JP4836731B2 - 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 - Google Patents

Description

磁気ディスク用ガラス基板、その主表面の研磨方法および磁気ディスクに関する。

ハードディスクドライブなどの情報処理機器に搭載される磁気ディスクに対する高記録密度化の要請は近年強くなっており、このような状況の下、従来のアルミニウム基板に替わってガラス基板が広く用いられるようになってきている。
高記録密度化の要請はさらに強くなっており、このような要請に応えるべくガラス基板主表面を高精度で研磨する方法としてコロイダルシリカを含有する研磨スラリーを用いる方法が提案されている（たとえば特許文献１、２参照）。

特許文献１の方法は、コロイダルシリカを含む研磨液にアルカリを含有させ研磨液のｐＨを１０．２超１２以下とするものである。
特許文献２の方法は、特許文献１の方法を適用した主表面に微小な凸状の突起が形成されている問題を解決すべくなされたものとされており、研磨砥粒として有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカを含む研磨砥粒を用いるものである。

特開２００３−１７３５１８号公報 特開２００６−８２１３８号公報

有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカを用いる特許文献２の方法には、そのようなコロイダルシリカは従来のケイ酸ソーダ法で製造されたコロイダルシリカに比べて高価であり、安価であることが求められる磁気ディスク用ガラス基板の製造には適用しにくいという問題があった。

また、従来のケイ酸ソーダ法で製造されたコロイダルシリカを用いるとしても軟らかい研磨パッドを用いれば表面粗さを小さくすることはある程度は可能であると考えられるが、この場合、研磨に要する時間が長くなるという問題があった。

また、研磨時間を長くして表面粗さを小さくすることはある程度は可能であると考えられるが、微小な凸状の突起が形成される問題を解決することは困難であった。
本発明は、コロイダルシリカが有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したものでなくともガラス基板主表面を高精度で研磨できるなど上述の問題を解決することが可能な方法の提供を目的とする。

なお、前記微小な凸状の突起とはいわゆるマスキングによる凸欠点である。この凸欠点は、研磨中に基板に付着したゲル状シリカなどによって被覆された当該基板の微小部がその他の基板部分に比べて研磨レートが小さくなるために研磨後に微小な凸状の突起となったものである。

本発明は、円形ガラス板を研磨して磁気ディスク用ガラス基板を製造する方法であって、アミノ基を有する水溶性有機高分子、アミン塩基を有する水溶性有機高分子および第４級アンモニウム塩基を有する水溶性有機高分子からなる群から選ばれる１以上の水溶性高分子およびコロイダルシリカを含有するスラリー（以下、このスラリーを本発明のスラリーという。）を用いて円形ガラス板の主表面を研磨する工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。

また、主表面について原子間力顕微鏡によって測定された算術平均粗さ（以下、この算術平均粗さをＲａという。）が０．１６ｎｍ以下であり、主表面外周部のロールオフの大きさが５０ｎｍ以下である磁気ディスク用ガラス基板を提供する。

なお、本発明におけるロールオフの大きさについて以下に説明する。
図１は主表面外周部、チャンファー面(面取りされた面)および外周端面を含む部分の断面の概念図である。
ａはチャンファー面、ｂは外周端面、ｃは主表面外周部であり、ｄはチャンファー面ａと主表面外周部ｃの境界である。

図中点線で示されている直線はロールオフ（端部だれ）の大きさを定めるための基準線ｇである。この基準線ｇは、主表面外周部ｃのうち境界ｄから主表面中心に向かって２．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の部分ｆと重なるかこの部分ｆを最もよく近似する直線として定められる。
主表面外周部ｃのうち境界ｄから主表面中心に向かって０．２５ｍｍ以上５ｍｍ以下の部分はロールオフ測定領域ｅである。
ロールオフの大きさはロールオフ測定領域ｅにおける主表面外周部ｃの基準線ｇからの最大高さおよび最小高さの差である。なお、主表面外周部ｃが基準線ｇよりも上方にある場合は高さを正、下方にある場合は高さを負とする。

また、前記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板または前記磁気ディスク用ガラス基板の上に、記録層となるべき磁性層を含む複数の層が積層されている磁気ディスクを提供する。

