JP5856256B2 - ニッケル−リン記憶ディスク用の研磨組成物 - Google Patents
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Description
メモリーもしくは剛性ディスクにおける記憶容量の増大への要求およびメモリーもしくは剛性ディスクの小型化への傾向（例えば、コンピュータ機器におけるより小さなハードドライブへの要求のために）によって、メモリーもしくは剛性ディスクの最大の性能を確実にするための、それらのディスクの平坦化または研磨を含めた製造プロセスの重要性が重要視され続けている。
幾つかの化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物および半導体装置製造に関連したその使用方法が存在しているものの、従来のＣＭＰ法や商業的に入手可能なＣＭＰ組成物は、メモリーまたは剛性ディスクの平坦化もしくは研磨にはほとんどが適合しない。
より大きな記憶容量への要求は増大しているために、そのようなメモリーまたは剛性ディスクの研磨のための改善されたプロセスへの必要性も増大している。用語「メモリーまたは剛性ディスク」は、電磁気的な形態の情報を保持しておくための、いずれかの磁気ディスク、ハードディスク、剛性ディスクまたはメモリーディスクを表している。メモリーまたは剛性ディスクは、典型的にはニッケル−リンを含む表面を有しているが、しかしながらメモリーまたは剛性ディスク表面は、いずれかの他の好適な材料を含んでいてもよい。ディスクドライブの記録ヘッドとメモリーもしくは剛性ディスク表面との間の間隔は、記録密度の向上とともに減少してきており、それがメモリーもしくは剛性ディスクに対する磁気ヘッドのより低い飛行高さを要求するので、記録ヘッドメモリーまたは剛性ディスクの平面度は向上されなければならない。磁気ヘッドのより低い飛行高さを許容するためには、メモリーまたは剛性ディスクの表面仕上げの向上が求められる。
磁気ヘッドの飛行高さに影響を与えるメモリーまたは剛性ディスクの表面特性としては、ウェビネスおよびマイクロウェビネスが挙げられる。ウェビネスまたはゆがみは、ディスク表面の全体に亘る、平坦さからの全体的な偏差である。ウェビネスは、一般には、ディスクが、その非常に薄く、環状の形状の結果としてのゆがみ、およびディスクの形成の間にもたらされる種々の内部応力、を容易に受け易いという事実に因る。ここではマイクロウェビネスと称される、表面偏差の中間的な形態が存在する可能性がある。ここで用いられるマイクロウェビネスは、ディスク表面の、変換ヘッド（transducing head）の長さの水準にある波長の範囲のウェビネスである。今日のヘッド技術を用いると、これらの波長は、概ね１０〜５０００ミクロンの範囲である。ヘッドの低い飛行高さでは、マイクロウェビネスは、エアベアリング共振を発生させる可能性があり、それによって、ヘッドとディスクの過剰な間隙調整をもたらす可能性がある。マイクロウェビネスの結果である間隙調整は、ディスク表面への貧弱なデータの上書きを招く可能性があり、そして場合によっては、ヘッドのディスク表面との衝突すら引き起こす可能性があり、ディスク表面および／または記録ヘッドへの損傷を招く。
メモリーまたは剛性ディスクの研磨の間には、典型的には、そのディスクの端部は、ディスクの残りの表面領域よりも、磨用具からより高い圧力を受ける。典型的には、研摩は、研磨材、研磨パッド、および液体担体の組み合わせを用いて行なわれ、その中では、研磨材は、液体担体中に懸濁されていてもよく、またはパッドの表面に固定されていてもよい。研磨プロセスは、存在していてもよい化学薬品の作用と併用された、ディスクおよび／またはパッドによるディスクの機械的な研摩から主になっており、そして研摩速度は、少なくとも部分的には適用される圧力の関数であるので、ディスクの端部は、ディスクの残り部分よりもより高い研摩速度を経験する。このことは、ディスクの端部で、湾曲した、または曲線的な輪郭の形成を招き、これは当該技術分野でロールオフ（roll-off）、ラブオフ（rub-off）またはダブオフ(dub-off)として知られている。ディスク上のこのような曲線的な領域は記録には好適ではない。従って、ロールオフの量が低減されれば、ディスクの記録容量を増加させることができる。
メモリーまたは剛性ディスクの研磨速度（すなわち除去速度）が増加すれば、端部のロールオフは典型的には減少するが、しかしながらディスクのマイクロウェビネスは、典型的には増加する。従って、当技術分野では、メモリーまたは剛性ディスクの除去速度を犠牲にすることなく、マイクロウェビネスおよび端部のロールオフを最小化する、メモリーもしくは剛性ディスクの平坦化または研摩のための研摩組成物および方法への必要性がなお存在している。
本発明は、（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、（ｂ）アルファアルミナ粒子、（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、（ｄ）過酸化水素、（ｅ）イミノカルボン酸、および（ｆ）水、を含む化学機械研磨組成物を提供する。
また、本発明は、（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、（ｂ）アルファアルミナ粒子、（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、（ｄ）過酸化水素、オキソンおよび過硫酸ナトリウムを含む酸化剤、（ｅ）錯化剤、ならびに（ｆ）水、を含む化学機械研磨組成物を提供する。
更に、本発明は、基材を化学機械研磨する方法であって、（ｉ）基材を研磨パッドおよび上記の化学機械研磨組成物の１つと接触させること、（ｉｉ）基材と研磨パッドの間に化学機械研磨組成物を伴って、基材に対して研磨パッドを動かすこと、ならびに（ｉｉｉ）基材の少なくとも一部を研摩して（abrade）基材を研磨すること、を含んでなる、化学機械研磨方法を提供する。
本発明は、（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、（ｂ）アルファアルミナ粒子、（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、（ｄ）過酸化水素、（ｅ）イミノカルボン酸、および（ｆ）水、を含む、から本質的になる、あるいはからなる化学機械研磨組成物を提供する。
また、本発明は、（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、（ｂ）アルファアルミナ粒子、（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、（ｄ）過酸化水素、オキソンおよび過硫酸ナトリウムを含む酸化剤、（ｅ）錯化剤、ならびに（ｆ）水、を含む、から本質的になる、あるいはからなる化学機械研磨組成物を提供する。
