JP2017228765A - 配線基板形成用基板およびその製造方法、配線基板およびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板や半導体装置を製造する際、再配線層に悪影響が及ぼされることを防止することが可能な、配線基板形成用基板およびその製造方法、配線基板およびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板形成用基板１０は、配線基板２０を形成するためのものである。この配線基板形成用基板１０は、支持基材１１と、支持基材１１上に積層された密着層１２と、密着層１２上に積層された遮蔽層１３とを備えている。遮蔽層１３は、密着層１２上に形成される再配線層３０を保護する。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板形成用基板およびその製造方法、配線基板およびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法に関する。

近年、ウェハーから切り出した半導体チップをシリコンインターポーザーを介さずにパッケージ化するＷＬ−ＣＳＰ（Wafer level Chip Size Package）がマルチチップ実装による基板実装面積の削減や低背化の観点からも注目されている。ＷＬ−ＣＳＰでは、半導体回路が形成された個片チップの表面側に、再配線層及び接続電極を設けてモールド樹脂等で封止し、封止後のモールドウェーハ（ＷＬ−ＣＳＰ基板）を切削等の方法で分割する。このＷＬ−ＣＳＰは、分割されたチップの大きさがそのままパッケージの大きさになるので、信号遅延の低減やパッケージの小型化・薄型化に有用である。

このようなＷＬ−ＣＳＰを作製する方法として、まず半導体素子を実装し、これをモールド樹脂によって封止した後、再配線層（Re-Distribution Layer）を形成する方法（Chip first法）が知られている。また、他の方法として、予め再配線層を形成した後、この再配線層が形成された部位に半導体素子をアライメント実装してモールディングする方法（RDL first法）が知られている。

上述したChip first法を用いた場合、半導体素子を搭載するチップマウンターの搭載位置精度やモールド樹脂の硬化収縮等の原因により、半導体素子と再配線層との相対位置がずれてしまうおそれがある。このため、再配線層を形成する際、例えばフォトリソ法によるマスク露光では複数チップを一括露光することが困難となり、半導体素子単位での逐次アライメント露光が必要となるため、歩留りや生産性が低下するおそれがある。また、電気的導通検査を再配線層形成後に実施するため、不良要因の切り分けや特定が困難である。

一方、RDL first法を用いた場合、高い精度が要求される再配線層を先に支持基材上に作製した後、チップマウンターによって半導体素子を搭載し、半導体素子をはんだリフローなどにより固定した後にこれを樹脂によって封止する。このため、その位置精度が許容範囲であれば上記のような制約が緩和される。この場合、支持基材と再配線層とが例えば発泡型の接着フィルム等によって仮接着されており、樹脂モールディング後に支持基材を再配線層から剥離する必要が生じる（例えば特許文献１参照）。再配線層を形成した後に導通検査を実施すれば、早期に不良を選別することが可能であり、再配線形成工程での歩留り悪化要因の特定にも寄与する。これによって高い付加価値の乗った半導体素子を不良箇所へ実装する確率を抑制でき、製品良品率が向上する。

しかしながら、支持基材と再配線層とが接着フィルムを介して貼り合わされている場合、再配線層を形成するプロセスに対する耐性が不足すると有機溶剤や酸・アルカリ処理液などによる侵食・腐食や剥がれが生じ、接着フィルムや接着剤が本来の機能を果たすことができないおそれがある。また、接着フィルムをレーザー光により加熱して除去する場合、レーザー光が再配線層にも照射されてしまうことにより、再配線層に悪影響が及ぼされるおそれがある。

特開２０１３−２５８２３８号公報

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、配線基板や半導体装置を製造する際、再配線層に悪影響が及ぼされることを防止することが可能な、配線基板形成用基板およびその製造方法、配線基板およびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、配線基板を形成するための配線基板形成用基板であって、支持基材と、前記支持基材上に積層された密着層と、前記密着層上に積層され、前記配線基板形成用基板上に形成される再配線層を保護する遮蔽層とを備えたことを特徴とする配線基板形成用基板である。

