JP2011139030A5

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Info

Publication number: JP2011139030A5
Application number: JP2010253421A
Authority: JP
Filing date: 2010-11-12
Publication date: 2013-09-19

Claims

初期成分として、
式Ｉの第一の物質

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷それぞれは、式−（ＣＨ₂）_n−（ｎは、１〜１０から選択される整数である）を有する橋掛け基であり、場合によっては、前記第一の物質中の窒素の一つ以上が第四級形態で提供されることもでき、その場合、前記窒素は正電荷を帯びる）；
式IIの第二の物質、

（式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²それぞれは、水素及び１〜６個の炭素原子を有するアルキル基から選択され、場合によっては、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²の二つ以上が環構造に組み合わされており、場合によっては、前記第二の物質中の窒素の一つ以上が第四級形態で提供されることもでき、その場合、前記窒素は正電荷を帯びる）；
砥粒；及び
水
を含み、
ここで、ケミカルメカニカル研磨組成物は、７未満のpHを有し；
そして、
ケミカルメカニカル研磨組成物は、０．２〜５．０の、窒化ケイ素に対する酸化ケイ素の調節可能な除去速度選択比を示す、ケミカルメカニカル研磨組成物。
初期成分として、前記第一の物質０．００１〜１重量％；前記第二の物質０．００１〜５重量％；砥粒１〜４０重量％；及び水を含む、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨組成物。
２〜４のpHを有する、請求項２記載のケミカルメカニカル研磨組成物。
前記第一の物質がジエチレントリアミンペンタキス（メチルホスホン酸）であり、前記第二の物質がテトラメチルグアニジンである、請求項３記載のケミカルメカニカル研磨組成物。
前記砥粒が、１〜５０nmの平均粒度を有するコロイダルシリカである、請求項４記載のケミカルメカニカル研磨組成物。
分散剤、界面活性剤、緩衝剤、消泡剤及び殺生物剤から選択されるさらなる添加物をさらに含む、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨組成物。
ケミカルメカニカル研磨組成物を製造する方法であって、
式Ｉの第一の物質

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷それぞれは、式−（ＣＨ₂）_n−（ｎは、１〜１０から選択される整数である）を有する橋掛け基であり、場合によっては、前記第一の物質中の窒素の一つ以上が第四級形態で提供されることもでき、その場合、前記窒素は正電荷を帯びる）
を提供すること；
式IIの第二の物質

（式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²それぞれは、水素及び１〜６個の炭素原子を有するアルキル基から選択され、場合によっては、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²の二つ以上が環構造に組み合わされており、場合によっては、前記第二の物質中の窒素の一つ以上が第四級形態で提供されることもでき、その場合、前記窒素は正電荷を帯びる）
を提供すること；
砥粒を提供すること；
水を提供すること；
pH調整剤を提供すること；
前記第一の物質、前記第二の物質、前記砥粒及び前記水を合わせてスラリーを形成すること；ならびに
前記pH調整剤を前記スラリーに加えて前記スラリーのpHを＜７に調節すること
を含む方法。
基材のケミカルメカニカルポリッシングの方法であって、
酸化ケイ素材料及び窒化ケイ素材料を含む基材を提供すること；
第一の物質及び第二の物質の少なくとも一つを提供すること（前記第一の物質が、式Ｉ

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷それぞれは、式−（ＣＨ₂）_n−（ｎは、１〜１０から選択される整数である）を有する橋掛け基であり、場合によっては、前記第一の物質中の窒素の一つ以上が第四級形態で提供されることもでき、その場合、前記窒素は正電荷を帯びる）で表わされ、
前記第二の物質が式II

（式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²それぞれは、水素及び１〜６個の炭素原子を有するアルキル基から選択され、場合によっては、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²の二つ以上が環構造に組み合わされており、場合によっては、前記第二の物質中の窒素の一つ以上が第四級形態で提供されることもでき、その場合、前記窒素は正電荷を帯びる）で表わされる）
砥粒を提供すること；
水を提供すること；
pH調整剤を提供すること；
（ａ）前記第一の物質及び前記第二の物質の少なくとも一つ、（ｂ）前記砥粒、及び（ｃ）前記水を合わせてケミカルメカニカル研磨組成物を形成すること；
前記pH調整剤を加えて前記ケミカルメカニカル研磨組成物のpHを＜７に調節すること；
ケミカルメカニカル研磨パッドを提供すること；
前記ケミカルメカニカル研磨パッドと前記基材との界面に動的接触を生じさせること；ならびに
前記ケミカルメカニカル研磨組成物を前記ケミカルメカニカル研磨パッドと前記基材との前記界面又はその近くで前記ケミカルメカニカル研磨パッド上にディスペンスすること
を含む、前記酸化ケイ素材料及び前記窒化ケイ素材料の少なくともいくらかが前記基材から除去される方法。
前記ケミカルメカニカル研磨組成物が、０．９〜１．２の、窒化ケイ素に対する酸化ケイ素の除去速度選択比を示す、請求項８記載の方法。
前記ケミカルメカニカル研磨組成物が、４００〜１１００Å/minの酸化ケイ素除去速度；及び４００〜１１００Å/minの窒化ケイ素除去速度を示す、請求項９記載の方法。