本研磨組成物は、ヒュームドアルミナ粒子、アルファアルミナ粒子、および実質的に球形の、非凝集シリカ粒子の混合物を含む。ヒュームド金属酸化物、例えばヒュームドアルミナおよびヒュームドシリカは、いずれかの好適な揮発性または非揮発性の前駆物質から調製することができる。ヒュームド金属酸化物は、揮発性前駆物質から、高温炎（Ｈ２／空気またはＨ２／ＣＨ４／空気）中で、前駆物質（例えば金属塩化物）を加水分解および／または酸化して、関心のある金属酸化物を生成させることによって製造可能である。ヒュームド金属酸化物は、非揮発性前駆物質から、好適な溶媒、例えば水、アルコールまたは酸系溶媒に、前駆物質を溶解または分散させることによって製造可能である。この前駆物質を含む溶媒は、液滴発生器を使用して高温炎中へ噴霧することが可能であり、そして金属酸化物は凝集し、次いで集めることが可能である。典型的な液滴発生器としては、二液噴霧器、高圧スプレーノズル、および超音波噴霧器が挙げられる。
ヒュームドアルミナは、アルミニウム酸化物のアモルファス（非晶質）形態であり、一方でアルファアルミナは、１４００℃を超える高温で形成されたアルミニウム酸化物の結晶性多形体を表している。アルファアルミナは、典型的には５０質量％以上のアルファ多形体を含むアルミナを表している。ここで用いられる、研磨組成物中のアルファアルミナの量は、その中に存在する結晶性アルミナの総質量を表しており、この結晶性アルミナの５０質量％以上は、アルファ多形体を含んでいる。ヒュームドアルミナは、典型的にはアルファアルミナよりも研摩性が低い。両方の形態のアルミナは、当該技術分野で周知であり、そして広範囲の粒子径および表面積のものが商業的に入手可能である。
実質的に球形の、非凝集シリカ粒子としては、湿式法シリカ粒子（例えば、コロイド状、縮合重合もしくは沈降シリカ粒子）が挙げられる。実質的に球形の、非凝集シリカ粒子は、典型的にはＳｉ(ＯＨ)４を縮合して、コロイド状粒子を形成することにより調製され、ここでコロイド状とは、１ｎｍ〜１０００ｎｍの平均粒子径を有するものとして規定される。このような研磨材粒子は、米国特許第5,230,833号明細書に従って調製することができ、またはいずれかの商業的に入手可能な種々の製品、例えば、Akzo-Nobel Bindzil 50/80製品およびNalco 1050、1060、2327および2329製品、ならびにDuPont、Bayer、Applied Research、日産化学、FusoおよびClariantから入手可能な他の類似の製品として得ることもできる。
当技術分野でよく知られているように、研磨材粒子は、構造の最小の水準では、１次粒子を含んでいる。１次粒子は、粒子を構成する原子間の共有結合によって形成されており、そして最も苛酷な条件以外の全ての条件で安定である。構造の次の水準では、１次粒子は、２次粒子へと会合しており、通常は凝集体と表される。凝集体粒子は、１次粒子を含んでおり、共有結合および静電気的相互作用によって、互いに結合しており、そして典型的には、例えば機械的エネルギーの投入、例えば高せん断混合による崩壊に抵抗力がある。構造の次の水準では、凝集体は、より緩く会合して集塊となっている。典型的には、集塊は、機械的エネルギーの投入によって、会合が解けて構成する凝集体となることができる。特定の組成および調製方法によって、１次粒子および２次粒子（例えば凝集体）は、球形から楕円形の範囲の形状を有することができ、そして凝集体によっては、延在した、鎖状の構造を有することができる。例えば、熱分解法、またはヒュームド金属酸化物は、典型的には、鎖状構造を有する凝集体の形態で存在している。例えば、ヒュームドアルミナは、凝集体構造を有しており、その中では概ね球形の１次粒子が、１次粒子の鎖状凝集体へと会合しており、これは「ぶどうの房」に似ている。１次研磨材粒子および凝集した１次粒子（例えば２次粒子）の両方が、平均粒子径を有するとして特徴付けることができる。この点では、粒子径は、その粒子を取り囲む最小の球体の直径を表している。凝集粒子では、粒子径は、特に断りのない限り、１次粒子とは対照的に、凝集体に関している。
ヒュームドアルミナ粒子は、いずれかの好適な平均粒子径（例えば、平均粒子直径）を有することができる。ヒュームドアルミナ粒子は、３０ｎｍ以上、例えば４０ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、６０ｎｍ以上、７０ｎｍ以上、８０ｎｍ以上、９０ｎｍ以上または１００ｎｍ以上の平均粒子径を有することができる。あるいは、または更には、ヒュームドアルミナは、２５０ｎｍ以下、例えば２３０ｎｍ以下、２１０ｎｍ以下、１９０ｎｍ以下、１７０ｎｍ以下または１５０ｎｍ以下の平均粒子径を有することができる。従って、ヒュームドアルミナは、上記の端点のいずれか２つによって定められた平均粒子径を有することができる。例えば、ヒュームドアルミナは、３０ｎｍ〜２５０ｎｍ、８０ｎｍ〜２５０ｎｍ、８０ｎｍ〜２１０ｎｍ、または１００ｎｍ〜１５０ｎｍの平均粒子径を有することができる。
アルファアルミナ粒子は、いずれかの好適な平均粒子径（例えば平均粒子直径）を有することができる。アルファアルミナは、１００ｎｍ以上、例えば１５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、２５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以上、３５０ｎｍ以上、４００ｎｍ以上または４５０ｎｍ以上の平均粒子径を有することができる。あるいは、または更には、アルファアルミナは、８００ｎｍ以下、例えば７５０ｎｍ以下、６５０ｎｍ以下、６００ｎｍ以下、５５０ｎｍ以下、５００ｎｍ以下、４５０ｎｍ以下または４００ｎｍ以下の平均粒子径を有することができる。従って、アルファアルミナは、上記の端点のいずれか２つによって定められた平均粒子径を有することができる。例えば、アルファアルミナは、１００ｎｍ〜８００ｎｍ、１５０ｎｍ〜８００ｎｍ、１５０ｎｍ〜５００ｎｍ、１５０ｎｍ〜４００ｎｍ、２００ｎｍ〜３００ｎｍ、４００ｎｍ〜８００ｎｍ、４００ｎｍ〜７００ｎｍまたは４００ｎｍ〜６００ｎｍの平均粒子径を有することができる。
実質的に球形の、非凝集シリカ粒子は、いずれかの好適な平均粒子径（例えば平均粒子直径）を有することができる。実質的に球形の、非凝集シリカ粒子は、１０ｎｍ以上、例えば１５ｎｍ以上、２０ｎｍ以上、または２５ｎｍ以上の平均粒子径を有することができる。あるいは、または更には、実質的に球形の、非凝集シリカ粒子は、１２０ｎｍ以下、例えば１１０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、８０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、６０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下または４０ｎｍ以下の平均粒子径を有することができる。従って、実質的に球形の、非凝集シリカ粒子は、上記の端点のいずれか２つによって定められた平均粒子径を有することができる。例えば、実質的に球形の、非凝集シリカ粒子は、１０ｎｍ〜１００ｎｍ、２０ｎｍ〜１００ｎｍ、２０ｎｍ〜８０ｎｍ、２０ｎｍ〜６０ｎｍ、または２０ｎｍ〜４０ｎｍの平均粒子径を有することができる。
