JP2013042132A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013042132A5 JP2013042132A5 JP2012173340A JP2012173340A JP2013042132A5 JP 2013042132 A5 JP2013042132 A5 JP 2013042132A5 JP 2012173340 A JP2012173340 A JP 2012173340A JP 2012173340 A JP2012173340 A JP 2012173340A JP 2013042132 A5 JP2013042132 A5 JP 2013042132A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- chemical mechanical
- mechanical polishing
- guanidine
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 81
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 57
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 19
- 229960004198 Guanidine Drugs 0.000 claims description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 17
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000005296 abrasive Methods 0.000 claims description 15
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid group Chemical group C(CC(O)(C(=O)O)CC(=O)O)(=O)O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Chemical group [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 14
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 12
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 11
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 11
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 11
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 7
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 7
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 claims description 6
- 230000003115 biocidal Effects 0.000 claims description 6
- 239000003139 biocide Substances 0.000 claims description 6
- 150000002357 guanidines Chemical class 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 5
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 claims description 5
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 5
- QDHHCQZDFGDHMP-UHFFFAOYSA-N monochloramine Chemical group ClN QDHHCQZDFGDHMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QZNNVYOVQUKYSC-JEDNCBNOSA-N (2S)-2-amino-3-(1H-imidazol-5-yl)propanoic acid;hydron;chloride Chemical compound Cl.OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 QZNNVYOVQUKYSC-JEDNCBNOSA-N 0.000 claims description 3
- 229940083094 Guanine derivatives acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 claims description 3
- 229940083145 peripherally acting antiadrenergic agents Guanine derivatives Drugs 0.000 claims description 3
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 claims 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 235000020127 ayran Nutrition 0.000 claims 6
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Description
