JP2019157121A - 研磨用組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の一形態は、研磨対象物を研磨するために用いられる、研磨用組成物であって、砥粒と、分散媒とを含み、前記砥粒の平均一次粒子径が40nm以下であり、前記砥粒のうち、粒子径0.2〜1,600μmの粗大粒子が、前記研磨用組成物1cm3当り20,000個以下である、研磨用組成物である。かかる構成によって、段差性能の向上(特に、エロージョン)に資する、新規な研磨用組成物を提供することができる。
本発明の研磨用組成物は、砥粒を含み、前記砥粒の平均一次粒子径が40nm以下であり、前記砥粒のうち、粒子径0.2〜1,600μmの粗大粒子が、前記研磨用組成物1cm3当り20,000個以下である。本発明によれば、段差性能の向上(特に、エロージョン)に資する、新規な研磨用組成物を提供することができる。エロージョンは以下の方法で測定しうる。8インチSiN/P−TEOSパターンウェハを研磨し、パターンの凸部について、P−TEOS層が露出する時点までSiN層を削り取り、ウェハ上にP−TEOSとSiNとからなるパターン面を形成する。次いで、得られたパターン面について、ラインアンドスペースが0.25μm/0.25μmである部分について、配線のない部分のP−TEOS部分を基準高さとして、配線上のP−TEOS部分との段差の高さの差X(Å)を、エロージョンとして、AFM(原子間力顕微鏡)(AFM WA1300 日立建機ファインテック株式会社製)を用いて測定できる。
本発明の研磨用組成物は、研磨用組成物を構成する各成分の分散のために分散媒が用いられる。分散媒としては、有機溶媒、水が考えられるが、その中でも水を含むことが好ましい。
本発明の実施形態において、特に酸性または塩基性の領域へと調整するために、研磨用組成物中に、pH調整剤を含有させてもよい。
本発明において、研磨用組成物は、本発明の効果が妨げられない範囲で、酸化剤、キレート剤、水溶性高分子、界面活性剤、防腐剤、または防カビ剤等の、研磨用組成物に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。ただし、本発明の実施形態によれば、研磨用組成物は、酸化剤を実質的に含まない。かかる実施形態によって、窒化ケイ素膜を研磨する場合、当該窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることができる。なお、「実質的に含まない」とは、研磨用組成物中に全く含まない概念の他、研磨用組成物中に、0.1質量%以下含む場合を含む。
本発明の実施形態においては、研磨対象物が、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、ポリシリコン膜、窒化チタン膜および単結晶シリコンから選択される少なくとも1種の膜を含むことが好ましい。かかる実施形態において、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。本発明の実施形態においては、酸化ケイ素膜は、TEOS(オルトケイ酸テトラエチル)由来であることが好ましい。
本発明の一形態の研磨用組成物の製造方法は、砥粒と、分散媒とを混合することを有し、前記砥粒の平均一次粒子径が40nm以下であり、前記砥粒のうち、粒子径0.2〜1,600μmの粗大粒子が、前記研磨用組成物1cm3当り20,000個以下である。より具体的には、例えば、前記砥粒と、必要に応じて他の成分とを、前記分散媒中で攪拌混合することを有する。各成分を混合する際の温度は特に制限されないが、10〜40℃が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。また、混合時間も特に制限されない。
本発明においては、前記研磨用組成物を用いて、または前記製造方法によって研磨用組成物を得、当該研磨用組成物を用いて、研磨対象物を研磨する、研磨方法も提供される。
本発明においては、上記の研磨方法を有する、半導体基板の製造方法も提供される。本発明の半導体基板の製造方法は、上記の研磨方法を有するので、段差性能が向上した、つまり、高い平坦性を実現した半導体基板を作製することができる。
(実施例1〜18、比較例1〜4)
表1、表2に記載の、平均一次粒子径、平均二次粒子径、D90/D10、粗大粒子数である砥粒と;pH調整剤としてマレイン酸と;(実施例、比較例によっては)添加剤とを、砥粒濃度が2質量%となるように、また、pHが2となるように、分散媒(純水)中で混合することにより調製した(混合温度:約25℃、混合時間:約10分)。添加剤の含有量は、研磨用組成物1kg中、0.05gであった(ただし、添加剤としてソルビトールを使用した場合、2gであった)。また、表2中の、丸1、丸2は2種類の添加剤を入れていることを示している。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)測定によるポリメタクリル酸メチル換算値として重量平均分子量(Mw)を得た。
(測定機)
液中パーティクル測定器(KS−41B:リオン株式会社製)
(条件)
・Data correction time : 60sec
・Sample dilution target : 2000 count/mL ・Sample flow rate : 10mL/min。
研磨対象物として、
・200mmウェハ(TEOS(酸化ケイ素膜))、
・200mmウェハ(SiN(窒化ケイ素膜))、
を準備し、上記で得られた研磨用組成物を用いて、各ウェハを以下の研磨条件で研磨し、研磨レートを測定した。また選択比を算出した。ここで、TEOSとは、オルトケイ酸テトラエチルを意味し、酸化ケイ素膜が、オルトケイ酸テトラエチル由来の酸化ケイ素膜であることを示す。
