JP2012235110A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、以下：
   基板を提供すること（ここで、基板は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金を含む）；
   ケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること（ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、初期成分として：
   水；
   ０．１〜５重量％の砥粒（ここで、砥粒は、１１０〜１３０nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒である）；
   ０．００１〜５重量％の、エチレンジアミン四酢酸及びその塩より選択される材料；
   ０．００１〜３重量％の酸化剤（ここで、酸化剤は、過酸化水素である）；から実質的になり、
   ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、７．１〜１２のｐＨを有する）；
   ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；
   ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との間の接触面に動的接触を作り出すこと；ならびに
   ケミカルメカニカルポリッシング組成物を、ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の接触面又は近傍でケミカルメカニカルポリッシングパッド上に注入すること（ここで、少なくとも幾らかのゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金が、基板から除去される）；を含み、
   そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、２００mm研磨機でプラテン速度毎分６０回転、キャリア速度毎分５５回転、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速２００ml/分、及び名目ダウンフォース８．２７kPa（１．２psi）で、１，０００Å/分以上のゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金の除去速度を示し、ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、高分子中空コア微粒子及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含有するポリウレタン研磨層を含み、
   ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、研磨後のＳＰ１欠陥（＞０．１６μm）数３００以下と同時に１，０００Å/分以上のゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金の除去速度を促進する、方法。
2. 基板が、さらにＳｉ_３Ｎ_４を含み；少なくとも幾らかのＳｉ_３Ｎ_４が基板から除去され；そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：Ｓｉ_３Ｎ_４除去速度選択比が≧１０：１を示す、請求項１に記載の方法。
3. 基板が、さらにオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含み；そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：ＴＥＯＳ除去速度選択比が≧１０：１を示す、請求項１に記載の方法。
4. ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：Ｓｉ_３Ｎ_４除去速度選択比が≧１５：１を示す、請求項２に記載の方法。
5. 基板が、さらにオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含み；少なくとも幾らかのＴＥＯＳが基板から除去され；そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：ＴＥＯＳ除去速度選択比が≧１５：１を示す、請求項１に記載の方法。
6. 研磨後のＳＰ１欠陥の２００以下が、テルル残渣欠陥である、請求項１に記載の方法。
7. 基板が、さらにＳｉ_３Ｎ_４を含み；少なくとも幾らかのＳｉ_３Ｎ_４が基板から除去され；そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：Ｓｉ_３Ｎ_４除去速度選択比が≧１５：１を示す、請求項６に記載の方法。
8. 基板が、さらにオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含み；少なくとも幾らかのＴＥＯＳが基板から除去され；そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：ＴＥＯＳ除去速度選択比が≧１５：１を示す、請求項６に記載の方法。