本発明はまた、基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって:銅を含む基板を提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物(初期成分として、水;0.5〜15重量%の砥粒(ここで、砥粒は25〜75nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒である);0.1〜1重量%の錯化剤(ここで、錯化剤はクエン酸である);0.05〜2重量%のインヒビター(ここで、インヒビターはベンゾトリアゾールである);0.05〜3重量%のリン含有化合物(ここで、リン含有化合物はリン酸である);0.05〜1.5重量%のポリビニルピロリドン(ここで、ポリビニルピロリドンは2,500〜50,000の重量平均分子量を有する);0.25〜1重量%のヒスチジン;0.25〜1重量%のグアニジン(ここで、グアニジンは、グアニジン、グアニジン誘導体、グアニジン塩及びこれらの混合物から選択される);0.1〜10重量%の酸化剤(ここで、酸化剤はH2O2である);0.01〜0.1重量%のレベリング剤(ここで、レベリング剤は塩化アンモニウムである);0.001〜0.01重量%の殺生物剤;及び0.1〜1重量%のpH調整剤(ここで、pH調整剤は水酸化カリウムである)を含む)を提供すること;研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配すること;及びケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に0.69〜34.5kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すこと(ここで、基板は研磨され;幾らかの銅は基板から除去され;そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物は、93回転/分のプラテン速度、87回転/分のキャリヤ速度、300ml/分のケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、及び11.7kPaの公称ダウンフォースにより、200mm研磨機で、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含むケミカルメカニカルポリッシングパッドを使用して、>0.1μmのサイズを有する研磨後SP1欠陥数≦200で、≧1100Å/分の銅除去速度を容易にする)を含む方法を提供する。
本発明はまた、基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって:銅を含む基板を提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物(初期成分として、水;10〜15重量%の砥粒(ここで、砥粒は25〜75nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒である);0.01〜0.5重量%の錯化剤(ここで、錯化剤はクエン酸である);0.05〜1重量%のインヒビター(ここで、インヒビターはベンゾトリアゾールである);0.05〜0.2重量%のリン含有化合物(ここで、リン含有化合物はリン酸である);0.1〜1重量%のポリビニルピロリドン(ここで、ポリビニルピロリドンは12,000〜20,000の重量平均分子量を有する);0.25〜0.6重量%のヒスチジン;0.25〜0.6重量%のグアニジンHCl;0.1〜5重量%の酸化剤(ここで、酸化剤はH2O2である);0.01〜0.05重量%のレベリング剤(ここで、レベリング剤は塩化アンモニウムである);0.001〜0.01重量%の殺生物剤;及び0.1〜1重量%のpH調整剤(ここで、pH調整剤は水酸化カリウムである)を含む(ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物中に初期成分として包含されるヒスチジンとグアニジンHClとの質量の差は≦10%である))を提供すること;研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配すること;及びケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に0.69〜34.5kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すこと(ここで、基板は研磨され;幾らかの銅は基板から除去され;そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物は、93回転/分のプラテン速度、87回転/分のキャリヤ速度、300ml/分のケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、及び11.7kPaの公称ダウンフォースにより、200mm研磨機で、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含むケミカルメカニカルポリッシングパッドを使用して、>0.1μmのサイズを有する研磨後SP1欠陥数≦200で、≧1100Å/分の銅除去速度を容易にする)を含む方法を提供する。
本発明のケミカルメカニカルポリッシングのための方法は、好ましくは:銅を含む基板(好ましくは、ここで基板は、銅配線を持つ半導体基板である)を提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物(初期成分として、水;10〜15重量%の砥粒(ここで、砥粒は25〜75nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒である);0.01〜0.5重量%の錯化剤(ここで、錯化剤はクエン酸である);0.05〜1重量%のインヒビター(ここで、インヒビターはベンゾトリアゾールである);0.05〜0.2重量%のリン含有化合物(ここで、リン含有化合物はリン酸である);0.1〜1重量%のポリビニルピロリドン(ここで、ポリビニルピロリドンは12,000〜20,000の重量平均分子量を有する);0.25〜0.6重量%のヒスチジン;0.25〜0.6重量%のグアニジンHCl;0.1〜5重量%の酸化剤(ここで、酸化剤はH2O2である);0.01〜0.05重量%のレベリング剤(ここで、レベリング剤は塩化アンモニウムである);0.001〜0.01重量%の殺生物剤;及び0.1〜1重量%のpH調整剤(ここで、pH調整剤は水酸化カリウムである)を含む(ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物中に初期成分として包含されるヒスチジンとグアニジンHClとの質量の差は≦10%である))を提供すること;研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配すること;及びケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に0.69〜34.5kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すことを含み;ここで、基板は研磨され、そして幾らかの銅は基板から除去される。好ましくは、ここでケミカルメカニカルポリッシング組成物は、93回転/分のプラテン速度、87回転/分のキャリヤ速度、300ml/分のケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、及び11.7kPaの公称ダウンフォースにより、200mm研磨機で、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含むケミカルメカニカルポリッシングパッドを使用して、>0.1μmのサイズを有する研磨後SP1欠陥数≦200(更に好ましくは≦100)で、≧1100Å/分(更に好ましくは≧1500Å/分)の銅除去速度を容易にする。
