CN108141004B - 光电子组件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种包括层结构的光电子组件，该层结构具有用于产生电磁辐射的有源区，其中该有源区被布置在平面中，其中该层结构具有顶侧和四个侧面，其中条形的脊结构被布置在该层结构的顶侧上，其中该脊结构在第一侧面和第三侧面之间延伸，其中该第一侧面表示用于电磁辐射的照射面，其中第一凹陷在该脊结构旁边侧向地被引入到该层结构的顶侧中，其中第二凹陷被引入到该第一凹陷中，并且其中该第二凹陷一直延伸到该第二侧面。

Description

光电子组件
技术领域
本发明涉及根据专利权利要求1所述的光电子组件。
背景技术
本专利申请要求德国专利申请DE 10 2015 116 712.3的优先权，其公开内容在此通过引用的方式并入。
在现有技术中，从US2009/0137098 A1或从US 7 724 793 B2中已知例如以激光二极管的形式的光电子组件，该光电子组件包括层结构，该层结构包括用于产生电磁辐射的有源区。层结构上布置有脊结构，所述脊结构被布置在两个侧面之间，这两个侧面彼此平行地被布置。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改进的光电子组件。本发明的目的通过根据权利要求1所述的组件得以实现。
其他有利的实施方式在从属权利要求中被说明。
提供一种包括层结构的光电子组件，该层结构包括用于产生电磁辐射的有源区，其中层结构包括顶侧和四个侧面，其中条形的脊结构被布置在层结构的顶侧上，其中脊结构在第一侧面和第三侧面之间延伸，其中第一侧面构成用于电磁辐射的发射面，其中第一凹陷在脊结构旁边侧向地被引入到层结构的顶侧中，其中第二凹陷被引入到第一凹陷中，并且其中第二凹陷一直延伸到第二侧面。由此在很大程度上避免在第一和/或第三侧面断裂的情况下的位错形成。此外，在p向下安装（p-down mounting）的情况下，流经侧面的漏电流被减小。
在一种实施方式中，第一凹陷被引入到第一侧面和/或第三侧面中，其中第二凹陷被引入到第一侧面和/或第三侧面中。由于第一和/或第三凹陷在第一和/或第三侧面的区域中的布置，可以实现在第一和/或第三侧面断裂的情况下进一步减少位错形成。
在一种实施方式中，至少一个第三凹陷在脊结构旁边侧向地被引入到第一凹陷的底面中。由此可以实现在第一和/或第三侧面断裂的情况下进一步减少位错形成。
在一种实施方式中，第三凹陷被引入到第一和/或第三侧面中。由此实现在第一和/或第三侧面断裂的情况下进一步减少位错形成。
在一种实施方式中，第三凹陷与第二侧面大体上平行地布置，其中第三凹陷以与第一侧面间隔开并且与第三侧面间隔开的方式被布置。
在一种实施方式中，第一凹陷沿第二侧面的纵向延伸，并且其中第一凹陷以与第一侧面间隔开并且与第三侧面间隔开的方式被布置。
在一种实施方式中，第一凹陷经第二侧面的纵侧的1%至99%的范围延伸。通过这种方式，在p向下安装的情况下，实现对流经第二侧面的漏电流的进一步减小。
在一种实施方式中，第二凹陷沿第二侧面的纵向延伸，并且其中第二凹陷以与第一侧面间隔开并且与第三侧面间隔开的方式被布置。
在一种实施方式中，第二凹陷经第一侧面的纵侧的1%至99%的范围延伸，尤其是50%至95%的范围延伸。通过这种方式，在p向下安装的情况下，实现对流经第二侧面的漏电流的进一步减小。
在一种实施方式中，第二凹陷相对于第一凹陷的底面而言具有比第三凹陷更大的深度。
在一种实施方式中，第二凹陷相对于顶侧而言具有在0.5 µm至50 µm之间的范围内的深度，尤其是具有在1 µm至10 µm之间的范围内的深度。通过这种方式，在p向下安装的情况下，减小流经第二侧面的漏电流充分减小。
在一种实施方式中，第二凹陷相对于顶侧而言具有在2 µm至6 µm之间的范围内的深度。
在一种实施方式中，第二和第四侧面相对于中心面而言以镜像对称的方式被构造，其中顶侧相对于中心面而言以镜像对称的方式被构造，其中这些顶侧被布置在相对于脊结构而言的相对侧上。因此，流经第二和第三侧面的漏电流被减小。另外，在第一和/或第三侧面上的位错形成被进一步减少。
在一种实施方式中，第一凹陷和/或第二凹陷和/或第三凹陷的至少壁和/或底面覆有钝化层。由此可以减小流经侧面的漏电流。
