JP2004529488A5

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Info

Publication number: JP2004529488A5
Application number: JP2002561569A
Authority: JP
Filing date: 2002-01-14
Publication date: 2005-06-09

Description

Claims

基材の表面を、
（ａ）下記の（ｉ）〜（ｉｉｉ）、すなわち
（ｉ）液体キャリヤー、
（ｉｉ）アルカリ金属イオン、及び
（ｉｉｉ）アミン基及び少なくとも１つの極性部分を含み、該極性部分が少なくとも１つの酸素原子を含有する化合物、
を含む研磨組成物、及び
（ｂ）研磨パッド及び／又は研磨剤、
を含む研磨系と接触させること、及び当該基材の少なくとも一部をそれで研磨することを含み、当該研磨組成物の合計イオン濃度が臨界凝集濃度より高い、基材研磨方法。
前記液体キャリヤーが極性溶媒である、請求項１に記載の研磨方法。
液体キャリヤーが水である、請求項２に記載の研磨方法。
前記研磨系が液体キャリヤー中に懸濁した研磨剤を含む、請求項３に記載の研磨方法。
前記研磨系が研磨パッドと研磨剤を含み、当該研磨剤が当該研磨パッド内又はその上に固定されている、請求項３に記載の研磨方法。
前記研磨系がレオロジー制御剤を更に含む、請求項１に記載の方法。
前記レオロジー制御剤がカルボキシレート塩基である、請求項６に記載の方法。
前記レオロジー制御剤がポリアクリルアミド剤である、請求項６に記載の方法。
前記基材をトレンチ分離処理にかけた後に研磨する、請求項１に記載の方法。
前記研磨剤が金属酸化物である、請求項３に記載の研磨方法。
前記研磨剤がシリカである、請求項１０に記載の研磨方法。
前記研磨剤がヒュームドシリカである、請求項１１に記載の研磨方法。
前記アルカリ金属イオンが０．１Ｍ以上の濃度を有する、請求項３に記載の研磨方法。
前記アルカリ金属イオンが０．２Ｍ以上の濃度を有する、請求項１３に記載の研磨方法。
前記アルカリ金属イオンが０．３Ｍ以上の濃度を有する、請求項１４に記載の研磨方法。
前記アルカリ金属イオンがカリウムである、請求項３に記載の研磨方法。
前記アルカリ金属イオンがセシウムである、請求項３に記載の研磨方法。
アミン基及び少なくとも１つの極性部分を含み該極性部分が少なくとも１つの酸素原子を含有する前記化合物が、２−ジメチルアミノ−２−メチル−１−プロパノール、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、又はそれらの混合物である、請求項３に記載の研磨方法。
アミン基及び少なくとも１つの極性部分を含み該極性部分が少なくとも１つの酸素原子を含有する前記化合物が、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、２−（イソプロピルアミノ）エタノール、２−（メチルアミノ）エタノール、２−（ジエチルアミノ）エタノール、２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エタノール、１，１’−［［３−（ジメチルアミノ）プロピル］イミノ］−ビス−２−プロパノール、２−（ブチルアミノ）エタノール、２−（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）エタノール、２−（ジイソプロピルアミノ）エタノール、Ｎ−（３−アミノプロピル）モルホリン、又はそれらの混合物である、請求項３に記載の研磨方法。
アミン基及び少なくとも１つの極性部分を含み該極性部分が少なくとも１つの酸素原子を含有する前記化合物が２−ジメチルアミノ−２−メチル−１−プロパノールであり、前記研磨系が等しい重量の水酸化テトラメチルアンモニウムを更に含む、請求項１８に記載の研磨方法。
前記研磨系のｐＨが９以上である、請求項３に記載の研磨方法。
前記研磨系のｐＨが１０以上である、請求項２１に記載の研磨方法。