Claims (9)
- 基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって:
銅を含む基板を提供すること;
ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物(初期成分として、
水;
10〜15重量%の25〜75nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒;
0.1〜0.5重量%の錯化剤(ここで、錯化剤は、酢酸、クエン酸、アセト酢酸エチル、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、シュウ酸及びこれらの組合せからなる群より選択される);
0.02〜5重量%のインヒビター;
0.01〜5重量%のリン含有化合物;
0.001〜3重量%のポリビニルピロリドン;
0.25〜0.6重量%のヒスチジン;
0.25〜0.6重量%のグアニジン(ここで、グアニジンは、グアニジン、グアニジン誘導体、グアニジン塩及びこれらの混合物から選択される);
0〜25重量%の任意の酸化剤;
0〜0.1重量%の任意のレベリング剤;
0〜0.01重量%の任意の殺生物剤;及び
任意のpH調整剤を含む)を提供すること(ここで、提供されるケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、9〜11のpHを有する);
研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;
ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配すること;及び
ケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に0.69〜34.5kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すことを含み;ここで、基板は研磨され、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、≧1100Å/分の銅除去速度を示し、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、>0.1μmのサイズを有する研磨後SP1欠陥数≦200を容易にし、そして幾らかの銅は基板から除去される、方法。 - 基板が、更にオルトケイ酸テトラエチルを含み;少なくとも幾らかのオルトケイ酸テトラエチルが、基板から除去され;そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、1:1〜5:1の銅除去速度対オルトケイ酸テトラエチル除去速度の選択比を示す、請求項1に記載の方法。
- 基板が、更にTaNを含み;少なくとも幾らかのTaNが、基板から除去され;そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、1:1〜5:1の銅除去速度対TaN除去速度の選択比を示す、請求項1に記載の方法。
- 提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物が、初期成分として:
水;
10〜15重量%の25〜75nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒;
0.1〜0.5重量%の錯化剤(ここで、錯化剤はクエン酸である);
0.05〜2重量%のインヒビター(ここで、インヒビターはベンゾトリアゾールである);
0.05〜3重量%のリン含有化合物(ここで、リン含有化合物はリン酸である);
0.05〜1.5重量%のポリビニルピロリドン(ここで、ポリビニルピロリドンは2,500〜50,000の重量平均分子量を有する);
0.25〜0.6重量%のヒスチジン;
0.25〜0.6重量%のグアニジン(ここで、グアニジンは、グアニジン、グアニジン誘導体、グアニジン塩及びこれらの混合物から選択される);
0.1〜10重量%の酸化剤(ここで、酸化剤はH2O2である);
0.01〜0.1重量%のレベリング剤(ここで、レベリング剤は塩化アンモニウムである);
0.001〜0.01重量%の殺生物剤;及び
0.1〜1重量%のpH調整剤(ここで、pH調整剤は水酸化カリウムである)を含む、請求項1に記載の方法。 - ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、93回転/分のプラテン速度、87回転/分のキャリヤ速度、300ml/分のケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、及び11.7kPaの公称ダウンフォースにより、200mm研磨機で、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含むケミカルメカニカルポリッシングパッドを使用して、>0.1μmのサイズを有する研磨後SP1欠陥数≦200で、≧1100Å/分の銅除去速度を容易にする、請求項4に記載の方法。
- 基板が、更にオルトケイ酸テトラエチルを含み;少なくとも幾らかのオルトケイ酸テトラエチルが、基板から除去され;そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、93回転/分のプラテン速度、87回転/分のキャリヤ速度、300ml/分のケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、及び11.7kPaの公称ダウンフォースにより、200mm研磨機で、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含むケミカルメカニカルポリッシングパッドを使用して、1:1〜5:1の銅除去速度対オルトケイ酸テトラエチル除去速度の選択比を示す、請求項5に記載の方法。
- 基板が、更にTaNを含み;少なくとも幾らかのTaNが、基板から除去され;そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、93回転/分のプラテン速度、87回転/分のキャリヤ速度、300ml/分のケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、及び11.7kPaの公称ダウンフォースにより、200mm研磨機で、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含むケミカルメカニカルポリッシングパッドを使用して、1:1〜5:1の銅除去速度対TaN除去速度の選択比を示す、請求項5に記載の方法。
