JP2009295693A - 窒化物半導体発光素子の作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、ウエハを劈開する際に劈開方向が曲がってしまうのを抑制し、バー及び素子の歩留まりが高い窒化物半導体発光素子の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ウエハ１の劈開を行う前に、ウエハ１表面の劈開ライン１０１上に、凹溝１００が、少なくとも劈開ライン１０１とストライプコア２ａとが重なる部分にストライプコア２ａを分断するように形成される。
【選択図】図６

Description

本発明は窒化物半導体発光素子の作製方法に関するものであり、特に窒化物系半導体基板上に窒化物系半導体を積層することによって作製される窒化物半導体発光素子の作製方法に関する。

ＩＩＩ族元素とＶ族元素とから成る所謂ＩＩＩ−Ｖ族半導体である窒化物系半導体（例えば、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮなど）は、そのバンド構造より、青や青紫の光を発する発光素子としての利用が期待され、既に発光ダイオードやレーザ素子に利用されている。

従来、窒化物半導体発光素子は、窒化ガリウムの基板上に窒化物半導体層を積層したウエハを縦横に分割して製造されている。なお分割は次の手順で行われる。前記ウエハを劈開により複数の発光素子の共振器面が形成されるようにバー状に分割する。その後、バー状の基板を共振面と交差する方向に分割する（特開２００７−３２９４５９号公報等参照）。前記ウエハの劈開は、窒化物半導体層が積層された基板の上面に、劈開が発生する劈開ラインに沿って破線状の凹溝を形成し、該凹溝に力を加えることで行われる。前記ウエハの劈開方向は窒化ガリウム基板の結晶面によって決定される。

しかしながら、窒化ガリウムの基板はその製造方法によって転位が集中され他の領域との結晶性が異なる領域（以下、ストライプコアとする）を備えているものがほとんどである。このストライプコアは前記窒化ガリウム基板に複数個平行に並んで形成されている。前記ウエハにおいて劈開方向と前記ストライプコアとは交差する場合がほとんどであり、ウエハを劈開するときに、その劈開方向が曲がってしまい、窒化物半導体発光素子の共振器長がずれてしまう不具合が発生し、留まりが上がらない場合がある。

そこで劈開ライン上に一直線に連続した凹溝を形成し劈開を行うことで、ストライプコア上で劈開ラインが曲がるのを抑制することができ、共振器長を一定にそろえることが可能である。この凹溝の形成方法としては、硬く尖った先端を有する針状の工具でけがく方法、レーザ光を照射する方法、エッチングによる方法等がある。
特開２００７−３２９４５９号公報

しかしながら、前記針状の工具で前記劈開ライン全体をけがく場合、その作業に多くの時間が必要である。また、前記ウエハは非常に硬いものであり、凹溝が長くなることで、工具の消耗が激しく、作業性が悪い。

一方、レーザ光を照射することでウエハ表面に凹溝を形成する場合、工具を用いるものに比べて短時間で行うことができ、作業性も悪くないが、レーザ光を照射することで不純物（デブリ）が発生し、この不純物が劈開面（共振器端面）に付着して、発光素子の性能が低下する不具合が発生することが起こる。これにより、窒化物半導体発光素子の歩留まりが低下してしまう。また、エッチングにて行う場合も同様で、エッチングされた凹溝の近傍が汚染されてしまい、発光素子の性能が低下する場合がある。

そこで本発明は、ウエハを劈開する際に劈開方向が曲がってしまうのを抑制し、バー及び素子の歩留まりが高い窒化物半導体発光素子の作製方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明における窒化物半導体発光素子の作製方法は、他の領域と、結晶性の異なる帯状のストライプコアが平行に複数個配列された基板の上面に少なくとも１層の窒化物半導体層を積層してウエハを製造するウエハ製造工程と、前記ウエハを前記ストライプコアと交差する方向に劈開してバーを得る劈開工程と、前記バーを前記劈開工程によって形成された劈開面と交差する方向に分割してチップを得る分割工程とを備え、前記ウエハ製造工程と前記劈開工程の間に、前記ウエハ表面の劈開を発生させる劈開ライン上に該劈開ラインと重なるように延伸し、前記劈開ライン上に並ぶ複数の凹溝を形成するけがき工程を有しており、前記けがき工程にて形成された凹溝が少なくとも前記劈開ラインと前記ストライプコアとが重なる部分に前記ストライプコアを分断するように形成されていることを特徴とする。