在一种实施方式中，第一凹陷在激光二极管的整个长度上从第一侧面沿第二侧面一直延伸到第三侧面，其中第一凹陷一直延伸到第二侧面，其中第二凹陷被引入到第一凹陷的第一底面中，其中第二凹陷沿第二侧面延伸，其中第二凹陷被构造为，与第一侧面间隔开并且与第三侧面间隔开，并且其中第二凹陷通到第二侧面中。
在一种实施方式中，第一凹陷在激光二极管的整个长度上从第一侧面沿第二侧面一直延伸到第三侧面，其中在第一凹陷的区域中，第二侧面包括侧向凹进的壁面，其中第二凹陷侧向地被引入到第一凹陷中并且被引入到凹进的壁面中，其中第二凹陷被引入到层结构的顶侧中，其中第二凹陷沿第二侧面延伸，其中第二凹陷被构造为，与第一侧面间隔开并且与第三侧面间隔开。
在一种实施方式中，另外的凹陷被引入到层结构的第一侧面中和顶侧中，其中该另外的凹陷被布置在脊结构与第二侧面的凹进的壁面之间。
在一种实施方式中，该另外的凹陷包括底面，其中底面被布置在层结构的顶侧与第二凹陷的第二底面的高度之间。
在一种实施方式中，第二个另外的凹陷被引入到层结构的第三侧面中和顶侧中，其中该第二个另外的凹陷被布置在脊结构与第二侧面的内凹的壁面之间。
在一种实施方式中，该第二个另外的凹陷包括底面，其中底面被布置在层结构的顶侧与第二凹陷的第二底面的高度之间。
在一种实施方式中，第二凹陷的第二底面被布置在与第一凹陷的底面相同的高度上。
附图说明
在与示例性实施方式的以下描述相关联的情况下，本发明的上述性质、特征和优点以及实现它们的方式将变得更加清楚且更清楚地被理解，其中所述示例性的实施方式以与附图相关联的方式被更详细地阐述，其中：
图1示出光电子组件的示意性透视图；
图2示出穿过包括两个凹陷的激光二极管的横截面；
图3示出穿过包括三个凹陷的激光二极管的横截面；
图4示出激光二极管的顶侧的示意性俯视图；
图5示出穿过包括斜切凹陷的激光二极管的示意性横截面；
图6示出穿过激光二极管的另一个实施方式的示意性横截面，该激光二极管包括凹陷，该凹陷被构造为，部分垂直且部分以斜切的方式；
图7示出穿过激光二极管的另一个实施方式的示意性横截面，该激光二极管包括多个第三凹陷；
图8示出穿过激光二极管的另一个实施方式的横截面，该激光二极管包括部分垂直且部分斜切的侧壁；
图9示出激光二极管的另一个实施方式的示意性透视图，该激光二极管包括第二侧壁处的凹陷；
图10示出激光二极管的另一个实施方式的示意性透视图，该激光二极管包括第三侧面处的凹陷；
图11示出激光二极管的示意性透视图，该激光二极管包括在第三侧面上和第一侧面上的凹陷；
图12示出晶片的一部分的示意性俯视图，该晶片包括在组件被分开之前的根据图9的组件；
图13示出晶片的一部分的示意性俯视图，该晶片包括在组件被分开之前的组件的另一个实施方式；
图14示出晶片的一部分的示意性俯视图，该晶片包括在组件被分开之前的根据图10的组件；以及
图15示出晶片的一部分的示意性俯视图，该晶片包括在组件被分开之前的根据图11的组件。
具体实施方式
图1以示意图的形式示出以包括层结构2的激光二极管1的形式的光电子组件。层结构2包括四个侧面3、4、5、6。通常，第一侧面3和第三侧面5彼此平行地布置。类似地，第二侧面4和第四侧面6通常彼此平行地布置。条形的脊结构8设置于层结构2的顶侧7上。脊结构8在第一侧面3和第三侧面5之间在纵向方向上延伸。在第一侧面3处，发射面7设置于脊结构8的下方，经由该发射面电磁辐射在第一侧面3上被发射。
在包括彼此垂直的x轴、y轴和z轴的坐标系中，第一侧面3和第三侧面5垂直于z轴地布置。第二侧面4和第四侧面6垂直于x轴地布置。顶侧7垂直于y轴设置。在示出的示例性实施方式中，脊结构8相对于沿顶侧7的x轴的宽度而言居中地布置。脊结构仅覆盖顶侧7的宽度的一部分。在示出的示例性实施方式中，脊结构8沿z轴垂直于第一侧面3从第一侧面3延伸至第三侧面5。取决于所选择的实施方式，脊结构8还可以在第一侧面3和/或第三侧面5的平面之前结束或者以相对于第一侧面3和/或第三侧面5的平面而言的不等于90°的角度对准。第一和第三侧面可以包括镜面层。另外，可以在顶侧7上布置绝缘层。
