が発生するかどうか調べた。その結果を図9
に示す。なお、この場合においては、SiO2 膜20の
厚さを5000Åとし、段差部50の側面とサファイア
基板1の表面とのなす角度θを85°とした。
領域A内の半導体レーザ素子100、すなわちストライ
プ状の凹部および凸部の幅aが0.2μm以上50μm
以下でありかつ凹部の深さbが0.2μm以上50μm
以下である半導体レーザ素子100においては、段差部
50の側面におけるSiO2 膜20の剥離が発生しなか
った。一方、ストライプ状の凹部および凸部の幅aおよ
び深さbが上記の範囲外にある半導体レーザ素子100
においては、段差部50の側面におけるSiO 2 膜20
の剥離が発生した。
の段差部50の側面に形成するストライプ状の凹部およ
び凸部の幅aは0.2μm以上50μm以下でありかつ
凹部の深さbは0.2μm以上50μm以下であること
が好ましい。それにより、段差部50の側面におけるS
iO2 膜20の剥離を効果的に防止し、より高い歩留り
で半導体レーザ素子100を製造することが可能とな
る。
側面にストライプ状の凹部および凸部を形成した場合に
は、段差部の側面にストライプ状の凹部および凸部を形
成しない場合に比べて、段差部の側面におけるSiO2
膜20の剥離は抑制される。
50の側面とサファイア基板1の表面とがなす角度θ、
およびSiO2 膜20の厚さtに関して、SiO2 膜2
0の剥離を防止するのに最適な範囲を調べた。
チング(図5)において、半導体ウエハに対してそれぞ
れ所定の角度でエッチングを行う。それにより、サファ
イア基板1の表面に対する角度θがそれぞれ異なる側面
を有する段差部50が形成される。さらに、厚さtの異
なるSiO2 膜20を形成することにより、サファイア
基板1の表面に対する段差部50の側面の角度θがそれ
ぞれ異なりかつSiO 2 膜20の厚さtがそれぞれ異な
る複数の半導体レーザ素子100を製造する。各々の半
導体レーザ素子100の製造時において、段差部50の
側面におけるSiO2 膜20の剥離が発生するかどうか
調べた。その結果を図10に示す。なお、この場合にお
いては、段差部50の側面のストライプ状の凹部および
凸部の幅aは1μmとし、凹部の深さbは1μmとし
た。
た領域B内の半導体レーザ100、すなわちSiO2 膜
20の厚さtが4.2μm以下であり、かつSiO2 膜
20の厚さtおよびサファイア基板1の表面と段差部5
0の側面とがなす角度θが次式(1)の関係を満足する
半導体レーザ素子100においては、段差部50の側面
におけるSiO2 膜20の剥離が発生しなかった。
1の表面と段差部50の側面とがなす角度θが上記の範
囲外にある半導体レーザ素子100においては、段差部
50の側面におけるSiO2 膜20の剥離が発生した。
におけるSiO2 膜20の厚さtは4.2μm以下であ
ることが好ましい。さらに、上記の関係式(1)を満足
するようにSiO2 膜20の厚さt、およびサファイア
基板1の表面と段差部50の側面とがなす角度θを設定
することが好ましい。それにより、段差部50の側面に
おけるSiO2 膜20の剥離が効果的に防止され、より
高い歩留りで半導体レーザ素子100を製造することが
可能となる。
側面にストライプ状の凹部および凸部を形成した場合に
は、段差部の側面にストライプ状の凹部および凸部を形
成しない場合に比べて、段差部の側面におけるSiO2
膜20の剥離は抑制される。
いては、絶縁膜としてSiO2 膜20を形成している
が、SiO2 膜20以外の酸化膜または窒化膜を絶縁膜
として形成してもよい。例えば、SiN膜、Al2 O3
膜またはTiO2 膜を形成してもよい。
法により、SiO2 膜20の代わりにSiN膜、Al2
O3 膜およびTiO2 膜をそれぞれ備える点を除いて半
導体レーザ素子100と同様の構造を有する半導体レー
ザ素子を製造し、各半導体レーザ素子の製造時において
段差部50の側面におけるSiN膜、Al2 O3 膜およ
びTiO2 膜の剥離が発生するかどうか調べた。なお、
この場合においては、段差部50の側面のストライプ状
の凹部および凸部の幅aは1μmとし、凹部の深さbは
1μmとし、側面とサファイア基板1の表面とがなす角
度θは85°とした。また、SiN膜、Al2 O3 膜お
よびTiO2 膜の厚さは5000Åとした。
ザ素子においても、半導体レーザ素子100と同様、段
差部50の側面における膜の剥離は発生しなかった。こ
のように、SiN膜、Al2 O3 膜またはTiO2 膜を
絶縁膜として形成する場合においても、段差部50の側
面における剥離が防止され、高い歩留りで半導体レーザ
素子を製造することが可能となる。
絶縁膜が単層構造を有する場合について説明したが、多
層構造を有する絶縁膜を形成してもよい。この場合につ
いて以下で説明する。
を示す模式的斜視図である。図11に示すように、半導
体レーザ素子101は、厚さ5000Åの2つのSiO
2 膜21aと厚さ5000Åの2つのTiO2 膜21b
とが順に積層されて絶縁膜21が構成される点を除い
て、半導体レーザ素子100と同様の構造を有する。
ても、段差部50の側面にストライプ状の凹部および凸
部が形成されているため、半導体レーザ素子100と同
様、段差部50の側面と絶縁膜21との接触面積が増加
するとともに、絶縁膜21と側面とが付着する。それに
より、段差部50の側面における絶縁膜21の付着強度
が向上する。したがって、製造時において、段差部50
の側面における絶縁膜21の剥離が防止される。それに
より、高い歩留りで半導体レーザ素子101を製造する
ことが可能となる。
においては段差部50の側面に矩形状の断面を有するス