- 提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物が、初期成分として:
水;
10〜15重量%の25〜75nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒;
0.1〜0.5重量%の錯化剤(ここで、錯化剤はクエン酸である);
0.05〜1重量%のインヒビター(ここで、インヒビターはベンゾトリアゾールである);
0.05〜0.2重量%のリン含有化合物(ここで、リン含有化合物はリン酸である);
0.1〜1重量%のポリビニルピロリドン(ここで、ポリビニルピロリドンは12,000〜20,000の重量平均分子量を有する);
0.25〜0.6重量%のヒスチジン;
0.25〜0.6重量%のグアニジン(ここで、グアニジンはグアニジンHClである);
0.1〜5重量%の酸化剤(ここで、酸化剤はH2O2である);
0.01〜0.05重量%のレベリング剤(ここで、レベリング剤は塩化アンモニウムである);
0.001〜0.01重量%の殺生物剤;及び
0.1〜1重量%のpH調整剤(ここで、pH調整剤は水酸化カリウムである)を含む(ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物中に初期成分として包含されるヒスチジンとグアニジンHClとの質量の差は≦10%である)、請求項1に記載の方法。 - ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、93回転/分のプラテン速度、87回転/分のキャリヤ速度、300ml/分のケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、及び11.7kPaの公称ダウンフォースにより、200mm研磨機で、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含むケミカルメカニカルポリッシングパッドを使用して、>0.1μmのサイズを有する研磨後SP1欠陥数≦200で、≧1100Å/分の銅除去速度を容易にする、請求項8に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/209,864 US20130045599A1 (en) | 2011-08-15 | 2011-08-15 | Method for chemical mechanical polishing copper |
US13/209,864 | 2011-08-15 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013042132A JP2013042132A (ja) | 2013-02-28 |
JP2013042132A5 true JP2013042132A5 (ja) | 2015-09-10 |
JP6041095B2 JP6041095B2 (ja) | 2016-12-07 |
Family
ID=47625346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012173340A Active JP6041095B2 (ja) | 2011-08-15 | 2012-08-03 | 銅をケミカルメカニカルポリッシングするための方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130045599A1 (ja) |
JP (1) | JP6041095B2 (ja) |
KR (1) | KR101945221B1 (ja) |
CN (1) | CN102950537B (ja) |
DE (1) | DE102012015824A1 (ja) |
FR (1) | FR2979071B1 (ja) |
TW (1) | TWI594310B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2794733B1 (en) * | 2011-12-21 | 2019-05-15 | Basf Se | Method for manufacturing cmp composition and application thereof |
US9299585B2 (en) * | 2014-07-28 | 2016-03-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for chemical mechanical polishing substrates containing ruthenium and copper |
CN106916536B (zh) * | 2015-12-25 | 2021-04-20 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种碱性化学机械抛光液 |
CN107145614B (zh) * | 2016-03-01 | 2020-06-30 | 中国科学院微电子研究所 | 一种cmp工艺仿真方法及仿真系统 |
US10377921B2 (en) * | 2017-09-21 | 2019-08-13 | Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method for cobalt |
US20200095502A1 (en) * | 2018-09-26 | 2020-03-26 | Versum Materials Us, Llc | High Oxide VS Nitride Selectivity, Low And Uniform Oxide Trench Dishing In Shallow Trench Isolation(STI) Chemical Mechanical Planarization Polishing(CMP) |
WO2020091242A1 (ko) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 영창케미칼 주식회사 | 구리 배리어층 연마용 슬러리 조성물 |
TWI815035B (zh) * | 2019-09-04 | 2023-09-11 | 美商Cmc材料股份有限公司 | 用於多晶矽化學機械拋光(cmp)之組合物及方法 |