光电子组件被构造为例如边射型激光二极管（edge emitting laser diode）或者发光二极管（LED）。特别地，激光二极管/LED可以由III-V半导体材料制成，特别是由氮化镓铟制成。层结构2包括有源区9，有源区9在平面内垂直于y轴地布置并且可以沿x轴侧向延伸超过脊结构的宽度。由于脊结构8，在有源区9中在脊结构8下方实现了对所产生的激光模式10的引导。层结构2可以由III-V半导体材料构成并且布置于载体上。基底和/或层结构2可以基于III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体或氧化锌。II-VI族化合物半导体可以为硫化物或硒化物。III-V族化合物半导体可以基于：氮化物基化合物半导体、磷化物基化合物半导体、亚锑酸盐基化合物半导体或砷化物基化合物半导体。III-V族化合物半导体可以为例如：氮化物，诸如氮化镓、氮化铟或氮化铝；磷化物，诸如磷化镓或磷化铟；第一砷化物，诸如砷化镓或砷化铟。在这种情况下，举例来说，可以提供材料系统AlnIn1-n-mGamN，其中0 ≤ n ≤ 1、0 ≤ m ≤ 1且n+m ≤ 1。另外，材料系统可以包括AlnGamIn1-n-mP，其中0≤ n ≤ 1、0 ≤ m ≤ 1且n+m ≤ 1。另外，材料系统可以包括AlnGamIn1-n-mSb，其中0 ≤ n≤ 1、0 ≤ m ≤ 1且n+m ≤ 1。
在激光二极管1的生产过程中，单独的激光二极管1从组合件中被分离，特别是从晶片中分离，其中特别地，第一侧面3和第三侧面5借助于断裂晶片的过程来生产。第一侧面3和第三侧面5应该满足对激光二极管1的良好质量所规定的条件，特别是构成没有干扰和位错的平坦面。因此，第一侧面3和第三侧面5的断裂对于激光二极管1的质量来说是很重要的过程。
在下文中将呈现多种结构，这些结构能够实现第一侧面3和第三侧面5断裂的过程，其中产生第一侧面3和第三侧面5的高质量。
图2示出在X-Y平面内的包括的激光二极管1的第一实施方式的装置的示意性部分横截面，该装置通过使用p向下安装的脊结构8被固定在载体36处。载体36可以以半导体基底的形式被构造。有源区9被布置于层结构2中，其中借助于脊结构8，在激光二极管1的运行期间，在脊结构8的下方产生激光模式10。激光模式10由第三侧面5反射并且经由第一侧面3被至少部分地发射。
层结构2包括在脊结构8和第二侧面4之间在顶侧7中的第一凹陷11，所述第一凹陷沿x轴朝第二侧面4的方向上延伸至第二凹陷12。第一凹陷11包括第一底面13并且在纵向方向上延伸，也就是说沿着z轴例如从第一侧面3延伸至第三侧面5。取决于所选择的实施方式，第一凹陷11也可以仅在组件长度的一部分上延伸。
在一个实施方式中，第一凹陷11的第一底面13和侧面45配备有电绝缘钝化层44。该钝化层44例如被构造为氧化物层，并且可以在激光二极管被分开之前被制成，例如在升高的温度下在使用氧等离子体或水蒸气的氧化方法中。第一凹陷11的第一底面13和侧面45例如由硅构成，使得钝化层可以由氧化硅形成。另外，钝化层也可以由SiNx、TiO2或Ta2O5形成。
第二凹陷12经由壁面18沿y轴从第一凹陷11的第一底面13延伸至第二底面14。壁面18和第二底面14可以同样由钝化层44覆盖。第二凹陷12可以沿z轴从第一侧面3延伸至第三侧面5。另外，第二凹陷12可以沿z轴仅在激光二极管的长度的一部分上延伸。
第一底面13沿y轴布置，例如被布置在有源区9所布置在的平面的区域中。在发生断裂时，构造为半导体层结构的层结构2在垂直于z轴的从左至右的断裂方向15上断裂。在此，由于第一凹陷11和第二凹陷12，横向断面（facets）和/或干扰在第一侧面3处得以避免，或者被转移到激光模式10下方的区域中。此外，第二侧面4和/或第四侧面6也可以同样通过断裂方法或锯切方法或蚀刻方法来制造。
示意性地示出位错40，该位错起始于第二凹陷12的壁面18，并且沿x轴横向地经激光二极管1的宽度延伸。然而，位错40被布置在激光模式10下方并因此不能损害由激光二极管1发射的电磁辐射的质量。
顶侧7可以在脊结构8的两侧相对于中心面37镜像对称地构造。中心面37平行于y-z平面并且在脊结构8中在x方向上在中心地布置。第四侧面6可以同样相对于中心面37镜像对称地构造。因此，第四侧面6以按照第二侧面4的方式配备有相应的凹陷11、12。
