JP2011530166A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- シリコン含有基材を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）法であって、
（ａ）シリコン含有基材の表面を、研磨パッド並びに
（ｉ）水性担体、
（ｉｉ）セリア研削材、
（ｉｉｉ）４〜９のｐＫaを有する官能基を保持する研磨添加剤、及び
（ｉｖ）親水性部分及び親油性部分を有し、前記親水性部分が５００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量を有する非イオン性界面活性剤、
を含むＣＭＰ組成物と接触させるステップであって、
前記ＣＭＰ組成物のｐＨが７以下であるステップと、
（ｂ）前記基材の表面の少なくとも一部を研削するために、前記ＣＭＰ組成物の一部と前記基材との接触を維持しつつ、前記研磨パッドと前記基材との間の相対運動を引起こし、それにより前記基材を研磨するステップと、
を含む方法。 - 前記親水性部分が、１０００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量を有する、請求項１に記載のＣＭＰ法。
- 前記研磨添加剤が、複素環式アミン、アミノカルボン酸、アリールアミン、脂肪族アミン、ヒドロキサム酸、環式モノカルボン酸、不飽和モノカルボン酸、置換フェノール、スルホンアミド、チオール、それらの塩、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載のＣＭＰ法。
- 前記親水性部分がポリオキシエチレン基を含む、請求項１に記載のＣＭＰ法。
- 前記界面活性剤が、８〜２０の範囲の親水性親油性バランス（ＨＬＢ）値を有する、請求項１に記載のＣＭＰ法。
- 前記界面活性剤が、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリジメチコンコポリマー、及びポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンコポリマーのうち１以上を含む、請求項１に記載のＣＭＰ法。
- 前記ｐＨが２〜７である、請求項１に記載のＣＭＰ法。
- 前記界面活性剤が、５ｐｐｍ〜１０，０００ｐｐｍの範囲の濃度で前記ＣＭＰ組成物中に存在する、請求項１に記載のＣＭＰ法。
- 前記ＣＭＰ組成物中の前記セリアが、０．００５質量％〜０．５質量％の濃度で存在する、請求項１に記載のＣＭＰ法。
- 前記セリア研削材が、１０ｎｍ〜１８０ｎｍの平均一次粒子径を有する、請求項１に記載のＣＭＰ法。
- ７以下のｐＨを有し、且つセリア研削材と、４〜９のｐＫaを有する官能基を保持する研磨添加剤と、親水性部分及び親油性部分を有し、前記親水性部分が５００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量を有する非イオン性界面活性剤とを含有する水性担体を含むＣＭＰ組成物。
- 前記界面活性剤が、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリジメチコンコポリマー、及びポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンコポリマーのうち１以上を含む、請求項１１に記載のＣＭＰ組成物。
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