本発明者は、コロイダルシリカを含有するスラリーにポリオキシプロピレンジアミンを添加して円形ガラス板の主表面を硬度が大きい研磨パッドを用いて研磨したところ、それを添加しないで研磨したものに比べてＲａが低くなることを見出し、本発明に至った。

本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、硬度が大きい研磨パッドを用いても従来の方法では得られなかったＲａが０．１６ｎｍ以下である磁気ディスク用ガラス基板が得られるようになる。
また、主表面のＲａが０．１６ｎｍ以下かつ主表面外周部のロールオフの大きさが５０ｎｍ以下である磁気ディスク用ガラス基板が得られるようになる。
また、前記マスキングによる凸欠点を減少させることが可能になる。

本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法（以下、本発明の製造方法という。）においては通常次のような各工程を経てガラス基板が製造される。すなわち、円形ガラス板の中央に円孔を開け、面取り、主表面ラッピング、端面鏡面研磨を順次行う。その後、このような加工が行われた円形ガラス板を積層して内周端面をエッチング処理し、そのエッチング処理された内周端面にたとえばポリシラザン化合物含有液をスプレー法等によって塗布し、焼成して内周端面に被膜（保護被膜）を形成する。次に、内周端面に被膜が形成された円形ガラス板の主表面を研磨して平坦かつ平滑な面とし磁気ディスク用ガラス基板とされる。

本発明の製造方法はこのようなものに限らず、たとえば、内周端面に対する保護被膜形成に替えて内周端面のブラシ研磨を行ってもよいし、特許文献２に記載されているように主表面ラッピング工程を粗ラッピング工程と精ラッピング工程に分けそれらの間に形状加工工程（円形ガラス板中央の孔開け、面取り、端面研磨）を設けてもよいし、主表面研磨工程の後に化学強化工程を設けてもよい。なお、中央に円孔を有さないガラス基板を製造する場合には当然、円形ガラス板中央の孔開けは不要である。

主表面ラッピングは通常、平均粒径が６〜８μｍである酸化アルミニウム砥粒または酸化アルミニウム質の砥粒を用いて行う。
ラッピングされた主表面は通常、３０〜４０μｍ研磨され、その後、本発明のスラリーを用いて研磨され、そのＲａは典型的には０．１６ｎｍ以下となる。
主表面の研磨においてはまず、平均粒径が０．９〜１．８μｍである酸化セリウムを含有するスラリーとウレタン製研磨パッドとを用いて研磨する。

次に、本発明のスラリーを用いてたとえば研磨圧力が０．５〜３０ｋＰａの条件でさらに研磨する。なお、研磨圧力は４ｋＰａ以上であることが好ましい。４ｋＰａ未満では研磨時のガラス基板の安定性が低下してばたつきやすくなり、その結果主表面のうねりが大きくなるおそれがある。

本発明のスラリーを用いた研磨に使用される研磨パッドとしては、ショアＤ硬度が４５〜７５、圧縮率が０．１〜１０％かつ密度が０．５〜１．５ｇ／ｃｍ^３である発泡ウレタン樹脂、ショアＡ硬度が３０〜９９、圧縮率が０．５〜１０％かつ密度が０．２〜０．９ｇ／ｃｍ^３である発泡ウレタン樹脂、または、ショアＡ硬度が５〜６５、圧縮率が０．１〜６０％かつ密度が０．０５〜０．４ｇ／ｃｍ^３である発泡ウレタン樹脂からなるものが典型的である。なお、研磨パッドのショアＡ硬度は２０以上であることが好ましい。２０未満では研磨速度が低下するおそれがある。

なお、ショアＤ硬度およびショアＡ硬度はそれぞれＪＩＳ Ｋ７２１５に規定されているプラスチックのデュロメータＡ硬さおよびＤ硬さを測定する方法によって測定される。
また、圧縮率（単位：％）は次のようにして測定される。すなわち、研磨パッドから適切な大きさに切り出した測定試料について、ショッパー型厚さ測定器を用いて無荷重状態から１０ｋＰａの応力の負荷を３０秒間加圧した時の材料厚さｔ_０を求め、次に厚さがｔ_０の状態から直ちに１１０ｋＰａの応力の負荷を５分間加圧した時の材料厚さｔ１を求め、ｔ_０およびｔ_１の値から（ｔ_０−ｔ_１）×１００／ｔ_０を算出し、これを圧縮率とする。