图3示出在x-y平面中的激光二极管1的另一个实施方式的示意性部分横截面，其中除了第一凹陷11和第二凹陷12之外还设置有第三凹陷16。第三凹陷16沿x轴在脊结构8和第二凹陷12之间被引入到第一凹陷11的底面13中。取决于所选择的实施方式，第三凹陷16可以具有比第二凹陷12更小的深度。同样地，第三凹陷16的第三底面17可以至少被布置在有源区9的平面的区域中或者有源区9的平面下方。第三凹陷16可以在激光二极管1的z方向上在整个长度上延伸或仅在部分区段上延伸。另外，第三凹陷16的侧面和第三底面17可以覆盖有钝化层44。借助于第三凹陷16，可以在层结构2沿从左至右的断裂方向15断裂的情况下，实现对第一侧面3的质量的进一步改善。
借助于第三凹陷16，同样抑制在更深区域中形成的且在断裂期间所产生的横向断面或干扰。示意性地示出位错40，所述位错起始于第二凹陷12并且沿x轴横向地在激光二极管的宽度上延伸。然而，位错40被布置在激光模式10下方并因此不会损害激光辐射的质量。此外，示出第二位错41，其起始于第二凹陷12并且沿x轴横向延伸至第三凹陷16。第三凹陷16防止在激光模式10的区域的方向上进一步形成第二位错41。
取决于所选择的实施方式，第一凹陷11、第二凹陷12和/或第三凹陷16可以仅被布置在第一侧面3和第三侧面5的区域中，并且可以不在激光二极管的整个长度上沿z轴延伸。在另一个实施方式中，取决于所选择的实施方式，第一凹陷11、第二凹陷12和/或第三凹陷16可以被布置在第一侧面3和第三侧面5的区域中，并且可以在激光二极管1的整个长度上沿z轴延伸。在另一个实施方式中，取决于所选择的实施方式，第一凹陷11、第二凹陷12和/或第三凹陷16可以仅被布置在第一侧面3和第三侧面5的区域中。
图4以示意图的方式从上方示出来自图3的实施方式的视图，其中第一凹陷11、第二凹陷12和第三凹陷16以仅与第一侧面3和第三侧面5邻接的方式被构造。取决于所选择的实施方式，第一凹陷11、第二凹陷12和第三凹陷16也可以在层结构2的沿z轴的整个长度上延伸。顶侧7以及第二侧面4和第四侧面6相对于中心面37镜面对称地构造。钝化层并未明确地被示出。
图5示出通过激光二极管1的另一个实施方式的在x-y平面中的示意性部分横截面，其中，以与第二侧面4邻接的方式，第二凹陷12被引入到层结构2的顶侧7中。第二凹陷12包括以倾斜的方式布置的壁面18。壁面18可以以相对于y轴而言的91°和179°之间的角度19对准。特别地，壁面18可以以相对于y轴而言的135°和155°之间的角度19被布置。第二凹陷12可以具有相对于顶侧7而言的在0.5至50 μm范围内的深度。尤其是，凹陷12的深度可以在1至10 μm的范围内，特别是在2至6 μm的范围内。在第二凹陷12的该实施方式中，所述深度被认为是y轴上的边缘20的高度，在该高度，壁面18过渡到第二侧面4中。边缘20沿z轴对准。由于位错40优选地垂直于面起始，所以如示意性示出的那样，通过斜切的第二侧面4可以向下转移干扰和横向断面。顶侧7和壁面18可以覆盖有钝化层44。此外，激光二极管1的第四侧面6可以关于中心面37而言相对于第二侧面4镜像对称地构造。
图6示出激光二极管1在包括第二凹陷12的y-x平面中的另一个实施方式的部分横截面，第二凹陷包括在上区段21中的第二侧面4处的第一壁面23，所述第一壁面平行于y轴地布置。第一壁面23过渡到第二底面14。第二底面14不沿x轴延伸至第二侧面4，而是过渡到下区段22中的第二壁面25。
第二壁面25以倾斜面的形式构造，该倾斜面相对于y轴成角度19，该角度可以在91°与179°之间，特别是在135°与155°之间。因此，在这一实施例中，第二凹陷12的下区段22相对于y轴倾斜地设置布置。因此，在下区域中产生的位错40或横向断面可以尤其被转移到更深的区域中。可以用钝化层44覆盖顶侧7和/或第一壁面和/或第二壁面和/或第二底面14。另外，激光二极管1的第四侧面6可以相对于第二侧面4关于中心面37镜像对称地构造。
