JP2010509753A - 化学機械研磨スラリー組成物、その製造方法、およびその使用方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は化学機械研磨(CMP)スラリー組成物に関し、より詳細には多結晶シリコン表面の研磨用のCMPスラリー組成物に関する。本発明はCMPスラリー組成物の製造方法および多結晶シリコン表面の研磨方法にも関する。
集積回路技術の超々大規模集積回路(ULSI)は、512Mビットおよび1Gビットのダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)に代表され、半導体デバイスの優れた性能および高集積度によって実現することができる。したがって、デバイスの製造に必要とされる最小の加工サイズが小さくなるほど、次世代デバイスの製造において相対的に小さい線幅(例えば、55〜60nm)を形成することができる。
技術的課題
したがって、本発明は従来技術の上記課題を鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、金属酸化物ならびにフッ素化界面活性剤および第四級アンモニウム界面活性剤などの添加物を含み、高い選択性を有する化学機械研磨(CMP)スラリー組成物を提供することである。
本発明の一部の実施形態によれば、
(a)金属酸化物;
(b)pH調節剤;
(c)フッ素化界面活性剤;および
(d)第四級アンモニウム界面活性剤
を含む化学機械研磨(CMP)スラリー組成物が提供される。
XはCOOR、OR、(OCH2CH2)mOCH2CH3、または(OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3であり;
RはC1〜20のアルキル基であり;かつ
mは1〜約100の整数である。
本発明を以下に詳述する。ただし、本発明は多数の異なる形態で具現化することができるのであって、本明細書で説明する実施形態に限定して解釈されるべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示が徹底した完全なものとなり、当業者に対して本発明の範囲が十分に伝わるように提供される。
(a)金属酸化物;
(b)pH−調節剤;
(c)フッ素化界面活性剤;および
(d)第四級アンモニウム界面活性剤
を含む。
本発明を以下の実施例を参照してより詳細に説明する。ただし、これらの実施例は説明のために示されたものであり、本発明の範囲を限定するものと解釈するべきではない。
(実施例1)
まず、12.5gの20重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシ(TMAH)水溶液を4111.9gの超純水に添加した。添加して10分間後に、0.1gのポリオキシエチレンペルフルオロブチルスルホニルエステルおよび0.5gの下記化学式(3)の化合物を添加した。
1.0gの化学式(3)の化合物を添加したこと以外は、実施例1と同様の方法でスラリーを得た。スラリーの研磨性能を実施例1に記載した手順に従って評価した。結果を下記表1に示す。
1.5gの化学式(3)の化合物を添加したこと以外は、実施例1と同様の方法でスラリーを得た。スラリーの研磨性能を実施例1に記載した手順に従って評価した。結果を下記表1に示す。
化学式(3)の化合物を省略したこと以外は、実施例1と同様の方法でスラリーを得た。スラリーの研磨性能を実施例1に記載した手順に従って評価した。結果を下記表2に示す。
ポリオキシエチレンペルフルオロブチルスルホニルエステルを省略したこと以外は、実施例1と同様の方法でスラリーを得た。スラリーの研磨性能を実施例1に記載した手順に従って評価した。結果を下記表2に示す。
化学式(3)の化合物の代わりにエチレンジアミンを添加したこと以外は、実施例1と同様の方法でスラリーを得た。スラリーの研磨性能を実施例1に記載した手順に従って評価した。結果を下記表3に示す。
Claims (23)
- (a)金属酸化物;
(b)pH調節剤;
(c)フッ素化界面活性剤;および
(d)第四級アンモニウム界面活性剤
を含む化学機械研磨(CMP)スラリー組成物。 - 前記フッ素化界面活性剤は非イオン性ペルフルオロアルキルスルホニル化合物を含む、請求項1に記載のCMPスラリー組成物。
- 前記非イオン性ペルフルオロアルキルスルホニル化合物は下記化学式(1)で示される化合物を含む、請求項2に記載のCMPスラリー組成物:
XはCOOR、OR、(OCH2CH2)mOCH2CH3、および(OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3からなる群から選択され;
RはC1〜20のアルキル基であり;かつ
mは1〜約100の整数である。 - 前記フッ素化界面活性剤はスラリー組成物の総重量に対して約0.001重量%〜約1重量%の範囲の量で存在する、請求項1に記載のスラリー組成物。
- 前記第四級アンモニウム界面活性剤は第四級アンモニウム塩を含む、請求項1に記載のCMPスラリー組成物。
- 前記第四級アンモニウム塩は下記化学式(2)で示される化合物を含む、請求項5に記載のCMPスラリー組成物:
- Ra、Rb、Rc、Rd、Re、およびRfはそれぞれ独立にC1〜4のアルキル基であり;pおよびqはそれぞれ1であり;X−はCl−である、請求項6に記載のCMPスラリー組成物。
- 前記第四級アンモニウム界面活性剤はスラリーの総重量に対して約0.001〜約1重量%の範囲で存在する、請求項1に記載のスラリー組成物。
