TWI538990B - 具有改良之功率頻譜密度（ｐｓｄ）表現之矽拋光組合物 - Google Patents

具有改良之功率頻譜密度（ｐｓｄ）表現之矽拋光組合物 Download PDF

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Description

具有改良之功率頻譜密度(PSD)表現之矽拋光組合物
用於電子器件中之矽晶圓通常係自單晶矽錠製得，其中首先使用金剛石鋸將該單晶矽錠切成薄晶圓，研磨以改良平坦度，並蝕刻以去除由研磨引起之次表面破壞。 然後通常在兩步驟過程中拋光矽晶圓以去除藉由蝕刻引起之奈米形貌並達成期望厚度，然後晶圓可適用於電子器件中。
在第一拋光步驟中，需要高去除速率，且理想地奈米形貌在此步驟期間並不降格。奈米形貌係量度某一區域之前表面形態之參數，且定義為0.2 mm至20 mm之空間波長內之表面偏差。奈米形貌與表面平坦度之不同之處在於，對於奈米形貌而言相對於晶圓表面本身來量測晶圓表面之平坦度，而對於表面平坦度而言，相對於用於固持晶圓之平坦卡盤來量測晶圓表面之平坦度。因此，晶圓可具有完全平坦度，而仍具有奈米形貌。若晶圓在晶圓之前側及背側具有表面不規則性，但前表面與背表面平行，則該晶圓具有完全平坦度。然而，同一晶圓將展現奈米形貌。奈米形貌橋接空間頻率中晶圓表面不規則性之形態圖中粗糙度與平坦度之間的間隙。
表面粗糙度可使用若干參數來表示，該若干參數從與平均表面位準之水平面之偏差方面考量粗糙度。舉例而言，用於量度粗糙度之一個參數係RMS粗糙度，其係與平均表面位準之所有垂直偏差的均方根值。用於量度粗糙度之另 一參數係表面粗糙度或平均粗糙度(Ra)，其係與平均表面位準之平面性偏差的算術平均值。藉由功率頻譜密度(PSD)函數或功率頻譜來定義特徵之粗糙度對空間頻率的分佈。PSD藉由計算來自表面影像之空間功率頻譜來提供表面粗糙度數據。
矽晶圓之拋光過程產生一定程度之粗糙度，即使僅在原子層面上進行。所製造組件之校正功能通常主要取決於其粗糙度。舉例而言，電腦硬盤具有窄的可接受粗糙度公差帶。若表面過於平滑，則讀/寫頭可結合至盤表面。若表面過於粗糙，則該讀/寫頭可不能藉由其氣墊以適當方式在盤表面上方飛行。另外，表面粗糙度可影響組件之化學及物理穩定性。必須承受有害環境(例如，溫度、濕度或化學物質)之表面必須盡可能平滑以使受侵襲表面積最小並具有盡可能少的缺陷或弱斑。
用於矽晶圓之習用拋光組合物展現關於矽之高去除速率，但所產生矽晶圓之奈米形貌及粗糙度有所增加。增加之奈米形貌使得對於用於產生適於進一步處理成半導體基板之矽晶圓之第二、最終拋光步驟的需求有所增加。
因此，業內極其需要用於矽晶圓之改良之拋光組合物。
本發明提供一種化學-機械拋光組合物，其包括(a)二氧化矽、(b)一或多種四烷基銨鹽、(c)一或多種碳酸氫鹽、(d)一或多種鹼金屬氫氧化物、(e)一或多種胺基膦酸、(f)一或多種加速劑化合物、(g)一或多種多糖及(h) 水。
本發明亦提供以化學-機械方式拋光基板之方法，其包括(i)使基板與拋光墊及化學-機械拋光組合物接觸，該化學-機械拋光組合物包括(a)二氧化矽、(b)一或多種四烷基銨鹽、(c)一或多種碳酸氫鹽、(d)一或多種鹼金屬氫氧化物、(e)一或多種胺基膦酸、(f)一或多種加速劑化合物、(g)一或多種多糖及(h)水；(ii)相對於基板移動拋光墊且化學-機械拋光組合物位於其間；及(iii)摩擦基板之至少一部分以拋光基板。
本發明提供化學-機械拋光組合物及以化學-機械方式拋光基板之方法。
在一實施例中，拋光組合物包括以下物質、基本上由其組成或由其組成：(a)二氧化矽；(b)一或多種四烷基銨鹽；(c)一或多種碳酸氫鹽；(d)一或多種鹼金屬氫氧化物；(e)一或多種胺基膦酸；(f)一或多種加速劑化合物，其選自由雜環胺、單胺基酸及羥基酸組成之群；(g)一或多種多糖，其選自由羥基烷基纖維素、右旋糖酐、羧基化右旋糖酐及磺酸化右旋糖酐組成之群，其中至少一種多糖具有小於300,000 g/mol之平均分子量；及(h)水。
令人吃驚的是，本發明之化學-機械拋光組合物可用於拋光基板、尤其矽基板，從而經拋光基板與使用習用拋光組合物拋光之相同基板相比展現較低表面粗糙度。另外，本發明之拋光組合物進一步在拋光期間展現令人滿意的去 除速率。
二氧化矽可為任一適宜形式，例如濕製程型二氧化矽、發煙二氧化矽或其組合。舉例而言，二氧化矽可包括濕製程型二氧化矽顆粒(例如，縮合聚合或沉澱之二氧化矽顆粒)。縮合聚合之二氧化矽顆粒通常係藉由使Si(OH)4縮合以形成膠體顆粒製得，其中將膠體顆粒定義為平均粒徑介於1 nm與1000 nm之間。該等磨料顆粒可根據美國專利第5,230,833號製得或可以各種市售產品中之任一者之形式獲得，例如Akzo-Nobel Bindzil 50/80產品、NALCO DVSTS006產品及Fuso PL-1、PL-1H、PL-1SL、PL-2、PL-2L、PL-3、PL-3H、PL-3L、PL-5、PL-6L、PL-7、PL-7H、PL-10H及PL-20產品、以及購自DuPont、Bayer、Applied Research、Silbond、Nissan Chemical、Clariant及其他公司之其他類似產品。
二氧化矽可包括發煙二氧化矽顆粒。發煙二氧化矽顆粒可在熱解過程藉由水解及/或氧化高溫火焰中之前體(H2/空氣或H2/CH4/空氣)自揮發性前體(例如，矽鹵化物)產生。可使用液滴產生器將含有前體之溶液噴塗至高溫火焰中，且然後可收集金屬氧化物顆粒。典型液滴產生器包含雙流體霧化器、高壓噴嘴及超音波霧化器。適宜發煙二氧化矽產品購自諸如Cabot、Tokuyama及Evonik Degussa等製造商。
