JP2018530151A - オプトエレクトロニクス部品 - Google Patents
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- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 48
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001495 arsenic compounds Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/3013—AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/3018—AIIBVI compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/0234—Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
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Abstract
Description
2 層状構造
3 第1の側面
4 第2の側面
5 第3の側面
6 第4の側面
7 上面
8 リッジ構造
9 活性領域
10 レーザ・モード
11 第1の凹部
12 第2の凹部
13 第1の底面
14 第2の底面
15 ブレーキング方向
16 第3の凹部
17 第3の底面
18 壁面
19 角度
20 端部
21 上部
22 下部
23 第1の壁面
24 第2の底面
25 第2の壁面
26 第4の凹部
27 第5の凹部
28 長さ
31 第7の凹部
32 第7の底面
33 第7の壁面
34 別の第7の壁面
35 距離
36 キャリア
37 中心面
40 転位
41 第2の転位
42 第3の転位
44 不動態化層
45 壁面
46 第1の別の壁面
47 第2の別の壁面
48 第3の別の壁面
49 深さ
50 別の第6の壁面
51 別の第6の壁面
52 第1の分離線
53 第2の分離線
54 ウェハ
Claims (20)
- 電磁放射を生じさせるための活性領域(9)を備えた層状構造(2)を備えるオプトエレクトロニクス部品であって、
前記活性領域(9)は、平面内に配置され、
前記層状構造(2)は、上面(7)と4つの側面(3、4、5、6)とを備え、
第1および第3の側面(1、3)は互いに対向して配置され、第2および第4の側面(4、5)は互いに対向して配置され、
前記層状構造(2)の前記上面(7)上にストリップ型リッジ構造(8)が配置され、
前記リッジ構造(8)は、前記第1の側面(3)と前記第3の側面(5)との間に延び、
前記第1の側面(3)は、電磁放射のための放射面を構成し、
前記リッジ構造(8)に沿って横方向に前記層状構造(2)の前記上面(7)内に第1の凹部(11)が導入され、
前記第1の凹部(11)内に、前記第2の側面(4、50、51)まで延びる第2の凹部(12)が導入されている、
オプトエレクトロニクス部品。 - 前記第1の凹部(11)は、前記第1の側面(3)内に、および/または前記第3の側面(5)内に導入され、
前記第2の凹部(12)は、前記第1の側面(3)内に、および/または前記第3の側面(5)内に導入されている、
請求項1に記載の部品。 - 少なくとも1つの第3の凹部(16)が、前記リッジ構造(8)に沿って横方向に前記第1の凹部(11)の底面(13)内に導入されている、
請求項1または2に記載の部品。 - 前記第3の凹部(16)は、前記第1の側面(3)内に、および/または前記第3の側面(5)内に導入されている、
請求項3に記載の部品。 - 前記第3の凹部(16)は、実質的に前記第2の側面(4)に平行に配置され、前記第3の凹部(16)が、前記第1の側面(3)から距離を置いて、および前記第3の側面(5)から距離を置いて配置されている、
請求項3に記載の部品。 - 前記第1の凹部(11)は、前記第2の側面(4)の長手方向に沿って延び、前記第1の側面(3)から距離を置いて、および前記第3の側面(5)から距離を置いて配置されている、
請求項1および3〜5のいずれか一項に記載の部品。 - 前記第1の凹部(11)は、前記第2の側面(4)の長手方向側の1%から99%の範囲にわたって、特に、前記第2の側面(4)の長手方向側の50%から95%の範囲にわたって延びている、
請求項6に記載の部品。 - 前記第2の凹部(12)は、前記第2の側面(4)の長手方向に沿って延び、前記第2の凹部(12)が、前記第1の側面(3)から距離を置いて、および前記第3の側面(5)から距離を置いて配置されている、
請求項1および3〜7のいずれか一項に記載の部品。 - 前記第1の凹部(11)は、前記第2の側面(4)に沿って前記レーザ・ダイオード(1)の全長にわたって前記第1の側面(3)から前記第3の側面(5)まで延び、
前記第1の凹部(11)は、前記第2の側面(4)まで延び、
前記第2の凹部(12)は、前記第1の凹部(11)の第1の底面(13)内に導入され、
前記第2の凹部(12)は、前記第2の側面(4)に沿って延び、前記第2の凹部(12)が、前記第1の側面(3)から距離を置いて、および前記第3の側面(5)から距離を置いて構成され、前記第2の凹部(12)が前記第2の側面(4)内に入る、
請求項1に記載の部品。 - 前記第1の凹部(11)は、前記第2の側面(4)に沿って前記レーザ・ダイオード(1)の全長にわたって前記第1の側面(3)から前記第3の側面(5)まで延び、前記第1の凹部(11)の領域において、前記第2の側面(4)が、横方向に凹んだ壁面(50、51)を備え、
前記第2の凹部(12)は、横方向に前記第1の凹部(11)内に、および前記第2の側面(4)の前記凹んだ壁面(50、51)内に導入され、前記第2の凹部(12)が、前記層状構造(2)の前記上面(7)内に導入され、前記第2の凹部(12)が、前記第2の側面(4、50、51)に沿って延び、前記第2の凹部(12)が、前記第1の側面(3)から距離を置いて、および前記第3の側面(5)から距離を置いて構成される、
請求項1に記載の部品。 - 別の凹部(31)が、前記第1の側面(3)内に、および前記層状構造(2)の前記上面(7)内に導入され、
前記別の凹部(31)は、前記リッジ構造(8)と、前記凹んだ壁面(51)との間に配置されている、
請求項10に記載の部品。 - 前記別の凹部(31)は、底面(32)を備え、
前記底面(32)は、前記上面(7)と、前記第2の凹部(12)の前記第2の底面(14)のレベルとの間に配置されている、
請求項11に記載の部品。 - 第2の別の凹部(31)は、前記第3の側面(5)内に、および前記層状構造(2)の前記上面(7)内に導入され、前記別の凹部(31)が、前記リッジ構造(8)と、前記凹んだ壁面(50)との間に配置されている、
請求項11または12に記載の部品。 - 前記第2の別の凹部(31)は、底面(32)を備え、
前記底面(32)は、前記層状構造(2)の前記上面(7)と、前記第2の凹部(12)の前記第2の底面(14)のレベルとの間に配置されている、
請求項13に記載の部品。 - 前記第2の凹部(12)の第2の底面が、前記第1の凹部(11)の前記第1の底面(13)と同じレベルで配置されている、
請求項9〜14のいずれか一項に記載の部品。 - 前記第2の凹部(12)は、第2の側面(4)の長手方向側の1%から99%の範囲にわたって延びている、
請求項8〜15のいずれか一項に記載の部品。 - 前記第2の凹部(12)は、前記第1の凹部(11)の底面(13)に対して前記第3の凹部(16)よりも大きい深さ(48)を備える、
請求項3〜8のいずれか一項に記載の部品。 - 前記第2の凹部(12)は、前記上面(7)に対して、0.5μmから50μmの間の範囲の、特に1μmから10μmの間の範囲の深さ(48)を備える、
請求項1〜17のいずれか一項に記載の部品。 - 前記第2の凹部(12)は、前記上面(7)に対して2μmから6μmの間の範囲の深さ(48)を備える、
請求項18に記載の部品。 - 前記第2の側面(4)および前記第4の側面(6)が、両側に、中心面(37)に対して特に鏡面対称に構成され、および/または、前記リッジ構造(8)に対して互いに対向する側に配置された前記上面(7)が、前記中心面(37)に対して特に鏡面対称に構成されている、
請求項1〜19のいずれか一項に記載の部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020031815A JP6940638B2 (ja) | 2015-10-01 | 2020-02-27 | オプトエレクトロニクス部品 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015116712.3A DE102015116712A1 (de) | 2015-10-01 | 2015-10-01 | Optoelektronisches Bauelement |
DE102015116712.3 | 2015-10-01 | ||