JP7409899B2 (ja) * | 2020-02-18 | 2024-01-09 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨方法、および半導体基板の製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6435944B1 (en) | 1999-10-27 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | CMP slurry for planarizing metals |
US6740591B1 (en) * | 2000-11-16 | 2004-05-25 | Intel Corporation | Slurry and method for chemical mechanical polishing of copper |
US20050090104A1 (en) * | 2003-10-27 | 2005-04-28 | Kai Yang | Slurry compositions for chemical mechanical polishing of copper and barrier films |
KR100645957B1 (ko) | 2004-10-26 | 2006-11-14 | 삼성코닝 주식회사 | Cmp용 수성 슬러리 조성물 |
CN1900206B (zh) * | 2005-07-21 | 2011-01-05 | 安集微电子(上海)有限公司 | 化学机械抛光液及其用途 |
TWI385226B (zh) * | 2005-09-08 | 2013-02-11 | 羅門哈斯電子材料Cmp控股公司 | 用於移除聚合物阻障之研磨漿液 |
US20080148652A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Junaid Ahmed Siddiqui | Compositions for chemical mechanical planarization of copper |
US20090031636A1 (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-05 | Qianqiu Ye | Polymeric barrier removal polishing slurry |
KR101202720B1 (ko) * | 2008-02-29 | 2012-11-19 | 주식회사 엘지화학 | 화학적 기계적 연마용 수계 슬러리 조성물 및 화학적 기계적 연마 방법 |
KR101084676B1 (ko) * | 2008-12-03 | 2011-11-22 | 주식회사 엘지화학 | 1차 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 및 화학적 기계적 연마 방법 |
US20100159807A1 (en) * | 2008-12-22 | 2010-06-24 | Jinru Bian | Polymeric barrier removal polishing slurry |
-
2011
- 2011-08-15 US US13/209,864 patent/US20130045599A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-08-03 JP JP2012173340A patent/JP6041095B2/ja active Active
- 2012-08-07 TW TW101128397A patent/TWI594310B/zh active
- 2012-08-09 DE DE102012015824A patent/DE102012015824A1/de not_active Withdrawn
- 2012-08-14 CN CN201210289359.6A patent/CN102950537B/zh active Active
- 2012-08-14 KR KR1020120089008A patent/KR101945221B1/ko active IP Right Grant
- 2012-08-16 FR FR1257819A patent/FR2979071B1/fr not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013042132A5 (ja) | ||
JP6023125B2 (ja) | 化学的機械的研磨スラリー組成物およびそれを使用した銅のための方法およびシリコン貫通ビア適用 | |
JP5583888B2 (ja) | 貴金属研磨のためのポリマー添加剤を伴うcmp組成物 | |
KR101153756B1 (ko) | 질화실리콘층을 선택적으로 연마하기 위한 조성물 및 이 조성물을 사용하는 연마 방법 | |
TWI535836B (zh) | 用於鎢拋光之組合物 | |
JP2003530713A (ja) | 酸化ケイ素の優先除去系 | |
JP6437762B2 (ja) | サファイア表面を研磨するための化学的機械研磨組成物及びその使用方法 | |
JP2019036714A5 (ja) | ||
JP2010114446A5 (ja) | ||
JP6041095B2 (ja) | 銅をケミカルメカニカルポリッシングするための方法 | |
TW201200583A (en) | Chemical planarization of copper wafer polishing | |
JP6145501B1 (ja) | 研磨用組成物及びシリコン基板の研磨方法 | |
JP2012511251A5 (ja) | ||
JP2015063687A5 (ja) | ||
JP2012235110A5 (ja) | ||
JP6990261B2 (ja) | 低研磨材濃度及び化学添加剤の組み合わせを有するシャロートレンチアイソレーション(sti)化学機械平坦化(cmp)研磨 | |
TWI819019B (zh) | 用於鎢的中性至鹼性化學機械拋光組成物及方法 | |
JPWO2014119301A1 (ja) | 表面選択性研磨組成物 | |
TWI589676B (zh) | 用於選擇性拋光鉑及釕材料之組合物及方法 | |
JP6538464B2 (ja) | ルテニウム及び銅を含有する基板を化学的機械的研磨するための方法 | |
JP2014168067A (ja) | 非酸化物単結晶基板の研磨方法 | |
JP2005268666A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP6021584B2 (ja) | 調整可能な研磨配合物を用いて研磨する方法 | |
JP6685744B2 (ja) | 半導体基板を研磨する方法 | |
TWI627244B (zh) | 安定可濃縮之矽晶圓硏磨組成物及相關方法 |