二氧化矽可具有任一適宜平均粒徑(亦即，平均顆粒直徑)。二氧化矽之平均粒徑可為10 nm或更大，例如，15 nm或更大、20 nm或更大或25 nm或更大。另一選擇為或此外，二氧化矽之平均粒徑可為120 nm或更小，例如，110 nm或更小、100 nm或更小、90 nm或更小、80 nm或更小、70 nm或更小、60 nm或更小、50 nm或更小或40 nm或更小。因此，二氧化矽可具有由上述端點中之任兩者界定之平均粒徑。舉例而言，二氧化矽之平均粒徑可為10 nm至120 nm、15 nm至110 nm、20 nm至100 nm、25 nm至90 nm或25 nm至80 nm。對於非球形二氧化矽顆粒而言，粒徑係包含顆粒之最小球體之直徑。可使用任一適宜技術(例如，使用雷射繞射技術)量測二氧化矽之粒徑。適宜粒徑量測儀器購自(例如)Malvern Instruments(Malvern,UK)。
期望將二氧化矽顆粒懸浮於拋光組合物中，更具體而言懸浮於該拋光組合物之水中。在將二氧化矽顆粒懸浮於拋光組合物中時，二氧化矽顆粒較佳地具有膠態穩定性。術語膠體係指二氧化矽顆粒存於液體載劑中之懸浮液。膠態穩定性係指經過一段時間仍能維持此懸浮液形式。在本發明之上下文中，若當將磨料置於100 mL量筒內且並不攪動使其靜置2小時時間後，量筒底部50 mL顆粒之濃度([B]，以g/mL表示)與量筒頂部50 mL顆粒濃度([T]，以g/mL表示)間之差值除以磨料組合物中顆粒初始濃度([C]，以g/mL表示)所得到之值小於或等於0.5(亦即，{[B]-[T]}/[C]0.5)，則認為該磨料具有膠態穩定性。更佳地，[B]-[T]/[C]之值小於或等於0.3，且最佳小於或等於0.1。
拋光組合物可包括任何適宜量之二氧化矽。拋光組合物可包括0.001 wt.%或更高之二氧化矽，例如，0.01 wt.%或更高、0.05 wt.%或更高、0.1 wt.%或更高、0.2 wt.%或更高、0.3 wt.%或更高、0.4 wt.%或更高、0.5 wt.%或更高或1 wt.%或更高之二氧化矽。另一選擇為或此外，拋光組合物可包括20 wt.%或更低之二氧化矽，例如，15 wt.%或更低、10 wt.%或更低、8 wt.%或更低、6 wt.%或更低、5 wt.%或更低或2 wt.%或更低之二氧化矽。因此，拋光組合物可以由上文針對二氧化矽所述之端點中之任兩者界定的量包括二氧化矽。舉例而言，拋光組合物可包括0.001 wt.%至20 wt.%之二氧化矽、或0.001 wt.%至15 wt.%、0.001 wt.%至10 wt.%、0.001 wt.%至8 wt.%、0.001 wt.%至6 wt.%、0.001 wt.%至5 wt.%之二氧化矽、0.001 wt.%至2 wt.%或0.05 wt.%至2 wt.%之二氧化矽。在一較佳實施例中，拋光組合物包括介於0.2 wt.%與0.6 wt.%之間之二氧化矽。在另一較佳實施例中，拋光組合物包括介於4 wt.%與5 wt.%之間之二氧化矽。在又一較佳實施例中，拋光組合物包括8 wt.%至12 wt.%之二氧化矽。
拋光組合物包括一或多種四烷基銨鹽。不期望受限於特定理論，據信，四烷基銨鹽在高pH及離子強度下會穩定二氧化矽顆粒。另外，改變胺上之烷基之鏈長度會影響表面粗糙度。四烷基銨鹽較佳地包括選自由以下組成之群之陽離子：四甲基銨、四乙基銨、四丙基銨及四丁基銨。四烷基銨鹽可具有包含但不限於氫氧化物、氯化物、溴化物、 硫酸鹽或氫硫酸鹽之任一適宜陰離子。在一實施例中，四烷基銨鹽係四烷基氫氧化銨(例如，四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨或四丙基氫氧化銨)。在一較佳實施例中，四烷基銨鹽係四甲基氫氧化銨。在另一較佳實施例中，四烷基銨鹽係四丙基氫氧化銨。在又一較佳實施例中，四烷基銨鹽係四甲基氫氧化銨與四丙基氫氧化銨之混合物。
拋光組合物通常包括0.1 wt.%或更高(例如，0.2 wt.%或更高、0.3 wt.%或更高、0.4 wt.%或更高、0.5 wt.%或更高、1 wt.%或更高或2 wt.%或更高)之一或多種四烷基銨鹽。另一選擇為或此外，拋光組合物可含有5 wt.%或更低(例如，4 wt.%或更低、3 wt.%或更低、2 wt.%或更低或1 wt.%或更低)之四烷基銨鹽。因此，拋光組合物可以由上文針對四烷基銨鹽所述之端點中之任兩者界定的量包括四烷基銨鹽。舉例而言，拋光組合物可包括0.1 wt.%至5 wt.%、0.2 wt.%至4 wt.%或0.3 wt.%至3 wt.%之四烷基銨鹽。在一較佳實施例中，拋光組合物包括2 wt.%至3 wt.%之四烷基銨鹽。
拋光組合物包括一或多種碳酸氫鹽。不期望受限於特定理論，據信，碳酸氫鹽用於調節拋光組合物之離子強度。碳酸氫鹽可為任一適宜碳酸氫鹽，且可為(例如)碳酸氫鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫銨或其組合。
拋光組合物通常包括0.05 wt.%或更高(例如，0.1 wt.%或更高、0.25 wt.%或更高或0.5 wt.%或更高)之碳酸氫鹽。另一選擇為或此外，拋光組合物可含有5 wt.%或更低(例如， 4 wt.%或更低、3 wt.%或更低、2 wt.%或更低或1 wt.%或更低)之碳酸氫鹽。因此，拋光組合物可以由上文針對碳酸氫鹽所述之端點中之任兩者界定的量包括碳酸氫鹽。舉例而言，拋光組合物可包括0.05 wt.%至5 wt.%、0.1 wt.%至4 wt.%、0.25 wt.%至3 wt.%或0.5 wt.%至2 wt.%之碳酸氫鹽。
