JP2006066874A - Cmp用研磨組成物および研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 研磨砥粒、酸化剤、有機酸、防食剤、界面活性剤、およびpH調整剤を含有してなり、pHが5〜10であることを特徴とするCMP用研磨組成物および研磨方法。
【選択図】 なし
Description
(研磨砥粒)
本発明のCMP用研磨組成物に含有される研磨砥粒としては、基本的にCMP研磨材として用いられている、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、炭化ケイ素および二酸化マンガンなどを全て用いることができるが、一般には安定性などの面から、二酸化ケイ素を用いることが望ましく、その中でもコロイダルシリカが最も好ましい。
コロイダルシリカには種々の粒径を持つ多くの種類があるが、本発明のCMP用研磨組成物においては、その粒径が1〜300nmの範囲が好ましく、5〜90nmの範囲がさらに好ましい。
本発明のCMP用研磨組成物に含有される酸化剤としては、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩や過酸化水素などを用いることができるが、その中でも過酸化水素が好ましい。これらの酸化剤の含有量としては、研磨速度、および研磨面の平坦性を向上させる上から、0.1〜15質量%の範囲が好ましい。該範囲の下限よりも少ないと研磨速度が遅くなり、上限よりも多いと、ディッシングやエッチングの抑制の点で好ましくなく、また、取扱いの点でも危険となる。本発明のCMP用研磨組成物に含有される酸化剤の含有量としては、0.5〜10質量%の範囲がより好ましい。
本発明のCMP用研磨組成物に含有される有機酸としては、乳酸、酢酸、シュウ酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、酪酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、安息香酸、サリチル酸、フタル酸などの二塩基酸化合物、および3以上の多塩基酸化合物などを用いることができる。これらの中でもリンゴ酸が最も好ましい。
本発明のCMP用研磨組成物に含有される銅の防食剤としては、含窒素化合物およびその塩が好ましい。その中でも、ベンゾトリアゾール、2−メチルベンゾトリアゾール、2−フェニルベンゾトリアゾール、2−エチルベンゾトリアゾールおよび2−プロピルベンゾトリアゾールなどのベンゾトリアゾールおよびその誘導体が好ましい。さらに、これらの中でもベンゾトリアゾールが最も好ましい。
本発明のCMP用研磨組成物に含有される界面活性剤としては、カチオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、および両性イオン界面活性剤を用いることができる。これらの中でも、アニオン界面活性剤を用いることが好ましく、スルホン酸(もしくはその塩)型アニオン界面活性剤を用いることがさらに好ましく、ドデシルベンゼンスルホン酸(もしくはその塩)を用いることが最も好ましい。
本発明のCMP用研磨組成物に含有されるpH調整剤としては、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム、ヒドロキシルアミン、水酸化トリメチルアミン、炭酸アンモニウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化リチウム、水酸化バリウムおよび水酸化ストロンチウムなどが挙げられる。これらの中でもアンモニアが最も好ましい。本発明のCMP用研磨組成物におけるpH調整剤の含有量は、本発明のCMP用研磨組成物のpHを5〜10にすることができる量である。
本発明のCMP用研磨組成物は、さらに有機化合物を包接することができる包接化合物を含有してなる形態とすることが好ましい。本発明者らの検討によれば、上記した包接化合物が添加されていない場合は、有機物汚れなどでCMP用研磨後におけるウェーハーの表面状態が汚く、その後にアセトンを洗浄液として10秒程度洗浄しなければ良好な表面状態とはならない場合があった。これに対し、このような場合においても、本発明にかかるCMP用研磨組成物を、上記包接化合物を含有してなる形態のものとした場合には、CMP研磨後におけるアセトン洗浄をしなくても十分に良好な表面状態が得られることを見出した。
本発明のCMP用研磨組成物は、上記した各成分を上記したような含有量で含んでなるが、残りは水である。従って、上記に挙げた各成分を規定した量で含むCMP用研磨組成物となるように、水を加えて100質量%に調整する。
本発明のCMP用研磨組成物の調製は、上記で説明した、研磨砥粒、酸化剤、有機酸、防食剤、界面活性剤、およびpH調整剤の各成分を、液のpHが5〜10の範囲内となるように、水に混合し、均一に分散溶解すればよい。この場合に、全ての成分を混合して1液タイプの組成物としてもよく、1種または2種以上の成分、例えば、酸化剤のみを使用時において、他の全ての成分の混合物に配合する2液タイプの組成物としてもよい。
粒子径が26nmのコロイダルシリカ、過酸化水素(31%水溶液)、リンゴ酸、ベンゾトリアゾール、およびドデシルベンゼンスルホン酸、必要に応じてβ−シクロデキストリンを用い、これらの各成分をそれぞれ表1に示す割合(%)となるように水に混合した。表1中に残とあるのは水で調整して全体を100%にしたことを表す。得られた混合液は、アンモニアを用いて、それぞれ表1中に示した所定のpH値となるようにpH調整した。このようにして得た各混合液を、それぞれ実施例1〜5および比較例1〜2の研磨組成物とした。得られた各研磨組成物を用いて、下記の研磨試験を行った。
・研磨機:NF−300(ナノファクター製)
・研磨パッド:IC1400(XY溝付)(ロデールニッタ製)
・研磨時間:1分間(タンタル膜)、4分間(銅膜、酸化ケイ素膜)
・定盤回転数:30rpm
・キャリア回転数:30rpm
・研磨加工圧力:280gf/cm2
・研磨液供給速度:100ml/分
・測定装置:四端針抵抗測定器Loresta GP(三菱化学製)を使用
・測定方法:研磨前後の膜厚差から研磨速度を計算
・測定装置:接触型表面粗さ測定器Nanopics(セイコーインスツルメンツ製)を使用
・測定方法:研磨後の試験片表面上の幅20μmの銅配線部と幅20μmの酸化ケイ素部が交互に形成されている領域について、上記装置を用いて凹凸を測定
Claims (6)
- 研磨砥粒、酸化剤、有機酸、防食剤、界面活性剤、およびpH調整剤を含有してなり、pHが5〜10であることを特徴とするCMP用研磨組成物。
- 研磨砥粒0.001〜1.5質量%、酸化剤0.1〜15質量%、有機酸0.1〜5質量%、防食剤0.01〜2質量%、および界面活性剤0.001〜0.2質量%を含有してなる請求項1に記載のCMP用研磨組成物。
- 有機化合物を包接することのできる包接化合物をさらに含有してなる請求項1または2に記載のCMP用研磨組成物。
- 包接化合物が、シクロデキストリンである請求項3に記載のCMP用研磨組成物。
- 単一材料表面に形成した各膜の研磨速度の関係が、絶縁膜の研磨速度をV(絶縁膜)、バリア膜の研磨速度をV(バリア膜)、および銅膜の研磨速度をV(銅膜)としたときに、V(絶縁膜)/V(バリア膜)<0.2、およびV(銅膜)/V(バリア膜)<0.5である請求項1〜4のいずれか1項に記載のCMP用研磨組成物。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のCMP用研磨組成物を用いることを特徴とする研磨方法。
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