- 前記pH調節剤は第四級アンモニウム塩基を含む、請求項1に記載のCMPスラリー組成物。
- 前記第四級アンモニウム塩基は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、およびテトラブチルアンモニウムヒドロキシドよりなる群から選択される少なくとも1つの化合物を含む、請求項9に記載のスラリー組成物。
- 前記pH調節剤はスラリー組成物の総重量に対して約0.01〜約5重量%の範囲の量で存在する、請求項1に記載のスラリー組成物。
- 前記金属酸化物はSiO2、Al2O3、CeO2、ZrO2およびTiO2よりなる群から選択される少なくとも1つの化合物を含む、請求項1に記載のスラリー組成物。
- 前記金属酸化物は約10nm〜約300nmの範囲の一次粒子サイズおよび約10〜約300m2/gの範囲の比表面積を有する、請求項1に記載のスラリー組成物。
- 前記フッ素化界面活性剤は少なくとも2つの異なるフッ素化界面活性剤を含み、
前記少なくとも2つの異なるフッ素化界面活性剤は化学式(1)で示される、請求項3に記載のスラリー組成物。 - 前記第四級アンモニウム塩は少なくとも2つの異なる第四級アンモニウム塩を含み、
前記少なくとも2つの異なる第四級アンモニウム塩は化学式(2)で示される、請求項6に記載のスラリー組成物。 - スラリーの総重量に対して、約0.001〜約1重量%のフッ素化界面活性剤、約0.001〜約1重量%の第四級アンモニウム界面活性剤、約0.01〜約5重量%のpH調節剤、および約0.1〜約30重量%の金属酸化物を、約65〜99重量%の範囲で存在する水に添加して混合物を形成する工程と、
前記混合物を攪拌する工程と、
を含むCMPスラリー組成物の製造方法。 - 前記フッ素化界面活性剤は下記化学式(1)で示される非イオン性ペルフルオロアルキルスルホニル化合物である、請求項16に記載の方法:
XはCOOR、OR、(OCH2CH2)mOCH2CH3、および(OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3からなる群から選択され;
RはC1〜20のアルキル基であり;かつ
mは1〜約100の整数である。 - 前記第四級アンモニウム界面活性剤は下記化学式(2)で示される第四級アンモニウム塩である、請求項16に記載の方法:
- Ra、Rb、Rc、Rd、Re、およびRfはそれぞれ独立にC1〜4のアルキル基であり;pおよびqはそれぞれ1であり;X−はCl−である、請求項18に記載のCMPスラリー組成物。
- 多結晶シリコン表面にスラリー組成物を供給する工程と、
CMP処理を実施して前記多結晶シリコン表面を研磨する工程と、
を含み、
前記スラリー組成物は、(a)金属酸化物;(b)pH−調節剤;(c)フッ素化界面活性剤;および(d)第四級アンモニウム界面活性剤を含む、多結晶シリコン表面の研磨方法。 - 前記フッ素化界面活性剤は下記化学式(1)で示される非イオン性ペルフルオロアルキルスルホニル化合物である、請求項20に記載の方法:
XはCOOR、OR、(OCH2CH2)mOCH2CH3、および(OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3からなる群から選択され;
RはC1〜20のアルキル基であり;かつ
mは1〜約100の整数である。 - 前記第四級アンモニウム界面活性剤は下記化学式(2)で示される第四級アンモニウム塩である、請求項20に記載の方法:
- Ra、Rb、Rc、Rd、Re、およびRfはそれぞれ独立にC1〜4のアルキル基であり;pおよびqはそれぞれ1であり;X−はCl−である、請求項22に記載のCMPスラリー組成物。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106486210A (zh) * | 2016-10-17 | 2017-03-08 | 浙江凯盈新材料有限公司 | 一种提高导电浆料丝网印刷线形高宽比的方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103432959B (zh) * | 2013-09-18 | 2015-01-14 | 华中师范大学 | 含六氟丙烯三聚体基的表面活性剂及其制备方法 |
CN103464049B (zh) * | 2013-09-18 | 2014-12-31 | 华中师范大学 | 全氟己基磺酰氧基苄基阳离子表面活性剂及其制备方法与应用 |
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KR102421467B1 (ko) * | 2019-03-25 | 2022-07-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마 방법 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06116229A (ja) * | 1992-05-26 | 1994-04-26 | Bayer Ag | イミド類及びそれらの塩類 |
JP2001303027A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-10-31 | Seimi Chem Co Ltd | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP2003530227A (ja) * | 2000-04-07 | 2003-10-14 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 統合化学機械研磨 |
