JP2022010758A - 研磨剤及び研磨方法 - Google Patents
研磨剤及び研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022010758A JP2022010758A JP2020111477A JP2020111477A JP2022010758A JP 2022010758 A JP2022010758 A JP 2022010758A JP 2020111477 A JP2020111477 A JP 2020111477A JP 2020111477 A JP2020111477 A JP 2020111477A JP 2022010758 A JP2022010758 A JP 2022010758A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- abrasive
- silicon
- film
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 169
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 48
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 20
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 229920006318 anionic polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 43
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 17
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 12
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 10
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 8
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 6
- 208000037062 Polyps Diseases 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 4
- -1 phenylethenyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DZSVIVLGBJKQAP-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methyl-5-propan-2-ylcyclohex-2-en-1-yl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1CC(C(C)C)CC=C1C DZSVIVLGBJKQAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 3
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 2
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 2
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXCDLJXPZVCHBX-UHFFFAOYSA-N 3-methylpent-1-yn-3-yl carbamate Chemical compound CCC(C)(C#C)OC(N)=O GXCDLJXPZVCHBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- BRXCDHOLJPJLLT-UHFFFAOYSA-N butane-2-sulfonic acid Chemical compound CCC(C)S(O)(=O)=O BRXCDHOLJPJLLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- XQTIWNLDFPPCIU-UHFFFAOYSA-N cerium(3+) Chemical class [Ce+3] XQTIWNLDFPPCIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);tricarbonate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- LQCIDLXXSFUYSA-UHFFFAOYSA-N cerium(4+);tetranitrate Chemical compound [Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O LQCIDLXXSFUYSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ce+3] UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOJNABIZVJCYFL-UHFFFAOYSA-N dimethylphosphinic acid Chemical compound CP(C)(O)=O GOJNABIZVJCYFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000005677 ethinylene group Chemical group [*:2]C#C[*:1] 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- NVVZQXQBYZPMLJ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C.C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 NVVZQXQBYZPMLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- YACKEPLHDIMKIO-UHFFFAOYSA-N methylphosphonic acid Chemical compound CP(O)(O)=O YACKEPLHDIMKIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