研磨パッドのショアＤ硬度およびショアＡ硬度の測定においては研磨パッド試料を重ね合わせてそれら硬度が測定されるので研磨現象を支配する研磨パッドの硬度として適切ではないおそれがあった。
そこで、本発明者は研磨パッド試料１枚毎にその硬度を測定できるＨ・バーレイス社製ゴム用汎用自動硬度計デジテストとＩＲＨＤマイクロ検出器を用いて測定した硬度をもって研磨パッドの硬度とすることとした（以下、この硬度をパッド硬度という）。すなわち、パッド硬度の測定はＩＳＯ４８が規定する国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）試験のＭ法（中硬さ用マイクロサイズ試験）によって一定の静荷重を用いて行われる。

主表面研磨の工程はこのようなものに限らず、たとえば本発明のスラリーを用いる研磨の前に、平均粒径が０．１５〜０．２５μｍである酸化セリウムを含有するスラリーとウレタン製研磨パッドを用いて研磨し、Ｒａを０．４〜０．６ｎｍ、三次元表面構造解析顕微鏡（たとえばＺｙｇｏ社製ＮＶ２００）を用いて波長領域がλ≦０．２５ｍｍの条件で１ｍｍ×０．７ｍｍの範囲で測定された微小うねり（Ｗａ）をたとえば０．２ｎｍ以下としてもよいし、上記酸化セリウム含有スラリーに替えて従来知られているコロイダルシリカスラリーを用いるなどしてもよい。なお、この付加された研磨における板厚の減少量（研磨量）は典型的には１〜２μｍである。

次に、本発明のスラリーについて説明する。なお、スラリー中の各成分の含有量は質量百分率で表示する。
スラリーのｐＨは８〜１２であることが好ましい。８未満ではコロイダルシリカがケイ酸ソーダ法で製造されたものである場合等においてコロイダルシリカが凝集しやすくなる。より好ましくは９以上である。１２超では取扱いがしにくくなる。
コロイダルシリカの種類は限定されないが、フジミインコーポレーテッド社製ＣＯＭＰＯＬ−８０などケイ酸ソーダ法で製造されたものが一般的である。
本発明のスラリー中のコロイダルシリカの含有量は典型的には５〜４０％である。

アミノ基を有する水溶性有機高分子、アミン塩基を有する水溶性有機高分子および第４級アンモニウム塩基を有する水溶性有機高分子は主表面のＲａを小さくする成分であり、いずれか１種以上を含有しなければならない。これら水溶性高分子はいずれもシリケートガラスに付着しやすいアミノ基またはアミン塩基を有しており、その結果凸部分が選択的に削れやすくなってＲａが小さくなると考えられる。
これら水溶性高分子のスラリー中の含有量は０．００１〜１０％であることが好ましい。０．００１％未満では前記Ｒａが十分には小さくならないおそれがある。より好ましくは０．１％以上、特に好ましくは０．５％以上である。１０％超では研磨速度が著しく低下するおそれがある。より好ましくは５％以下である。

アミノ基を有する水溶性有機高分子（以下、水溶性ポリアミンという。）としては、一分子中に２個以上のアミノ基を有する水溶性の化合物であればどのようなものでもよい。なお、本明細書にいう水溶性は、研磨剤として使用する濃度においてその研磨剤液中に目視で完全に溶解している状態となる限り、どの程度のものであってもよい。通常は、純水に１質量％以上、好ましくは５質量％以上、より好ましくは３０質量％以上溶解するものをいう。具体的には、水溶性ポリエーテルポリアミン、水溶性ポリアルキレンポリアミン、ポリエチレンイミン、水溶性ポリビニルアミン、水溶性ポリアリルアミン、水溶性ポリリジンおよび水溶性キトサンからなる群から選ばれた１種以上の水溶性高分子が好ましい。特に好ましい水溶性ポリアミンは、水溶性ポリエーテルポリアミンおよび水溶性ポリアルキレンポリアミンである。