本研磨組成物は、ヒュームドアルミナ粒子、アルファアルミナ粒子、および実質的に球形の、非凝集シリカ粒子の混合物を、いずれかの好適な比率で含むことができる。典型的には、本研磨組成物は、（ａ）０．０１質量％以上、例えば０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．５質量％以上のヒュームドアルミナ粒子、（ｂ）０．０５質量％以上、例えば０．１質量％以上、０．２質量％以上、０．３質量％以上、または０．５質量％以上のアルファアルミナ粒子、ならびに（ｃ）０．１質量％以上、例えば０．３質量％以上、０．５質量％以上、１質量％以上、または２質量％以上の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含むことができる。あるいは、または更には、本研磨組成物は、（ａ）５質量％以下、例えば３質量％以下、１質量％以下、０．８質量％以下、０．７質量％以下、または０．５質量％以下のヒュームドアルミナ粒子、（ｂ）５質量％以下、例えば３質量％以下、１質量％以下、または０．５質量％以下のアルファアルミナ粒子、ならびに（ｃ）８質量％以下、例えば５質量％以下、または１質量％以下の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含むことができる。従って、本研磨組成物は、ヒュームドアルミナ粒子、アルファアルミナ粒子および実質的に球形の、非凝集シリカ粒子のそれぞれについて列挙された上記の端点のいずれか２つによって定められた量のヒュームドアルミナ粒子、アルファアルミナ粒子および実質的に球形の、非凝集シリカ粒子の混合物を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、（ａ）０．０１質量％〜５質量％、０．１質量％〜３質量％、または０．５質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、（ｂ）０．０５質量％〜５質量％、０．１質量％〜３質量％、または０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、ならびに（ｃ）０．１質量％〜８質量％、０．５質量％〜５質量％、または０．５質量％〜１質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含むことができる。
研磨材粒子は、好ましくはコロイド状に安定である。コロイドという用語は、液体担体中の研磨材粒子の懸濁を表している。コロイド状安定性とは、時間が経ってもこの懸濁を維持することを表している。本発明との関連では、研磨材を１００ｍＬの目盛り付きシリンダーに容れ、そして攪拌せずに２時間置いたときに、目盛り付きシリンダーの底部５０ｍＬの粒子濃度（［Ｂ］ｇ／ｍＬ）と、目盛り付きシリンダーの上部５０ｍＬの粒子濃度（［Ｔ］ｇ／ｍＬ）との差を、研磨材組成物中の初期の粒子濃度（［Ｃ］ｇ／ｍＬ）で割った値が、０．５以下（すなわち｛［Ｂ］−［Ｔ］｝／［Ｃ］≦０．５）であれば、研磨材はコロイド状に安定していると考えられる。より好ましくは、｛［Ｂ］−［Ｔ］｝／［Ｃ］の値は０．３以下、そして最も好ましくは０．１以下である。
本研磨組成物は、ニッケル−リンを酸化する酸化剤を含んでいる。本研磨組成物の態様によっては、この酸化剤は、過酸化水素を含む、から本質的になる、またはからなる。他の態様では、この酸化剤は、過酸化水素、オキソン、および加硫酸ナトリウム（「ＳＰＳ」）を含む、から本質的になる、またはからなる。いずれかの特定の理論に拘束されることは望まないが、過酸化水素、オキソン、および加硫酸ナトリウムの組み合わせは相乗的な特性を有しており、それが、研磨中のメモリーもしくは剛性ディスクの除去速度を犠牲にすることなく、研磨されたディスクのマイクロウェビネスおよび端部のロールオフを最小化する、と信じられる。この酸化剤は、好ましくは、本研磨組成物の１０質量％以下（例えば、８質量％以下、６質量％以下、４質量％以下、または２質量％以下）である。例えば、本研磨組成物は、０．０５質量％〜１０質量％、０．１質量％〜３質量％、または０．５質量％〜２質量％の酸化剤を含むことができる。この酸化剤が、過酸化水素、オキソンおよび加硫酸ナトリウムを含む、から本質的になる、またはからなる場合には、本研磨組成物は、（a）０．０１質量％〜１質量％、０．０５質量％〜０．３質量％、または０．１質量％〜０．５質量％の過酸化水素、（ｂ）０．０５質量％〜３質量％、０．１質量％〜１質量％、または０．１質量％〜０．５質量％のオキソン、ならびに（ｃ）０．１質量％〜５質量％、０．５質量％〜３質量％、または０．５質量％〜１質量％の加硫酸ナトリウムを含んでいる。本研磨組成物中の過酸化水素、オキソン、加硫酸ナトリウムの相対的な量（質量基準）は、（ａ）１５％〜４５％、２０質量％〜４０％、または２５％〜３５％過酸化水素、（ｂ）１％〜２５％、５％〜２０％、または８％〜１５％のオキソン、ならびに（ｃ）４０％〜９０％、５０％〜７０％、または５５％〜６５％の加硫酸ナトリウムである。
本研磨組成物は、錯化剤を更に含んでいる。錯化剤は、本研磨組成物中の粒子の分散に影響を与え、そして従って、本研磨組成物で研磨される基材の除去速度、マイクロウェビネス、および端部のロールオフに影響を与える。本研磨組成物の１つの態様では、錯化剤は、イミノカルボン酸を含む、から本質的になる、またはからなる。好ましくは、このイミノカルボン酸は、ヒドロキシイミノジコハク酸四ナトリウム（「ＨＩＤＳ」）である。いずれかの特定の理論に拘束されることは望まないが、ＨＩＤＳは、緩やかな、可逆性の粒子の集塊を形成し、それが研磨の間のディスクの端部に向かった粒子の拡散の速度を低下させ、それによってディスクの端部での機械的な研摩を低減させ、そして従って、端部のロールオフを低減すると信じられる。他の態様では、錯化剤は、アミノ酸を含む、から本質的になる、またはからなる。好ましくは、このアミノ酸は、グリシンである。いずれかの特定の理論に拘束されることは望まないが、本研磨組成物中でのグリシンの使用は、ディスクの改善されたマイクロウェビネスをもたらすことが信じられる。本研磨組成物は、０．０１質量％以上、例えば０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．５質量％以上、または１質量％以上の錯化剤を含んでいる。あるいは、または更には、本研磨組成物は、１０質量％以下、例えば８質量％以下、５質量％以下、３質量％以下、または１質量％以下の錯化剤を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの２つによって定められた錯化剤の量を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、０．０１質量％〜１０質量％、０．０５質量％〜８質量％、０．１質量％〜５質量％、または０．５質量％〜３質量％の錯化剤を含むことができる。