- B24B37/245—Pads with fixed abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
Abstract
Description
STIは、シリコン基板にトレンチ(溝)を形成し、トレンチ内に絶縁膜を埋め込むことで、電気的に絶縁された素子領域を形成する手法である。図1を参照して、STIの一例を説明する。図1の例ではまず、図1(a)に示すように、シリコン基板1の素子領域を窒化ケイ素膜2等でマスクした後、シリコン基板1にトレンチ3を形成し、トレンチ3を埋めるように二酸化ケイ素膜4等の絶縁膜を堆積する。次いで、CMPによって、凹部であるトレンチ3内の二酸化ケイ素膜4を残しながら、凸部である窒化ケイ素膜2上の二酸化ケイ素膜4を研磨し除去することで、図1(b)に示すように、トレンチ3内に二酸化ケイ素膜4が埋め込まれた素子分離構造が得られる。
R-O-(AO)n-H 式(1)
ただし、Rは共役系を含む有機基であって、炭素骨格中にヘテロ原子を有してもよく、当該炭素骨格を構成する原子のうち、共役系を構成する原子の数をC1、共役系を構成しない原子の数をC2としたときに、C1/(C1+C2)≧0.4であり、
AOは、オキシアルキレン基を表し、複数あるAOは互いに同一であっても異なっていてもよく、
nは、2~200の整数である。
本発明において「酸化ケイ素」は具体的には二酸化ケイ素であるが、それに限定されず、二酸化ケイ素以外のケイ素酸化物も含むものとする。
本発明において「選択比」とは、膜A(例えばストッパ膜)の研磨速度(RA)の膜B(例えば研磨対象膜)の研磨速度(RB)に対する比(RA/RB)を意味する。
また、数値範囲を示す「~」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含む。
説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、簡略化されている。また、説明のため図面中の各部材は縮尺が大きく異なることがある。特に研磨面の凹凸形状は極端に誇張している。
本発明に係る研磨剤(以下、本研磨剤とも記す。)は、砥粒と、下式(1)で表される化合物(以下、化合物(1)とも記す。)と、を含有することを特徴とする。
R-O-(AO)n-H 式(1)
ただし、Rは共役系を含む有機基であって、炭素骨格中にヘテロ原子を有してもよく、当該炭素骨格を構成する原子のうち、共役系を構成する原子の数をC1、共役系を構成しない原子の数をC2としたときに、C1/(C1+C2)≧0.4であり、
AOは、オキシアルキレン基を表し、複数あるAOは互いに同一であっても異なっていてもよく、
nは、2~200の整数である。
図2は、本研磨剤の作用を説明するための模式的な断面図である。図2(B)を目標に、図2(A)の状態から研磨を開始した場合、通常の製造工程では、図2(B)の状態となった瞬間に研磨を止めることはできず、更に研磨を進めてしまう場合が多い。この時、シリコン面が削れてしまうことがある。
これに対し、例えば、特許文献1に記載の非イオン性界面活性剤を用いた場合、シリコン面上に当該非イオン界面活性剤が被覆することにより、シリコン面の研磨が抑制されるとされている。しかしながら、窒化ケイ素膜や酸化ケイ素膜と、シリコンとがパターン状に配置されたパターンウェハの場合、当該窒化ケイ素膜又は酸化ケイ素膜と、シリコンとの選択比が大きくなる結果、図2(C)に示されるように研磨対象面が削られすぎで表面に凹部(ディッシング)が形成されることがある。この状態から更に研磨処理が進められると、シリコン面の端部に大きな負荷がかかるものと推定される。その結果、図2(D)に示されるようにシリコン面の端部から削られて、シリコン面の研磨が進行してしまうものと推定される。
本研磨剤に含まれる化合物(1)は共役系を有している。当該、共役系のπ電子が研磨対象である窒化ケイ素や酸化ケイ素と相互作用することで、膜表面に化合物(1)の共役系が吸着するものと推定される。これにより研磨対象膜の研磨速度が低下してディッシングの形成が抑制されるものと推定される。更に、化合物(1)のポリオキシアルキレン基はシリコンとの親和性が高いことから、化合物(1)の一部は、共役系が窒化ケイ素又は酸化ケイ素吸着するとともにポリオキシアルキレン基がシリコン基板に吸着して、シリコン面の端部を保護するものと推定される。
このようなことから、パターンウェハにおいてもシリコン面の研磨速度が抑制されるという効果が得られる。
本研磨剤は、前記式(1)で表される化合物を含有する。
Rは、Rは共役系を含む有機基である。共役系としては、炭素-炭素二重結合、炭素-炭素三重結合、アリール基及びこれらの組み合わせが挙げられ、当該組み合わせの具体例としては、アセチレン基、エチレン基、ポリアセチレン、フェニルエテニル基、ビフェニル基、テルフェニル基などが挙げられる。化合物(1)中に、共役系は1つであってもよく、2つ以上有していてもよい。共役系が2以上有する例としては、例えば、クミルフェニル基など2以上のアリール基がアルキル基により連結した構造などが挙げられる。
これらの共役系はいずれも窒化ケイ素膜及び酸化ケイ素膜に吸着する。被覆面が大きい点や、化合物(1)の安定性の点から、共役系としてはアリール基を含むことが好ましい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素環基であってもよく、フリル基、チオフェニル基、ピリジル基などの芳香族複素環基であってもよい。アリール基は置換基として、炭化水素基を有していてもよい。当該アルキル基としては、炭素数が1~20の分岐を有していてもよく、置換基としてフェニル基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよいアルキル基などが挙げられる。
Rが有していてもよいヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子などが挙げられる。ヘテロ原子は、アリール基内に含まれていることが好ましい。Rは更に構造の安定性や、窒化ケイ素や酸化ケイ素に吸着しやすい点から、ヘテロ原子を有しない炭化水素基であることが好ましい。
Rがアリール基を有する場合、当該アリール基を構成する炭素原子が、-O-(AO)n-Hの酸素原子に結合していることが、窒化ケイ素や酸化ケイ素への吸着、及び、シリコン面への吸着の点から好ましい。
AOの繰り返し単位数nは、2~200であればよい。親水性やシリコン面への吸着性の点から、5以上が好ましく、10以上がより好ましい。一方、nは200以下で十分であり、製造の容易性などの点から、180以下が好ましく、150以下がより好ましい。