この構成によると、前記ウエハの前記ストライプコアと重なる部分の劈開ラインを前記凹溝で制御することができるので、劈開方向が前記劈開ラインと前記ストライプコアと重なる部分で曲がってしまい、劈開面（共振器端面）に段差がついてしまうのを抑制することが可能である。

共振器端面に段差がつくのを抑制することで、バーの共振器間長を一定に保つことができ、バーを分断することで作製される窒化物半導体発光素子の歩留まりが低下するのを抑制することが可能である。

上記構成において、前記凹溝は前記ウエハの前記窒化物半導体層が形成されている方の面に形成されていてもよく、前記ウエハの前記窒化物半導体層が形成されているのと反対側の面に形成されていてもよい。

上記構成において、前記凹溝はレーザ光を照射することで形成されるものであってもよく、前記基板または前記窒化物半導体層よりも硬度の高い尖った先端を有する針状の工具でけがくことで形成されるものであってもよく、エッチングによって形成されるものであってもよい。

本発明における窒化物半導体発光素子の作製方法によれば、劈開工程で劈開を行う前にストライプコアと劈開ラインが重なる部分にストライプコアを分断するように凹溝を形成してある。そのため、ウエハを劈開する際にストライプコアと重なる部分で劈開方向が曲がってしまうのを抑制することが可能であり、バー及び素子の歩留まりの高くすることができる。

以下に本発明における窒化物半導体発光素子の作製方法を図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、窒化物半導体発光素子はレーザ素子である場合を例に挙げて説明する。窒化物半導体発光素子は基板上に窒化物半導体層が形成されたウエハを分断することで形成される。
＜窒化物半導体発光素子の作製方法＞
（ウエハの作製方法）
最初に、作製されるウエハの一例について図１（ａ）、（ｂ）のウエハの模式図を用いて説明する。図１（ａ）はウエハの模式的な平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面を示した模式的な断面図である。なお、図１（ａ）、（ｂ）には基板の結晶方位をあわせて示しており、以下の図においても必要に応じて基板の結晶方位を示すこととする。

本例のウエハ作製方法によると、ＧａＮ基板２上に種々の層を積層することによって図１（ａ）に示すような電流通路部（リッジ部１０）が基板の＜１−１００＞方向と略平行になるように複数整列した構成のウエハ１が作製される。ここで、パッド電極１２はリッジ部１０に沿った方向と、リッジ部１０と略垂直な方向とにそれぞれ整列している。また、パッド電極１２の１つ分が１つの素子構造を示しており、後述するようにウエハ１をパッド電極１２毎に分断することで複数のチップが得られる。

また、本例では、図１（ｂ）に示すようにＧａＮ基板２に上述したような転位密度の大きなストライプコア領域２ａと、転位密度の小さなその他の領域２ｂと、が含まれる。このとき、ストライプコア領域２ａは、基板の＜１−１００＞方向と略平行な方向に延びており、＜１１−２０＞方向にほぼ等間隔（約４００μｍ間隔）で配列されている。

次に、ウエハの製造方法の一例について図２及び図３を用いて説明する。図２は図１と同様の断面を示した模式的な断面図であり、図３は活性層の模式的な断面図である。

図２（ａ）に示すように、まず厚さ約４００μｍのｎ型ＧａＮ基板２の｛０００１｝面上に、ｎ型ＡｌＧａＮから成るｎ型クラッド層３を約１．５μｍ形成し、さらにこのｎ型クラッド層３の上に活性層４を形成する。このとき活性層４を、図３に示すようにアンドープのＩｎＧａＮから成る厚さ約３．２ｎｍの井戸層４ａと、アンドープのＩｎＧａＮから成る厚さ約２０ｎｍの障壁層４ｂと、を交互に複数層積層することによって形成した多重量子井戸構造とする。なお、図３の例においては、井戸層４ａを三層、障壁層４ｂを四層積層した場合について示している。

また、この多重量子井戸構造となる活性層４の上に、アンドープのＩｎＧａＮから成る厚さ約５０ｎｍの光ガイド層５を形成し、この光ガイド層５の上にアンドープのＡｌＧａＮから成る厚さ約２０ｎｍキャップ層６を形成する。なお、図２（ａ）は、このキャップ層６まで基板２上に積層した状態について示している。