PCT/EP2016/073326 WO2017055490A1 (de) | 2015-10-01 | 2016-09-29 | Optoelektronisches bauelement |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020031815A Division JP6940638B2 (ja) | 2015-10-01 | 2020-02-27 | オプトエレクトロニクス部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018530151A true JP2018530151A (ja) | 2018-10-11 |
JP6785845B2 JP6785845B2 (ja) | 2020-11-18 |
Family
ID=57044963
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018513297A Active JP6785845B2 (ja) | 2015-10-01 | 2016-09-29 | オプトエレクトロニクス部品 |
JP2020031815A Active JP6940638B2 (ja) | 2015-10-01 | 2020-02-27 | オプトエレクトロニクス部品 |
JP2021143256A Active JP7252289B2 (ja) | 2015-10-01 | 2021-09-02 | オプトエレクトロニクス部品 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020031815A Active JP6940638B2 (ja) | 2015-10-01 | 2020-02-27 | オプトエレクトロニクス部品 |
JP2021143256A Active JP7252289B2 (ja) | 2015-10-01 | 2021-09-02 | オプトエレクトロニクス部品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10686296B2 (ja) |
EP (2) | EP3357131B1 (ja) |
JP (3) | JP6785845B2 (ja) |
CN (2) | CN112202045A (ja) |
DE (1) | DE102015116712A1 (ja) |
WO (1) | WO2017055490A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023145562A1 (ja) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015116712A1 (de) | 2015-10-01 | 2017-04-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP6932345B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2021-09-08 | 学校法人 名城大学 | 半導体多層膜反射鏡及び垂直共振器型発光素子 |
WO2019026953A1 (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子 |
US20200120808A1 (en) * | 2018-10-11 | 2020-04-16 | Intel Corporation | Reciprocal pcb manufacturing process |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080102549A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor light emitting device |
JP2010199139A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10178239A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 |
JP3554163B2 (ja) | 1997-11-07 | 2004-08-18 | 豊田合成株式会社 | 3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法 |
JP3348024B2 (ja) * | 1998-08-17 | 2002-11-20 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP3354540B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2002-12-09 | 三洋電機株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
EP1306944B1 (en) * | 2000-06-08 | 2007-07-04 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device, and method of manufacturing the same |
JP2002016285A (ja) | 2000-06-27 | 2002-01-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体発光素子 |
JP3909811B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2007-04-25 | パイオニア株式会社 | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
CN1610995B (zh) * | 2002-09-20 | 2012-12-05 | 索尼株式会社 | 半导体激光器及其制造方法 |
JP2004281686A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光デバイス及びその製造方法 |
TWI347054B (en) * | 2003-07-11 | 2011-08-11 | Nichia Corp | Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the nitride semiconductor laser device |
JP4830315B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2011-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
KR100856281B1 (ko) | 2004-11-24 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
JP2006165407A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2006186025A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP4493536B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-06-30 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN100449888C (zh) * | 2005-07-29 | 2009-01-07 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体激光元件 |
JP4352337B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2009-10-28 | ソニー株式会社 | 半導体レーザおよび半導体レーザ装置 |
JP4963060B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-06-27 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP5056142B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2012-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化物半導体レーザ素子 |
US7706056B2 (en) * | 2006-07-03 | 2010-04-27 | Terahertz Technologies Llc | Modulation of terahertz radiation |
