CN101108467A - 用于磁盘的玻璃基板及其制造方法,以及磁盘 - Google Patents

用于磁盘的玻璃基板及其制造方法,以及磁盘 Download PDF

Info

Publication number
CN101108467A
CN101108467A CNA2007101379316A CN200710137931A CN101108467A CN 101108467 A CN101108467 A CN 101108467A CN A2007101379316 A CNA2007101379316 A CN A2007101379316A CN 200710137931 A CN200710137931 A CN 200710137931A CN 101108467 A CN101108467 A CN 101108467A
Authority
CN
China
Prior art keywords
glass substrate
disk
water
soluble
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007101379316A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101108467B (zh
Inventor
臼井寛
宮原修
宮谷克明
金喜則
吉田伊織
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Publication of CN101108467A publication Critical patent/CN101108467A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101108467B publication Critical patent/CN101108467B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/739—Magnetic recording media substrates
    • G11B5/73911—Inorganic substrates
    • G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

一种通过抛光圆形玻璃板，制造用于磁盘的玻璃基板的方法，该方法包括使用浆料抛光所述圆形玻璃板的主表面的步骤，所述浆料包含至少一种水溶性聚合物和胶态二氧化硅，所述至少一种水溶性聚合物选自：包含氨基的水溶性有机聚合物、包含胺盐基团的水溶性有机聚合物和包含季铵盐基团的水溶性有机聚合物。