拋光組合物包括一或多種鹼金屬氫氧化物。鹼金屬氫氧化物用作鹼來調節拋光組合物之pH。適宜鹼金屬包含(例如)第I族鹼土金屬中之任一者，包含但不限於氫氧化鉀及氫氧化鈉。
拋光組合物通常包括0.1 wt.%或更高(例如，0.1 wt.%或更高、0.2 wt.%或更高或0.5 wt.%或更高)之鹼金屬氫氧化物。另一選擇為或此外，拋光組合物可含有1 wt.%或更低(例如，0.9 wt.%或更低、0.8 wt.%或更低、0.7 wt.%或更低或0.6 wt.%或更低)之鹼金屬氫氧化物。因此，拋光組合物可以由上文針對鹼金屬氫氧化物所述之端點中之任兩者界定的量包括鹼金屬氫氧化物。舉例而言，拋光組合物可包括0.1 wt.%至1 wt.%、0.2 wt.%至0.9 wt.%或0.3 wt.%至0.7 wt.%(例如，0.4 wt.%、0.5 wt.%或0.6 wt.%)之鹼金屬氫氧化物。
拋光組合物可具有任一適宜pH，期望地，拋光組合物具有鹼性pH，亦即，pH大於7。舉例而言，拋光組合物之pH可為7.5或更高、8.0或更高、8.5或更高、9.0或更高、9.5或更高或10.0或更高。另一選擇為或此外，拋光組合物之 pH可小於14，例如，13.5或更低、13.0或更低、12.5或更低、12.0或更低、11.5或更低。因此，拋光組合物可具有由上述端點中之任兩者界定之pH。舉例而言，拋光組合物可具有大於7至小於14、更特定而言7.5至13.5之pH。在一實施例中，拋光組合物具有10.5之pH。在另一實施例中，拋光組合物具有9.5至11之pH。在又一實施例中，拋光組合物作為濃縮物具有11至13之pH。
拋光組合物包括一或多種胺基膦酸。不期望受限於特定理論，胺基膦酸用作拋光組合物中之金屬螯合劑。較佳地，胺基膦酸係選自由以下組成之群：乙二胺四(亞甲基膦酸)、胺基三(亞甲基膦酸)、二乙烯三胺五(亞甲基膦酸)、其鹽及其組合。更佳地，胺基膦酸係胺基三(亞甲基膦酸)。說明性胺基膦酸係購自ThermPhos International之DEQUESTTM 2000 EG。
拋光組合物通常包括0.02 wt.%或更高(例如，0.1 wt.%或更高、0.2 wt.%或更高或0.5 wt.%或更高)之一或多種胺基膦酸。另一選擇為或此外，拋光組合物可含有2 wt.%或更低(例如，1.5 wt.%或更低或1 wt.%或更低)之胺基膦酸。因此，拋光組合物可以由上文針對胺基膦酸所述之端點中之任兩者界定的量包括胺基膦酸。舉例而言，拋光組合物可包括0.02 wt.%至2 wt.%、0.1 wt.%至1.5 wt.%或0.5 wt.%至1 wt.%之胺基膦酸。
拋光組合物包括一或多種加速劑化合物，亦即，增加基板去除速率之化合物。一或多種加速劑化合物係選自由以 下組成之群：雜環胺、單胺基酸及羥基酸。拋光組合物包括適宜量之加速劑化合物從而觀察到對於去除速率之有益效應。
在一些實施例中，加速劑化合物係雜環胺。在加速劑係雜環胺時，雜環胺通常係選自由雜環芳族胺及雜環脂肪族胺組成之群。
在一較佳實施例中，雜環芳族胺係1,2,4-三唑。在另一較佳實施例中，雜環脂肪族胺係胺基乙基六氫吡嗪。
在一些實施例中，加速劑係單胺基酸。適宜單胺基酸係甘胺酸。
在一些實施例中，加速劑係羥基酸。適宜羥基酸係乳酸。
在一些實施例中，拋光組合物可包括一種以上之選自由以下組成之群之加速劑：雜環胺、單胺基酸及羥基酸。
拋光組合物包括任一適宜量之加速劑化合物。拋光組合物通常包括0.02 wt.%或更高(例如，0.1 wt.%或更高、0.125 wt.%或更高、0.2 wt.%或更高、0.25 wt.%或更高或0.5 wt.%或更高)之加速劑化合物。另一選擇為或此外，拋光組合物可含有2 wt.%或更低(例如，1.5 wt.%或更低、1 wt.%或更低或0.375 wt.%或更低)之加速劑化合物。因此，拋光組合物可以由上文針對加速劑化合物所述之端點中之任兩者界定的量包括加速劑化合物。舉例而言，拋光組合物可包括0.02 wt.%至2 wt.%、0.1 wt.%至1.5 wt.%或0.5 wt.%至1 wt.%之加速劑化合物。在一較佳實施例中，拋光 組合物包括0.125 wt.%至0.375 wt.%之加速劑化合物，例如，0.25 wt.%之加速劑化合物。
拋光組合物包括一或多種多糖。不期望受限於特定理論，據信，多糖減小了使用拋光組合物拋光之基板之Ra及PSD。期望多糖具有水溶性。多糖係選自由以下組成之群：羥基烷基纖維素、殼聚糖、右旋糖酐、羧基化右旋糖酐及磺酸化右旋糖酐。
多糖具有小於300,000 g/mol之平均分子量。在一較佳實施例中，拋光組合物包括平均分子量小於200,000 g/mol、更佳地平均分子量為20,000 g/mol至100,000 g/mol及最佳地20,000 g/mol至80,000 g/mol之多糖。
在一些實施例中，多糖係羥基烷基纖維素。在一較佳實施例中，多糖係羥乙基纖維素(HEC)。
在一些實施例中，多糖係殼聚糖。
在一些實施例中，多糖係右旋糖酐。適宜右旋糖酐包含(例如)羧基化右旋糖酐及磺酸化右旋糖酐。
拋光組合物包括任一適宜量之多糖。拋光組合物通常包括0.0001 wt.%或更高(例如，0.0002 wt.%或更高、0.00025 wt.%或更高、0.0003 wt.%或更高、0.0004 wt.%或更高或0.0005 wt.%或更高)之多糖。另一選擇為或此外，拋光組合物可包括0.1 wt%或更低(例如，0.09 wt.%或更低、0.08 wt.%或更低、0.07 wt.%或更低、0.06 wt.%或更低或0.05 wt.%或更低)之多糖。因此，拋光組合物可以由上文針對多糖所述之端點中之任兩者界定的量包括多糖。舉例而 言，拋光組合物可包括0.0001 wt.%至0.1 wt.%、0.0002 wt.%至0.09 wt.%或0.0003 wt.%至0.07 wt.%之多糖。在一較佳實施例中，拋光組合物作為濃縮物包括至多0.05 wt.%(例如，0.00025 wt.%至0.05 wt.%)之一或多種多糖。在另一較佳實施例中，拋光組合物包括0.01 wt.%至0.05 wt.%之一或多種多糖。在又一較佳實施例中，拋光組合物包括0.0007 wt.%至0.003 wt.%之一或多種多糖。
