JP7252289B2 - オプトエレクトロニクス部品 - Google Patents
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Description
2 層状構造
3 第1の側面
4 第2の側面
5 第3の側面
6 第4の側面
7 上面
8 リッジ構造
9 活性領域
10 レーザ・モード
11 第1の凹部
12 第2の凹部
13 第1の底面
14 第2の底面
15 ブレーキング方向
16 第3の凹部
17 第3の底面
18 壁面
19 角度
20 端部
21 上部
22 下部
23 第1の壁面
24 第2の底面
25 第2の壁面
26 第4の凹部
27 第5の凹部
28 長さ
31 第7の凹部
32 第7の底面
33 第7の壁面
34 別の第7の壁面
35 距離
36 キャリア
37 中心面
40 転位
41 第2の転位
42 第3の転位
44 不動態化層
45 壁面
46 第1の別の壁面
47 第2の別の壁面
48 第3の別の壁面
49 深さ
50 別の第6の壁面
51 別の第6の壁面
52 第1の分離線
53 第2の分離線
54 ウェハ
Claims (18)
- 電磁放射を生じさせるための活性領域(9)を備えた層状構造(2)を備えるレーザ・ダイオード(1)であるオプトエレクトロニクス部品であって、
前記活性領域(9)は、平面内に配置され、
前記層状構造(2)は、上面(7)と4つの側面(3、4、5、6)とを備え、
第1および第3の側面(1、3)は互いに対向して配置され、第2および第4の側面(4、5)は互いに対向して配置され、
前記層状構造(2)の前記上面(7)上にストリップ型リッジ構造(8)が配置され、
前記リッジ構造(8)は、前記第1の側面(3)と前記第3の側面(5)との間に延び、
前記第1の側面(3)は、電磁放射のための放射面を構成し、
前記リッジ構造(8)に沿って横方向に前記層状構造(2)の前記上面(7)内に第1の凹部(11)が導入され、
前記第1の凹部(11)内に、前記第2の側面(4、50、51)まで延びる第2の凹部(12)が導入されており、
前記第1の凹部(11)は、前記第2の側面(4)に沿って前記レーザ・ダイオード(1)の全長にわたって前記第1の側面(3)から前記第3の側面(5)まで延び、前記第1の凹部(11)の領域において、前記第2の側面(4)が、横方向に凹んだ壁面(50、51)を備え、
前記第2の凹部(12)は、横方向に前記第1の凹部(11)内に、および前記第2の側面(4)の前記凹んだ壁面(50、51)内に導入され、前記第2の凹部(12)が、前記層状構造(2)の前記上面(7)内に導入され、前記第2の凹部(12)が、前記第2の側面(4、50、51)に沿って延び、前記第2の凹部(12)が、前記第1の側面(3)から距離を置いて、および前記第3の側面(5)から距離を置いて構成され、
1つの第2の凹部(12)のみが、前記第2の側面(4、50、51)に配置され、および/または前記第2の凹部(12)は、前記レーザ・ダイオード(1)の長手方向軸(z)に対して対称におよび中心に配置される、オプトエレクトロニクス部品。 - 別の凹部(31)が、前記第1の側面(3)内に、および前記層状構造(2)の前記上面(7)内に導入され、
前記別の凹部(31)は、前記リッジ構造(8)と、前記第2の側面の前記凹んだ壁面(51)との間に配置されている、
請求項1に記載の部品。 - 前記別の凹部(31)は、底面(32)を備え、
前記底面(32)は、前記上面(7)と、前記第2の凹部(12)の第2の底面(14)のレベルとの間に配置されている、
請求項2に記載の部品。 - 第2の別の凹部(31)は、前記第3の側面(5)内に、および前記層状構造(2)の前記上面(7)内に導入され、前記別の凹部(31)が、前記リッジ構造(8)と、前記凹んだ壁面(50)との間に配置されており、
前記第2の別の凹部(31)は、底面(32)を備え、
前記底面(32)は、前記層状構造(2)の前記上面(7)と、前記第2の凹部(12)の第2の底面(14)のレベルとの間に配置されている、
請求項3のいずれか一項に記載の部品。 - 前記第2の凹部(12)の第2の底面が、前記第1の凹部(11)の第1の底面(13)と同じレベルで配置されている、
請求項1~4のいずれか一項に記載の部品。 - 前記第2の凹部(12)は、第2の側面(4)の長手方向側の50%から99%の範囲にわたって延びている、
請求項1~5のいずれか一項に記載の部品。 - 前記第2の凹部(12)は、前記上面(7)に対して、0.5μmから50μmの間の範囲の深さ(48)を備える、
請求項1~6のいずれか一項に記載の部品。 - 前記第2の凹部(12)は、前記上面(7)に対して2μmから6μmの間の範囲の深さ(48)を備える、および/または、前記第2の凹部(12)は、前記上面(7)に対して1μmから10μmの間の範囲の深さ(48)を備える、
請求項7に記載の部品。 - 前記第2の側面(4)および前記第4の側面(6)が、前記リッジ構造(8)において前記第2の側面(4)および前記第4の側面(6)に垂直な方向で中心に、前記第2の側面(4)および前記第4の側面(6)に平行に配置される中心面(37)に対して両側に構成され、
前記レーザ・ダイオード(1)の前記第4の側面(6)は、前記中心面(37)に対して前記第2の側面(4)と鏡面対称に構成され、対応する第1の凹部および第2の凹部(11、12)を備える、
請求項1~8のいずれか一項に記載の部品。 - 前記第2の凹部(12)は、前記第2の側面(4)の壁面(46、47、48)に隣接し、前記第2の凹部(12)は、3つの別の壁面(46、47、48)と第2の底面(14)とを備える、請求項1~9のいずれか一項に記載の部品。
- 前記3つの別の壁面(46、47、48)および前記第2の凹部(12)の前記第2の底面(14)、および、前記第2の底面(14)と同じレベルで配置された、前記第1の凹部(11)の第1の底面(13)、および前記第2の側面(4)の別の前記壁面(50、51)が、不動態化層(44)で覆われた、請求項10に記載の部品。
- 前記層状構造(2)の前記上面(7)が、不動態化層(44)で覆われた、請求項1~11のいずれか一項に記載の部品。
- 前記別の凹部(31)の表面が、不動態化層(44)で覆われた、請求項2~3のいずれか一項に記載の部品。
- 前記部品が、端面発光型レーザ・ダイオードとして、または発光ダイオードとして構成され、前記層状構造(2)が、III-V族化合物半導体からなる、請求項1~13のいずれか一項に記載の部品。
- 前記部品が、端面発光型レーザ・ダイオードとして、または発光ダイオードとして構成され、前記層状構造(2)が、III-V族化合物半導体またはII-VI族化合物半導体に基づく、請求項1~13のいずれか一項に記載の部品。
- 前記部品が、端面発光型レーザ・ダイオードとして、または発光ダイオードとして構成され、前記層状構造(2)が、酸化亜鉛に基づく、請求項1~13のいずれか一項に記載の部品。
- 前記層状構造(2)がAlnIn1-n-mGamNに基づき、ここで、0≦n≦1、0≦m≦1およびn+m≦1である、または、前記層状構造(2)がAlnGamIn1-n-mPに基づき、ここで、0≦n≦1、0≦m≦1およびn+m≦1である、または、前記層状構造(2)がAlnGamIn1-n-mSbに基づき、ここで、0≦n≦1、0≦m≦1およびn+m≦1である、請求項1~16のいずれか一項に記載の部品。