トライプ状の凹部および凸部が形成される場合について
説明したが、段差部50の側面に矩形状以外の断面を有
する凹凸パターンが形成されてもよい。この場合につい
て以下で説明する。
さらに他の例を示す模式的な斜視図である。
02は、鋸歯状の断面を有する凹部および凸部が段差部
50の側面に形成されている点を除いて、半導体レーザ
素子100と同様の構造を有する。
ては、段差部50の側面に鋸歯状の断面を有する凹部お
よび凸部が形成されているため、段差部50の側面とS
iO 2 膜20との接触面積が増加するとともに、SiO
2 膜20が段差部50の側面に付着する。それにより、
段差部50の側面におけるSiO2 膜20の付着強度が
向上する。したがって、製造時において、段差部50の
側面におけるSiO2膜20の剥離が防止される。それ
により、高い歩留りで半導体レーザ素子102を製造す
ることが可能となる。
02においては、段差部50の側面に規則的な凹凸パタ
ーンが形成される場合について説明したが、段差部50
の側面に不規則的な凹凸パターンが形成されてもよい。
02においてはサファイア基板1を用いているが、Si
C、GaN等のサファイア以外の材料からなる基板を用
いてもよい。
各層2〜8の構成は上記に限定されるものではなく、A
l、Ga、In、BおよびTlの少なくとも1つを含む
種々の組成を有するIII 族窒化物系半導体層を用いるこ
とができる。
およびその製造に適用する場合について説明したが、本
発明は、半導体レーザ素子以外の半導体発光素子、例え
ば発光ダイオードにも適用可能であり、さらに、半導体
発光素子以外の半導体素子、例えばトランジスタにも適
用可能である。
す模式的な工程断面図である。
図である。
す模式的な工程断面図である。
す模式的な工程断面図および工程斜視図である。
す模式的な工程断面図および工程斜視図である。
す模式的な工程断面図である。
す模式的な工程断面図である。
的な斜視図である。
よび凸部の幅ならびに凹部の深さの最適な範囲を示す図
である。
基板の表面とがなす角度の最適な範囲を示す図である。
的な斜視図である。
す模式的な斜視図である。
模式的な断面図および斜視図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 底面および側面を有する段差部を備えた
III 族窒化物系半導体層が基板上に形成され、前記III
族窒化物系半導体層の段差部の側面に規則的または不規
則的な凹凸パターンが形成され、前記段差部の側面を含
む前記III 族窒化物系半導体層の所定領域上に絶縁膜が
形成されたことを特徴とする半導体素子。 - 【請求項2】 前記III 族窒化物系半導体層は、第1導
電型の第1の半導体層、発光層および第2導電型の第2
の半導体層を順に含み、前記第2の半導体層から前記第
1の半導体層までの所定領域が除去されて前記段差部が
形成され、前記第1の半導体層が前記段差部の底面に露
出するとともに、前記第1の半導体層、前記発光層およ
び前記第2の半導体層が前記段差部の側面に露出し、前
記絶縁膜が前記段差部の底面の一部および前記第2の半
導体層の所定領域上ならびに前記段差部の側面に形成さ
れたことを特徴とする請求項1記載の半導体素子。 - 【請求項3】 前記凹凸パターンはストライプ状の凹部
および凸部からなることを特徴とする請求項1または2
記載の半導体素子。 - 【請求項4】 前記ストライプ状の凹部および凸部の幅
は0.2μm以上50μm以下であり、前記凹部の深さ
は0.2μm以上50μm以下であることを特徴とする
請求項3記載の半導体素子。 - 【請求項5】 前記絶縁膜の厚みtは4.2μm以下で
あり、前記絶縁膜の厚みtおよび前記基板と前記段差部
の側面とがなす角度θがt<−0.2θ+24の関係を
満足することを特徴とする請求項3または4記載の半導
体素子。 - 【請求項6】 前記絶縁膜は酸化膜または窒化膜からな
り、単層構造または多層構造を有することを特徴とする
請求項1〜5のいずれかに記載の半導体素子。 - 【請求項7】 前記絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜、酸化アルミニウム膜および酸化チタン膜の少
なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1〜6のい
ずれかに記載の半導体素子。 - 【請求項8】 前記III 族窒化物系半導体層はアルミニ
ウム、ガリウム、インジウム、ホウ素およびタリウムの
少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1〜7の
いずれかに記載の半導体素子。 - 【請求項9】 基板上にIII 族窒化物系半導体層を形成
する工程と、前記III 族窒化物系半導体層の所定領域を
エッチングし、底面および側面を有する段差部を形成す
るとともに、前記段差部の側面に規則的または不規則的
な凹凸パターンを形成する工程と、前記側面を含む前記
III 族窒化物系半導体層の所定領域上に絶縁膜を形成す
る工程とを備えることを特徴とする半導体素子の製造方
法。 - 【請求項10】 前記凹凸パターンを形成する工程は、
前記凹凸パターンに対応する形状に形成された端部を有
するマスクを前記III 族窒化物系半導体層の所定領域上
に形成する工程と、前記マスクを用いて所定の角度で前
記III 族窒化物系半導体層のエッチングを行う工程とを
含むことを特徴とする請求項9記載の半導体素子の製造
方法。
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