Description

用于磁盘的玻璃基板及其制造方法，以及磁盘
技术领域
本发明涉及用于磁盘的玻璃基板，用来抛光所述玻璃基板的主表面的方法，以及磁盘。
背景技术
近年来，对于安装在硬盘驱动器之类的信息处理装置中的磁盘的高记录密度的要求在持续增加，在此情况下，目前玻璃基板广泛用来代替常规的铝基板。
对高记录密度的要求在不断提高，为了满足这种要求，人们提出了一种使用包含胶态二氧化硅的抛光浆料的方法作为对玻璃基板的主表面进行高精度抛光的方法(例如专利文献1和2)。
专利文献1所揭示的方法是将碱加在包含胶态二氧化硅的抛光液中，将抛光液的pH值调节到高于10.2，最高为12。
专利文献2中所揭示的方法是通过使用专利文献1所述的方法，使用包含由有机硅氧烷化合物水解形成的胶态二氧化硅的磨粒作为磨粒，解决了在主表面上形成很小的凸出物的问题。
专利文献1：  JP-A-2003-173518
专利文献2：  JP-A-2006-82138
专利文献2所揭示的使用通过有机硅氧烷化合物水解形成的胶态二氧化硅的方法具有以下的问题：这种胶态二氧化硅与通过常规硅酸钠法制得的胶态二氧化硅相比成本很高，几乎不适于制造需要能以低成本获得的用于磁盘的玻璃基板。
另外，考虑即使使用由常规的硅酸钠法制得的胶态二氧化硅，也可以通过使用软抛光垫将表面糙度减小到一定的范围。但是在这种情况下，抛光所需的时间会很长。
另外，考虑可以通过延长抛光时间将表面糙度减小的一定的范围，但是形成很小的凸起物的问题几乎无法解决。
在此情况下，本发明的一个目的是提供即使胶态二氧化硅不是由有机硅氧烷化合物水解生成的，也能够克服上述问题(例如能够以高精度抛光玻璃基板的主表面)的方法。
以上很小的凸起物是所谓的通过掩蔽形成的凸起缺陷。所述凸起缺陷是抛光之后形成的很小凸起物，这是由于在抛光过程中，在覆盖有例如附着于基板的凝胶状二氧化硅的基板上的很小部分的去除速率与该基板的其它部分相比是很小的。
发明内容
本发明提供了一种方法，该方法通过抛光圆形玻璃板，制备用于磁盘的玻璃基板，该方法包括以下步骤：使用包含至少一种水溶性聚合物和胶态二氧化硅的浆料(下文中将这种浆料称为本发明的浆料)抛光圆形玻璃板的主表面，所述至少一种水溶性聚合物选自：具有氨基的水溶性有机聚合物、包含胺盐基团的水溶性有机聚合物、以及包含季铵盐基团的水溶性有机聚合物。
本发明还提供了一种用于磁盘的玻璃基板，通过原子力显微镜测得的主表面的算术平均糙度(下文中将算数平均糙度称为Ra)最多为0.16纳米，主表面外周部分的下降度(degree of roll-off)最多为50纳米。
此处，本发明中的下降度将在下文中进行描述。
附图说明
图1是包括主表面的外周部分(outer peripheral portion)、倒角平面(chamferedplane)和外周缘表面的部分的截面示意图。
符号“a”表示倒角平面，b表示外周缘表面，c表示主表面外周部分，d表示倒角平面“a”和主表面外周部分c之间的边界。
图1中的虚线是用来确定下降度(在边缘部分弯曲(sagging))程度的基线g。该基线g定为在向着所述主表面外周部分c上主表面中心方向，在距离边界d2.5-5毫米的部分与部分f重叠的直线，或者与部分f最接近的直线。
在主表面外周部分c上，朝向主表面中心、距离边界d 0.25-5毫米的部分是下降测量区域e。
下降度等于下降测量区域e中的主表面外周部分c距离基线g的最大高度和最小高度之差。当主表面外周部分c位于基线g以上时，该高度是正值，当主表面外周部分c位于基线g以下时，该高度是负值。
另外，本发明提供了磁盘，该磁盘包括通过上述用来制备用于磁盘的玻璃基板的方法制造的用于磁盘的玻璃基板或者上述的用于磁盘的玻璃基板，以及层叠在所述玻璃基板上的多层，这多层包括为记录层的磁层。
本发明人发现当使用高硬度抛光垫、以及其中包含胶态二氧化硅并且添加有聚氧丙烯二胺的的浆料抛光圆形玻璃板的主表面时，与在不加入聚氧丙烯二胺的条件下进行抛光的情况相比，前者的Ra很低。基于该发现完成了本发明。
根据用来制造本发明的用于磁盘的玻璃基板的方法，即使在使用具有高硬度的抛光垫的情况下，仍可制得常规方法尚未能制得的Ra最多为0.16纳米的用于磁盘的玻璃基板。
另外，制得了一种用于磁盘的玻璃基板，其中主表面的Ra最多为0.16纳米，主表面外周部分的下降度最多为50纳米。
另外，可以减小上述掩蔽造成的凸起缺陷。
下面将参照优选实施方式详细描述本发明。
具体实施方式
根据本发明的用来制造用于磁盘的玻璃基板的方法(下文称为本发明的制造方法)，玻璃基板通常是通过以下步骤制造的。即，在圆形玻璃板的中心设置一个圆孔，依次进行到角、主表面的磨光和边缘表面的镜面抛光。然后将上述进行过这样处理的圆形玻璃板层叠，蚀刻内周缘表面，通过例如喷涂法对蚀刻后的内周缘表面涂敷例如包含聚硅氮烷化合物的液体，然后进行烧制，在所述内周缘表面上形成涂层膜(保护涂层膜)。然后对其内周缘表面上形成有涂层膜的各圆形玻璃板的主表面进行抛光，使其形成平坦光滑的表面，从而制得用于磁盘的玻璃基板。