图7示出在y-x平面中激光二极管1的另一个实施例的部分横截面，其基本上对应于来自图3的实施方式，但是其中第四凹陷26和第五凹陷27被附加地引入到第一凹陷11的第一底面13中。取决于所选择的实施方式，第五凹陷27可以被放弃或者也可以设置多个凹陷。第四凹陷26和第五凹陷27可以按照第三凹陷16来构造。通过设置第四凹陷26和第五凹陷27，可以抑制在第三凹陷16与第四凹陷之间和/或在第四凹陷26与第五凹陷27之间产生的其它横向断面41。取决于所选择的实施方式，第三凹陷16的深度可以与第四凹陷26和第五凹陷27的深度不同。此外，如基于图5和图6中的示例所解释的那样，第三凹陷16的壁面以及第四凹陷26和第五凹陷27的壁面也可以相对于y轴倾斜地布置。
第二凹陷12的顶侧7和/或壁面18和/或第二凹陷12的第二底面14和/或第三和/或第四和/或第五凹陷16、26、27的壁以及底面可以覆盖有钝化层44。另外，激光二极管1的第四侧面6可以相对于第二侧面4关于中心面37镜像对称地构造。此外，被布置在脊结构8和第四侧面6之间的顶侧7还可以包括第三凹陷、第四凹陷和第五凹陷并且可以相对于中心面37镜像对称地构造。
图8示出包括第二凹陷12的在y-x平面中的激光二极管1的另一实施例的部分横截面。第二凹陷12包括上区段21中的第一壁面23，所述第一壁面被布置为相对于y轴成角度19倾斜。角度19可以在91°与179°之间的范围内，特别是在135°与155°之间的范围内。第一壁面23经由边缘20过渡到下区段22和第二壁面25中。边缘20特别是在激光二极管1的整个长度上与z轴平行地制造。第二壁面25平行于y轴地布置。第二壁面25在x轴的方向上经由第二底面14过渡到第二侧面4中。因此，在这一实施方式中，借助于倾斜布置的第一壁面23，可以将在断裂期间可能出现的干扰和横向断面40向下转移至激光模式10的区域之外。第二凹陷12的顶侧7和/或第一壁面23和/或第二壁面25和/或第二底面14可以覆盖有钝化层44。此外，激光二极管1的第四侧面6可以相对于第二侧面4关于中心面37镜像对称地构造。
图9以示意性透视图的形式示出以第一侧面3的视角的激光二极管1的另一个实施例的部分横截面，其中包括第一底面13的第一凹陷11构造在顶侧7中。第一凹陷11例如在激光二极管1的整个长度上或者仅在激光二极管1的整个长度的一部分上沿z方向延伸。因此，第一凹陷11可以以阶梯分级的形式构造。第一凹陷11包括第一壁面45和第一底面13。第一壁面45可以垂直于顶侧7布置。第一底面13可以平行于顶侧7布置。壁面45和/或第一底面13可以覆盖有钝化层44。
第二凹陷12被引入到第一凹陷11的第一底面13中。第二凹陷12沿x方向延伸至第二侧面4。因此，第二凹陷12在第一底面13和第二侧面4中开放（opened）。第二凹陷12包括三个另外的壁面46、47、48和第二底面14。第二底面14例如与第一底面13平行地布置。第一壁面46以相对于第三侧面5向内偏移的方式布置。第一壁面46可以平行于第三侧面5布置。第三壁面48以相对于第一侧面3向内偏移的方式布置。第三壁面48可以平行于第一侧面3布置。三个另外的壁面46、47、48和第二底面14可以覆盖有薄的钝化层44，该钝化层仅微不足道地改变第二凹陷12的形状。在所示的示例中，第二凹陷12布置在第一侧面3和第三侧面5之间并且与第一侧面3和第三侧面5间隔开。第一侧面3和第三侧面5构成断面。
取决于所选择的实施方式，第二凹陷12也可以延伸至第一侧面3和第三侧面5，并且可以以第二阶梯分级的形式构造。此外，第二凹陷12也可以仅布置在第一侧面3和第三侧面5的区域中。在这一实施方式中，起始于顶侧7的第一凹陷11包括平行于Y轴的在0.5和25μm之间的深度。第二凹陷12包括相对于第一凹陷11的第一底面13的深度49，该深度在0.5 μm与50 μm之间的范围内，例如在1 μm与10 μm之间的范围内，特别是在2 μm和6 μm之间的范围内。第一底面13可以布置在有源区9的上方或下方。
取决于所选择的实施方式，平行于z轴的第二凹陷12的长度28可以在激光二极管1的平行于z轴的整个长度的5％和100％之间的范围内延伸。在100％的长度的情况下，第二凹陷12包括仅一个第二个另外的壁面47和第二底面14。特别地，第二凹陷的长度28可以在激光二极管1的平行于z轴的长度的50％和99％之间的范围内延伸。此外，第二凹陷12的长度28可沿着激光二极管的z轴在80％和97％之间的范围延伸。第二凹陷12可以相对于激光二极管在z方向的长度而言对称地且居中地布置。借助于这些实施方式，由于第一和第二凹陷11、12和/或钝化层44，在p向下安装的情况下，其中脊结构8被安装在载体上，可以减小漏电流。此外，由于凹陷11、12，在第一侧面3和/或第三侧面5断裂的情况下，位错被减小。此外，激光二极管1的第四侧面6可以相对于第二侧面4关于中心面37镜像对称地被构造。