前記研磨系のｐＨが１１以上である、請求項２２に記載の研磨方法。
前記研磨系のｐＨが１２以上である、請求項２３に記載の研磨方法。
前記基材の表面を前記研磨組成物の調製後１時間以内に前記研磨系と接触させる、請求項１に記載の方法。
前記基材の表面を前記研磨組成物の調製後３０分以内に前記研磨系と接触させる、請求項２５に記載の方法。
前記基材の表面を前記研磨組成物の調製後１０分以内に前記研磨系と接触させる、請求項２６に記載の方法。
前記研磨組成物をその使用箇所で調製する、請求項２７に記載の方法。
前記基材がＳｉ原子を含む、請求項１に記載の方法。
前記基材が、Ｓｉ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯＮ、ポリシリコン、又はそれらの組み合せを含む、請求項１に記載の方法。
基材を研磨するための研磨系であって、
（ａ）下記の（ｉ）〜（ｉｉｉ）、すなわち
（ｉ）液体キャリヤー
（ｉｉ）アルカリ金属イオン、及び
（ｉｉｉ）アミン基及び少なくとも１つの極性部分を含み、該極性部分が少なくとも１つの酸素原子を含有する化合物、
を含む研磨組成物、及び
（ｂ）研磨パッド及び／又は研磨剤、
を含み、当該研磨組成物の合計イオン濃度が臨界凝集濃度より高い、基材を研磨するための研磨系。
前記液体キャリヤーが水である、請求項３１に記載の研磨系。
前記アルカリ金属イオンが０．１５Ｍ以上の濃度で前記研磨用組成中に存在する、請求項３２に記載の研磨系。
アミン含有の前記化合物が０．２Ｍ以上の濃度で前記組成中に存在する、請求項３３に記載の研磨系。
前記研磨系が前記液体キャリヤー中に懸濁された研磨剤を含む、請求項３２に記載の研磨系。
前記研磨剤がシリカである、請求項３５に記載の研磨系。
前記研磨剤がヒュームドシリカである、請求項３６に記載の研磨系。
前記研磨剤が９０ｍ²／ｇ以上の表面積を有する、請求項３７に記載の研磨系。
当該研磨系が酸及び／又は塩基を更に含む、請求項３２に記載の研磨系。
当該研磨系がレオロジー制御剤を更に含む、請求項３２に記載の研磨系。
前記レオロジー制御剤がカルボキシレート塩基である、請求項４０に記載の研磨系。
前記レオロジー制御剤がポリアクリルアミド剤である、請求項４０に記載の研磨系。
前記アルカリ金属イオンがカリウム、セシウム及びそれらの組合せからなる群より選択されている、請求項３２に記載の研磨系。
アミン基及び少なくとも１つの極性部分を含み該極性部分が少なくとも１つの酸素原子を含有する前記化合物が、２−ジメチルアミノ−２−メチル−１−プロパノール、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、又はそれらの混合物である、請求項３２に記載の研磨系。
当該研磨系のｐＨが９以上である、請求項３２に記載の研磨系。
基材を研磨するための研磨系であって、
（ａ）下記の（ｉ）〜（ｉｉｉ）、すなわち
（ｉ）液体キャリヤー、
（ｉｉ）アルカリ金属イオン、及び
（ｉｉｉ）アミン基及び少なくとも１つの極性部分を含み、該極性部分が少なくとも１つの酸素原子を含有する化合物、
を含む研磨組成物、及び
（ｂ）研磨パッド及び／又は研磨剤、
から本質的になり、当該研磨組成物の合計イオン濃度が臨界凝集濃度より高い、基材を研磨するための研磨系。
基材を研磨するための研磨系であって、
（ａ）下記の（ｉ）〜（ｉｉｉ）、すなわち
（ｉ）液体キャリヤー、
（ｉｉ）０．０５ｗｔ％〜０．１５ｗｔ％のＫＯＨ、及び
（ｉｉｉ）アミン基及び少なくとも１つの極性部分を含み、該極性部分が少なくとも１つの酸素原子を含有する、０．４Ｍ〜０．８Ｍの化合物、
を含む研磨組成物、及び
（ｂ）研磨パッド及び／又は研磨剤、
を含む研磨系。
アミン基及び少なくとも１つの極性部分を含み該極性部分が少なくとも１つの酸素原子を含有する前記化合物が、２−ジメチルアミノ−２−メチル−１−プロパノール、２−（イソプロピルアミノエタノール、２−（ブチルアミノ）エタノール、又はＮ−（３−アミノプロピル）モルホリンである、請求項４７に記載の研磨系。