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  1. 水系液体キャリアと、
    前記液体キャリアに分散したコロイダルシリカ研磨粒子であって、30%以上の前記コロイダルシリカ研磨粒子が、3個以上が凝集した一次粒子を含み、少なくとも6mVの永久正電荷を有するコロイダルシリカ研磨粒子と、
    鉄含有促進剤と、
    酸化剤と
    を含む、化学機械研磨組成物。
  2. 前記鉄含有促進剤が可溶性鉄含有触媒を含む、請求項1に記載の組成物。
  3. 可溶性鉄含有触媒と結合して、かつ、リン酸、酢酸、フタル酸、クエン酸、アジピン酸、シュウ酸、マロン酸、アスパラギン酸、コハク酸、グルタル酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、グルタコン酸、ムコン酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、プロピレンジアミンテトラ酢酸、及びそれらの混合からなる群より選択される安定剤をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
  4. 1〜4wt%の前記コロイダルシリカ研磨粒子を含む、請求項1に記載の組成物。
  5. 水系液体キャリアと、
    前記液体キャリアに分散したコロイダルシリカ研磨粒子であって、少なくとも6mVの永久正電荷を有し、30%以上の前記コロイダルシリカ研磨粒子が、3個以上が凝集した一次粒子を含むコロイダルシリカ研磨粒子と、
    酸化剤と
    を含み、かつ、1〜4wt%の前記コロイダルシリカ研磨粒子を含む、化学機械研磨組成物。
  6. 前記酸化剤が過酸化水素を含む、請求項1又は5に記載の組成物。
  7. 3〜4の範囲のpHを有する、請求項1又は5に記載の組成物。
  8. 1000μS/cm未満の電気伝導率を有する、請求項1又は5に記載の組成物。
  9. 600μS/cm未満の電気伝導率を有する、請求項1又は5に記載の組成物。
  10. 前記コロイダルシリカ研磨粒子が40〜70nmの範囲の平均粒子サイズを有する、請求項1又は5に記載の組成物。
  11. 前記コロイダルシリカ研磨粒子が45〜65nmの範囲の平均粒子サイズを有する、請求項1又は5に記載の組成物。
  12. 前記液体キャリアに溶解したアミン化合物をさらに含む、請求項1又は5に記載の組成物。
  13. 前記組成物が3〜4の範囲のpHを有し、1000μS/cm未満の電気伝導率を有し、1〜4wt%の前記コロイダルシリカ研磨粒子を有し、
    前記コロイダルシリカ研磨粒子が40〜70nmの範囲の平均粒子サイズを有する、請求項1に記載の組成物。
  14. タングステン及び二酸化ケイ素の層を含む基材を化学機械研磨する方法であって、
    (a)請求項1、7、8及び11のいずれか1項に記載の研磨組成物と前記基材を接触させる工程、
    (b)前記基材に対して前記研磨組成物を動かす工程、及び
    (c)前記基材をすり減らして前記基材から前記タングステンの一部を除去して、それによって、前記基材を研磨する工程、を含む方法。
  15. 工程(c)における二酸化ケイ素の除去速度が、工程(c)におけるタングステンの除去速度以上である、請求項14に記載の方法。
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