R-OH 式(2)
本研磨剤は、砥粒を含有する。砥粒としては、CMP用の砥粒として用いられるものの中から、適宜選択して用いることができる。窒化ケイ素や酸化ケイ素の研磨速度に優れる点からは、砥粒が金属酸化物粒子であることが好ましい。
金属酸化物としては、酸化セリウム、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニアからなる群より選択される金属の酸化物が挙げられる。窒化ケイ素や酸化ケイ素の研磨速度に優れる点からは、中でも、酸化セリウムが好ましい。
金属酸化物粒子は、液中において一次粒子が凝集した凝集粒子(二次粒子)として存在しているので、金属酸化物粒子の好ましい粒径を、平均二次粒子径で表すものとする。すなわち、上記数値範囲を示した平均粒子径は、通常、平均二次粒子径である。平均二次粒子径は、純水などの分散媒中に分散した分散液を用いて、レーザー回折・散乱式などの粒度分布計を使用して測定される。
本研磨剤は、スラリー状で用いることが好ましく、この場合、通常、分散媒を含有する。分散媒としては、少なくとも常温(25℃)で液状であり、化合物(1)を分散又は溶解し、砥粒を良好に分散できるものの中から適宜選択することができる。本研磨剤においては、取り扱い性に優れる点から、分散媒として水を用いることが好ましい。
本研磨剤は、上記本発明の効果を奏する範囲で、更に他の成分を含有してもよい。他の成分としては、pH調整剤、分散剤、潤滑剤、ポリマーなどが挙げられる。
上記分散剤は砥粒のコロイドの分散性及び分散安定性を向上するために必要に応じて用いられる。分散剤としては、陰イオン性、陽イオン性、ノニオン性、両性の界面活性剤や、陰イオン性、陽イオン性、ノニオン性、両性の高分子化合物が挙げられ、これらの1種または2種以上を含有させることができる。
上記潤滑剤は、研磨剤の潤滑性を向上し、研磨速度の面内均一性を向上させるために必要に応じて用いられる。潤滑剤の例として、ポリエチレングリコール、ポリグリセリンなどの水溶性高分子が挙げられる。
本研磨剤は、ポリマーを含有してもよい。当該ポリマーは砥粒又は被研磨面に吸着することで砥粒と被研磨面の間の化学的相互作用を抑制させ、窒化ケイ素や酸化ケイ素の研磨速度を制御することができる。この効果により研磨速度を適正に制御することができるほか、表面にシリコン面が露出した後に窒化ケイ素膜や酸化ケイ素膜に生じるディッシングが抑制される。
ポリマーは、上記の効果を奏するものの中から適宜選択することができ1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、シリコンの研磨レートをより低くすることが可能な点から、アニオン性ポリマーを含むことが好ましい。
アニオン性ポリマーが有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素環基であってもよく、フリル基、チオフェニル基、ピリジル基などの芳香族複素環基であってもよい。化合物(1)と相互作用して窒化ケイ素膜や酸化ケイ素膜のディッシングを抑制する点からは、フェニル基又はナフチル基が好ましい。
アニオン性ポリマーは1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
本研磨剤は、pHを調節するためにpH調整剤を含有してもよい。pH調整剤としては、公知の無機酸、有機酸、塩基性化合物や、アミノ酸などの両性化合物、及びこれらの塩の中から、適宜選択して用いることができる。
無機酸としては、例えば、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸等が挙げられ、これらのアンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等を用いてもよい。
有機酸としては、例えば、カルボン酸類、有機スルホン酸類、有機リン酸類などが挙げられ、これらのアンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等を用いてもよい。
カルボン酸類としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、乳酸、酒石酸、シュウ酸、マレイン酸などが挙げられる。有機スルホン酸類としては、例えば、ベンゼンスルホン酸、トシル酸などが挙げられる。また有機リン酸類としては、メチルホスホン酸、ジメチルホスフィン酸などが挙げられる。
塩基性化合物としては、アンモニア、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、エチレンジアミンなどが挙げられる。
また、両性化合物としては、グリシン、アラニン、フェニルアラニンなどが挙げられる。
本研磨剤の調製方法は、本研磨剤に含まれ得る各成分が前記分散媒中に均一に分散ないし溶解する方法の中から適宜選択すればよい。
例えば、分散媒に、砥粒と、化合物(1)と、必要に応じて用いられる他の成分とを添加し、撹拌することで、本研磨剤を調整してもよく、砥粒の分散液と、化合物(1)の溶液とをそれぞれ準備した後、これらを混合してもよい。当該混合は、研磨装置内で行ってもよい。
本研磨剤を用いた研磨方法としては、例えば、本研磨剤を供給しながら研磨対象物の被研磨面と研磨パッドとを接触させ、両者の相対運動により研磨を行う方法が挙げられる。ここで、研磨が行われる被研磨面は、例えば、半導体基板の表面に二酸化ケイ素膜又は窒化ケイ素が前面に成膜されたブランケットウェハ、およびこれらの膜種がパターン状に配置されたパターンウェハなどが挙げられる。
本研磨剤を用いて窒化ケイ素膜又は酸化ケイ素膜を研磨する場合、半導体基板のシリコン面がストッパ膜として機能する。当該シリコン面は、シリコンの単結晶であってもよく、ポリシリコンやアモルファスシリコンであってもよい。本研磨剤を用いることで、従来比較的研磨されやすかったポリシリコンやアモルファスシリコンであっても研磨が抑制される。本研磨剤によれば、例えば、シリコン面がポリシリコンやアモルファスシリコンのパターンウェハであっても当該シリコン面の研磨量を10Å以下にまで抑制することができる。
pHは、東亜ディーケーケー社製のpHメータHM-30Rを使用して測定した。