本发明的制造方法不限于上述方法。例如，可以对内周缘表面进行刷子抛光，代替在内周缘表面上形成保护涂层膜；所述主表面磨光步骤可以分为粗磨光步骤和精磨光步骤，可以在所述粗磨光步骤和精磨光步骤之间提供外形加工步骤(在圆形玻璃板的中心钻孔，进行倒角和对边缘表面抛光)，或者可以如专利文献2所述在主表面抛光步骤之后提供化学回火步骤。无需再言，对于中心没有圆孔的玻璃基板的制造，不需要在圆形玻璃板的中心钻孔。
所述主表面磨光通常是使用平均粒度为6-8微米的氧化铝磨粒或者包含氧化铝的金属氧化物磨粒进行的。
通常对磨光后的主表面以30-40微米的去除量进行抛光，然后使用本发明的浆料进行抛光，这样Ra通常最高为0.16纳米。
为了抛光主表面，首先使用包含平均粒度为0.9-1.8微米的氧化铈的浆料以及聚氨酯抛光垫抛光主表面。
然后使用本发明的浆料，在例如0.5-30千帕的抛光压力下，对主表面进行进一步的抛光。抛光压力优选至少为4千帕。如果小于4千帕，在抛光过程中玻璃基板的稳定性会减小，从而主表面上的波纹会很明显。
用来使用本发明的浆料进行抛光的抛光垫通常是由具有以下性质的聚氨酯泡沫塑料制成的抛光垫：所述聚氨酯泡沫塑料的肖氏D硬度为45-75，可压缩性为0.1-10％，密度为0.5-1.5克/厘米3；或者所述聚氨酯泡沫塑料的肖氏A硬度为30-99，可压缩性为0.5-10％，密度为0.2-0.9克/厘米3；或者所述聚氨酯泡沫塑料的肖氏A硬度为5-65，可压缩性为0.1-60％，密度为0.05-0.4克/厘米3。所述抛光垫的肖氏A硬度优选至少为20。如果肖氏A硬度小于20，则去除速率可能会很低。
所述肖氏D硬度和肖氏A硬度分别是通过JIS K7215所规定的测量塑料的硬度计A硬度和D硬度的方法测定的。
另外，可压缩性(单位：％)通过以下方法测量。即，将抛光垫切割成合适的尺寸以制备样品。在对未施加负荷状态的样品施加10千帕的应力负荷30秒时，使用Schopper型厚度测量设备测量样品的厚度t0。然后，测量立刻对厚度为t0状态下的样品施加110千帕的应力负荷5分钟时样品的厚度t1。由这些数值t0和t1，根据(t0-t1)×100/t0进行计算，将结果看作可压缩性。
在测量抛光垫的肖氏D硬度和肖氏A硬度时，叠加抛光垫样品，测量其硬度，这样测得的硬度可能并不适合作为控制抛光现象的抛光垫的硬度。
因此，本发明人决定将使用用于橡胶的通用自动硬度计、Bareiss制造的能够测量各抛光垫样品硬度的数字测试仪(digitest)、以及IRHD微量检测器测定的硬度看作抛光垫的硬度(下面将该硬度称为抛光垫硬度)。也就是说，抛光垫硬度的测量是根据ISO48规定的国际橡胶硬度(IRHD)测试方法M(中等硬度的微尺寸测试)，在一定的静负荷之下进行的。
抛光主表面的步骤不限于此。例如，在使用本发明的浆料进行抛光之前，可以使用包含平均粒度为0.15-0.25微米的氧化铈的浆料和聚氨酯制得的抛光垫抛光主表面，这样Ra为0.4-0.6纳米，通过三维表面结构分析显微镜(例如ZygoCo.，Ltd.制造的NV200)，在波长范围λ≤0.25纳米的条件下，在1毫米×0.7毫米范围内测得的微波纹度(micro-waviness)(Wa)例如最高为0.2纳米，或者可使用常规的胶态二氧化硅浆料代替上述含氧化铈的浆料。由上述另外的抛光造成的玻璃板厚度损失(去除量)通常为1-2微米。
下文中将描述本发明的浆料。浆料中各组分的含量用质量百分数表示。
所述浆料的pH值优选为8-12。如果小于8，胶态二氧化硅可能发生聚集(例如如果所述胶态二氧化硅是通过硅酸钠法制备的)。更优选pH值至少为9。如果pH值超过12，处理会变得很困难。
对胶态二氧化硅的种类没有限制，但是常用的是通过硅酸钠法制备的胶态二氧化硅，例如FUJIMI INCORPORATED制备的COMPOL-80。
本发明浆料中胶态二氧化硅的含量通常为5-40％。
包含氨基的水溶性有机聚合物、包含胺盐基团的水溶性有机聚合物以及包含季铵盐基团的水溶性有机聚合物是能够减小主表面上的Ra的组分，必须包含它们当中的至少一种。由于这些包含氨基或胺盐基团的水溶性聚合物可能粘附在硅酸盐玻璃上，因此认为所述凸起物会被选择性地磨掉，以减小Ra。
所述浆料中的水溶性聚合物的含量优选为0.001-10％。如果其小于0.001％，则以上的Ra不够小。更优选其含量至少为0.1％，特别优选至少为0.5％。如果超过10％，去除速率会显著减小。更优选最多为5％。
所述包含氨基的水溶性有机聚合物(下文称为水溶性多胺)是任意的聚合物，只要其为一个分子内包含至少两个氨基的水溶性化合物即可。在本说明书中，水溶性可为任意的水平，只要能够用肉眼观察到，在抛光化合物液体用作抛光化合物时的浓度下，聚合物能够完全溶解在该液体中即可。通常，水溶性意指至少1质量％、优选至少5质量％、更优选至少30质量％的聚合物溶解在纯水中。具体来说，优选的是至少一种水溶性聚合物选自以下聚合物：水溶性聚醚多胺、水溶性聚亚烷基多胺、聚乙烯亚胺、水溶性聚乙烯基胺、水溶性聚烯丙基胺、水溶性聚赖氨酸和水溶性脱乙酰壳多酸。特别优选的水溶性多胺是水溶性聚醚多胺或水溶性聚亚烷基多胺。
对所述水溶性多胺的分子量并没有特别的限制，只要多胺是水溶性的即可，但是优选其重均分子量为100-100,000，更优选为100-2,000。如果重均分子量小于100，则水溶性多胺的效果会很小。如果其大于100,000，即使该多胺是水溶性的，仍然会对抛光化合物的物理性质(例如流动性)造成不利影响。如果重均分子量超过2,000，在许多情况下，在纯水中的溶解度会减小。特别优选的水溶性多胺是重均分子量为100-2000的水溶性聚醚多胺或水溶性聚亚烷基多胺。