拋光組合物包括水。水用於促進將拋光組合物之其他組份施加至擬拋光或平面化之適宜基板之表面上。水較佳為去離子水。
拋光組合物亦可包括一或多種殺生物劑。殺生物劑可為任一適宜殺生物劑，例如，異噻唑啉酮殺生物劑。拋光組合物中所用之殺生物劑之量通常為1 ppm至50 ppm、較佳地10 ppm至20 ppm。
拋光組合物亦可包括一或多種表面活性劑(例如，防泡劑)。存在表面活性劑之典型缺點為通常會減小關於矽表面之總去除速率。表面活性劑在矽表面上之吸收用於減少磨料顆粒與表面處之矽之接觸，且因磨料顆粒與金屬表面之接觸係摩擦矽表面之主要機制，故去除速率有所減小(通常低於有用速率)，由此限制了表面活性劑在拋光組合物中之有用性。然而，包括一或多種表面活性劑之拋光組合物有利地改良PSD表現。
拋光組合物可包括任何適宜量之表面活性劑(若存在)。若表面活性劑之量過低，則在添加表面活性劑時觀察不到 優點。若表面活性劑之量過高，則觀察到去除速率有所減小。表面活性劑之量可為0.1 ppm或更高、0.5 ppm或更高、1 ppm或更高、5 ppm或更高、10 ppm或更高、20 ppm或更高、50 ppm或更高、100 ppm或更高或200 ppm或更高。另一選擇為或此外，表面活性劑之量可為1000 ppm或更低、800 ppm或更低、600 ppm或更低、400 ppm或更低或200 ppm或更低。因此，拋光組合物可以由針對表面活性劑所述之上述端點中之任兩者界定的總量包括一或多種表面活性劑。舉例而言，拋光組合物可包括10 ppm至1000 ppm、20 ppm至800 ppm、50 ppm至400 ppm或100 ppm至200 ppm之表面活性劑。在一較佳實施例中，拋光組合物中表面活性劑之量為5 ppm。在另一較佳實施例中，拋光組合物中表面活性劑之量為150 ppm。此外，表面活性劑可與任一有用共溶劑一起納入。
表面活性劑(若存在)可為任一適宜表面活性劑。在一實施例中，表面活性劑係非離子型表面活性劑。說明性非離子型表面活性劑包含炔系二醇表面活性劑，例如，購自Air Products之SURFYNOLTM產品。SURFYNOLTM表面活性劑之實例係SURFYNOLTM 104(亦即，1,4-二異丁基-1,4-二甲基丁炔二醇)，其係可以蠟狀固體、液體或自由流動粉末形式使用之非離子型潤濕劑及分子消泡劑。
拋光組合物可以任何適宜技術來製備，其中多數技術已為彼等熟習此項技術者所習知。該拋光組合物可以間歇或連續過程來製備。通常，拋光組合物可藉由以任何順序組 合其組份來製備。本文所用之術語「組份」包含個別成份(例如，二氧化矽、四烷基銨鹽、碳酸氫鹽、鹼金屬氫氧化物、胺基膦酸、加速劑化合物、多糖等)以及兩種或更多種成份(例如，二氧化矽、四烷基銨鹽、碳酸氫鹽、鹼金屬氫氧化物、胺基膦酸、加速劑化合物、多糖等之任一組合)。
應理解，拋光組合物中之鹽組份(例如，四烷基銨鹽、碳酸氫鹽、鹼金屬氫氧化物、胺基膦酸、加速劑化合物等)中之任一者在溶於拋光組合物之水中時可以解離形式的陽離子及陰離子形式存在。應理解，本文所述拋光組合物中存在之鹽量係指用於製備拋光組合物之未解離鹽的重量。舉例而言，鹼金屬氫氧化物(例如，氫氧化鉀)之重量係指如藉由其經驗式所提供之鉀鹽(例如，KOH)的量。
舉例而言，可藉由以任一順序或甚至同時將四烷基銨鹽、碳酸氫鹽、鹼金屬氫氧化物、胺基膦酸及加速劑化合物添加至水中來將四烷基銨鹽、碳酸氫鹽、鹼金屬氫氧化物、胺基膦酸及加速劑化合物溶於水中。然後可添加二氧化矽並藉由能夠將二氧化矽分散於拋光組合物中之任何方法將其分散。拋光組合物可在使用前製備，其中一或多種組份(例如鹼)係在即將使用前(例如，使用前1分鐘內或使用前1小時內或使用前7天內)添加至拋光組合物中。可在任何適宜時間調節pH，且較佳在將二氧化矽添加至拋光組合物中之前調節。亦可藉由在拋光操作期間在基板表面混合該等組份來製備拋光組合物。
拋光組合物可呈濃縮物形式，該濃縮物意欲在使用之前由適宜量之水來稀釋。舉例而言，拋光組合物中除水外之每一個別成份可以濃縮物形式以下列量存在：其為上文針對每一個別成份所述濃度之2倍(例如，5倍、10倍、或15倍、或20倍、或100倍或甚至200倍)，從而在使用等體積水(例如，分別為2倍等體積水、5倍等體積水、或10倍等體積水、或15倍等體積水、或20倍等體積水、或100倍等體積水或200倍等體積水)稀釋濃縮物時，每一個別成份以屬於上文針對每一個別成份所述範圍內之量存在於拋光組合物中。另外，彼等熟習此項技術者應理解，濃縮物可含有存在於最終拋光組合物中之適當比率之水，以確保個別成份至少部分或全部溶於該濃縮物中，較佳全部溶於該濃縮物中。
在另一實施例中，本發明提供一種以化學-機械方式拋光基板之方法，該方法包括(i)使基板與拋光墊及本文所述之化學-機械拋光組合物接觸，(ii)相對於基板移動拋光墊且使化學-機械拋光組合物位於其間，及(iii)摩擦基板之至少一部分以拋光基板。
儘管本發明之拋光組合物可用於拋光任一基板，但該拋光組合物尤其適用於拋光包括矽之基板(例如，電子工業中所使用之矽晶圓)。就此而言，矽可為未摻雜矽，或其可為摻雜有硼或鋁之p型矽。此外，矽可為多晶矽。本發明之拋光組合物及其應用方法適於最後拋光藉由金剛石鋸割及粗碾磨自矽單晶產生之矽晶圓，以及用於邊緣拋光矽 晶圓並用於藉由拋光來回收矽晶圓。