图10示出以第一侧面3的视角的激光二极管1的另一个实施方式的部分透视图。第一凹陷11被引入到顶侧7中，所述第一凹陷直接邻接于第二侧面4并且从第一侧面3延伸至第三侧面5。第一凹陷11包括第一底面13，第一底面13例如与顶侧7平行地布置。此外，第一凹陷11由两个另外的第六壁面50、51限定。所述两个另外的第六壁面50、51附加地构成第二侧面4的向内凹进的部分。因此，第一凹陷11形成第一侧面4的侧向阶梯分级。
第二凹陷12被引入到顶侧7和第一凹陷11中。第一凹陷11和第二凹陷12之间的边界在第一底面13上以虚线方式示出。此外，第二凹陷12邻接于第二侧面4的另外的壁面50、51。第二凹陷12包括三个另外的壁面46、47、48和第二底面14。第二凹陷12布置在第一侧面3和第三侧面5之间，并且与第一侧面3和第三侧面5间隔开。在这一实施方式中，第一凹陷11和第二凹陷12具有沿Y轴相同的深度。第二凹陷12相对于顶侧7具有在0.5 μm与50 μm之间的范围内的深度，例如在1 μm与10 μm之间的范围内的深度，特别是在2 μm与6 μm之间的范围内的深度。
取决于所选择的实施方式，平行于z轴的第二凹陷12的长度28可以在激光二极管1的平行于z轴的整个长度的5％和100％之间的范围内延伸。第二凹陷12可以相对于激光二极管1的纵向范围居中地布置。在100％的长度的情况下，第二凹陷12包括仅一个第二个另外的壁面47和第二底面14。特别地，第二凹陷12的长度28可以在在激光二极管1的平行于z轴的长度的50％和99％之间的范围内延伸。此外，第二凹陷12的长度28可沿激光二极管的z轴在80％和97％之间的范围延伸。借助于这些实施方式，由于第一和第二凹陷11、12和/或钝化层44，在p向下安装的情况下，其中脊结构8被安装在载体上，可以减小漏电流。此外，由于凹陷11、12，在第一侧面3和/或第三侧面5断裂的情况下，位错被减小。此外，激光二极管1的第四侧面6可以相对于第二侧面4关于中心面37镜像对称地被构造，并且可以包括相应的第一凹陷11和第二凹陷12。取决于所选择的实施方式，第四侧6的第一凹陷11和第二凹陷12还可以包括与第二侧4的第一凹陷11和第二凹陷12不同的形状或尺寸。
第二凹陷12的三个另外的壁面46、47、48和第二底面14以及第一底面13和另外的第六壁面50、51可以覆盖有钝化层44。
至少部分钝化的第二侧面4具有侧向不同的宽度，例如，其在第一侧面和第三侧面的区域中更薄，使得即使有源区9位于非常靠近层结构的侧面处并且例如在不对称的脊位置的情况下位于小于50 μm的距离处，也实现：与具有在第一侧面3和第三侧面5的区域中的附加凹陷的深台面结构相结合。由此，在p向下安装的情况下，其中脊结构8被安装在载体上，可以减小漏电流。此外，可以抑制横向断面和/或干扰。此外，激光二极管1的第四侧面6可以相对于第二侧面4关于中心面37镜像对称地构造。
图11示出以第一侧面3的视角的激光二极管1的一个实施方式的部分视图，其基本上对应于来自图10的实施方式。然而，在这种情况下，附加地提供第七凹陷31，第七凹陷在第一侧面3的区域中被引入到层结构2的顶侧7中。第七凹陷31包括第七底面32。第七底面32被布置在第二凹陷12的顶侧7和第二底面14之间。此外，第七凹陷31在x轴上正好延伸到如下区域中，在该区域中第二凹陷12也在z轴上以侧向偏移的方式被形成。在激光二极管1断裂的情况下或者在第一侧面3断裂的情况下，第七凹陷31附加地提供抑制横向断面和干扰的可能性。取决于所选择的实施方式，与在第一侧面3的情况下一样，第七凹陷31也可以被布置在第三侧面5上。
与第七凹陷31以第七壁面33离脊结构的距离相比，第二凹陷12以壁面18离脊结构8的距离是相同的或更小的或更大的，其中所述壁面面向脊结构8或者与z轴平行对准。此外，第七凹陷31包括位于第七壁面33对侧的另一个第七壁面34。另一个第七壁面34与第二凹陷12的壁面18相比具有离脊结构8的更大的距离。第二凹陷12和第七凹陷31在z方向上彼此间隔距离35。第七凹陷31的面可以覆盖有钝化层44。