本发明特别优选的水溶性多胺是选自以下的至少一种水溶性多胺：重均分子量为100-2000的水溶性聚醚多胺、以及重均分子量为100-2000的水溶性聚亚烷基多胺。从对胶态二氧化硅的分散体进行高效稳定化的方面来看，所述水溶性聚醚多胺的重均分子量更优选为150-800，更加优选为100-400。
上述聚醚多胺是包含至少两个氨基和至少两个醚氧原子的化合物。所述氨基优选是伯氨基(-NH2)。所述聚醚多胺可包含仲氨基(-NH-)或者叔氨基作为氨基，但是本发明中的聚醚多胺优选是包含至少两个伯氨基、基本不含其它氨基的化合物，特别优选是仅含有两个伯氨基的聚醚二胺。所述聚醚多胺优选是具有以下结构的化合物，使得多元醇或者聚醚型多元醇中羟基的氢原子被氨基烷基取代。所述多元醇优选是二元醇至六元醇，特别优选是二元醇，所述聚醚型多元醇优选是二羟基至六羟基的聚氧化烯基多元醇，特别优选是聚氧化烯二醇。所述氨基烷基优选是C2-6氨基烷基，例如2-氨基乙基、2-氨基丙基、2-氨基-1-甲基乙基、3-氨基丙基、2-氨基-1，1-二甲基乙基或4-氨基丁基。
所述多元醇优选是包含醚氧原子的C2-8二元醇，例如乙二醇、二甘醇、丙二醇或二丙二醇。所述聚醚型多元醇优选是其中重复单元为C2-6氧化烯基的聚醚二醇，例如聚乙二醇(即聚氧乙烯二醇)，如三甘醇或四甘醇；聚丙二醇(即聚氧丙烯二醇)，如三丙二醇或四丙二醇；或者包含至少两种氧化烯基的聚氧化烯二醇，例如聚(氧丙烯/氧乙烯)二醇。
所述聚亚烷基多胺是包含至少三个通过亚烷基连接的氨基的化合物。较佳的是，所述末端氨基是伯氨基，分子内部的氨基是仲氨基。更优选的是在分子两末端都包含伯氨基、在分子内部包含至少一个仲氨基的线型聚亚烷基多胺。在一个分子中存在至少三个夹在一个氨基和另一个氨基之间的由亚烷基组成的连接部分，这样的多个位于氨基之间的连接部分可以是相同的或不同的。较佳的是，所有这些部分都是相同的，或者在与两个末端伯氨基相连的氨基之间的两个连接部分是相同的，另外的位于氨基之间的连接部分是不同的。一个位于氨基之间的连接部分优选包含2-8个碳原子，特别优选在与两个末端伯氨基连接的氨基之间的两个连接部分各自包含2-8个碳原子，其它的位于氨基之间的连接部分包含2-6个碳原子。
所述聚醚二胺和聚亚烷基多胺各自优选是具有以下结构式的化合物(1)：
H2N-(R-X-)k-R-NH2    (1)
式中R是C2-8亚烷基，X是氧原子或-NH-，对于聚醚二胺，k是至少为2的整数，或者对于聚亚烷基多胺，k是至少为1的整数，前提是一个分子中的多个R可以是不同的。
具体来说，所述聚醚二胺优选是具有以下结构式(2)的化合物，所述聚亚烷基多胺优选是具有以下结构式(3)的化合物：
H2N-R2-O-(R1-O-)m-R2-NH2    (2)
H2N-R4-NH-(R3-NH-)n-R4-NH2    (3)
式中R1是亚乙基或亚丙基，R2是C2-6亚烷基，R3是C2-6亚烷基，R4是C2-8亚烷基，m是至少为1的整数，n是至少为1的整数，前提是R1和R2可以是相同或不同的，R3和R4可以是相同或不同的。
具体来说，式(2)的聚醚二胺可以是例如聚氧丙烯二胺(一种化合物，其中R1和R2为亚丙基，m至少为1)，聚氧乙烯二胺(一种化合物，其中R1和R2为亚乙基，m至少为1)，或者4，7，10-三氧杂-十三烷-1，13-二胺(一种化合物，其中R1是亚乙基，R2是三亚甲基，m是2)。具体来说，式(3)的聚亚烷基多胺可以是例如四亚乙基五胺(一种化合物，其中R3和R4是亚乙基，n是2)，五亚乙基六胺(一种化合物，其中R3和R4是亚乙基，n＝3)，七亚乙基八胺(一种化合物，其中R3和R4是亚乙基，n＝5)，N，N’-二(3-氨基丙基)-乙二胺(一种化合物，其中R3是亚乙基，R4是三亚甲基，n＝1)，或者N，N’-二(2-氨基乙基)-1，4-丁二胺(一种化合物，其中R3是四亚甲基，R4是亚乙基，n＝1)。
包含胺盐基团的水溶性有机聚合物可以是例如椰油胺，硬化的牛油胺，松香胺或环氧乙烷加成类高级烷基胺。
包含季铵盐基团的水溶性有机聚合物可以是例如：其中季铵盐基团为环氧乙烷加成类季铵盐或双季铵盐的聚合物。
下面将描述本发明的玻璃基板。
Ra和下降度呈折衷关系，即使在减小磁头的浮动高度时，也难以防止碰撞之类的缺点，在不影响磁头浮动位置的情况下难以防止在边缘部分的附近碰撞之类的缺点。
但是，对于本发明的用于磁盘的玻璃基板(本发明的玻璃基板)，下降度小至最多为50纳米，Ra小至最多为0.16纳米。因此，认为能够克服上述以前难以解决的问题。
本发明玻璃基板的Ra和下降度优选分别最多为0.13纳米和20纳米。
本发明的磁盘的特征是，使用本发明的玻璃基板、即通过本发明的制造方法制造的玻璃基板作为基板，所述磁盘是通过已知的方法制得的，例如通过将多层层叠在所述玻璃基板上而制得的，所述多层包括为记录层的磁层。
下面将参照实施例更详细地描述本发明。但是应当理解本发明并不限于这些具体实施例。
实施例实施例1