本発明は、前記配線基板形成用基板と、前記配線基板形成用基板上に形成された再配線層とを備え、前記再配線層は、絶縁性のパターン構造体と、前記パターン構造体に埋設された配線層とを含むことを特徴とする配線基板である。

本発明は、前記密着層は、前記支持基材上に直接積層された第１密着層と、前記第１密着層上に直接積層され、前記第１密着層と異なる材料からなる第２密着層とを有することを特徴とする配線基板形成用基板である。

本発明は、前記第１密着層は、特定の外的エネルギーを付与されることにより密着力が低下又は消失し、前記第２密着層は、前記第１密着層に前記外的エネルギーを付与された後も密着力が保持されることを特徴とする配線基板形成用基板である。

本発明は、前記密着層の周縁部の少なくとも一部は、前記支持基材の周縁部よりも内側に引っ込み、前記密着層の側面が前記遮蔽層によって覆われていることを特徴とする配線基板形成用基板である。

本発明は、配線基板を形成するための配線基板形成用基板を製造する、配線基板形成用基板の製造方法であって、支持基材を準備する工程と、前記支持基材上に密着層を積層する工程と、前記密着層上に、前記密着層上に形成される再配線層を保護する遮蔽層を積層する工程とを備えたことを特徴とする配線基板形成用基板の製造方法である。

本発明は、前記密着層を積層する工程は、前記支持基材上に第１密着層を直接積層する工程と、前記第１密着層上に、前記第１密着層と異なる材料からなる第２密着層を直接積層する工程とを有することを特徴とする配線基板形成用基板の製造方法である。

本発明は、前記第１密着層は、特定の外的エネルギーを付与されることにより密着力が低下又は消失し、前記第２密着層は、前記第１密着層に前記外的エネルギーを付与された後も密着力が保持されることを特徴とする配線基板形成用基板の製造方法である。

本発明は、前記密着層を積層する工程において、前記密着層の周縁部の少なくとも一部は、前記支持基材の周縁部よりも内側に引っ込んで形成され、前記遮蔽層を積層する工程において、前記密着層の側面が前記遮蔽層によって覆われることを特徴とする配線基板形成用基板の製造方法である。

本発明は、前記遮蔽層は、金属層からなることを特徴とする配線基板形成用基板の製造方法である。

本発明は、前記金属層は、クロム、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン、ベリリウム、ロジウム、ルテニウムのいずれか又はこれらのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする配線基板形成用基板の製造方法である。

本発明は、前記配線基板形成用基板を準備する工程と、前記配線基板形成用基板上に再配線層を形成する工程とを備え、前記再配線層は、絶縁性のパターン構造体と、前記パターン構造体に埋設された配線層とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法である。

本発明は、前記配線基板を準備する工程と、前記配線基板の前記再配線層上に半導体素子を設ける工程と、前記半導体素子を封止樹脂によって封止する工程と、前記支持基材及び前記密着層を前記再配線層及び前記遮蔽層から剥離する工程と、前記遮蔽層を除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。

本発明は、前記支持基材および前記密着層を前記再配線層から剥離する工程は、前記密着層に対してレーザー光を照射する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。

本発明は、前記支持基材および前記密着層を前記再配線層から剥離する工程は、前記密着層を加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。

本発明によれば、配線基板や半導体装置を製造する際、再配線層に悪影響が及ぼされることを防止することができる。

図１は、本発明の一実施の形態による配線基板形成用基板を示す断面図である。 図２は、本発明の一実施の形態による配線基板を示す断面図である。 図３（ａ）−（ｄ）は、本発明の一実施の形態による配線基板形成用基板の製造方法を示す断面図である。 図４（ａ）−（ｂ）は、本発明の一実施の形態による配線基板の製造方法を示す断面図である。 図５（ａ）−（ｄ）は、再配線層を形成する工程の一部を示す断面図である。 図６（ａ）−（ｃ）は、再配線層を形成する工程の一部を示す断面図である。 図７（ａ）−（ｃ）は、再配線層を形成する工程の一部を示す断面図である。 図８（ａ）−（ｃ）は、再配線層を形成する工程の一部を示す断面図である。 図９（ａ）−（ｄ）は、本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。 図１０は、変形例（変形例１）による配線基板形成用基板を示す断面図である。 図１１は、変形例（変形例２）による配線基板形成用基板を示す断面図である。 図１２は、変形例（変形例３）による配線基板形成用基板を示す断面図である。 図１３は、変形例（変形例４）による配線基板形成用基板を示す断面図である。