- 前記第2の凹部(12)の長さ(28)は、前記レーザ・ダイオード(1)の前記z軸に沿って80%から97%の間の範囲にわたって延びる、請求項1~6のいずれか一項に記載の部品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015116712.3A DE102015116712A1 (de) | 2015-10-01 | 2015-10-01 | Optoelektronisches Bauelement |
DE102015116712.3 | 2015-10-01 | ||
JP2020031815A JP6940638B2 (ja) | 2015-10-01 | 2020-02-27 | オプトエレクトロニクス部品 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020031815A Division JP6940638B2 (ja) | 2015-10-01 | 2020-02-27 | オプトエレクトロニクス部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021184504A JP2021184504A (ja) | 2021-12-02 |
JP7252289B2 true JP7252289B2 (ja) | 2023-04-04 |
Family
ID=57044963
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018513297A Active JP6785845B2 (ja) | 2015-10-01 | 2016-09-29 | オプトエレクトロニクス部品 |
JP2020031815A Active JP6940638B2 (ja) | 2015-10-01 | 2020-02-27 | オプトエレクトロニクス部品 |
JP2021143256A Active JP7252289B2 (ja) | 2015-10-01 | 2021-09-02 | オプトエレクトロニクス部品 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018513297A Active JP6785845B2 (ja) | 2015-10-01 | 2016-09-29 | オプトエレクトロニクス部品 |
JP2020031815A Active JP6940638B2 (ja) | 2015-10-01 | 2020-02-27 | オプトエレクトロニクス部品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10686296B2 (ja) |
EP (2) | EP4142074A1 (ja) |
JP (3) | JP6785845B2 (ja) |
CN (2) | CN112202045B (ja) |
DE (1) | DE102015116712A1 (ja) |
WO (1) | WO2017055490A1 (ja) |
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-
2015
- 2015-10-01 DE DE102015116712.3A patent/DE102015116712A1/de active Granted
-
2016
- 2016-09-29 EP EP22201865.7A patent/EP4142074A1/de active Pending
- 2016-09-29 CN CN202011117564.5A patent/CN112202045B/zh active Active
- 2016-09-29 US US15/764,411 patent/US10686296B2/en active Active
- 2016-09-29 EP EP16774942.3A patent/EP3357131B1/de active Active
- 2016-09-29 CN CN201680057942.0A patent/CN108141004B/zh active Active
- 2016-09-29 WO PCT/EP2016/073326 patent/WO2017055490A1/de active Application Filing
- 2016-09-29 JP JP2018513297A patent/JP6785845B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-27 JP JP2020031815A patent/JP6940638B2/ja active Active
- 2020-03-30 US US16/834,037 patent/US10938180B2/en active Active
-
2021
- 2021-02-10 US US17/172,138 patent/US11742633B2/en active Active
- 2021-09-02 JP JP2021143256A patent/JP7252289B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018530151A (ja) | 2018-10-11 |
US20210167581A1 (en) | 2021-06-03 |
CN112202045A (zh) | 2021-01-08 |
JP2021184504A (ja) | 2021-12-02 |
US10686296B2 (en) | 2020-06-16 |
CN108141004A (zh) | 2018-06-08 |
JP6940638B2 (ja) | 2021-09-29 |
CN108141004B (zh) | 2020-10-09 |
US10938180B2 (en) | 2021-03-02 |
EP4142074A1 (de) | 2023-03-01 |
US20190052060A1 (en) | 2019-02-14 |
US20200227893A1 (en) | 2020-07-16 |
WO2017055490A1 (de) | 2017-04-06 |
US11742633B2 (en) | 2023-08-29 |
JP2020150260A (ja) | 2020-09-17 |
JP6785845B2 (ja) | 2020-11-18 |
CN112202045B (zh) | 2024-06-25 |
EP3357131A1 (de) | 2018-08-08 |
DE102015116712A1 (de) | 2017-04-06 |
EP3357131B1 (de) | 2022-12-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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