そして、図２（ａ）に示すキャップ層６の上にｐ型ＡｌＧａＮから成る厚さ約４００ｎｍのｐ型クラッド層７を形成する。そして、このｐ型クラッド層７の上にアンドープのＩｎＧａＮから成る厚さ約３ｎｍのコンタクト層８を形成する。そして、このコンタクト層８の上に、厚さ約１ｎｍのＰｔ層と厚さ約１０ｎｍのＰｄ層とから成るｐ側オーミック電極９を形成し、このｐ側オーミック電極９の上に厚さ約２４０ｎｍのＳｉＯ₂層１４を形成する。このように各層を形成し、図２（ｂ）に示すような構造を得る。

次に、リッジ部１０を形成するために、図２（ｂ）に示す積層構造をエッチングする。このとき、幅約１．５μｍであるとともに基板の＜１−１００＞方向に延びたストライプ状のフォトレジスト（不図示）を、リッジ部１０を形成する予定の部分に形成する。そして、ＣＦ₄系のガスを用いてＲＩＥ法によるエッチングを行なう。すると、フォトレジストを形成した部分のＳｉＯ₂層１４及びオーミック電極９のみが残り、フォトレジストを形成していない部分のＳｉＯ₂層１４及びオーミック電極９は除去される。

また、ここでフォトレジストを除去し、Ｃｌ₂やＳｉＣｌ₄などの塩素系のガスを用いたＲＩＥ法によるエッチングを行なう。このとき、ＳｉＯ₂層１４をマスクとして、ＳｉＯ₂層１４が無い部分のコンタクト層８及びｐ型クラッド層７をエッチングする。そして、ｐ型クラッド層７が約８０ｎｍ残った状態となったときにエッチングを停止し、ＳｉＯ₂層１４を除去する。すると、図２（ｃ）に示すような、ｐ型クラッド層７の一部が突出し、そのｐ型クラッド層７の突出した部分の上にコンタクト層８、オーミック電極９が順に形成されたリッジ部１０を備える構造が得られる。

次に、図２（ｃ）に示した構造の上に厚さ２００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成し、フォトレジストをリッジ部１０以外の部分に形成されたＳｉＯ₂層の上に形成する。そして、ＣＦ₄系のガスを用いたＲＩＥ法によるエッチングを行ない、リッジ部１０上に形成されたＳｉＯ₂層を除去することでＳｉＯ₂層から成る電流ブロック層１１を形成する。すると、図２（ｄ）に示すような構造が得られ、この後、電流ブロック層１１で囲まれたリッジ部１０を覆うように、Ａｕから成る厚さ３μｍのパッド電極１２を一続きとなるリッジ部１０に複数形成する。

そして、基板２の成長面と反対側の面を削って基板２の厚さを１００μｍ前後にし、その削った側の面に、厚さ約６ｎｍのＡｌ層と、厚さ約１０ｎｍのＰｄ層と、厚さ約６００ｎｍのＡｕ層とを基板２側から順に形成した構成から成るｎ側電極１３を形成することによって、図１に示すようなウエハ１が得られる。なお、ウエハ１において、基板２の上面に積層された各結晶層はエピタキシャル成長することで積層されているものである。

なお、以上説明したウエハ作製方法において、各窒化物系半導体層の形成に、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いても構わないし、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法や、ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）法や、その他の方法を用いても構わない。また、電極の形成に、スパッタリングや蒸着などの形成方法を用いることとしても構わなく、蒸着として、電子ビーム蒸着を用いても構わないし、抵抗加熱蒸着を用いても構わない。また、ＳｉＯ₂層の形成に、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタ法などの方法を用いても構わない。

また、図１（ａ）に示すウエハの一例においては、リッジ部１０が基板２の隣接するストライプコア２ａの間に２本備えられる構成としているが、この部分に１つのリッジ部を備える構成としても構わないし、反対に多数のリッジ部１０を備える構成としても構わない。さらに、図１（ａ）に示すウエハの一例においては、パッド電極１２が窒化物半導体発光素子１毎に一つずつ形成されるように予め分断されている場合について示されているが、パッド電極１２が各リッジ部１０に沿って一続きとなるように形成されていても構わない。

このような構成にすることによって、転位密度の高いストライプコア２ａの直上の領域を避けてリッジ部１０が形成される。そのため、このストライプコア２ａの直上の領域にリッジ部１０を形成した場合と比較して、基板からリッジ部に伝播する転位を低減させることが可能となり、素子寿命を長くすることができる。

