JP6977509B2 - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Description
(特徴1)第2の凹所は、半導体基板の表面と平行な方向から断面視したときに、頂点に開口が位置し、底辺が深部に位置する三角形である。
(特徴2)平面研磨する工程は、オーバーハングをなす側面の下方に残存した空間が露出し、かつ、露出した空間の幅が所定の長さになるまで行われる。
(特徴3)表面研磨の後に、残存した空間を基準にして半導体基板の表面を加工する工程を備える。前記空間は、平面研磨の終了タイミングを示すマークと、その後の加工のためのアライメントマークを兼用する。
まず、図2に示すように、Si基板2を準備し、Si基板2の上面全域に、エピタキシャル成長によって、n型領域4となる半導体層40を成長(堆積)させる。なお、変形例では、Si基板2の上面に半導体層40が予め形成されている基板を準備してもよい。
図3のトレンチ41が請求項の「第1の凹所」の一例であり、マーク42が「第2の凹所」の一例であり、図5のp型領域61が「局所的半導体領域」の一例であり、n型領域4が「他の半導体領域」の一例であり、半導体層40が下半導体層の一例であり、半導体層6が上半導体層の一例である。
半導体層40の上面に形成されるマークの形状は、二等辺三角形に限らない。例えば、図10に示すように、直角三角形の形状を有するマーク43が形成されてもよい。マーク43は、半導体層40の表面と平行な方向から断面視すると、鋭角の頂点に表面の開口が位置し、当該鋭角と対面する辺が深部に位置する直角三角形である。本変形例では、直角三角形の直角と対面する斜辺に相当する側面が、オーバーハングをなす側面となる。図10に示すように、マーク43のオーバーハングをなす側面の下に空間S2が存在する。このため、本変形例でも、実施例と同様に、残存する空間を利用して、p型領域61の高さH1を容易に管理することができる。特に、本変形例でも、空間S2が実施例と同様に三角形であるので、研磨を空間S2の開口の幅が所定の幅となるまで続けることによって、研磨後のp型領域61の高さを予定の高さH1に調整することができる。実施例の二等辺三角形では、開口の幅は、オーバーハングを有する一対の側面に堆積する各層の間で測定される。上記の一対の側面に堆積する層の厚みは、誤差が大きい傾向にあり、この結果、開口の幅の誤差も大きくなる。これに対して、変形例の直角三角形では、開口の幅は、オーバーハングを有する側面とオーバーハングではない垂直な側面に堆積する各層の間で測定される。垂直な側面に堆積する層の厚みは、開口の近傍において、オーバーハングを有する側面と比べて、誤差が小さい傾向にある。この結果、実施例の構成と比較して、開口の幅の誤差が小さくなる。即ち、実施例の構成と比較して、研磨後のp型領域61の高さを精度よく調整することができる。
また、例えば、図11に示すように、半導体基板の表面に直交する面に対して斜めに伸びる所定の幅のマーク44が形成されてもよい。本変形例でも、マーク44は、オーバーハングをなす側面を備え、オーバーハングをなす側面の下に空間S3が存在する。このため、本変形例でも、実施例と同様に、残存する空間を利用して、p型領域61の高さH1を容易に管理することができる。
また、例えば、図12に示すように、半導体層40の上面から直交する方向に伸びる幅の狭いトレンチ45と、トレンチ45の下でトレンチ45と連通している幅の広いトレンチ46を備えるマーク47が形成されてもよい。本変形例でも、幅の狭いトレンチ45の側面と幅の広いトレンチ46の間の段差面の下に空間S4が存在する。即ち、マーク47は、オーバーハングをなす側面を備える。このため、本変形例でも、実施例と同様に、残存する空間を利用して、p型領域61の高さH1を容易に管理することができる。
4 :n型領域
6 :半導体層
8 :絶縁膜
12 :アノード電極
14 :カソード電極
40 :半導体層
41 :トレンチ
42、43、44、47:マーク
61 :p型領域
62 :半導体層
63 :凸部
70 :マスク
81 :ホール
100 :ダイオード
D1、D2:深さ
H1、C1〜C3:高さ
R1 :局所的範囲
R2 :囲繞範囲
S0〜S4:空間
Claims (1)
- 半導体基板の表面の局所的範囲に局所的半導体領域が露出し、その局所的範囲を取囲む囲繞範囲に他の半導体領域が露出している半導体基板を製造する方法であり、
前記局所的範囲と前記囲繞範囲に前記他の半導体領域が露出している半導体基板の前記局所的範囲に第1の凹所を形成するとともに、オーバーハングをなす側面を備えている第2の凹所を前記局所的範囲から離間した位置に形成する工程と、
前記第1の凹所と前記第2の凹所が形成された半導体基板の表面上に、前記局所的半導体領域となる半導体層を積層する工程と、
前記オーバーハングをなす側面の下方に残存した空間が露出するまで、前記半導体基板の表面を平面研磨する工程と、
を備えている半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017229600A JP6977509B2 (ja) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017229600A JP6977509B2 (ja) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2019102550A JP2019102550A (ja) | 2019-06-24 |
JP6977509B2 true JP6977509B2 (ja) | 2021-12-08 |
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ID=66977219
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JP2017229600A Active JP6977509B2 (ja) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | 半導体基板の製造方法 |
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