本研磨組成物は、所望により、殺生物剤を更に含んでいる。この殺生物剤は、いずれかの好適な殺生物剤、例えば、イソチアゾリノン殺生物剤であることができる。本研磨組成物中で用いられる殺生物剤の量は、典型的には１ｐｐｍ〜５００ｐｐｍであり、そして好ましくは１０ｐｐｍ〜２００ｐｐｍである。
本研磨組成物は、いずれかの好適なｐＨを有することができる。本研磨組成物のｐＨは、いずれかの好適な方法によって達成する、および／または維持することができる。より具体的には、本研磨組成物は、ｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝剤、またはそれらの組み合わせを更に含むことができる。このｐＨ調整剤は、いずれかの好適なｐＨ調整性化合物であることができる。例えば、このｐＨ調整剤は、硝酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、またはそれらの組み合わせであることができる。ｐＨ緩衝剤は、いずれかの好適な緩衝剤、例えば、リン酸塩、硫酸塩、酢酸塩、ホウ酸塩、アンモニウム塩などであることができる。本研磨組成物は、いずれかの好適な量のｐＨ調整剤および／またはｐＨ緩衝剤を含むことができる。
本研磨組成物は、所望により、ノニオン性界面活性剤を含んでいる。ノニオン性界面活性剤の目的は、金属表面の研磨において観察される端部研磨の量を低減させ、そして金属表面の除去速度を高めることである。金属表面の研磨では、典型的には端部は、研磨用具からより大きな下向きの力を経験する。研摩は、部分的には表面に加えられる圧力の関数であるので、金属端部は、残りの表面に比較してより速い速度の金属浸食を経験する。そのような金属表面の不均一な研摩が、端部の浸食をもたらし、それは、当技術分野ではロールオフ、ラブオフまたはダブオフとして知られている。いずれかの特定の理論によって拘束されることは望まないが、ノニオン性界面活性剤は、金属表面上に吸着され、従って潤滑膜を形成して、それが基材の端部における除去速度を優先的に低下させることが信じられる。
ノニオン性界面活性剤は、いずれかの好適なノニオン性界面活性剤であることができる。好適なノニオン性界面活性剤としては、シロキサン単位、エチレンオキシド単位および／またはプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤が挙げられ、それらは線状、ペンダント、またはトリシロキサン構造を有することができる。好適なノニオン性界面活性剤の限定するものではない例としては、アルキルフェノールエトキシレート（例えば、ノニルフェノールエトキシレート）、アルコールエトキシレート、シロキサンエトキシレートなどが挙げられる。好ましいノニオン性界面活性剤の例としては、ノニルフェノールエトキシレート、例えば、Dow Corning（ミシガン州、ミッドランド）から入手可能なTergitol NPシリーズおよびシロキサンエトキシレート、例えばGeneral Electric（ニューヨーク州、スケネクタディ）から入手可能なSilwetシリーズが挙げられる。本研磨組成物は、１ｐｐｍ以上、例えば５ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ以上、または２０ｐｐｍ以上のノニオン性界面活性剤を含むことができる。あるいは、または更には、本研磨組成物は、２５０ｐｐｍ以下、例えば２００ｐｐｍ以下、１５０ｐｐｍ以下、１００ｐｐｍ以下、または５０ｐｐｍ以下のノニオン性界面活性剤を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの２つによって定められた量のノニオン性界面活性剤を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、１ｐｐｍ〜２５０ｐｐｍ、１０ｐｐｍ〜２００ｐｐｍ、または２０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍのノニオン性界面活性剤を含むことができる。
態様によっては、本研磨組成物は、ヒュームドアルミナ粒子、アルファアルミナ粒子、実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、過酸化水素、イミノカルボン酸、ノニオン性界面活性剤および水から本質的になる、またはからなる。他の態様では、本研磨組成物は、ヒュームドアルミナ粒子、アルファアルミナ粒子、実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、過酸化水素、オキソン、および加硫酸ナトリウムから選ばれた酸化剤、錯化剤、ノニオン性界面活性剤ならびに水から本質的になる、またはからなる。ヒュームドアルミナ、アルファアルミナ、実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、酸化剤、ノニノン性界面活性剤、および錯化剤の量は、ここで列挙されたものであることができる。
望ましくは、本発明の研磨組成物は、マイクロウェビネスを維持もしくは低減し、または端部ロールオフを維持もしくは低減し、一方で、メモリーまたは剛性ディスクの除去速度を維持もしくは増加させて、従って本組成物の全体的な研磨性能を向上させる。
本研磨組成物は、いずれかの好適な技術によって調製することができ、その多くは当業者に知られている。本研磨組成物は、バッチまたは連続法で調製することができる。一般には、本研磨組成物は、その成分をいずれかの順序で組み合わせることによって調製することができる。ここで用いられる用語「成分」としては、個々の成分（例えば、ヒュームドアルミナ、アルファアルミナ、実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、ニッケル―リンを酸化する酸化剤、錯化剤など）ならびに成分（例えば、ヒュームドアルミナ、アルファアルミナ、実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、ニッケル―リンを酸化する酸化剤、錯化剤など）のいずれかの組み合わせが挙げられる。
例えば、ヒュームドアルミナ、アルファアルミナ、および実質的に球形の、非凝集シリカ粒子は、水の中に分散させることができる。いずれかの付加的な成分を次いで加えることができ、そしてそれらの成分を本研磨組成物中に混合することができるいずれかの方法によって混合することができる。ニッケル―リンを酸化する酸化剤は、本研磨組成物の調製の間のいずれかの時間に加えることができる。本研磨組成物は、１種もしくは２種以上の成分、例えばニッケル―リンを酸化する酸化剤を、本研磨組成物に使用の直前に（例えば、使用の１分間以内に、または使用の１時間以内に、または使用の７日間以内に）加えて、使用の前に調製することができる。また、本研磨組成物は、研磨操作の間に、基材の表面で、これらの成分を混合することによって調製することができる。