将通过浮法制得的硅酸盐玻璃板加工成圆环型圆形玻璃板(其中心有一个圆孔的圆形玻璃板)，由该玻璃板可制得外径65毫米、内径20毫米、厚度0.635毫米的玻璃基板。内周缘表面和外周缘表面用金刚石磨粒研磨，玻璃板的上表面和下表面用氧化铝磨粒磨光。
然后对内周缘表面和外周缘表面进行倒角，倒角宽度为0.15毫米，倒角角度为45°。
在对内周缘表面和外周缘表面进行处理之后，使用氧化铈浆料作为抛光化合物，使用刷子作为抛光器具，在边缘表面上进行镜面精加工处理。处理量是沿半径方向除去量为30微米。
然后使用氧化铈浆料(氧化铈平均粒度：约1.1微米)作为抛光化合物，使用聚氨酯垫作为抛光器具，用双面抛光器对上主表面和下主表面进行抛光。沿着上主表面和下主表面之间的厚度方向的总处理量为35微米。
另外，使用平均粒度小于上述氧化铈的氧化铈(平均粒度约0.2微米)作为抛光化合物，使用聚氨酯垫作为抛光器具，用双面抛光器对上主表面和下主表面进行抛光。沿着上主表面和下主表面之间的厚度方向的总处理量为1.6微米。
使用Veeco Instruments制造的原子力显微镜观察这样制得的圆形玻璃板的主表面，结果表面糙度Ra为0.48纳米。
另外，通过以下步骤制备本发明的浆料。
用蒸馏水稀释FUJIMI INCORPORATED生产的COMPOL-80，以制备固体浓度为24质量％的包含水以及胶态二氧化硅的2千克浆液。
另外将200克BASF生产的重均分子量为230的聚氧丙烯二胺(商品名：聚醚胺D230)加入到1.8千克蒸馏水中，然后进行搅拌，制得聚醚胺水溶液。该水溶液中聚醚胺的含量为10质量％。
将以上制备的浆液和水溶液混合，制备浆料(分散体)。该浆料的pH值为10.9。
使用聚氨酯泡沫塑料制造的抛光垫作为抛光器具、使用上述浆料作为抛光化合物，在14.7千帕的抛光压力下，在14米/分钟的支架(carrier)圆周速度之下，对上述Ra为0.48纳米的圆形玻璃板抛光20分钟，所述抛光垫的硬度为55.5，肖氏A硬度为53.5°，可压缩性为1.9％，密度为0.24克/厘米3。结果制得主表面Ra为0.129纳米的玻璃基板。去除量为0.18微米。
在测量Ra之前，进行以下的清洁。即，依次通过纯水喷淋进行清洁，用PVA(聚乙烯醇)海绵和水进行擦洗清洁，用PVA(聚乙烯醇)海绵和碱性洗涤剂进行擦洗清洁，用PVA(聚乙烯醇)海绵和水进行擦洗清洁，然后用纯水喷淋进行清洁，然后进行吹气。
实施例2
如下制备水溶液，然后将该水溶液与所述浆液混合。即将120克聚醚胺加入到1.88千克蒸馏水中，然后进行搅拌以制备聚醚胺水溶液。所述水溶液中聚醚胺的含量为6质量％。将所述聚醚胺水溶液与2千克实施例1所述的浆液混合，制备pH值为10.8的浆料。
依照与实施例1相同的方式抛光20分钟，其不同之处在于使用上述浆料作为抛光浆料，制得主表面Ra为0.130纳米的玻璃基板。去除量为0.18微米。
实施例3
依照以下步骤制备水溶液，然后将其与浆液混合。即将40克聚醚胺加入到1.96千克蒸馏水中，然后进行搅拌，制备聚醚胺水溶液。该水溶液中聚醚胺的含量为2质量％。将所述聚醚胺水溶液与2升实施例1的浆液混合，制备pH10.6的浆料。
依照与实施例1相同的方式抛光20分钟，不同之处在于，使用上述浆料作为抛光浆料，制得主表面Ra为0.146纳米的玻璃基板。去除量为0.19微米。
实施例4
依照与实施例1相同的方式进行抛光，其不同之处在于，使用聚氨酯泡沫塑料制成的抛光垫作为抛光器具、在12千帕的抛光压力下、在40米/分钟的支架圆周速度下，进行50分钟的双面抛光，所述抛光垫的密度为40.6，肖氏A硬度为79°，可压缩性为0.5％，密度为0.54克/厘米3。结果制得主表面Ra为0.125纳米、下降度＝15.2纳米的玻璃基板。去除量为0.90微米。下降度使用Zygo Co.，Ltd.制造的NV200测量。
另外，对于这样制得的玻璃基板主表面上存在的19个很小的缺陷，通过SEM-EDX分析缺陷的形状和组成部分，结果这些缺陷都不是掩蔽造成的凸起缺陷。
比较例1
以上的COMPOL-80用蒸馏水稀释，制备固体浓度为12质量％的浆料。依照与实施例1相同的方式进行抛光，其不同之处在于，使用上述浆料作为抛光浆料，制得主表面Ra为0.176纳米的玻璃基板。去除量为0.37微米。
比较例2
依照与实施例4相同的方式进行抛光，其不同之处在于，通过用蒸馏水对上述COMPOL-80进行稀释，制得固体浓度为12质量％的浆料，将其用作抛光浆料，进行45分钟的抛光，制得主表面Ra为0.132纳米、下降度为112.3纳米的玻璃基板。去除量为0.90微米。
认为该Ra是与实施例4一样小的水平，这是由于使用垫密度为40.6的软抛光垫进行了50分钟的长时间抛光。
而在与比较例2相类似的条件下进行抛光，但是不同之处在于使用比较例2的浆料，则对于制得的玻璃基板主表面上存在的5个很小的缺陷，依照与实施例4相同的方式分析缺陷的形状和组成部分，结果其中三个缺陷是由掩蔽造成的凸起缺陷。
本发明适用于制造用于磁盘的玻璃基板。
2006年7月18日提交的日本专利申请第2006-195396号和2006年9月27日提交的日本专利申请第2006-262514号的全文，包括说明书、权利要求书、附图和摘要在内，全部参考结合入本文中。