また、基板２の作製方法によっては、基板２の隣接するストライプコア２ａの間の略中央の部分に抵抗率が大きい領域が存在する場合がある。そのため、このような基板２を使用する場合は、リッジ部１０を、ストライプコア２ａの略中央の部分を避けて形成することとしても構わない。

また、図１（ａ）では簡単のためにウエハ１を四角形のものとして表しているが、結晶方位を特定するためのオリエンテーションフラット面や切り欠き部を含む略円形の基板上に積層構造を形成し、ウエハを作製するものであっても構わない。或いは、完全な円形の基板を用いて作製されるものとしても構わない。

また、上述した窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光装置の構成や製造方法は、説明の具体化のために示した一例に過ぎない。そのため、例えば層の追加や削除を行ったり、各層の厚さや組成を変更したりしても構わないし、上述した方法以外の製造方法を採用しても構わない。

（ウエハの分断）
次に、得られたウエハ１を劈開及び分割してチップチップ化された窒化物半導体発光素子を得る方法について図面を参照して説明する。図４（ａ）はバーを示す模式的な平面図であり、図４（ｂ）は窒化物半導体発光素子の模式的な平面図であり、図４（ｃ）は図４（ｂ）に示す窒化物半導体発光素子のＢ−Ｂ線に沿った断面の模式的な断面図である。

まず、図４（ａ）に示すように、基板２の＜１１−２０＞方向に沿ってウエハ１を劈開してバー１５を得る。このとき得られるバー１５は、劈開することによって得られる２つの端面（｛１−１００｝面）が共振器端面となり、素子構造が＜１１−２０＞方向に配列された構成となる。

なお、ウエハ１からバー１５への劈開において、それぞれの劈開方向に沿って断続的に配列された凹溝をウエハ１に形成するとともに、この凹溝に力を加える（応力を集中させる）ことで劈開を行なう。なお、ウエハからバーへの劈開、特に、凹溝についての具体的な説明は実施例において詳述する。

そして、得られたバー１５の共振器端面に、例えばＳｉＯ₂やＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＺｒＯ₂などから成るコーティングを施しても構わない。また、いずれか一方の端面に形成するコーティングを１０層程度の多数の層から成るものとして反射率を高くするとともに、いずれか一方の端面に形成するコーティングを１層程度の少数の層から成るものとして反射率を低くしても構わない。すなわち、反射側の端面に形成される保護膜の反射率が、出射側の端面に形成される保護膜の反射率より高くなるように構成されることとしても構わない。

また、得られたバー１５を＜１−１００＞方向に沿って分割することでチップ１６得る。このとき、１つのチップ１６には１つの素子構造が含まれる。図４（ｃ）に示すように、窒化物半導体発光素子１６は、基板２の｛０００１｝面上に、下方から上方に向かって、ｎ型クラッド層３、活性層４、光ガイド層５、キャップ層６、ｐ型クラッド層７及びコンタクト層８の各層が積層されている。

また、ｐ型クラッド層７の一部は、＜０００１＞方向と略平行な方向に突出するとともに、突出した部分が＜１−１００＞方向と略平行な方向に延在している。さらに、ｐ型クラッド層７の突出した部分の上面にコンタクト層８が設けられ、このコンタクト層８の上面にオーミック電極９が形成されている。そして、これらの突出した部分がリッジ部１０となっている。また、ｐ型クラッド層７の突出していない部分、即ち、リッジ部１０以外の部分の上面には電流ブロック層１１が形成されている。リッジ部１０の上面及び電流ブロック層１１の上面の一部にはパッド電極１２が形成されており、基板２の下面にはｎ側電極１３が形成されている。

（窒化物半導体発光装置の構成）
次に、図４（ｂ）、（ｃ）に示す窒化物半導体発光素子１６を備えた窒化物半導体発光装置の一例について図５を用いて説明する。図５は窒化物半導体発光装置の一例を示す模式的な斜視図である。図５に示すように、窒化物半導体発光装置２０は、窒化物半導体発光素子１６がはんだによって接続及び固定（マウント）されるサブマウント２３と、サブマウント２３と接続するヒートシンク２２と、ヒートシンク２２が所定の面に接続されるステム２１と、ステム２１の所定の面と所定の面の反対側の面とを貫通するとともにステム２１と絶縁されて設けられるピン２４ａ、２４ｂと、一方のピン２４ａと窒化物半導体発光素子１のパッド電極１２とを電気的に接続するワイヤ２５ａと、他方のピン２４ｂとサブマウント２３とを電気的に接続するワイヤ２５ｂと、を備えている。

