JP2012235110A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- 基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、以下:
基板を提供すること(ここで、基板は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金を含む);
ケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること(ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、初期成分として:
水;
0.1〜5重量%の砥粒(ここで、砥粒は、110〜130nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒である);
0.001〜5重量%の、エチレンジアミン四酢酸及びその塩より選択される材料;
0.001〜3重量%の酸化剤(ここで、酸化剤は、過酸化水素である);から実質的になり、
ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、7.1〜12のpHを有する);
ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;
ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との間の接触面に動的接触を作り出すこと;ならびに
ケミカルメカニカルポリッシング組成物を、ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の接触面又は近傍でケミカルメカニカルポリッシングパッド上に注入すること(ここで、少なくとも幾らかのゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金が、基板から除去される);を含み、
そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、200mm研磨機でプラテン速度毎分60回転、キャリア速度毎分55回転、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速200ml/分、及び名目ダウンフォース8.27kPa(1.2psi)で、1,000Å/分以上のゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金の除去速度を示し、ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、高分子中空コア微粒子及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含有するポリウレタン研磨層を含み、
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、研磨後のSP1欠陥(>0.16μm)数300以下と同時に1,000Å/分以上のゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金の除去速度を促進する、方法。 - 基板が、さらにSi3N4を含み;少なくとも幾らかのSi3N4が基板から除去され;そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金:Si3N4除去速度選択比が≧10:1を示す、請求項1に記載の方法。
- 基板が、さらにオルトケイ酸テトラエチル(TEOS)を含み;そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金:TEOS除去速度選択比が≧10:1を示す、請求項1に記載の方法。
- ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金:Si3N4除去速度選択比が≧15:1を示す、請求項2に記載の方法。
- 基板が、さらにオルトケイ酸テトラエチル(TEOS)を含み;少なくとも幾らかのTEOSが基板から除去され;そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金:TEOS除去速度選択比が≧15:1を示す、請求項1に記載の方法。
- 研磨後のSP1欠陥の200以下が、テルル残渣欠陥である、請求項1に記載の方法。
- 基板が、さらにSi3N4を含み;少なくとも幾らかのSi3N4が基板から除去され;そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金:Si3N4除去速度選択比が≧15:1を示す、請求項6に記載の方法。
- 基板が、さらにオルトケイ酸テトラエチル(TEOS)を含み;少なくとも幾らかのTEOSが基板から除去され;そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金:TEOS除去速度選択比が≧15:1を示す、請求項6に記載の方法。
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