JP2008016584A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JP5378651B2 (ja) | 2007-01-31 | 2013-12-25 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP5151400B2 (ja) | 2007-11-04 | 2013-02-27 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
DE102008018038A1 (de) | 2008-02-22 | 2009-08-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers |
JP4582210B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ |
JP2010267871A (ja) | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP4927121B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2012-05-09 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体ウェハ、窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法 |
JP5511308B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2014-06-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011124521A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
DE102010015197A1 (de) * | 2010-04-16 | 2012-01-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserlichtquelle |
US8451876B1 (en) * | 2010-05-17 | 2013-05-28 | Soraa, Inc. | Method and system for providing bidirectional light sources with broad spectrum |
JP2012243866A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Sharp Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US8934512B2 (en) * | 2011-12-08 | 2015-01-13 | Binoptics Corporation | Edge-emitting etched-facet lasers |
DE102012101409A1 (de) * | 2011-12-23 | 2013-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
CN102709320B (zh) * | 2012-02-15 | 2014-09-24 | 中山大学 | 纵向导通的GaN基MISFET 器件及其制作方法 |
JP5664627B2 (ja) * | 2012-10-16 | 2015-02-04 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、iii族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を評価する方法、スクライブ溝を評価する方法 |
US9373938B2 (en) * | 2012-11-13 | 2016-06-21 | Sifotonics Technologies Co., Ltd. | Photonic device structure and fabrication method thereof |
CN103227199B (zh) * | 2013-04-19 | 2016-03-09 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 半导体电子器件 |
CN103545714B (zh) | 2013-10-20 | 2016-04-06 | 北京工业大学 | 一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法 |
DE102015116712A1 (de) | 2015-10-01 | 2017-04-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
-
2015
- 2015-10-01 DE DE102015116712.3A patent/DE102015116712A1/de active Pending
-
2016
- 2016-09-29 EP EP16774942.3A patent/EP3357131B1/de active Active
- 2016-09-29 US US15/764,411 patent/US10686296B2/en active Active
- 2016-09-29 WO PCT/EP2016/073326 patent/WO2017055490A1/de active Application Filing
- 2016-09-29 CN CN202011117564.5A patent/CN112202045A/zh active Pending
- 2016-09-29 EP EP22201865.7A patent/EP4142074A1/de active Pending
- 2016-09-29 CN CN201680057942.0A patent/CN108141004B/zh active Active
- 2016-09-29 JP JP2018513297A patent/JP6785845B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-27 JP JP2020031815A patent/JP6940638B2/ja active Active
- 2020-03-30 US US16/834,037 patent/US10938180B2/en active Active
-
2021
- 2021-02-10 US US17/172,138 patent/US11742633B2/en active Active
- 2021-09-02 JP JP2021143256A patent/JP7252289B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080102549A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor light emitting device |
JP2010199139A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023145562A1 (ja) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11742633B2 (en) | 2023-08-29 |
JP2020150260A (ja) | 2020-09-17 |
EP3357131B1 (de) | 2022-12-14 |
JP2021184504A (ja) | 2021-12-02 |
US10938180B2 (en) | 2021-03-02 |
US20210167581A1 (en) | 2021-06-03 |
US20200227893A1 (en) | 2020-07-16 |
CN112202045A (zh) | 2021-01-08 |
JP6940638B2 (ja) | 2021-09-29 |
JP6785845B2 (ja) | 2020-11-18 |
DE102015116712A1 (de) | 2017-04-06 |
US20190052060A1 (en) | 2019-02-14 |
US10686296B2 (en) | 2020-06-16 |
WO2017055490A1 (de) | 2017-04-06 |
CN108141004A (zh) | 2018-06-08 |
EP3357131A1 (de) | 2018-08-08 |
CN108141004B (zh) | 2020-10-09 |
EP4142074A1 (de) | 2023-03-01 |
JP7252289B2 (ja) | 2023-04-04 |
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