水溶性ポリアミンの分子量は水溶性を有する範囲の分子量である限り限定されるものではないが、重量平均分子量で、１００〜１０００００の範囲にあることが好ましく、１００〜２０００の範囲にあることがより好ましい。重量平均分子量が１００未満の場合はその効果が小さい。１０００００を超えると、たとえ水溶性であっても研磨剤の流動性等の物性に悪影響を与えるおそれがある。２０００を超えると純水への溶解性が低下する場合が多い。特に好ましい水溶性ポリアミンは、重量平均分子量が１００〜２０００の水溶性ポリエーテルポリアミンと水溶性ポリアルキレンポリアミンである。

本発明において特に好ましい水溶性ポリアミンは、重量平均分子量が１００〜２０００の水溶性ポリエーテルポリアミンおよび重量平均分子量が１００〜２０００の水溶性ポリアルキレンポリアミンからなる群から選ばれた１種以上の水溶性ポリアミンである。コロイダルシリカに対する分散安定化効果が高いと言う観点からは、この水溶性ポリエーテルポリアミンのより好ましい重量平均分子量は１５０〜８００であり、さらにより好ましくは重量平均分子量は１００〜４００である。

上記ポリエーテルポリアミンとは、２個以上のアミノ基と２個以上のエーテル性酸素原子を有する化合物を意味する。アミノ基としては１級アミノ基（−ＮＨ_２）が好ましい。
アミノ基として２級アミノ基（−ＮＨ−）や３級アミノ基を有していてもよいが、本発明におけるポリエーテルポリアミンとしては、２個以上の１級アミノ基を有し、他のアミノ基を実質的に有しない化合物が好ましく、特に１級アミノ基のみを２個有するポリエーテルジアミンが好ましい。ポリエーテルポリアミンは、多価アルコールやポリエーテルポリオールの水酸基の水素原子をアミノアルキル基に置換した構造を有する化合物が好ましい。多価アルコールとしては２〜６価のアルコール、特に２価アルコールが好ましく、ポリエーテルポリオールとしては２〜６価のポリオキシアルキレンポリオール、特にポリオキシアルキレンジオールが好ましい。アミノアルキル基としては、２−アミノエチル基、２−アミノプロピル基、２−アミノ−１−メチルエチル基、３−アミノプロピル基、２−アミノ−１、１−ジメチルエチル基、４−アミノブチル基などの炭素数２〜６のアミノアルキル基が好ましい。

上記多価アルコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどのエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数２〜８の２価アルコールが好ましい。ポリエーテルポリオールとしては、トリエチレングリコールやテトラエチレングリコールなどのポリエチレングリコール（すなわち、ポリオキシエチレンジオール）、トリプロピレングリコールやテトラプロピレングリコールなどのポリプロピレングリコール（すなわち、ポリオキシプロピレンジオール）、ポリ（オキシプロピレン・オキシエチレン）ジオールなどの２種以上のオキシアルキレン基を有するポリオキシアルキレンジオールなどの繰り返し単位が炭素数２〜６のオキシアルキレン基であるポリエーテルジオールが好ましい。

上記ポリアルキレンポリアミンとは、３個以上のアミノ基がアルキレン基を介して結合した化合物を意味する。末端のアミノ基は１級アミノ基であり分子内のアミノ基は２級アミノ基であることが好ましい。より好ましくは、両分子末端に１級アミノ基を有し、分子内に１個以上の２級アミノ基を有する線状ポリアルキレンポリアミンである。アミノ基と他のアミノ基との間に挟まれ、アルキレン基よりなる結合部分は、一分子内に三つ以上に存在することになるが、これら複数のアミノ基間結合部分は、互いに同一でも異なっていてもよく、すべて同一であるか、両末端の１級アミノ基に結合する２個のアミノ基間結合部分は同一で、かつ他のアミノ基間結合部分とは異なっていることが好ましい。一つのアミノ基間結合部分に含まれる炭素数は２〜８が好ましく、特に両末端の１級アミノ基に結合する２個のアミノ基間結合部分に含まれる炭素数は２〜８、それ以外のアミノ基間結合部分に含まれる炭素数は２〜６が好ましい。