有利的是，使用本發明之拋光方法拋光之矽基板展現低表面粗糙度。表面粗糙度(Ra)本文中定義為平面性偏差之算術平均值，其可使用任一適宜技術量測。適宜技術包含使用購自(例如)Veeco Instruments(Plainview,NY)之儀器之探針輪廓術及光學輪廓術、以及原子力顯微術。通常，在使用光學輪廓儀量測時，本發明之拋光方法在矽晶圓上產生20 Å或更小(例如，14 Å或更小、12 Å或更小、10 Å或更小或甚至8 Å或更小)之表面粗糙度。
此外，使用購自(例如)Veeco Instruments之光學干涉儀來研發度量術以量測經拋光基板之PSD。令人吃驚的是，與習用拋光組合物相比，本發明之拋光組合物可減小使用其拋光之基板的PSD。舉例而言，在一些實施例中，使用本發明之拋光組合物拋光之矽晶圓之PSD值小於3 nm，例如，小於2.5 nm或2.0 nm至2.5 nm。
為與本發明之另一態樣保持一致，在拋光組合物包括HEC作為多糖時，與習用拋光組合物相比，藉由改變HEC/固體比率可將PSD值減小多達30%同時在拋光期間維持滿意去除速率。
另外，已發現在拋光期間PSD表現與去除速率成反比(亦即，展現改良之PSD表現之拋光組合物通常展現較低去除速率)。然而，包括適宜量上述加速劑之拋光組合物展現滿意去除速率。
本發明之拋光方法尤其適於結合化學-機械拋光裝置使 用。通常，該裝置包括平臺，當使用時該平臺會運動且具有因軌道、直線或圓周運動產生之速率；與此平臺接觸且隨平臺運動而移動之拋光墊；及支座，其藉由接觸基板並相對於拋光墊表面移動基板來固持擬拋光之基板。藉由放置基板使之接觸拋光墊及本發明之拋光組合物且然後使拋光墊相對於基板移動來拋光基板，從而摩擦基板之至少一部分以拋光基板。
可使用化學-機械拋光組合物及任何適宜拋光墊(例如，拋光表面)來拋光基板。適宜拋光墊包含(例如)織物及不織物拋光墊。另外，適宜拋光墊可包括具有各種密度、硬度、厚度、可壓縮性、壓縮後回彈之能力及壓縮模數之任何適宜聚合物。適宜聚合物包含(例如)聚氯乙烯、聚氟乙烯、耐綸(nylon)、氟代烴、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚醯胺、聚胺基甲酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯、其共同生成之產物及其混合物。硬聚胺基甲酸酯拋光墊尤其可與本發明之拋光方法一起使用。
說明性拋光墊係購自Rohm and Haas之SUBATM拋光墊。舉例而言，SUBATM 500係設計用於粗拋光及中間拋光之聚胺基甲酸酯浸漬的聚酯氈，其中達成高精度表面較為重要。
期望地，化學-機械拋光裝置進一步包括原位拋光終點檢測系統，許多該等系統為業內所習知。業內已習知藉由分析自所拋光基板表面反射之光或其他輻射來檢查及監測拋光過程之技術。該等方法闡述於(例如)美國專利第 5,196,353號、美國專利第5,433,651號、美國專利第5,609,511號、美國專利第5,643,046號、美國專利第5,658,183號、美國專利第5,730,642號、美國專利第5,838,447號、美國專利第5,872,633號、美國專利第5,893,796號、美國專利第5,949,927號及美國專利第5,964,643號中。期望地，對於所拋光基板之拋光過程進度之檢查或監測使得可確定拋光終點，亦即，確定何時終止對特定基板之拋光過程。
下列實例進一步闡釋本發明，但是，當然不應理解為以任何方式限制本發明範圍。
實例
除非另有所述，否則在拋光期間使用下列條件。使用拋光組合物及購自Rohm and Haas之SUBATM 500拋光墊來拋光矽基板。拋光組合物在拋光墊上之流速為100 mL/min。以100 rpm之速度操作拋光平臺，且以93 rpm之速度操作拋光頭。矽基板以24.1 kPa(3.5 psi)之下壓力與拋光墊接觸。
使用Veeco光學干涉儀及相關控制軟體量測經拋光基板之PSD。使用5x物鏡收集來自干涉儀之影像(2x2 mm)且用於量測PSD。未使用濾波來去除來自影像之任一頻率之粗糙度。
實例1
此實例顯示，包括二氧化矽、一或多種四烷基銨鹽、一或多種碳酸氫鹽、一或多種鹼金屬氫氧化物、一或多種胺 基膦酸、一或多種加速劑化合物、一或多種多糖及水之本發明之拋光組合物展現良好拋光性質(包含改良之PSD表現)。
使用上述條件利用兩種標識為拋光組合物1A及1B之不同拋光組合物來拋光矽基板。以15倍濃縮物形式製備拋光組合物1A及1B，且其各自含有(a)10 wt.%二氧化矽(Nalco DVSTS006二氧化矽顆粒)；(b)2.0 wt.%四甲基氫氧化銨(TMAH)；(c)1.0 wt.%碳酸氫鉀(KHCO3)；(d)0.61 wt.%氫氧化鉀(KOH)；(e)0.3 wt.%胺基三(亞甲基膦酸)(亦即，DEQUESTTM 2000EG金屬螯合劑)；(f)0.25 wt.% 1,2,4-三唑；及(g)0.025 wt.%羥乙基纖維素(HEC)或0.025 wt.%右旋糖酐，如表1中所示；及(h)水。對比拋光組合物C1與拋光組合物1A及1B相同，只是其不含多糖(亦即，HEC或右旋糖酐)。
測定每一拋光組合物之PSD，且結果如表1中所述。
如表1中所述之結果所示，包括二氧化矽、一或多種四 烷基銨鹽、一或多種碳酸氫鹽、一或多種鹼金屬氫氧化物、一或多種胺基膦酸、一或多種加速劑化合物、一或多種多糖及水之拋光組合物展現良好拋光性質(包含改良之PSD表現)。舉例而言，與不含多糖之拋光組合物C1相比，含有HEC(拋光組合物1A)或右旋糖酐(拋光組合物1B)之拋光組合物使經拋光基板之PSD減小多達8.5%。