Claims (10)

1.一种通过抛光圆形玻璃板，制造用于磁盘的玻璃基板的方法，该方法包括使用浆料抛光所述圆形玻璃板的主表面的步骤，所述浆料包含至少一种水溶性聚合物和胶态二氧化硅，所述至少一种水溶性聚合物选自：包含氨基的水溶性有机聚合物、包含胺盐基团的水溶性有机聚合物和包含季铵盐基团的水溶性有机聚合物。
2.如权利要求1所述的制造用于磁盘的玻璃基板的方法，其特征在于，所述浆料包含水溶性聚醚多胺。
3.如权利要求1或2所述的制造用于磁盘的玻璃基板的方法，其特征在于，所述浆料包含水溶性聚亚烷基多胺。
4.如权利要求1、2或3所述的制造用于磁盘的玻璃基板的方法，其特征在于，所述浆料包含环氧乙烷加成类季铵盐或二季铵盐。
5.如权利要求1-4中任一项所述的制造用于磁盘的玻璃基板的方法，其特征在于，所述浆料中水溶性聚合物的含量为0.001-10质量％。
6.如权利要求1-5中任一项所述的制造用于磁盘的玻璃基板的方法，其特征在于，所述浆料的pH值为8-12。
7.一种用于磁盘的玻璃基板，用原子力显微镜测得，主表面的算术平均糙度最多为0.16纳米，在所述主表面外周部分的下降度最多为50纳米。
8.如权利要求7所述的用于磁盘的玻璃基板，其特征在于，所述算术平均糙度最多为0.13纳米。
9.如权利要求7或8所述的用于磁盘的玻璃基板，其特征在于，在所述主表面外周部分的下降度最多为20纳米。
10.一种磁盘，其包括：通过如权利要求1-6中任一项所述的制造用于磁盘的玻璃基板的方法制造的用于磁盘的玻璃基板，或者如权利要求7-9中任一项所述的用于磁盘的玻璃基板，还包括层叠在所述玻璃基板上的多个层，这些层中包括用作记录层的磁层。
CN2007101379316A 2006-07-18 2007-07-17 用于磁盘的玻璃基板及其制造方法,以及磁盘 Expired - Fee Related CN101108467B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006195396 2006-07-18
JP2006195396 2006-07-18
JP2006-195396 2006-07-18
JP2006262514A JP4836731B2 (ja) 2006-07-18 2006-09-27 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
JP2006-262514 2006-09-27
JP2006262514 2006-09-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101108467A true CN101108467A (zh) 2008-01-23
CN101108467B CN101108467B (zh) 2011-06-08