在激光二极管1的顶侧7上，在脊结构8的两侧施加绝缘层，使得流向脊结构8的区域的电流受到限制。此外，第二和第四侧面4、6以及凹陷覆盖有钝化层44。第二凹陷12的三个另外的壁面46、47、48和第二底面14以及第一底面13和另外的第六壁面50、51可以覆盖有钝化层44。钝化层44例如借助于化学转化来制造，特别是通过氧化侧面的材料来制造。例如，侧面4、6由硅构成，其中钝化层由氧化硅构成。
图12示出在组件被分开之前的包括根据图9的组件的晶片54的一部分的示意性俯视图。在这种情况下，第一分割线52和第二分割线53被示为虚线。第一分割线52平行于条形的脊结构8延伸。第二分割线53垂直于脊结构8延伸。
第一凹陷11构造为平行条带。第二凹陷12构造为，以平行线布置的条带。第一分割线52和第二分割线53被示为虚线。第一分割线52通过第一凹陷11和第二凹陷12的中间、平行于条形的脊结构8延伸。第二分割线53分别在两个第二凹陷12之间垂直于脊结构8延伸。第二分割线53限定组件的第一侧面和第三侧面。第一分割线52限定组件的第二侧面和第四侧面。组件按照分割线52、53被分开。在这种情况下，晶片54沿着第二分割线53断裂。晶片54同样可以沿着第一分割线52断裂。在示出的实施方式中，第一凹陷11在组件的整个长度上延伸。在示出的实施方式中，第二凹陷12仅在组件的长度的一部分上延伸。
图13示出在组件被分开之前的包括组件的另一个实施方式的晶片54的一部分的示意性俯视图。在这种情况下，第一分割线52和第二分割线53被示为虚线。第一分割线52平行于条形的脊结构8延伸。第二分割线53垂直于脊结构8延伸。
第一凹陷11被构造为平行条带。第二凹陷12被构造为平行条带。第一分割线52和第二分割线53被示为虚线。第一分割线52通过第二凹陷12的中间、平行于条形的脊结构8延伸。第二分割线53分别在两个第二凹陷12之间垂直于脊结构8延伸。
第二分割线53限定组件的第一侧面和第三侧面。第一分割线52限定组件的第二侧面和第四侧面。组件按照分割线52、53被分开。在这种情况下，晶片54沿着第二分割线53断裂。晶片54同样可以沿着第一分割线52断裂。组件基本上按照图12构造，然而其中在这一实施方式中，第二凹陷12在组件的整个长度上延伸。
图14示出在组件被分开之前的根据图10的包括组件的晶片54的一部分的示意性俯视图。脊结构8彼此平行地布置。
第一凹陷11构造为平行条带。第二凹陷12构造为以平行线布置的条带。第一分割线52和第二分割线53被示为虚线。第一分割线52通过第一凹陷11的中间、平行于条形的脊结构8延伸。第二分割线53分别在两个第二凹陷12之间垂直于脊结构8延伸。
第二分割线53限定组件的第一侧面和第三侧面。第一分割线52限定组件的第二侧面和第四侧面。组件按照分割线52、53被分开。在这种情况下，晶片54沿着第二分割线53断裂。晶片54同样可以沿着第一分割线52断裂。第一凹陷11在组件的整个长度上延伸。第二凹陷12仅在组件的长度的一部分上延伸。
图15示出在组件被分开之前的包括根据图11的组件的晶片54的一部分的示意性俯视图。其布置与图14中相同，其中也附加地提供第七凹陷31。脊结构8彼此平行地布置。在这种情况下，第一分割线52和第二分割线53被示为虚线。第一凹陷11构造为平行条带。第二凹陷12构造为，以平行线布置的条带。第一分割线52和第二分割线53被示为虚线。第一分割线52通过第一凹陷11的中间、平行于条形的脊结构8延伸。第二分割线53分别在两个第二凹陷12之间、垂直于脊结构8并且通过第七凹陷31中间延伸。
第二分割线53限定组件的第一侧面和第三侧面。第一分割线52限定组件的第二侧面和第四侧面。组件按照分割线52、53被分开。在这种情况下，晶片54沿着第二分割线53断裂。晶片54同样可以沿着第一分割线52断裂。第七凹陷31布置在第二分割线53上。
虽然已经通过优选示例性实施方式更加具体地示出并详细地描述了本发明，但是本发明并不受限于所公开的示例，并且本领域技术人员可以从其中导出其它变型方案，而并不偏离本发明的保护范围。
附图标记列表
1 激光二极管
2 层结构
3 第一侧面