本研磨組成物は、ヒュームドアルミナ、アルファアルミナ、および実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、ニッケル―リンを酸化する酸化剤、錯化剤および水含んだワンパッケージシステムとして供給することができる。あるいは、ヒュームドアルミナ、アルファアルミナ、および実質的に球形の、非凝集シリカ粒子は、水中の分散剤として第１の容器で供給することができ、そして錯化剤および任意の殺生物剤は、乾燥形態で、または水中の溶液もしくは溶液で、第２の容器で供給することができる。ニッケル―リンを酸化する酸化剤は、本研磨組成物の他の成分とは別に供給され、そして例えば最終使用者によって、本研磨組成物の他の成分と、使用の前（例えば、使用の１週間以内、使用の１日以内、使用の１時間以内、使用の１０分間以内、または使用の１分間以内）に混合される。第１および第２容器中の成分は、乾燥形態であることができ、一方で他の容器中の成分は、水性分散液の形態であることができる。更に、第１および第２容器中の成分は、異なるｐＨ値を有し、あるいは実質的に同様の、または更には等しいｐＨ値を有することが好適である。本研磨組成物の成分の、他の２つの容器、または３つもしくは４つ以上の容器の組み合わせも、当業者の知識の範囲内である。
また、本発明の研磨組成物は、濃縮物として提供することができ、これは使用の前に適切な量の水で希釈されることが意図されている。このような態様では、本研磨組成物の濃縮物は、ヒュームドアルミナ、アルファアルミナ、実施質的に球形の、非凝集シリカ粒子、錯化剤、および水を、ニッケル―リンを酸化する酸化剤の有り、もしくは無しで、適切な量の水、およびニッケル―リンを酸化する酸化剤（ニッケル―リンを酸化する酸化剤が既に存在していないのであれば）でのこの濃縮液の希釈によって、本研磨組成物のそれぞれの成分が、それぞれの成分について上記で列挙した適切な範囲内の量で存在するような量で、含むことができる。例えば、ヒュームドアルミナ、アルファアルミナ、実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、および錯化剤は、それぞれの成分について上記で列挙した濃度よりも、それぞれが２倍（例えば、３倍、４倍、または５倍）超多い量で濃縮物中に存在することができ、この濃縮物が、等量の水（例えば、それぞれ２等量の水、３等量の水、または４等量の水）で希釈された場合に、適切な量の、ニッケル―リンを酸化する酸化剤と共に、それぞれの成分が、それぞれの成分について上記で説明した範囲内の量で本研磨組成物中に存在する。更に、当業者によって理解されるように、この濃縮物は、他の成分が、少なくとも一部または完全にこの濃縮物中に溶解するように、最終的な研摩組成物中に存在する水の適切な一部を含むことができる。
また、本発明は、ここに記載した本研磨組成物で、基材を化学機械研磨する方法を提供する。特には、本発明の方法は、（ｉ）基材を、研磨パッドおよびここに記載した化学機械研磨組成物と接触させること、（ｉｉ）この研磨パッドとこの基材の間に本化学機械研磨組成物を伴って、この基材に対してこの研磨パッドを動かすこと、ならびに（ｉｉｉ）この基材の少なくとも一部を研摩して、この基材を研磨すること、を含んでいる。
本発明の方法を用いて研磨される基材は、ニッケル―リンを含むいずれかの好適な基材であることができる。好ましい基材は、ニッケル―リンを含んだ少なくとも１つの層を含んでいる。特に好適な基材としては、メモリーまたは剛性ディスク、例えばニッケル―リンでコーティングされたアルミニウムディスクが挙げられるが、それらには限定されない。
本発明の研磨方法は、化学機械研磨（ＣＭＰ）装置と組み合わせて用いるのに特に適している。典型的には、この装置は、プラテン（これは、使用の際は、運動しており、そして軌道運動、直線運動または円形運動に起因する速度を有する）、研磨パッド（プラテンと接触していて、そして作動する際にはプラテンとともに動く）および、キャリア（研磨パッドの表面に対して接触し、かつ動くことによって研磨される基材を支持する）を含んでいる。基材の研磨は、基材を、研磨パッドと本発明の研磨組成物とに接触させて配置して、そして次いで研磨パッドを基材に対して動かして、基材の少なくとも一部を研摩して、基材を研磨することによって行われる。
基材は、いずれかの好適な研摩パッド（例えば、研磨表面）を備えた化学機械研磨組成物で平坦化または研磨することができる。好適な研摩パッドとしては、例えば織物の、および不織の研磨パッドが挙げられる。更に、好適な研摩パッドは、多様な密度、硬度、厚さ、圧縮性、圧縮に対して回復する能力、および圧縮弾性率のいずれかの好適なポリマーを含むことができる。好適なポリマーとしては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ナイロン、フルオロカーボン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリプロピレン、それらの共形成生成物（coformed product）、およびそれらの混合物が挙げられる。
望ましくは、このＣＭＰ装置は現場型の（in situ）研磨終点検知システムを更に含み、その多くは当技術分野で知られている。加工中の製品（workpiece)の表面から反射される光または他の輻射線を分析することにより、研磨プロセスを検査し監視する技術が当技術分野で知られている。このような方法が、例えば、米国特許第5,196,353号、米国特許第5,433,651号、米国特許第5,609,511号、米国特許第5,643,046号、米国特許第5,658,183号、米国特許第5,730,642号、米国特許第5,838,447号、米国特許第5,872,633号、米国特許第5,893,796号、米国特許第5,949,927号、米国特許第5,964,643号、に記載されている。望ましくは、研磨されているワークピースに関する研磨プロセスの進行の検査または監視が、研磨終点の決定を可能とする、すなわち、特定のワークピースに対して研磨プロセスを何時終了すべきかを決定する。
化学機械研磨プロセスは、多くのやり方、例えば基材の除去速度、結果として得られる基材のマイクロウェビネス、および結果として得られる基材の端部のロールオフ、によって特徴付けることができる。
基材の除去速度は、いずれかの方法を用いて定めることができる。基材の除去速度の好適な測定方法の例としては、本発明の研磨方法を用いた前後に基材を秤量して、研磨時間の単位時間当たりに除去された基材の量を測定すること（これが研磨時間の単位時間当たりに除去された基材の厚さによる除去速度と相関する）および、本発明の研磨方法の使用の前後に基材の厚さを測定して、研磨時間の単位時間当たりの基材の厚さによる除去速度を直接測定すること、が挙げられる。