實例2
此實例顯示不同四烷基銨鹽對於PSD表現及去除速率之效應。
使用四種不同拋光組合物利用上述拋光條件來拋光矽基板(其中拋光組合物標識為拋光組合物2A-2D)。以20倍濃縮物之形式製備拋光組合物2A-2D，且其各自含有(a)10 wt.%二氧化矽(亦即，Nalco DVSTS006二氧化矽顆粒)；(b)四甲基氫氧化銨(TMAH)及視需要四丙基氫氧化銨(TPAH)，其量如表2中所示；(c)1.0 wt.%碳酸氫鉀(KHCO3)；(d)0.61 wt.%氫氧化鉀(KOH)；(e)0.3 wt.%胺基三(亞甲基膦酸)(亦即，DEQUESTTM 2000EG金屬螯合劑)；(f)0.25 wt.% 1,2,4-三唑；(g)0.025 wt.%羥乙基纖維素(HEC)；及(h)水(其餘部分)。四烷基銨鹽之莫耳濃度在每一拋光組合物中保持恆定；然而，拋光組合物2A僅含有TMAH，而拋光組合物2B-2D含有TMAH及TPAH二者。
測定每一拋光組合物之PSD及去除速率，且結果如表2中所述。
如表2中所述之結果所示，與僅含有TMAH之拋光組合物(拋光組合物2A)相比，含有TMAH及TPAH二者之拋光組合物(拋光組合物2B-2D)展現改良之PSD表現。舉例而言，拋光組合物2B展現其PSD表現與拋光組合物2A相比具有21%之改良，同時維持適宜去除速率。
實例3
此實例顯示不同加速劑化合物對於PSD表現及去除速率之效應。
使用四種不同拋光組合物利用上述拋光條件來拋光矽基板(其中拋光組合物標識為拋光組合物3A-3D)。以15x濃縮物形式製備拋光組合物3A-3D，且其各自含有(a)10 wt.%二氧化矽(Nalco DVSTS006二氧化矽顆粒)；(b)2.67 wt.%四甲基氫氧化銨(TMAH)；(c)1.0 wt.%碳酸氫鉀(KHCO3)；(d)0.61 wt.%氫氧化鉀(KOH)；(e)0.3 wt.%胺基三(亞甲基膦酸)(亦即，DEQUESTTM 2000EG金屬螯合劑)；(f)0.25 wt.% 1,2,4-三唑、0.25 wt.%胺基乙基六氫吡 嗪、0.25 wt.%甘胺酸或0.25 wt.%乳酸；及(g)水(剩餘部分)。拋光組合物3B-3D分別含有胺基乙基六氫吡嗪、甘胺酸或乳酸，在拋光組合物3A中代替為等莫耳之1,2,4-三唑。
測定每一拋光組合物之PSD及去除速率，且結果如表3中所述。
如表3中所述之結果所示，替代加速劑化合物可改良PSD表現，同時維持適宜去除速率。舉例而言，與含有1,2,4-三唑之拋光組合物3A相比，含有胺基乙基六氫吡嗪之拋光組合物3B展現PSD表現具有大於8%之改良。

Claims (23)

  1. 一種化學-機械拋光組合物，其包括：(a)二氧化矽，(b)一或多種四烷基銨鹽，(c)一或多種碳酸氫鹽，(d)一或多種鹼金屬氫氧化物，(e)一或多種胺基膦酸，(f)一或多種加速劑化合物，其選自由以下組成之群：雜環胺、單胺基酸及羥基酸，(g)一或多種多糖，其選自由以下組成之群：羥基烷基纖維素、右旋糖酐、羧基化右旋糖酐及磺酸化右旋糖酐，其中至少一種多糖具有小於300,000 g/mol之平均分子量，及(h)水。
  2. 如請求項1之拋光組合物，其中至少一種加速劑化合物係雜環胺。
  3. 如請求項2之拋光組合物，其中該雜環胺係選自由雜環芳族胺及雜環脂肪族胺組成之群。
  4. 如請求項3之拋光組合物，其中該雜環胺係雜環芳族胺。
  5. 如請求項4之拋光組合物，其中該雜環芳族胺係1,2,4-三唑。
  6. 如請求項3之拋光組合物，其中該雜環胺係雜環脂肪族胺。
  7. 如請求項6之拋光組合物，其中該雜環脂肪族胺係胺基乙基六氫吡嗪。
  8. 如請求項1之拋光組合物，其中至少一種加速劑化合物係單胺基酸。
  9. 如請求項8之拋光組合物，其中該單胺基酸係甘胺酸。
  10. 如請求項1之拋光組合物，其中至少一種加速劑化合物係羥基酸。
  11. 如請求項10之拋光組合物，其中該羥基酸係乳酸。
  12. 如請求項1之拋光組合物，其中至少一種多糖係羥基烷基纖維素。
  13. 如請求項12之拋光組合物，其中該羥基烷基纖維素係羥乙基纖維素。
  14. 如請求項1之拋光組合物，其中至少一種多糖係右旋糖酐。
  15. 如請求項1之拋光組合物，其中至少一種多糖係羧基化右旋糖酐。
  16. 如請求項1之拋光組合物，其中至少一種多糖係磺酸化右旋糖酐。
  17. 如請求項1之拋光組合物，其中至少一種四烷基銨鹽係選自由以下組成之群：四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨及四丙基氫氧化銨。
  18. 如請求項1之拋光組合物，其中該胺基膦酸係胺基三(亞甲基膦酸)。
  19. 如請求項1之拋光組合物，其中該二氧化矽係以佔該拋 光組合物8 wt.%至12 wt.%之量存在。
  20. 如請求項17之拋光組合物，其中該四烷基銨鹽係以佔該拋光組合物2 wt.%至3 wt.%之量存在。
  21. 如請求項1之拋光組合物，其中該加速劑化合物係以佔該拋光組合物0.125 wt.%至0.375 wt.%之量存在。
  22. 如請求項1之拋光組合物，其中該多糖係以佔該拋光組合物至多0.05 wt.%之量存在。
  23. 一種以化學-機械方式拋光基板之方法，其包括：(i)使基板與拋光墊及如請求項1之化學-機械拋光組合物接觸，(ii)相對於該基板移動該拋光墊且使化學-機械拋光組合物位於其間，及(iii)摩擦該基板之至少一部分以拋光該基板。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8815110B2 (en) * 2009-09-16 2014-08-26 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing bulk silicon