研磨特性は、全自動CMP研磨装置(Applied Materials社製、装置名:Mirra)を用いて以下の研磨を行い評価した。研磨パッドは、2層ポリウレタンパッド(ShoreD値が65のもの)を使用し、研磨パッドのコンディショニングには、CVDダイヤモンドパッドコンディショナー(Kinik社製、商品名:Pyradia 179B)を使用した。研磨条件は、研磨圧力を21kPa、研磨定盤の回転数を77rpm、研磨ヘッドの回転数を73rpmとした。また、研磨剤の供給速度は200ミリリットル/分とした。
ポリシリコン膜および窒化ケイ素膜の研磨速度を測定するために、研磨対象物(被研磨物)として、8インチシリコンウェハ上に、ポリシリコン(poly-Si)を成膜したブランケット基板および窒化ケイ素(LP-SiN)を成膜したブランケット基板を準備した。
パターン膜におけるポリシリコン膜の研磨速度を測定するために、SEMATEC864、STIパターン構造で、ストップ層をpoly-Siとし、LP-SiN膜を製膜したパターンウェハを準備した。
ブランケット基板及びパターン基板の膜厚の測定には、KLA-Tencor社の膜厚計UV-1280SEを使用した。
ブランケット基板では、研磨前の膜厚と1分間研磨後の膜厚との差を求めることで、ポリシリコン膜および窒化ケイ素膜の研磨速度を算出した。基板の面内49点の研磨速度より得られた研磨速度の平均値(Å/分)を、研磨速度の評価指標とした。
パターン基板として、図4(A)に示されるような、ライン部(ポリシリコン)の幅(L)が10μm、スペース部(窒化ケイ素)の幅(S)が90μmのパターンを準備した。当該ライン/スペース比は本発明者が事前検討した結果、ポリシリコンが削れやすくなる比率である。上層の窒化ケイ素膜を除去してポリシリコン膜が露出するまで段階的に研磨を行い、ポリシリコン膜が露出したことを確認した(図4(B))。図4(B)の状態を初期状態として、追加で30秒の研磨を実施した(図4(C))。この30秒の研磨におけるポリシリコン膜の膜厚変化(d)から、1分あたりのポリシリコン研磨速度を計算した。
平均二次粒子径60nmの酸化セリウム粒子を純水に分散させた酸化セリウム分散液(以下、酸化セリウム分散液aという。)を準備した。
次いで、酸化セリウム分散液aに純粋を加え、研磨剤全量に対して酸化セリウムが0.1質量%となるように調製した。次いで、ポリオキシエチレン(60)ジスチリルフェニルエーテルを0.030質量%となるように加え、アニオン性ポリマーとして、ポリp-スチレンスルホン酸を加えて撹拌し、さらにリン酸を加えてpH2.5に調整し、スラリー状の研磨剤(1)を得た。ここで、ポリp-スチレンスルホン酸は窒化珪素膜の研磨速度が600±50Å/minとなるように調整した。
前記例1において、化合物(1)及びアニオン性ポリマーを表1のように変更した以外は、例1と同様にして、例2~6の研磨剤(2)~(6)を得た。
Claims (13)
- 砥粒と、下式(1)で表される化合物とを含有する、研磨剤。
R-O-(AO)n-H 式(1)
ただし、Rは共役系を含む有機基であって、炭素骨格中にヘテロ原子を有してもよく、当該炭素骨格を構成する原子のうち、共役系を構成する原子の数をC1、共役系を構成しない原子の数をC2としたときに、C1/(C1+C2)≧0.4であり、
AOは、オキシアルキレン基を表し、複数あるAOは互いに同一であっても異なっていてもよく、
nは、2~200の整数である。 - 前記Rが、アリール基を有する、請求項1に記載の研磨剤。
- 前記式(1)のR-O結合において、R側の原子が、前記アリール基を構成する炭素原子である、請求項2に記載の研磨剤。
- 前記Rが炭化水素基である、請求項1~3のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 前記式(1)で表される化合物のHLB値が12~20である、請求項1~4のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 前記砥粒が金属酸化物粒子である、請求項1~5のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 更に、ポリマーを含有する、請求項1~6のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 前記ポリマーがアニオン性ポリマーを含む、請求項7に記載の研磨剤。
- 前記アニオン性ポリマーが、アリール基を有する、請求項8に記載の研磨剤。
- pHが2~7である、請求項1~9のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 表面にシリコン面を含むパターン面を露出するために用いる、請求項1~10のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 研磨剤を供給しながら被研磨面と研磨パッドを接触させ、両者の相対運動により研磨を行う研磨方法であって、前記研磨剤として請求項1~11のいずれか一項に記載の研磨剤を使用し、半導体基板の酸化ケイ素からなる面を含む被研磨面を研磨することを特徴とする研磨方法。
- 前記半導体基板の表面にシリコン面を含むパターン面を露出する、請求項12に記載の研磨方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020111477A JP2022010758A (ja) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | 研磨剤及び研磨方法 |
US17/358,623 US20210403757A1 (en) | 2020-06-29 | 2021-06-25 | Polishing material and polishing method |
TW110123333A TW202212529A (zh) | 2020-06-29 | 2021-06-25 | 研磨劑及研磨方法 |
CN202110720022.5A CN113930163A (zh) | 2020-06-29 | 2021-06-28 | 研磨剂和研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020111477A JP2022010758A (ja) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | 研磨剤及び研磨方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022010758A true JP2022010758A (ja) | 2022-01-17 |
Family