上記ポリエーテルジアミンとポリアルキレンポリアミンとしては、下記式（１）で表される構造を有する化合物が好ましい。
Ｈ_２Ｎ−（Ｒ−Ｘ−）_ｋ−Ｒ−ＮＨ_２ （１）
ただし、Ｒは炭素数２〜８のアルキレン基を表し、Ｘは酸素原子または−ＮＨ−を表し、ｋは、ポリエーテルジアミンの場合には２以上の整数を表し、ポリアルキレンポリアミンの場合には１以上の整数を表す。１分子中の複数のＲは互いに異なっていてもよい。

特にポリエーテルジアミンとしては下記式（２）で表される構造を有する化合物が好ましく、ポリアルキレンポリアミンとしては、下記式（３）で表される構造を有する化合物が好ましい。

Ｈ_２Ｎ−Ｒ^２−Ｏ−（Ｒ^１−Ｏ−）_ｍ−Ｒ^２−ＮＨ_２ （２）
Ｈ_２Ｎ−Ｒ^４−ＮＨ−（Ｒ^３−ＮＨ−）_ｎ−Ｒ^４−ＮＨ_２ （３）
ただし、Ｒ^１はエチレン基またはプロピレン基、Ｒ^２は炭素数２から６のアルキレン基、Ｒ^３は炭素数２から６のアルキレン基、Ｒ^４は炭素数２〜８のアルキレン基、ｍは１以上の整数、ｎは１以上の整数を表し、Ｒ^１とＲ^２は同一でも異なっていてもよく、Ｒ^３とＲ^４は同一でも異なっていてもよい。

式（２）で表される具体的なポリエーテルジアミンとしては、例えば、ポリオキシプロピレンジアミン（Ｒ^１、Ｒ^２がプロピレン基、ｍが１以上の化合物）、ポリオキシエチレンジアミン（Ｒ^１、Ｒ^２がエチレン基、ｍが１以上の化合物）、４，７，１０−トリオキサ−トリデカン−１，１３−ジアミン（Ｒ^１がエチレン基、Ｒ^２がトリメチレン基、ｍが２の化合物）などがある。式（３）で表される具体的なポリアルキレンポリアミンとしては、例えば、テトラエチレンペンタミン（Ｒ^３、Ｒ^４がエチレン基、ｎが２の化合物）、ペンタエチレンヘキサミン（Ｒ^３、Ｒ^４がエチレン基、ｎが３の化合物）、ヘプタエチレンオクタミン（Ｒ^３、Ｒ^４がエチレン基、ｎが５の化合物）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）−エチレンジアミン（Ｒ^３がエチレン基、Ｒ^４がトリメチレン基、ｎが１の化合物）、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−アミノエチル）−１、４−ブタンジアミン（Ｒ^３がテトラメチレン基、Ｒ^４がエチレン基、ｎが１の化合物）などがある。

アミン塩基を有する水溶性有機高分子としては、ヤシアミン、硬化牛脂アミン、ロジンアミン、エチレンオキサイド付加型高級アルキルアミンが例示される。
第４級アンモニウム塩基を有する水溶性有機高分子としては、第４級アンモニウム塩基がエチレンオキサイド付加型４級アンモニウム塩、ジ４級アンモニウム塩であるものが例示される。

次に、本発明のガラス基板について説明する。
Ｒａとロールオフの大きさとはトレードオフの関係にあり、磁気ヘッドの浮上量を小さくしてもクラッシュ等の障害が起こらないようにし、かつ、磁気ヘッドの浮上姿勢を乱すことなく端部付近におけるクラッシュ等の障害を起こらないようにすることが困難であった。

しかし、本発明の磁気ディスク用ガラス基板（本発明のガラス基板）はロールオフの大きさが５０ｎｍ以下という小さなものでありながらＲａが０．１６ｎｍ以下という小さなものであるので、従来解決することが困難であった上記の問題の解決が可能になると考えられる。
本発明のガラス基板のＲａおよびロールオフの大きさはそれぞれ０．１３ｎｍ以下、２０ｎｍ以下であることが好ましい。