研磨機:200mmウェハ用CMP片面研磨機(MIRRA:AMAT社製)
研磨パッド:硬質発泡ポリウレタン製パッド(IC1010:ロームアンドハース社製)
圧力:3psi(約20.7kPa)
プラテン(定盤)回転数:90rpm
ヘッド(キャリア)回転数:87rpm
研磨用組成物の流量:130ml/min
研磨時間:1分間。
研磨レート(Removal Rate; R.R.)は、以下の式により計算した。
SiN(窒化ケイ素膜)の研磨レート(Å/min)から、TEOS(酸化ケイ素膜)の研磨レート(Å/min)を除した値を算出し、選択比とした。結果を表1、表2に示す。
窒化ケイ素からなる部分と、高密度プラズマCVD酸化シリコンからなる部分とを有する直径200mmの窒化ケイ素/HDPパターンウェーハ(以下のSiN/P−TEOSパターンウェハと同じ)を、上記の研磨条件で研磨した。研磨後のパターンウェーハについて、0.25μm幅の窒化ケイ素部分が0.25μm間隔で形成されている領域で、原子間力顕微鏡を用いて、エロージョン(Å)を測定した。結果を表1、表2に示す。
仕様
1層目:SiN 厚さ700Å(パターン有、パターンは1層目と対応、段差600Å)
2層目:HDP 厚さ1000Å(パターン有、段差600Å)
3層目:Bare−Si。
スクラッチ測定前に、洗浄処理工程を行った。具体的には、以下のとおりである。
洗浄ブラシ回転数:100rpm
研磨済研磨対象物回転数:50rpm
後洗浄処理用組成物の種類:水(脱イオン水)
後洗浄処理用組成物供給量:1000mL/分
洗浄時間:60秒間。
上記洗浄処理をした後の研磨済研磨対象物について、スクラッチの数を、株式会社日立製作所製Review SEM RS6000を使用したSEM観察によって測定した。まず、SEM観察にて、研磨済研磨対象物の片面の外周端部から幅5mmの部分(外周端部を0mmとしたときに、幅0mmから幅5mmまでの部分)を除外した残りの部分に存在するディフェクトを100個サンプリングした。次いで、サンプリングした100個のディフェクトの中からSEM観察にて目視にてパーティクル残渣を判別し、その個数を確認することで、ディフェクト中のパーティクル残渣の割合(%)を算出した。そして、上述のディフェクト数の評価にてKLA TENCOR社製SP−2を用いて測定した0.13μm以上のディフェクト数(個)と、前記SEM観察結果より算出したディフェクト中のスクラッチの割合(%)との積を、スクラッチ数(個)として算出した。
Claims (15)
- 研磨対象物を研磨するために用いられる、研磨用組成物であって、
砥粒と、分散媒とを含み、
前記砥粒の平均一次粒子径が40nm以下であり、
前記砥粒のうち、粒子径0.2〜1,600μmの粗大粒子が、前記研磨用組成物1cm3当り20,000個以下である、研磨用組成物。 - 前記砥粒の平均一次粒子径が15nm以下である、請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒の平均一次粒子径が11nm以下である、請求項2に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒のD90/D10が、2.2以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒の含有量が、0.5〜2.5質量%である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒が、酸性領域で、負のゼータ電位を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒が、表面に有機酸が固定化されてなる砥粒である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒の会合度が、2.3以下である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- pHが、1〜4である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 酸化剤を実質的に含まない、請求項1〜9のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記研磨対象物が、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、ポリシリコン膜、窒化チタン膜および単結晶シリコンから選択される少なくとも1種の膜を含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記研磨対象物が、窒化ケイ素膜と;酸化ケイ素膜およびポリシリコン膜の少なくとも一方と;を含む、請求項1〜11のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- カチオン性高分子、アニオン性高分子、ノニオン性高分子、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤および糖アルコールからなる群から選択される少なくとも1種の添加剤をさらに含む、請求項1〜12のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の研磨用組成物を用いて、研磨対象物を研磨することを有する、研磨方法。
- 請求項14に記載の研磨方法を有する、半導体基板の製造方法。
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