以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図９を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

（配線基板形成用基板の構成）
まず、図１により、本実施の形態による配線基板形成用基板の概略について説明する。
図１は、本実施の形態による配線基板形成用基板を示す断面図である。

図１に示す配線基板形成用基板１０は、後述する配線基板２０（図２参照）を形成するためのものである。この配線基板形成用基板１０は、支持基材１１と、支持基材１１上に積層された密着層１２と、密着層１２上に積層された遮蔽層（保護層）１３とを備えている。

このうち支持基材１１は、配線基板形成用基板１０の全体を支持するものであり、平坦な板状の部材からなる。支持基材１１の材質は、密着層１２をレーザー光によって構造改質する場合には、レーザー光が透過可能な材料を用い、例えば、石英ガラス、アルミノホウ珪酸系ガラス、ソーダ石灰ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。支持基材１１の厚みは、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、２００μｍ以上１０ｍｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

密着層１２は、支持基材１１上に直接形成された平坦な層（接着層）からなる。密着層１２は、支持基材１１上に直接積層された第１密着層１２Ａと、第１密着層１２Ａ上に直接積層された第２密着層１２Ｂとを有する。密着層１２は、後述する配線基板２０の製造工程において、支持基材１１と再配線層３０とを密着させるとともに、その後の半導体装置７０の製造工程において、再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離されるものである。

第１密着層１２Ａおよび第２密着層１２Ｂは、互いに異なる材料からなっている。このうち第１密着層１２Ａは、特定の外的エネルギーを付与されることにより密着力が低下又は消失するとともに、支持基材１１の材料（例えばガラス）との密着性が良好なものが用いられる。第１密着層１２Ａとしては、例えば、エキシマレーザーなどの特定波長（例えば３０８ｎｍ）を吸収するような特性を有するアモルファスシリコンや剥離材料（例えばBrewer Science, Inc.社製BREWER BONDシリーズ）を用いることができる。第１密着層１２Ａの厚みは、例えば、１０ｎｍ以上５μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

第２密着層１２Ｂは、第１密着層１２Ａとは異なり、第１密着層１２Ａに外的エネルギーを付与された後も密着力が保持されるものが用いられる。第２密着層１２Ｂとしては、例えば、アクリル系有機溶剤又はリモネン等に溶解する接着剤（具体的には、東京応化工業（株）製ＴＺＮＲ−Ａシリーズ（製品名））やBrewer Science, Inc.社製BREWER BONDシリーズ等を用いることができる。第２密着層１２Ｂの厚みは、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。

密着層１２は、面内のUniformityレンジが１０μｍ以下程度の平坦性を有していることが好ましい。これにより寸法精度の高い再配線パターンを形成することができるからである。

密着層１２としては、密着層１２が形成された密着層フィルムを用いて支持基材１１上に当該密着層１２を転写した転写層や、密着層１２を構成する各材料を支持基材１１上に塗布することにより形成された塗布層を用いることができる。

このうち、塗布層からなる密着層１２は、後述するように、支持基材１１上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものである。外周の隆起部や裏面回りした塗料はＥＢＲ（エッジビードリムーブ）などで除去しても良い。このため塗布層からなる密着層１２は、全体として平坦性を高めることが可能となり、面内の凹凸の最も高い箇所と低い箇所との差であるUniformityレンジが１０μｍ以下程度の平坦性を確実に得ることができるため好ましい。これにより寸法精度の高い再配線パターンを形成することが可能となる。

なお、密着層１２は、必ずしも２つの層（第１密着層１２Ａ及び第２密着層１２Ｂ）を有していなくても良く、支持基材１１および遮蔽層１３との密着性を有する１層のみからなっていても良い。