本発明の磁気ディスクはその基板に本発明のガラス基板または本発明の製造方法によって製造されたガラス基板を用いることを特徴とするものであり、ガラス基板の上に記録層となるべき磁性層を含む複数の層を積層するなどその製造は周知の方法によって行われる。

（例１）
フロート法で成形されたシリケートガラス板を、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍのガラス基板が得られるようなドーナツ状円形ガラス板（中央に円孔を有する円形ガラス板）に加工した。なお、内周面および外周面の研削加工はダイヤモンド砥石を用いて行い、ガラス板上下面のラッピングは酸化アルミニウム砥粒を用いて行った。

次に、内外周の端面を、面取り幅０．１５ｍｍ、面取り角度４５°となるように面取り加工を行った。内外周加工の後、研磨材として酸化セリウムスラリーを用い、研磨具としてブラシを用い、ブラシ研磨により端面の鏡面加工を行った。加工量は半径方向の除去量で３０μｍであった。

その後、研磨材として酸化セリウムスラリー（酸化セリウム平均粒径：約１．１μｍ）を用い、研磨具としてウレタンパッドを用いて、両面研磨装置により上下主表面の研磨加工を行った。加工量は上下主表面の厚さ方向で計３５μｍであった。
さらに、研磨剤として上記の酸化セリウムよりも平均粒径が小さい酸化セリウム（平均粒径：約０．２μｍ）を用い、研磨具としてウレタンパッドを用いて、両面研磨装置により上下主表面の研磨加工を行った。加工量は上下面の厚さ方向で計１．６μｍであった。
このようにして作製された円形ガラス板の主表面をＶｅｅｃｏ社製ＡＦＭを用いて測定したところその表面粗さＲａは０．４８ｎｍであった。

一方、本発明のスラリーを次のようにして作製した。
フジミインコーポレーテッド社製ＣＯＭＰＯＬ−８０を蒸留水で希釈し、固形分濃度２４質量％のコロイダルシリカと水を有するスラリー原液を２ｋｇ調製した。
また、２００ｇの重量平均分子量２３０のＢＡＳＦ社製ポリオキシプロピレンジアミン（商品名：ポリエーテルアミンＤ２３０）を１．８ｋｇの蒸留水に添加し、撹拌してポリエーテルアミン水溶液を調製した。この水溶液のポリエーテルアミンの含有量は１０質量％である。
このようにして作製されたスラリー原液および水溶液を混合してスラリー（分散体）を得た。スラリーのｐＨは１０．９であった。

Ｒａが０．４８ｎｍである前記円形ガラス板の主表面を、研磨剤として前記スラリーを、研磨具としてパッド硬度が５５．５、ショアＡ硬度が５３．５°、圧縮率が１．９％かつ密度が０．２４ｇ／ｃｍ^３である発泡ウレタン樹脂からなる研磨パッドを用い、研磨圧力を１４．７ｋＰａ、キャリア周速を１４ｍ／ｍｉｎとして２０分間研磨した。その結果、主表面のＲａが０．１２９ｎｍであるガラス基板が得られた。除去量は０．１８μｍであった。
なお、Ｒａの測定前に次のような洗浄を行った。すなわち、純水シャワー洗浄、ベルクリンおよび水によるスクラブ洗浄、ベルクリンおよびアルカリ洗剤によるスクラブ洗浄、ベルクリンおよび水によるスクラブ洗浄、純水シャワー洗浄を順次行い、その後エアブローを行った。

（例２）
スラリー原液と混合する水溶液を次のようにして作製した。すなわち、１２０ｇのポリエーテルアミンを１．８８ｋｇの蒸留水に添加し、撹拌してポリエーテルアミン水溶液を調製した。この水溶液のポリエーテルアミンの含有量は６質量％である。このポリエーテルアミン水溶液を例１と同じスラリー原液２ｋｇと混合してｐＨ１０．８のスラリーを得た。
スラリーとしてこのスラリーを用いた以外は例１と同様にして２０分間研磨を行い、主表面のＲａが０．１３０ｎｍであるガラス基板が得られた。除去量は０．１８μｍであった。