Family

ID=38972026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101379316A Expired - Fee Related CN101108467B (zh) 2006-07-18 2007-07-17 用于磁盘的玻璃基板及其制造方法,以及磁盘

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7618723B2 (zh)
JP (1) JP4836731B2 (zh)
CN (1) CN101108467B (zh)
SG (1) SG139631A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103930947A (zh) * 2011-09-30 2014-07-16 Hoya株式会社 信息记录介质用玻璃基板以及信息记录介质
CN105163906A (zh) * 2013-06-29 2015-12-16 Hoya株式会社 玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法以及玻璃基板用研磨液组合物
CN107529477A (zh) * 2017-08-07 2018-01-02 清华大学 微晶玻璃化学机械抛光方法及微晶玻璃

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG10201501752PA (en) 2007-02-20 2015-05-28 Hoya Corp Magnetic disc substrate, magnetic disc, and magnetic disc device
CN101542606B (zh) * 2007-05-30 2012-06-20 东洋钢钣株式会社 磁盘用玻璃基板的表面加工方法和磁盘用玻璃基板
US9190096B2 (en) * 2008-10-17 2015-11-17 Hoya Corporation Method for producing glass substrate and method for producing magnetic recording medium
JP2010257562A (ja) * 2009-03-30 2010-11-11 Hoya Corp 磁気ディスク用基板及びその製造方法
US20110287698A1 (en) * 2010-05-18 2011-11-24 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. System, method and apparatus for elastomer pad for fabricating magnetic recording disks
US9303189B2 (en) 2014-03-11 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9238754B2 (en) 2014-03-11 2016-01-19 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9303188B2 (en) 2014-03-11 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten CMP
US9309442B2 (en) 2014-03-21 2016-04-12 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten buffing
US9127187B1 (en) 2014-03-24 2015-09-08 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive tungsten CMP composition
US9303190B2 (en) 2014-03-24 2016-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive tungsten CMP composition