基材のマイクロウェビネスは、いずれかの好適な方法を用いて測定することができる。基材のマイクロウェビネスの測定のための好適な方法の例としては、光学的方法、例えば、Zygo Corp.（コネチカット州、ミドルフィールド）から入手可能な機器を用いた、入射干渉分光法が挙げられる。
本明細書中で先に議論したように、ロールオフは、基材、例えばニッケル−リンコーティングしたアルミニウムメモリーディスクの平坦度における、基材の端部での基材の増大した除去速度によって引き起こされる偏差を表しており、この基材の端部では、基材は、基材の残りの部分よりも、より大きな下向きの力を経験する。その結果、基材、例えばメモリーディスクの最外部分は、湾曲を呈する。ロールオフの程度の決定は、干渉分光法などの技術を用いて、基材（例えばメモリーディスク）の湾曲を測定することによって実施することができる。ロールオフの測定に有用な機器は、Zygo Corp.（コネチカット州、ミドルフィールド）およびVeeco Instruments（ニューヨーク州、プレーンフィールド）を含めた販売者から商業的に入手可能である。以下の例においては、端部のロールオフは、極限（extreme）曲率半径として表される。研磨の前には、基材は、大きな正の曲率半径を有している。本研磨プロセスは、基材を研磨するのに用いられる研磨条件の端部研磨効率に応じて、基材の正の曲率半径を、より小さい正の値、零、または負の曲率半径に低減させる。研磨の後により大きな正の曲率半径を有する基材は、その研磨組成物が、より良好な端部研磨効率を有することを表しており、そして端部のロールオフをもたらす可能性が低い。
以下の例は、本発明を更に説明するが、しかしながら、勿論のこと、その範囲を限定するものとは決して解釈してはならない。
例１
この例は、ニッケル−リンをコーティングされたアルミニウムメモリーディスクを含む別個の基材の研磨において、酸化剤として過酸化水素を含んだ本発明の研磨組成物によって得られた、基材の除去速度、端部のロールオフ、およびマイクロウェビネスへの、ヒドロキシイミノジコハク酸四ナトリウム（ＨＩＤＳ）の効果を示している。
この例は、ニッケル−リンをコーティングされたアルミニウムメモリーディスクを含む別個の基材の研磨において、酸化剤として過酸化水素を含んだ本発明の研磨組成物によって得られた、基材の除去速度、端部のロールオフ、およびマイクロウェビネスへの、ヒドロキシイミノジコハク酸四ナトリウム（ＨＩＤＳ）の効果を示している。
ニッケル−リンコーティングされたアルミニウムメモリーディスクを含む４つの別個の基材を、両面を、４種の異なる研磨組成物で、別個に研磨した。研磨組成物１Ａは、０．１７５質量％のヒュームドアルミナ、０．７質量％のアルファアルミナ、２．２５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ、０．８質量％の酒石酸、１０８ｐｐｍのノニオン性界面活性剤、１．２質量％の過酸化水素を含んでいた。研磨組成物１Ｂ〜１Ｄは、それぞれが、０．２質量％のヒュームドアルミナ、０．８質量％のアルファアルミナ、３質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ、１４４ｐｐｍのノニオン性界面活性剤、１．２質量％の過酸化水素、および下記の表１中に示した量のＨＩＤＳを含んでいた。
研磨の後に、それぞれの基材の除去速度、極限（extreme）曲率半径、およびマイクロウェビネスを測定して、その結果を表１中にまとめた。
表１中に示された結果から明らかなように、種々の濃度のＨＩＤＳを含んだ研磨組成物１Ｂ〜１Ｄは、ＨＩＤＳを含んでいない研磨組成物１Ａと同等か、またはそれより良好なニッケル−リン除去速度を示した。また、ＨＩＤＳを含んだこれらの組成物は、ニッケル−リン基材のマイクロウェビネスの低減を示した。更に、ＨＩＤＳを含んだこれらの組成物は、より正の曲率半径を示し、これらの組成物が、改善された端部研磨効率を有することを表しており、そして従って端部のロールオフをもたらす可能性が低い。
例２
この例は、ニッケル−リンコーティングされたアルミニウムメモリーディスクを含む基材の研磨における、錯化剤としてグリシンを含んだ本発明の研磨組成物によって達成される、基材の除去速度、端部のロールオフ、およびマイクロウェビネスへの、種々の酸化剤およびそれらの組み合わせの効果を示している。」
この例は、ニッケル−リンコーティングされたアルミニウムメモリーディスクを含む基材の研磨における、錯化剤としてグリシンを含んだ本発明の研磨組成物によって達成される、基材の除去速度、端部のロールオフ、およびマイクロウェビネスへの、種々の酸化剤およびそれらの組み合わせの効果を示している。」
ニッケル−リンコーティングされたアルミニウムメモリーディスクを含む１９個の別個の基材を、その両面を、異なる研磨組成物で、別個に研磨した。研磨組成物２Ａは、０．１７５質量％の１２０ｎｍの平均粒子径を備えたヒュームドアルミナ、０．７質量％の５００ｎｍの平均粒子径を備えたアルファアルミナ、２．２５質量％の３２ｎｍの平均粒子径を備えたシリカ、０．８質量％の酒石酸、１０８ｐｐｍのノニオン性界面活性剤および１．２質量％の過酸化水素を含んでいた。研磨組成物２Ｂ〜２Ｓは、それぞれが、０．２質量％の１２０ｎｍの平均粒子径を備えたヒュームドアルミナ、０．８質量％の５００ｎｍの平均粒子径を備えたアルファアルミナ、３質量％の３２ｎｍの平均粒子径を備えたシリカ、１４４ｐｐｍのノニオン性界面活性剤、１．２質量％のグリシン、および下記の表２中に示した量の酸化剤を含んでいた。
研磨の後に、それぞれの基材の除去速度、極限（extreme）曲率半径（ＡおよびＢ面）、およびマイクロウェビネスを測定して、それらの結果を表２中にまとめた。
表２中に示した結果から明らかなように、過酸化水素、オキソンおよび過硫酸ナトリウムを含んだ研磨組成物２Ｆ、２Ｇ、２Ｌ、２Ｍ、２Ｒおよび２Ｓは、これらの同じ酸化剤の１種もしくは２種のみを含む残りの研磨組成物と比較して、基材の除去速度、マイクロウェビネスおよび端部のロールオフの最もよいバランスをもたらした。それぞれが３種の酸化剤を、１２％のＨ２Ｏ２，２８％のオキソンおよび６０％のＳＰＳの比率で含む研磨組成物２Ｇ、２Ｍおよび２Ｓは、特に効果的であった。
刊行物、特許出願および特許を含む、ここで引用されたすべての文献は、それぞれの文献を個々に具体的に参照することにより本明細書の内容とすると述べたように、そしてここで十分に説明したのと同様に、参照することにより本明細書の内容とする。
本発明を実行するための本発明者等に公知の最良のモードを含む、本発明の好ましい実施形態を本明細書に記載した。それらの好ましい実施形態の変形は、前述した記載を読むことにより当業者に明らかとなり得る。本発明者等は、当業者がそれらの変形を適宜使用することを予想し、また本発明者等は、本発明が本明細書に詳細に記載されたものとは別様に実行されることを意図する。従って、本発明は、適用される法律により許可される、本明細書に付属する特許請求の範囲に引用された主題の全ての変更物および等価物を含む。更に、全ての可能な変形を含む上述した要素の任意の組み合わせは、本明細書に別に示されない限り、または文脈により別に明白に否定されない限り、本発明に包含される。