4 第二侧面
5 第三侧面
6 第四侧面
7 顶侧
8 脊结构
9 有源区
10 激光模式
11 第一凹陷
12 第二凹陷
13 第一底面
14 第二底面
15 断裂方向
16 第三凹陷
17 第三底面
18 壁面
19 角度
20 边缘
21 上区段
22 下区段
23 第一壁面
24 第二底面
25 第二壁面
26 第四凹陷
27 第五凹陷
28 长度
31 第七凹陷
32 第七底面
33 第七壁面
34 另一个第七壁面
35 距离
36 载体
37 中心面
40 位错
41 第二位错
42 第三位错
44 钝化层
45 壁面
46 第一个另外的壁面
47 第二个另外的壁面
48 第三个另外的壁面
49 深度
50 另一个第六壁面
51 另一个第六壁面
52 第一分割线
53 第二分割线
54 晶片。

Claims (10)

1.一种包括层结构（2）的光电子组件，所述层结构（2）包括用于产生电磁辐射的有源区（9），其中所述有源区（9）被布置在平面中，其中所述层结构（2）包括顶侧（7）和四个侧面（3、4、5、6），其中第一侧面（3）和第三侧面（5）彼此相对地布置，其中第二侧面（4）和第四侧面（6）彼此相对地布置，其中条形的脊结构（8）被布置在所述层结构（2）的所述顶侧（7）上，其中所述脊结构（8）在所述第一侧面（3）和所述第三侧面（5）之间延伸，其中所述第一侧面（3）构成用于电磁辐射的发射面，其中第一凹陷（11）在所述脊结构（8）旁边侧向地被引入到所述层结构（2）的所述顶侧（7）中，其中第二凹陷（12）被引入到所述第一凹陷（11）中，并且其中所述第二凹陷（12）一直延伸到所述第二侧面（4、50、51），其中所述第一凹陷（11）在所述光电子组件的整个长度上从所述第一侧面（3）沿所述第二侧面（4）一直延伸到所述第三侧面（5），其中所述第一凹陷（11）一直延伸到所述第二侧面（4），其中所述第二凹陷（12）被引入到所述第一凹陷（11）的第一底面（13）中，其中所述第二凹陷（12）沿所述第二侧面（4）延伸，其中所述第二凹陷（12）被构造为，与所述第一侧面（3）间隔开并且与所述第三侧面（5）间隔开，并且其中所述第二凹陷（12）通到所述第二侧面（4）中。
2.根据权利要求1所述的组件，其中至少一个第三凹陷（16）在所述脊结构（8）旁边被侧向地引入到所述第一凹陷（11）的底面（13）中。
3.根据权利要求1所述的组件，其中至少一个第三凹陷（16）在所述脊结构（8）旁边被侧向地引入到所述第一凹陷（11）的底面（13）中，其中所述第三凹陷（16）被引入到所述第一侧面（3）和/或所述第三侧面（5）中。
4.根据权利要求1所述的组件，其中至少一个第三凹陷（16）在所述脊结构（8）旁边被侧向地引入到所述第一凹陷（11）的底面（13）中，其中所述第三凹陷（16）与所述第二侧面（4）大体平行地布置，其中所述第三凹陷（16）以与所述第一侧面（3）间隔开并且与所述第三侧面（5）间隔开的方式被布置。
5.根据权利要求1所述的组件，其中所述第二凹陷（12）在第二侧面（4）的纵侧的1%至99%的范围上延伸。
6.根据权利要求1所述的组件，其中至少一个第三凹陷（16）在所述脊结构（8）旁边被侧向地引入到所述第一凹陷（11）的底面（13）中，其中所述第二凹陷（12）相对于所述第一凹陷（11）的底面（13）而言具有比所述第三凹陷（16）更大的深度（48）。
7.根据权利要求1所述的组件，其中所述第二凹陷（12）相对于所述顶侧（7）而言具有在0.5 µm至50 µm之间的范围内的深度（48）。
8.根据权利要求7所述的组件，其中所述第二凹陷（12）相对于所述顶侧（7）而言具有在1 µm至10 µm之间的范围内的深度（48）。
9.根据权利要求1所述的组件，其中所述第二凹陷（12）相对于所述顶侧（7）而言具有在2 µm至6 µm之间的范围内的深度（48）。
10.根据权利要求1所述的组件，其中所述第二侧面（4）和所述第四侧面（6）被构造为，在两侧关于中心面（37）镜像对称，和/或其中被布置在相对于所述脊结构（8）而言的对侧的所述顶侧（7）被构造为，关于所述中心面（37）镜像对称。
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