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11181409A (ja) * 1997-12-19 1999-07-06 Kao Corp 研磨材組成物及びこれを用いた基板の製造方法
JP3998813B2 (ja) * 1998-06-15 2007-10-31 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US6595028B1 (en) * 1999-09-30 2003-07-22 Hoya Corporation Chemical reinforced glass substrate having desirable edge profile and method of manufacturing the same
US6733553B2 (en) * 2000-04-13 2004-05-11 Showa Denko Kabushiki Kaisha Abrasive composition for polishing semiconductor device and method for producing semiconductor device using the same
DE10063488A1 (de) * 2000-12-20 2002-06-27 Bayer Ag Polierslurry für das chemisch-mechanische Polieren von Siliciumdioxid-Filmen
US7887714B2 (en) * 2000-12-25 2011-02-15 Nissan Chemical Industries, Ltd. Cerium oxide sol and abrasive
JP3665777B2 (ja) 2001-09-28 2005-06-29 Ｈｏｙａ株式会社 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法
US20030077982A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-24 Hoya Corporation Method of producing a glass substrate for a magnetic recording medium and method of producing a magnetic recording medium
US6620215B2 (en) * 2001-12-21 2003-09-16 Dynea Canada, Ltd. Abrasive composition containing organic particles for chemical mechanical planarization
AU2003281655A1 (en) * 2002-07-22 2004-02-09 Asahi Glass Company, Limited Semiconductor abrasive, process for producing the same and method of polishing
JP4446371B2 (ja) * 2002-08-30 2010-04-07 花王株式会社 研磨液組成物
WO2004068570A1 (ja) * 2003-01-31 2004-08-12 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cmp研磨剤及び研磨方法
TW200517478A (en) * 2003-05-09 2005-06-01 Sanyo Chemical Ind Ltd Polishing liquid for CMP process and polishing method
KR100611064B1 (ko) * 2004-07-15 2006-08-10 삼성전자주식회사 화학 기계적 연마 공정용 슬러리 조성물, 상기 슬러리조성물을 이용한 화학 기계적 연마 방법 및 상기 방법을이용한 게이트 패턴의 형성 방법
JP2006082138A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Hoya Corp 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板、並びに、磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク
JP2006278522A (ja) 2005-03-28 2006-10-12 Seimi Chem Co Ltd 半導体集積回路装置用研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103930947A (zh) * 2011-09-30 2014-07-16 Hoya株式会社 信息记录介质用玻璃基板以及信息记录介质
US9454984B2 (en) 2011-09-30 2016-09-27 Hoya Corporation Information recording medium glass substrate and information recording medium
CN103930947B (zh) * 2011-09-30 2016-12-21 Hoya株式会社 信息记录介质用玻璃基板以及信息记录介质
CN105163906A (zh) * 2013-06-29 2015-12-16 Hoya株式会社 玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法以及玻璃基板用研磨液组合物
CN105163906B (zh) * 2013-06-29 2018-11-06 Hoya株式会社 玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法以及玻璃基板用研磨液组合物
CN107529477A (zh) * 2017-08-07 2018-01-02 清华大学 微晶玻璃化学机械抛光方法及微晶玻璃
CN107529477B (zh) * 2017-08-07 2020-02-18 清华大学 微晶玻璃化学机械抛光方法及微晶玻璃

Also Published As

Publication number Publication date
CN101108467B (zh) 2011-06-08
US20080020679A1 (en) 2008-01-24
JP2008047271A (ja) 2008-02-28
US7618723B2 (en) 2009-11-17
SG139631A1 (en) 2008-02-29
JP4836731B2 (ja) 2011-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101108467B (zh) 用于磁盘的玻璃基板及其制造方法,以及磁盘
US8349042B2 (en) Polishing liquid and polishing method
EP3127655B1 (en) Polishing pad and process for producing same
KR20140043797A (ko) 유리 엣지 마무리 방법
CN101950565A (zh) 信息记录介质用玻璃基板及其制造方法以及磁记录介质
KR102508180B1 (ko) 연마용 조성물 및 연마 방법
US11628535B2 (en) Polishing pad, method for manufacturing polishing pad, and polishing method applying polishing pad
JP7139299B2 (ja) 研磨パッド、その製造方法及びそれを用いた研磨方法
JP2006150534A (ja) 研磨液組成物
US10403321B2 (en) Method for manufacturing glass substrate and method for manufacturing magnetic disk
JP6311186B2 (ja) 研磨パッド及びその製造方法
JP2011079111A (ja) ガラスポリッシング加工用組成物
TWI721577B (zh) 拋光墊、其製造方法以及使用其之拋光方法
JP2013025844A (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法および磁気記録媒体用ガラス基板
KR102129664B1 (ko) 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 연마방법
US20110212669A1 (en) Method for manufacturing glass substrate for magnetic recording medium
US11548114B1 (en) Compressible non-reticulated polyurea polishing pad
JP7037531B2 (ja) 研磨パッド、その製造方法及びそれを用いた研磨方法
CN100475447C (zh) 抛光垫的基垫和包括该基垫的多层垫
JP6434174B2 (ja) 研磨パッド及びその製造方法
JP2011104691A (ja) 磁気ディスク用ガラス基板、その製造方法および磁気ディスク
JP4949432B2 (ja) ハードディスク用基板の製造方法
JP7494084B2 (ja) 磁気ディスク基板用研磨液組成物
US11897082B2 (en) Heterogeneous fluoropolymer mixture polishing pad
JP7138477B2 (ja) 研磨液組成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110608

Termination date: 20150717

EXPY Termination of patent right or utility model