本願発明の要旨は以下のとおりである。
（１）（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）過酸化水素、
（ｅ）イミノカルボン酸、および
（ｆ）水、
を含んでなる化学機械研磨組成物。
（２）前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、（１）記載の研磨組成物。
（３）ノニオン性界面活性剤を更に含む、（１）記載の研磨組成物。
（４）前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、（３）記載の研磨組成物。
（５）前記イミノカルボン酸が、ヒドロキシイミノジコハク酸四ナトリウムである、（１）記載の研磨組成物。
（６）前記研磨組成物が、０．５質量％〜２質量％の過酸化水素を含む、（１）記載の研磨組成物。
（７）（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）ノニオン性界面活性剤、
（ｅ）過酸化水素、オキソン、および過硫酸ナトリウムを含む酸化剤
（ｆ）錯化剤、ならびに
（ｇ）水、
を含んでなる化学機械研磨組成物。
（８）前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、（７）記載の研磨組成物。
（９）前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、（７）記載の研磨組成物。
（１０）前記研磨組成物が、０．１質量％〜５質量％の錯化剤を含む、（７）記載の研磨組成物。
（１１）前記錯化剤が、アミノ酸である、（７）記載の研磨組成物。
（１２）前記錯化剤が、グリシンである、（７）記載の研磨組成物。
（１３）前記研磨組成物が、０．０５質量％〜０．３質量％の過酸化水素、０．１質量％〜０．５質量％のオキソン、および０．５質量％〜１質量％の過硫酸ナトリウムを含む、（７）記載の研磨組成物。
（１４）（ｉ）基材を、研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させること、該化学機械研磨組成物は、
（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）過酸化水素、
（ｅ）イミノカルボン酸、および
（ｆ）水、
を含み、
（ｉｉ）該化学機械研磨組成物を該研磨パッドと該基材との間に伴って、該基材に対して該研磨パッドを動かすこと、ならびに
（ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を研摩して、該基材を研磨すること、
を含んでなる基材の化学機械研磨方法。
（１５）前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、（１４）記載の方法。
（１６）前記研磨組成物が、ノニオン性界面活性剤を含む、（１４）記載の方法。
（１７）前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、（１４）記載の方法。
（１８）前記イミノカルボン酸が、ヒドロキシイミノジコハク酸四ナトリウムである、（１４）記載の方法。
（１９）前記研摩組成物が、０．５質量％〜２質量％の過酸化水素を含む、（１４）記載の方法。
（２０）前記基材が、ニッケル−リンコーティングされたアルミニウムディスクを含む、（１４）記載の方法。
（２１）前記ディスクが、メモリーディスクである、（２０）記載の方法。
（２２）（ｉ）基材を、研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させること、該化学機械研磨組成物は、
（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）ノニオン性界面活性剤、
（ｄ）過酸化水素、オキソン、および過硫酸ナトリウムを含む酸化剤
（ｅ）錯化剤、ならびに
（ｆ）水、
を含み、
（ｉｉ）該化学機械研磨組成物を該研磨パッドと該基材との間に伴って、該基材に対して該研磨パッドを動かすこと、ならびに
（ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を研摩して、該基材を研磨すること、
を含んでなる基材の化学機械研磨方法。
（２３）前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、（２２）記載の方法。
（２４）前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、（２２）記載の方法。
（２５）前記研摩組成物が、０．１質量％〜５質量％の錯化剤を含む、（２２）記載の方法。
（２６）前記錯化剤が、アミノ酸である、（２２）記載の方法。
（２７）前記錯化剤が、グリシンである、（２２）記載の方法。
（２８）前記研磨組成物が、０．０５質量％〜０．３質量％の過酸化水素、０．１質量％〜０．５質量％のオキソン、および０．５質量％〜１質量％の過硫酸ナトリウムを含む、（２２）記載の方法。
（２９）前記基材が、ニッケル−リンコーティングされたアルミニウムディスクを含む、（２２）記載の方法。
（３０）前記ディスクが、メモリーディスクである、（２９）記載の方法。
本願発明の要旨は以下のとおりである。
（１）（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）過酸化水素、
（ｅ）イミノカルボン酸、および
（ｆ）水、
を含んでなる化学機械研磨組成物。
（２）前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、（１）記載の研磨組成物。
（３）ノニオン性界面活性剤を更に含む、（１）記載の研磨組成物。
（４）前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、（３）記載の研磨組成物。
（５）前記イミノカルボン酸が、ヒドロキシイミノジコハク酸四ナトリウムである、（１）記載の研磨組成物。
（６）前記研磨組成物が、０．５質量％〜２質量％の過酸化水素を含む、（１）記載の研磨組成物。
（７）（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）ノニオン性界面活性剤、
（ｅ）過酸化水素、オキソン、および過硫酸ナトリウムを含む酸化剤
（ｆ）錯化剤、ならびに
（ｇ）水、
を含んでなる化学機械研磨組成物。
（８）前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、（７）記載の研磨組成物。
