JP2016527559A5

JP2016527559A5 -

Info

Publication number: JP2016527559A5
Application number: JP2016530077A
Authority: JP
Filing date: 2014-07-25
Publication date: 2017-08-31

Claims

第１の表面法線を有する第１の表面を、第１の方向に進む第１のエレクトロクロミック材料の第１のフラックスに露呈させることによって、前記第１の表面の上に前記第１のエレクトロクロミック材料を堆積して、第１のナノ構造エレクトロクロミック層を形成することであって、前記第１の方向と前記第１の表面法線との間の第１の入射角が少なくとも１度であると共に最大でも８９度であることと、
第２の表面法線を有する第２の表面を、第２の方向に進む第２のエレクトロクロミック材料の第２のフラックスに露呈させることによって、前記第２の表面の上に前記第２のエレクトロクロミック材料を堆積して、第２のナノ構造エレクトロクロミック層を形成することであって、前記第２の方向と前記第２の表面法線との間の第２の入射角が少なくとも１度であると共に最大でも８９度であることと、
を含む、エレクトロクロミックデバイスの形成方法。
前記第１のナノ構造層の上に第１のイオン伝導層を堆積することと、
前記第２のナノ構造層の上に第２のイオン伝導層を堆積することと、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
前記第１のイオン伝導層及び前記第２のイオン伝導層が相互に接触してエレクトロクロミック光学システムを形成するように、前記第１の表面及び前記第２の表面を組み立てることを更に含む、請求項１又は２に記載の方法。
前記第１の入射角が、少なくとも１度であると共に１０度未満である、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
前記第１の入射角が、少なくとも１０度であると共に８０度未満である、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
前記第１の入射角が、少なくとも８０度であると共に最大でも８９度である、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
前記第１のエレクトロクロミック材料を堆積している間に前記第１のフラックスに対して前記第１の表面を回転させることを更に含む、請求項１から６の何れか一項に記載の方法。
前記第１のエレクトロクロミック材料を堆積している間に前記第１のフラックスに対して前記第１の表面を回転させない、請求項１から７の何れか一項に記載の方法。
前記第１のエレクトロクロミック材料が、２つのエレクトロクロミック材料を含み、
前記前記第１のエレクトロクロミック材料を堆積するステップが、第１の表面の上に前記２つのエレクトロクロミック材料を共堆積することを備える、請求項１から８の何れか一項に記載の方法。
前記第１のエレクトロクロミック材料が、本質的に単一のエレクトロクロミック材料から成る、請求項１から８の何れか一項に記載の方法。
前記第１のナノ構造エレクトロクロミック層が、少なくとも１つのコラム構造を含む、請求項１から１０の何れか一項に記載の方法。
前記少なくとも１つのコラム構造と前記第１の表面法線とが、前記第１の入射角より小さい角度を形成する、請求項１１に記載の方法。
前記第１のナノ構造エレクトロクロミック層が、１ナノメートルから５００ナノメートルの範囲の少なくとも１つのフィーチャサイズを有する、請求項１から１２の何れか一項に記載の方法。
前記第１のエレクトロクロミック材料が、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化イリジウム、酸化モリブデン、酸化バナジウム、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１から１３の何れか一項に記載の方法。
前記第１のナノ構造エレクトロクロミック層の形成が、（１）前記第１の表面を前記第１のフラックスに露呈させることと、（２）ゾルゲル、ディップコーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、アニーリング、及び焼結の少なくとも１つと、の組み合わせによって達成される、請求項１から１４の何れか一項に記載の方法。
前記第１のナノ構造エレクトロクロミック層が、５０ｍ²／ｇより大きい比表面積を有する、請求項１から１５の何れか一項に記載の方法。
前記第１のナノ構造エレクトロクロミック層が、５０ｃｍ²／Ｃより大きい着色効率を有する、請求項１から１６の何れか一項に記載の方法。
前記第１及び第２のエレクトロクロミック層が、異なるエレクトロクロミック材料の混合物を含む、請求項１から１７の何れか一項に記載の方法。
前記第１のエレクトロクロミック材料を堆積するステップが、レンズ、レンズブランク、又は、半形成レンズブランクからなる群の部材の上に行われる、請求項１から１８の何れか一項に記載の方法。
基板と、
前記基板の上に堆積されたナノ構造エレクトロクロミック層と、を備え、
前記エレクトロクロミック層が、少なくとも第１の化合物及び第２の化合物の混合物を含み、
前記第１の化合物及び第２の化合物が、各々、セラミック、金属、及びポリマーから成る群から個別に選択され、
前記ナノ構造エレクトロクロミック層は、前記基板の表面を、第１の方向に進むエレクトロクロミック材料のフラックスに露呈させることによって、堆積され、前記第１の方向は、前記表面に対して少なくとも１度であると共に最大でも８９度である角度を形成する、
エレクトロクロミックデバイス。
前記第１の化合物が、前記第２の化合物とは異なる、請求項２０に記載のエレクトロクロミックデバイス。
前記基板は、レンズ、レンズブランク、又は、半形成レンズブランクを備える、請求項２０又は２１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
前記基板は、光学グレードの樹脂又はプラスチックを備える、請求項２０から２２の何れか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。