JP2009535816A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 下記（ａ）〜（ｃ）を含有する基板を研磨するための化学機械的研磨システム；
   （ａ）研磨パッド、研磨材、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される研磨部品；
   （ｂ）液体キャリヤ；並びに
   （ｃ）下記（１）〜（３）から成る群から選択される化合物：
   （１）下記式（Ｉ）：
   

   

   （式中、ｘ＝２〜６である）
   の化合物；
   （２）下記式（ＩＩ）：
   

   

   （式中、ｘ＋ｚ＝２〜４であり、そしてｙ＝１〜５０である）
   の化合物；及び
   （３）それらの組合せ。
2. ４，７，１０−トリオキサトリデカン−１，１３−ジアミン、ピペラジン及びそれらの組合せから成る群から選択される化合物をさらに含有する、請求項１に記載の研磨システム。
3. 前記化合物と異なり、且つ第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、アミノアルコール、第四級アミン及びそれらの組合せから成る群から選択される成分をさらに含有する、請求項１又は２に記載の研磨システム。
4. 前記成分がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである、請求項３に記載の研磨システム。
5. 前記研磨システムが、ＥＤＴＡ、シュウ酸、ポリホスホネート、及びそれらの組合せから成る群から選択される化合物をさらに含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨システム。
6. （ｉ）請求項１〜５のいずれか一項に記載の化学機械的研磨システムを、基板と接触させるステップ；
   （ｉｉ）前記基板に対して、前記研磨部品を動かすステップ；そして
   （ｉｉｉ）前記基板の少なくとも一部を研削して、前記基板を研磨するステップ：
   を含む、基板の化学機械的研磨方法。
7. 前記基板が、ポリシリコンの少なくとも１つの層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素及びそれらの組合せから成る群から選択される少なくとも１つの層とを含む、請求項６に記載の方法。
8. 前記ポリシリコンの層が、基板から４００〜４０００Å／分の速度で除去される、請求項７に記載の方法。
9. 前記基板が酸化ケイ素を含有し、当該酸化ケイ素が前記基板から２００Å／分以下の速度で除去される、請求項７又は８に記載の方法。
10. 前記基板が窒化ケイ素を含有し、当該窒化ケイ素が前記基板から２００Å／分以下の速度で除去される、請求項７又は８に記載の方法。
11. 前記研磨システムが、ピペラジンをさらに含有する、請求項６〜１０のいずれか一項に記載の方法。