（９）前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、（７）記載の研磨組成物。
（１０）前記研磨組成物が、０．１質量％〜５質量％の錯化剤を含む、（７）記載の研磨組成物。
（１１）前記錯化剤が、アミノ酸である、（７）記載の研磨組成物。
（１２）前記錯化剤が、グリシンである、（７）記載の研磨組成物。
（１３）前記研磨組成物が、０．０５質量％〜０．３質量％の過酸化水素、０．１質量％〜０．５質量％のオキソン、および０．５質量％〜１質量％の過硫酸ナトリウムを含む、（７）記載の研磨組成物。
（１４）（ｉ）基材を、研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させること、該化学機械研磨組成物は、
（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）過酸化水素、
（ｅ）イミノカルボン酸、および
（ｆ）水、
を含み、
（ｉｉ）該化学機械研磨組成物を該研磨パッドと該基材との間に伴って、該基材に対して該研磨パッドを動かすこと、ならびに
（ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を研摩して、該基材を研磨すること、
を含んでなる基材の化学機械研磨方法。
（１５）前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、（１４）記載の方法。
（１６）前記研磨組成物が、ノニオン性界面活性剤を含む、（１４）記載の方法。
（１７）前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、（１４）記載の方法。
（１８）前記イミノカルボン酸が、ヒドロキシイミノジコハク酸四ナトリウムである、（１４）記載の方法。
（１９）前記研摩組成物が、０．５質量％〜２質量％の過酸化水素を含む、（１４）記載の方法。
（２０）前記基材が、ニッケル−リンコーティングされたアルミニウムディスクを含む、（１４）記載の方法。
（２１）前記ディスクが、メモリーディスクである、（２０）記載の方法。
（２２）（ｉ）基材を、研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させること、該化学機械研磨組成物は、
（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）ノニオン性界面活性剤、
（ｄ）過酸化水素、オキソン、および過硫酸ナトリウムを含む酸化剤
（ｅ）錯化剤、ならびに
（ｆ）水、
を含み、
（ｉｉ）該化学機械研磨組成物を該研磨パッドと該基材との間に伴って、該基材に対して該研磨パッドを動かすこと、ならびに
（ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を研摩して、該基材を研磨すること、
を含んでなる基材の化学機械研磨方法。
（２３）前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、（２２）記載の方法。
（２４）前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、（２２）記載の方法。
（２５）前記研摩組成物が、０．１質量％〜５質量％の錯化剤を含む、（２２）記載の方法。
（２６）前記錯化剤が、アミノ酸である、（２２）記載の方法。
（２７）前記錯化剤が、グリシンである、（２２）記載の方法。
（２８）前記研磨組成物が、０．０５質量％〜０．３質量％の過酸化水素、０．１質量％〜０．５質量％のオキソン、および０．５質量％〜１質量％の過硫酸ナトリウムを含む、（２２）記載の方法。
（２９）前記基材が、ニッケル−リンコーティングされたアルミニウムディスクを含む、（２２）記載の方法。
（３０）前記ディスクが、メモリーディスクである、（２９）記載の方法。
Claims (14)
- （ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）ノニオン性界面活性剤、
（ｅ）過酸化水素、オキソン、および過硫酸ナトリウムを含む酸化剤
（ｆ）錯化剤、ならびに
（ｇ）水、
を含んでなる化学機械研磨組成物であって、
該研磨組成物が、０．０５質量％〜０．３質量％の過酸化水素、０．１質量％〜０．５質量％のオキソン、および０．５質量％〜１質量％の過硫酸ナトリウムを含む、研磨組成物。 - 前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、請求項１記載の研磨組成物。
- 前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、請求項１記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が、０．１質量％〜５質量％の錯化剤を含む、請求項１記載の研磨組成物。
- 前記錯化剤が、アミノ酸である、請求項１記載の研磨組成物。
- 前記錯化剤が、グリシンである、請求項１記載の研磨組成物。
- （ｉ）基材を、研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させること、該化学機械研磨組成物は、
（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）ノニオン性界面活性剤、
（ｅ）過酸化水素、オキソン、および過硫酸ナトリウムを含む酸化剤
（ｆ）錯化剤、ならびに
（ｇ）水、
を含み、
該化学機械研磨組成物が、０．０５質量％〜０．３質量％の過酸化水素、０．１質量％〜０．５質量％のオキソン、および０．５質量％〜１質量％の過硫酸ナトリウムを含む、
（ｉｉ）該化学機械研磨組成物を該研磨パッドと該基材との間に伴って、該基材に対して該研磨パッドを動かすこと、ならびに
（ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を研摩して、該基材を研磨すること、
を含んでなる基材の化学機械研磨方法。 - 前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、請求項７記載の方法。
- 前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、請求項７記載の方法。
- 前記研摩組成物が、０．１質量％〜５質量％の錯化剤を含む、請求項７記載の方法。
- 前記錯化剤が、アミノ酸である、請求項７記載の方法。
- 前記錯化剤が、グリシンである、請求項７記載の方法。
- 前記基材が、ニッケル−リンコーティングされたアルミニウムディスクを含む、請求項７記載の方法。
- 前記ディスクが、メモリーディスクである、請求項１３記載の方法。
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