また、窒化物半導体発光装置２０の構成をわかりやすく表示するため図示していないが、ステム２１の所定の面に接続されるとともに、窒化物半導体発光素子１６と、サブマウント２３と、ヒートシンク２２と、ピン２４ａ、２４ｂにおけるステム２１の所定の面から突出する一部と、ワイヤ２５ａ、２５ｂと、を封止するキャップを備える。

そして、この２本のピン２４ａ、２４ｂを介して窒化物半導体発光素子１に電流が供給されることで発振し、窒化物半導体発光素子１からレーザ光が出射される。また、キャップには出射されるレーザ光に対して透明な物質から成る窓が備えられており、この窓を透過してレーザ光が出射される。

なお、フォトダイオードなどから成り出射される光の出力を検出する検出部を備えるとともに、検出結果を電源装置にフィードバックすることで窒化物半導体発光素子１６から一定量の光が出力されるような構成としても構わない。また、ピンを３本にするとともに１本を検出部と窒化物半導体発光素子１との共通のピンとして用いて、残りの２本がレーザ窒化物半導体発光素子１６と検出部とにそれぞれ接続される構成としても構わない。
＜実施例＞
以上、本発明における窒化物半導体発光素子の一連の作製方法について説明したが、以下では上述したウエハを劈開し、バーを作製する作製方法の実施例について、図６を用いて詳述する。

（第１実施例）
本発明にかかる窒化物半導体発光素子の製造方法におけるウエハの劈開工程について図６を用いて説明する。図６は、図１（ａ）の平面図に示したウエハに劈開用の凹溝を形成した状態の平面図である。なお、図６では、基板２のストライプコア２ａの部分を破線で示している。窒化物半導体発光素子において、出射される光の波長は共振器端面間の距離である共振器長で決定される。それゆえ、ウエハ１をバー１５に劈開されたときの、劈開面（共振器端面）が平滑な平面状に形成されることが好ましい。

ウエハ１には、分断してバー１５を作製するために、分断するための劈開方向が存在する。劈開方向はウエハ１の結晶性（ウエハ１の結晶性）によって決定されるものである。通常、窒化物半導体層を備えたウエハ１の場合、劈開方向はストライプコア２ａと交差する向きになる場合が多い。図６に示すウエハ１では劈開方向は＜１１−２０＞方向に伸びている。

ウエハ１を劈開してバー１５を作製する場合、劈開方向に沿うように壁開面を形成するための劈開ライン１０１を想定して劈開することで作製される。劈開ライン１０１上に複数個の凹溝１００を形成し、この凹溝１００及び劈開ライン１０１上に応力が集中するように、ウエハ１に力を加える。これにより、ウエハ１は劈開され、バー１５が形成される。

ウエハ１のストライプコア２ａ上では基板２の結晶性が定まっておらず及び基板２上にエピタキシャル成長された窒化物半導体層においても結晶性が定まっていない。すなわち、基板２のストライプコア２ａ及びストライプコア２ａ上に積層された窒化物半導体層において劈開方向が定まっていない場合がある。このような劈開方向が定まっていない領域に力を加えると、劈開方向が曲がってしまい、共振器端面に段差ができてしまう。

一方、劈開は凹溝１００が形成されている部分において、凹溝１００に沿って発生するという性質を有している。そこで、本実施例では図６に示すように、劈開ライン１０１とストライプコア２ａとが交差する部分に、凹溝１００を形成している。さらに、凹溝１００はストライプコア２ａを分断するように形成されている。このように凹溝１００を形成することで、ストライプコア２ａでの劈開方向を劈開ライン１０１と重なるように制御することができる。凹溝１００が形成されたウエハ１を劈開すると、ウエハ１は劈開ライン１０１に沿って劈開され、平滑な共振器端面を有するバー１５を作成することができる。

以上に示したようにウエハ１の表面に凹溝１００を形成し、ウエハ１を劈開することで、共振器端面が平滑なバー１５を得ることができる。このことにより、バー１５全体にわたって共振器端面間の距離を一定にすることができ、バー１５の歩留まり及びバー１５を分断することで形成される窒化物半導体発光素子の歩留まりを高くすることができる。