JP5575822B2 (ja) * 2012-02-08 2014-08-20 第一工業製薬株式会社 テクスチャー形成用エッチング液
EP2682440A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-08 Basf Se A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a non-ionic surfactant and a carbonate salt
US8821215B2 (en) * 2012-09-07 2014-09-02 Cabot Microelectronics Corporation Polypyrrolidone polishing composition and method
CN104919575B (zh) 2013-01-11 2018-09-18 应用材料公司 化学机械抛光设备及方法
TW201518488A (zh) * 2013-07-11 2015-05-16 Fujimi Inc 研磨用組成物及其製造方法
JP6295052B2 (ja) * 2013-09-26 2018-03-14 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法およびシリコンウエハ製造方法
CN103740281B (zh) * 2013-12-31 2015-11-25 深圳市力合材料有限公司 一种适用于大尺寸硅晶片抛光的抛光组合物及其制备方法
JP6250454B2 (ja) * 2014-03-27 2017-12-20 株式会社フジミインコーポレーテッド シリコン材料研磨用組成物
US20160027668A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and methods
JP6482234B2 (ja) * 2014-10-22 2019-03-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2017066264A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物
EP3484986A1 (en) 2016-07-15 2019-05-22 Ecolab Usa Inc. Aluminum safe degreasing and pre-soak technology for bakery and deli wares and use thereof
JP6811089B2 (ja) * 2016-12-26 2021-01-13 花王株式会社 シリコンウェーハ用研磨液組成物
JP7141339B2 (ja) * 2017-02-08 2022-09-22 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP7319190B2 (ja) * 2017-09-29 2023-08-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP6572288B2 (ja) * 2017-11-22 2019-09-04 株式会社フジミインコーポレーテッド シリコン材料研磨用組成物
JP2020035870A (ja) * 2018-08-29 2020-03-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
KR20220057561A (ko) * 2019-09-04 2022-05-09 씨엠씨 머티리얼즈, 인코포레이티드 폴리실리콘 cmp용 조성물 및 방법
MY191198A (en) * 2019-10-03 2022-06-07 Nissan Chemical Corp Cation-containing polishing composition for eliminating protrusions at periphery of laser mark
CN111254498B (zh) * 2020-03-30 2021-03-26 常州时创能源股份有限公司 硅片酸抛光用添加剂及其应用
CN113930165B (zh) * 2021-11-23 2022-12-30 浙江奥首材料科技有限公司 一种研磨助剂、制备方法、用途及研磨液和研磨方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100567962B1 (ko) 1998-06-22 2006-04-05 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드 연마 조성물 및 표면 처리 조성물
JP3810588B2 (ja) * 1998-06-22 2006-08-16 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US6685757B2 (en) * 2002-02-21 2004-02-03 Rodel Holdings, Inc. Polishing composition