（例３）
スラリー原液と混合する水溶液を次のようにして作製した。すなわち、４０ｇのポリエーテルアミンを１．９６ｋｇの蒸留水に添加し、撹拌してポリエーテルアミン水溶液を調製した。この水溶液のポリエーテルアミンの含有量は２質量％である。このポリエーテルアミン水溶液を例１と同じスラリー原液２Ｌと混合してｐＨ１０．６のスラリーを得た。
スラリーとしてこのスラリーを用いた以外は例１と同様にして２０分間研磨を行い、主表面のＲａが０．１４６ｎｍであるガラス基板が得られた。除去量は０．１９μｍであった。

（例４）
研磨具としてパッド硬度が４０．６、ショアＡ硬度が７９°、圧縮率が０．５％かつ密度が０．５４ｇ／ｃｍ３である発泡ウレタン樹脂からなる研磨パッドを用い、研磨圧力を１２ｋＰａ、キャリア周速を４０ｍ／ｍｉｎ、研磨時間を５０分間として両面研磨した以外は例１と同様にして研磨を行った。その結果、主表面のＲａが０．１２５ｎｍ、ロールオフの大きさが１５．２ｎｍであるガラス基板が得られた。除去量は０．９０μｍであった。なお、ロールオフの大きさは前記Ｚｙｇｏ社製ＮＶ２００を用いて測定した。

また、このようにして得られたガラス基板の主表面に存在する微小欠点１９個についてＳＥＭ−ＥＤＸを用いて欠点の形状と成分の分析したところいずれもマスキングによる凸欠点ではなかった。

（比較例１）
前記ＣＯＭＰＯＬ−８０を蒸留水で希釈し、固形分濃度が１２質量％であるスラリーを作製した。スラリーとしてこのスラリーを用いた以外は例１と同様にして研磨を行い、主表面のＲａが０．１７６ｎｍであるガラス基板が得られた。除去量は０．３７μｍであった。

（比較例２）
スラリーとして前記ＣＯＭＰＯＬ−８０を蒸留水で希釈し、固形分濃度を１２質量％としたものを用いて４５分間研磨した以外は例４と同様にして研磨を行い、主表面のＲａが０．１３２ｎｍ、ロールオフの大きさが１１２．３ｎｍであるガラス基板が得られた。除去量は０．９０μｍであった。

Ｒａが例４と同程度の小さい値になったのはパッド硬度が４０．６という軟らかい研磨パッドを用いて５０分間という長い時間研磨したためと考えられる。
一方、比較例２と同じスラリーを用いてその他は比較例２と類似した条件で研磨して得られたガラス基板の主表面に存在する微小欠点５個について例４で述べたと同様にして欠点の形状と成分の分析したところ３個はマスキングによる凸欠点であった。

磁気ディスク用ガラス基板の製造に利用できる。

主表面外周部、チャンファー面(面取りされた面)および外周端面を含む部分の断面の概念図である。

符号の説明

ａ：チャンファー面
ｂ：外周端面
ｃ：主表面外周部
ｄ：チャンファー面ａと主表面外周部ｃの境界
ｅ：ロールオフ測定領域
ｇ：ロールオフの大きさを定めるための基準線

Claims (7)

1. 円形ガラス板を研磨して磁気ディスク用ガラス基板を製造する方法であって、水溶性ポリエーテルポリアミンおよびコロイダルシリカを含有するスラリーを用いて円形ガラス板の主表面を研磨する工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
2. 水溶性ポリエーテルポリアミンが１級アミノ基を有するものである請求項１の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
3. 水溶性ポリエーテルポリアミンがポリエーテルジアミンである請求項１の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
4. ポリエーテルジアミンが、ポリオキシプロピレンジアミン、ポリオキシエチレンジアミンおよび４，７，１０−トリオキサ−トリデカン−１，１３−ジアミンからなる群から選ばれる１以上のものである請求項３の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
5. 前記スラリーがアミン塩基を有する水溶性有機高分子および第４級アンモニウム塩基を有する水溶性有機高分子からなる群から選ばれる１以上の水溶性高分子を含有する請求項１〜４のいずれかの磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
6. 前記スラリー中の前記水溶性高分子の質量百分率表示含有量が０．００１〜１０％である請求項１〜５のいずれかの磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
7. 前記スラリーのｐＨが８〜１２である請求項１〜６のいずれかの磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。

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