JP2004153158A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法 |
JP2004266155A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法 |
JP2004529488A (ja) * | 2001-01-16 | 2004-09-24 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | アルカリ金属含有研磨系及び方法 |
JP2004533511A (ja) * | 2001-05-10 | 2004-11-04 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 極限環境にさらされる適用物用の界面活性剤/添加剤としてのビス(ペルフルオロアルカンスルホニル)イミドおよびその塩ならびにそのための方法 |
JP2005109452A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005523574A (ja) * | 2002-02-22 | 2005-08-04 | ユニバーシティ オブ フロリダ | 耐火金属を基にしたバリヤー層を含む金属構造物の化学機械研磨用スラリーおよび方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR100398141B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2003-09-13 | 아남반도체 주식회사 | 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한반도체소자의 제조방법 |
KR100396881B1 (ko) * | 2000-10-16 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 연마에 이용되는 슬러리 및 이를 이용한 화학기계적 연마 방법 |
CN101058713B (zh) * | 2001-10-31 | 2011-02-09 | 日立化成工业株式会社 | 研磨液及研磨方法 |
JP2006066874A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-03-09 | Asahi Denka Kogyo Kk | Cmp用研磨組成物および研磨方法 |
KR100643628B1 (ko) * | 2005-11-04 | 2006-11-10 | 제일모직주식회사 | 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이의 제조방법 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06116229A (ja) * | 1992-05-26 | 1994-04-26 | Bayer Ag | イミド類及びそれらの塩類 |
JP2003530227A (ja) * | 2000-04-07 | 2003-10-14 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 統合化学機械研磨 |
JP2001303027A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-10-31 | Seimi Chem Co Ltd | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP2004529488A (ja) * | 2001-01-16 | 2004-09-24 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | アルカリ金属含有研磨系及び方法 |
JP2004533511A (ja) * | 2001-05-10 | 2004-11-04 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 極限環境にさらされる適用物用の界面活性剤/添加剤としてのビス(ペルフルオロアルカンスルホニル)イミドおよびその塩ならびにそのための方法 |
JP2005523574A (ja) * | 2002-02-22 | 2005-08-04 | ユニバーシティ オブ フロリダ | 耐火金属を基にしたバリヤー層を含む金属構造物の化学機械研磨用スラリーおよび方法 |
JP2004153158A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法 |
JP2004266155A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法 |
JP2005109452A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106486210A (zh) * | 2016-10-17 | 2017-03-08 | 浙江凯盈新材料有限公司 | 一种提高导电浆料丝网印刷线形高宽比的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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