JP2003347247A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Hitachi Chem Co Ltd 半導体絶縁膜用ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
US20040077295A1 (en) * 2002-08-05 2004-04-22 Hellring Stuart D. Process for reducing dishing and erosion during chemical mechanical planarization
JP2004266155A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法
US7005382B2 (en) 2002-10-31 2006-02-28 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing
US7968465B2 (en) * 2003-08-14 2011-06-28 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Periodic acid compositions for polishing ruthenium/low K substrates
JP2005286048A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Nitta Haas Inc 半導体研磨用組成物
JP4808394B2 (ja) * 2004-10-29 2011-11-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
TW200714696A (en) * 2005-08-05 2007-04-16 Advanced Tech Materials High throughput chemical mechanical polishing composition for metal film planarization
US7265055B2 (en) * 2005-10-26 2007-09-04 Cabot Microelectronics Corporation CMP of copper/ruthenium substrates
JP2007214155A (ja) * 2006-02-07 2007-08-23 Fujifilm Corp バリア用研磨液及び化学的機械的研磨方法
CN101437918B (zh) * 2006-05-02 2012-11-21 卡伯特微电子公司 用于半导体材料的化学机械抛光的组合物及方法
JP2008181955A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Fujifilm Corp 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法
JP2008277723A (ja) * 2007-03-30 2008-11-13 Fujifilm Corp 金属用研磨液及び研磨方法
CN101492592B (zh) * 2008-01-25 2014-01-29 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
US8017524B2 (en) * 2008-05-23 2011-09-13 Cabot Microelectronics Corporation Stable, high rate silicon slurry
JP5297695B2 (ja) * 2008-05-30 2013-09-25 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 スラリー供給装置及び同装置を用いる半導体ウェーハの研磨方法
JP5255343B2 (ja) * 2008-06-27 2013-08-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP5413456B2 (ja) * 2009-04-20 2014-02-12 日立化成株式会社 半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法
US8815110B2 (en) * 2009-09-16 2014-08-26 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing bulk silicon
US8697576B2 (en) * 2009-09-16 2014-04-15 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing polysilicon
US8883034B2 (en) * 2009-09-16 2014-11-11 Brian Reiss Composition and method for polishing bulk silicon
JP5492603B2 (ja) * 2010-03-02 2014-05-14 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法

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