KR100827594B1 - 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이의 제조방법 - Google Patents
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- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
Abstract
Description
(상기 식에서 R 및 R'은 탄소수 1~20의 알킬기이다.)
콜로이달실리카 (20%) | 첨가제투입량 | 연마성능 | |||||||
폴리옥시에틸렌 퍼플루오로부틸 술포닐에스터 | TMAH (20%) | [(N(CH3)2(C4H9))2C3H5O]Cl | 폴리-Si | PTEOS | 선택비 | ||||
연마속도 (Å/분) | WIWNU (%) | 연마속도 (Å/분) | WIWNU (%) | ||||||
실시예1 | 875g | 0.1g | 12.5g | 0.5g | 1851 | 2.41 | 16 | 2.75 | 116 |
실시예2 | 875g | 0.1g | 12.5g | 1.0g | 2269 | 2.91 | 10 | 2.58 | 227 |
실시예3 | 875g | 0.1g | 12.5g | 1.5g | 2508 | 3.15 | 5 | 2.61 | 502 |
콜로이달실리카 (20%) | 첨가제투입량 | 연마성능 | |||||||
폴리옥시에틸렌 퍼플루오로부틸 술포닐에스터 | TMAH (20%) | [(N(CH3)2(C4H9))2C3H5O]Cl | 폴리-Si | PTEOS | 선택비 | ||||
연마속도 (Å/분) | WIWNU (%) | 연마속도 (Å/분) | WIWNU (%) | ||||||
비교예1 | 875g | 0.1g | 12.5g | - | 1251 | 6.84 | 38 | 3.35 | 33 |
비교예2 | 875g | - | 12.5g | 0.5g | 2481 | 7.95 | 14 | 3.54 | 177 |
콜로이달실리카 (20%) | 첨가제투입량 | 연마성능 | |||||||
폴리옥시에틸렌 퍼플루오로부틸 술포닐에스터 | TMAH (20%) | 에틸렌디아민 | 폴리-Si | PTEOS | 선택비 | ||||
연마속도 (Å/분) | WIWNU (%) | 연마속도 (Å/분) | WIWNU (%) | ||||||
비교예3 | 875g | 0.1g | 12.5g | 0.5 | 1540 | 6.98 | 51 | 3.15 | 30 |
Claims (14)
- 초순수, 금속산화물 및 pH 조절제를 포함하는 연마용 조성물에 있어서, 불소계 계면활성제와 하기 화학식 2로 표시되는 암모늄계 계면활성제를 동시에 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.[화학식 2][(NR2R')2C3H5O]Cl(상기 식에서 R 및 R'은 탄소수 1~20의 알킬기이다.)
- 제 1항에 있어서, 상기 pH 조절제로 4급암모늄염기화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 불소계 계면활성제로 하기 화학식 1로 표시되는 비이온성 퍼플루오로알칸 술포닐화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.[화학식 1]CF3(CF2)nSO2X(상기 식에서 n은 1~20이고,X는 COOR, OR, (OCH2CH2)mOCH2CH3 및 (OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3 중에서 선택되는 1종이며,R은 탄소수 1~20의 알킬기이며,m은 1~100이다.)
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 불소계 계면활성제로 하기 화학식 1로 표시되는 비이온성 퍼플루오로알칸 술포닐화합물을 사용하고, 상기 암모늄계 계면활성제로 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.[화학식 1]CF3(CF2)nSO2X(상기 식에서 n은 1~20이고,X는 COOR, OR, (OCH2CH2)mOCH2CH3 및 (OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3 중에서 선택되는 1종이며,R은 탄소수 1~20의 알킬기이며,m은 1~100이다.)[화학식 2][(NR2R')2C3H5O]Cl(상기 식에서 R 및 R'은 탄소수 1~20의 알킬기이다.)
- 제 1항에 있어서, 상기 금속산화물을 전체 슬러리 조성물에 대하여 0.1~30 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 pH 조절제를 전체 슬러리 조성물에 대하여 0.01~5 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 불소계 계면활성제를 전체 슬러리 조성물에 대하여 0.001~1 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 암모늄계 계면활성제를 전체 슬러리 조성물에 대하여 0.001~1 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 금속산화물이 실리카, 알루미나, 세리아, 지르코니아 및 티타니아 중의 적어도 어느 하나로서, 일차입자크기가 10 내지 300nm, 비표면적은 10 내지 300㎡/g인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 2항에 있어서, 상기 4급암모늄염기화합물이 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라프로필암모늄하이드록사이드, 테트라부틸암모늄하이드록사이드로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 불소계 계면활성제로서 두 종류 이상의 화합물을 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 암모늄계 계면활성제로서 두 종류 이상의 화합물을 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 초순수 65 내지 99중량%에 하기 화학식 1의 불소계 계면활성제 0.001 내지 1중량%, 하기 화학식2의 암모늄계 계면활성제 0.001 내지 1중량%, 4급암모늄염기화합물 0.01 내지 5중량% 및 금속산화물 0.1 내지 30중량%를 공급하여 혼합하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물의 제조방법.[화학식 1]CF3(CF2)nSO2X(상기 식에서 n은 1~20이고,X는 COOR, OR, (OCH2CH2)mOCH2CH3 및 (OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3 중에서 선택되는 1종이며,R은 탄소수 1~20의 알킬기이며,m은 1~100이다.)[화학식 2][(NR2R')2C3H5O]Cl(상기 식에서 R 및 R'은 탄소수 1~20의 알킬기이다.)
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