なお、このストライプコア２ａは電子顕微鏡や光学顕微鏡を用いて視認によって容易且つ明確に認識可能である。また、ストライプコア２ａの位置の特定は、ウエハ１にオリエンテーションフラット面などの目印となるものがあれば、その目印からの距離によってなされても構わない。また、基板２に目印を予め形成しておき、それを確認する方法でも構わない。

また、凹溝１００を形成するためにレーザを照射することでなされてもよい。レーザ装置として、Ｎｄ−ＹＡＧ（Ｎｅｏｄｙｍｉｕｍ ｄｏｐｅｄ Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザなどの固体レーザや、炭酸ガスレーザやＡｒＦエキシマレーザなどの気体レーザなど、どのようなレーザ装置を用いても構わない。

また、凹溝１００を形成するための他の方法として、例えばダイヤモンドポイントなどのスクライバで直接的に削りとるような物理的な方法を採用しても構わないし、所定のエッチャントを用いるなどしてストライプコア２ａ上部分のみを選択的に除去する化学的な方法を採用することとしても構わない。

凹溝１００はウエハ１においてパッド電極１２や電流ブロック層１１が形成される方の面に形成されるものであっても構わないし、ｎ型電極１３が形成される方の面に形成されていても構わない。

本実施例において凹溝１００が劈開ライン１０１とストライプコア２ａとが重なる部分に形成されているウエハ１を劈開するものを例に説明しているが、これに限定されるものではなく、さらに凹溝が形成されていてもよい。たとえば、隣り合うリッジ部１０の略中央に凹溝を形成しても構わない。また、本実施例において、隣り合うストライプコア２ａの間に２個のリッジ部１０が形成されているが、１個のリッジ部１０が形成されているものであっても、３個以上のリッジ部１０が形成されているものであっても構わない。

本発明は、窒化物半導体発光素子の作製方法に関するものであり、特に、窒化物系半導体基板上に窒化物系半導体を積層することによって作製される半導体レーザ素子の作製方法に適用すると好適である。

は、ウエハの一例を示す模式的な平面図及び断面図である。 は、ウエハの作製方法の一例を示す模式的な断面図である。 は、活性層について示した模式的な断面図である。 は、バー及びチップの一例を示した模式的な平面図である。 は、窒化物半導体発光素子の一例を示す模式的な斜視図である。 は、第１実施例における劈開方法を示すウエハの模式的な平面図である。

符号の説明

１ ウエハ
２ 基板
２ａ ストライプコア
２ｂ 他の領域
３ ｎ型クラッド層
４ 活性層
４ａ 井戸層
４ｂ 障壁層
５ 光ガイド層
６ キャップ層
７ ｐ型クラッド層
８ コンタクト層
９ ｐ側オーミック電極
１０ リッジ部
１１ 電流ブロック層
１２ パッド電極
１３ ｎ側電極
１４ ＳｉＯ₂層
１５ バー
１６ チップ

Claims (6)

1. 他の領域と、結晶性の異なる帯状のストライプコアが平行に複数個配列された基板の上面に少なくとも１層の窒化物半導体層を積層してウエハを製造するウエハ製造工程と、
   前記ウエハを前記ストライプコアと交差する方向に劈開してバーを得る劈開工程と、
   前記バーを前記劈開工程によって形成された劈開面と交差する方向に分割してチップを得る分割工程とを備え、
   前記ウエハ製造工程と前記劈開工程の間に、前記ウエハ表面の劈開を発生させる劈開ライン上に該劈開ラインと重なるように延伸し、前記劈開ライン上に並ぶ複数の凹溝を形成するけがき工程を有しており、
   前記けがき工程にて形成された凹溝が少なくとも前記劈開ラインと前記ストライプコアとが重なる部分に前記ストライプコアを分断するように形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子の作製方法。
2. 前記凹溝は前記ウエハの前記窒化物半導体層が形成されている方の面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子の作製方法。
3. 前記凹溝は前記ウエハの前記窒化物半導体層が形成されているのと反対側の面に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の窒化物半導体発光素子の作製方法。
4. 前記凹溝はレーザ光を照射することで形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の作製方法。
5. 前記凹溝は前記基板または前記窒化物半導体層よりも硬度の高い尖った先端を有する針状の工具でけがくことで形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の作製方法。
6. 前記凹溝はエッチングによって形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の作製方法。

Images