ID=79032525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020111477A Pending JP2022010758A (ja) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | 研磨剤及び研磨方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210403757A1 (ja) |
JP (1) | JP2022010758A (ja) |
CN (1) | CN113930163A (ja) |
TW (1) | TW202212529A (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1566420A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-24 | JSR Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method |
US8247327B2 (en) * | 2008-07-30 | 2012-08-21 | Cabot Microelectronics Corporation | Methods and compositions for polishing silicon-containing substrates |
WO2011081109A1 (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | 日立化成工業株式会社 | Cmp用研磨液及びこれを用いた研磨方法 |
JP5587620B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2014-09-10 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
KR102653892B1 (ko) * | 2018-08-30 | 2024-04-02 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물, 그의 제조 방법, 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
-
2020
- 2020-06-29 JP JP2020111477A patent/JP2022010758A/ja active Pending
-
2021
- 2021-06-25 US US17/358,623 patent/US20210403757A1/en active Pending
- 2021-06-25 TW TW110123333A patent/TW202212529A/zh unknown
- 2021-06-28 CN CN202110720022.5A patent/CN113930163A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210403757A1 (en) | 2021-12-30 |
CN113930163A (zh) | 2022-01-14 |
TW202212529A (zh) | 2022-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102387640B1 (ko) | 연마제와 연마 방법, 및 연마용 첨가액 | |
TWI384059B (zh) | A method for manufacturing an abrasive, a polishing method, and a semiconductor integrated circuit device for a semiconductor integrated circuit device | |
US7459398B2 (en) | Slurry for CMP, polishing method and method of manufacturing semiconductor device | |
JP5290769B2 (ja) | Cmpスラリー及びこれを用いる半導体ウェハーの研磨方法 | |
US10920107B2 (en) | Self-stopping polishing composition and method for bulk oxide planarization | |
KR101256551B1 (ko) | Cmp 슬러리 및 이를 이용한 연마 방법 | |
TW201839077A (zh) | 自停止性拋光組合物及用於大塊氧化物平坦化之方法 | |
KR20040100964A (ko) | Sti를 위한 화학/기계 연마 방법 | |
JP2006278522A (ja) | 半導体集積回路装置用研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法 | |
KR20070112453A (ko) | 반도체 집적 회로 장치용 연마제, 연마 방법 및 반도체집적 회로 장치의 제조 방법 | |
CN111718657A (zh) | 化学机械抛光组合物及抑制无定形硅的去除速率的方法 | |
WO2008103549A2 (en) | Auto-stopping slurries for chemical-mechanical polishing of topographic dielectric silicon dioxide | |
JP2014130957A (ja) | 半導体基板用研磨液組成物 | |
KR20090049067A (ko) | 반도체 집적 회로 장치용 연마제, 연마 방법 및 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 | |
JP2022010758A (ja) | 研磨剤及び研磨方法 | |
TWI625372B (zh) | 低介電基板之研磨方法 | |
JP2006179678A (ja) | 半導体絶縁膜用cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
WO2023080014A1 (ja) | 研磨剤、添加液および研磨方法 | |
JP4878728B2 (ja) | Cmp研磨剤および基板の研磨方法 | |
JP2002203819A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240124 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20240416 |