JP2017518441A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. インジウムおよびスズをターゲットから基板上にスパッタして、基板の上方に酸化インジウムスズを形成することを含み、該スパッタリングが、基板の上方の経路に沿ってターゲットを基板に対して移動させることを含む、酸化インジウムスズを製造する方法であって、
   酸化インジウムスズの厚さが５００ｎｍ〜４μｍの範囲内であり、
   ターゲットを移動させることが、インジウムおよびスズをターゲットから基板上にスパッタする際にターゲットを経路の一端部から経路の他端部まで移動させることを含み、
   インジウムおよびスズをターゲットから基板上にスパッタする際に、ターゲットが経路の一端部又は経路の他端部を実質的に越えて移動せず、
   経路の一端部が基板の端部の上方にあり、経路の他端部が基板の他端部の上方にある、方法。
2. 酸化インジウムスズのシート抵抗が０．５Ω／□未満である、請求項１に記載の方法。
3. ターゲットを経路の一端部から経路の他端部まで移動させることが、酸化インジウムスズの第１の層を形成する、請求項１に記載の方法。
4. ターゲットを経路の他端部から経路の一端部まで移動させて１サイクルを完了させることをさらに含む、請求項３に記載の方法。
5. ターゲットを経路の他端部から経路の一端部まで移動させて酸化インジウムスズの第２の層を酸化インジウムスズの第１の層の上に形成することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
6. ターゲットを経路の一端部から経路の他端部まで移動させて酸化インジウムスズの第３の層を酸化インジウムスズの第２の層の上に形成することをさらに含む、請求項５に記載の方法。
7. スパッタリングが、不活性ガスを約１００〜約６００ｓｃｃｍの範囲内の不活性ガス流量で基板の上方に流しながら、かつ酸素ガスを約５〜４００ｓｃｃｍの範囲内の酸素ガス流量で基板の上方に流しながら行われる、請求項１に記載の方法。
8. ターゲットが酸化インジウムスズの一部から遠ざかったときに、その酸化インジウムスズの一部がアニール処理される、請求項１に記載の方法。
9. ターゲットを基板に対して移動させることが、ターゲットおよび／または基板を移動させることを含む、請求項１に記載の方法。
10. 請求項１に記載の方法によって製造された酸化インジウムスズを含む、酸化インジウムスズフィルム。
11. 請求項１０に記載の酸化インジウムスズフィルムを含む、飛行ビークル、地上ビークル、ディスプレイデバイスまたはエレクトロクロミックウィンドウの透明体。
12. インジウムおよびスズをターゲットから基板上にスパッタして、基板の上方に酸化インジウムスズを形成することを含み、該スパッタリングが、基板の上方の経路に沿ってターゲットを基板に対して移動させて前記酸化インジウムスズを形成する複数の酸化インジウムスズ層を形成することを含む、酸化インジウムスズを製造する方法であって、
    酸化インジウムスズのシート抵抗が０．５Ω／□未満であり、
    ターゲットを移動させることが、インジウムおよびスズをターゲットから基板上にスパッタする際にターゲットを経路の一端部から経路の他端部まで移動させることを含み、
    インジウムおよびスズをターゲットから基板上にスパッタする際に、ターゲットが経路の一端部又は経路の他端部を実質的に越えて移動せず、
    経路の一端部が基板の端部の上方にあり、経路の他端部が基板の他端部の上方にある、方法。
13. 酸化インジウムスズフィルムの厚さが１０ｎｍ〜４μｍの範囲内である、請求項１２に記載の方法。
14. インジウムおよびスズをターゲットから基板上にスパッタして、基板の上方に酸化インジウムスズを形成することを含み、該スパッタリングが、基板の上方の経路に沿ってターゲットを基板に対して移動させることを含む、酸化インジウムスズを製造する方法であって、
    ターゲットを移動させることが、インジウムおよびスズをターゲットから基板上にスパッタする際にターゲットを経路の一端部から経路の他端部まで移動させることを含み、
    インジウムおよびスズをターゲットから基板上にスパッタする際に、ターゲットが経路の一端部又は経路の他端部を実質的に越えて移動せず、
    経路の一端部が基板の端部の上方にあり、経路の他端部が基板の他端部の上方にある、方法。