支持基材１１上の平坦性は露光工程での焦点深度や半導体チップ実装での接続信頼性に影響するため、工程間で極力平坦な状態を維持することが望ましい。但し、樹脂の硬化収縮量や線膨張係数の違いによって応力が生じ、支持基材１１を含む構造物全体の変形となって発現するため平坦度の管理が重要である。必要に応じて応力緩和層などを設けて残留応力などを吸収する方法などがとられる。平坦度の測定方法の一例としては平坦な定盤上に基材を設置し、基材を真空吸着した後に吸着を解除してフリー状態とする。定盤の温度と基板の温度がほぼ一定となった状態で定盤を平坦基準とした基材の高さ方向の変位量を任意方向でスキャン測定する。測定装置としては特に限定されるものではなく、例えばレーザー変位計による反射界面からの算出や顕微側長機のフォーカス位置におけるＺ軸座標情報から算出するなどの方法が挙げられる。測定ピッチは任意で例えば１ｍｍピッチで逐次測定する。これらの測定値から幅方向での変位をレンジ５μｍ以内とすることが望ましい。

遮蔽層１３は、配線基板形成用基板１０上に形成される再配線層３０を保護するためのものである。具体的には、遮蔽層１３は、後述する半導体装置７０の製造工程において、パターン構造体３１を形成するレジスト材料と密着層１２とを分離し、レジスト材料と密着層１２とが相溶することによる相互汚染を防止すると共に、密着層１２をレーザー光によって改質する際、レーザー光を反射させることにより、密着層１２で吸収されずに透過したレーザー光より再配線層３０を保護する役割を果たす。すなわち遮蔽層１３は、レーザー照射に対し再配線層３０にダメージを与えず密着層１２を改質することができる性質を有している。密着層１２の改質に用いられるレーザーとしては、エキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、３０８ｎｍ）やＹＡＧレーザー（波長１０６４ｎｍ、５３２ｎｍ、３５５ｎｍ）、ＣＯ_２レーザー（波長１０６４０ｎｍ）が挙げられる。このため遮蔽層１３は、密着層１２の改質に用いられるレーザーに対する反射性を有することが好ましい。特に、エキシマレーザーまたはＹＡＧレーザー、ＣＯ_２レーザーに対する反射性を有することが好ましい。あるいは、遮蔽層１３は、半導体装置７０の製造工程において、密着層１２を改質した際、密着層１２側からのガスを遮蔽し、再配線層３０の配線層３２や電極が酸化したり、再配線層３０内に熱拡散が生じたりすることを防止する役割を果たす。このため、遮蔽層１３は、上述したレーザー光の反射性や、密着層１２側からのガスの遮蔽性が良好なものが用いられる。

このような遮蔽層１３は、後述するように、密着層１２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成されたものである。遮蔽層１３は、例えば、使用するレーザーの波長に対して光学濃度（ＯＤ）が２以上、好ましくは３以上の層とすることができる。また、遮蔽層１３は、再配線層３０の配線層３２（例えばめっき銅やアルミ）に対して選択エッチング性があるものが好ましい。すなわち、遮蔽層１３の材質としては、遮蔽層１３を除去する際に用いるエッチング液に対して、遮蔽層１３の溶解性が配線層３２の溶解性より高い材質が好ましく、なかでも遮蔽層１３は可溶であり配線層３２は不溶となる材質が好ましい。遮蔽層１３の材質は、例えば、クロム、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、パラジウム、銅、ニッケル、タングステン、ベリリウム、ロジウム、ルテニウム又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金等の金属材料を挙げることができる。遮蔽層１３の厚みは、光学濃度が２以上となるように適宜設定することができ、例えば、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下程度が好ましい。

遮蔽層１３が金属層からなることにより、半導体装置７０の製造工程において、密着層１２に対してレーザー光を照射する際、レーザー光から再配線層３０を保護することができるので、工程歩留まりを向上させることができる。また、遮蔽層１３上に再配線層３０を形成する工程において、密着層１２を保護し、その表面１２ａ又は側面１２ｂから有機溶剤や酸性又はアルカリ性溶液などが浸入することによって密着層１２にダメージが生じることがなく、半導体装置７０の製造工程の歩留まりを向上させることができる。さらに、遮蔽層１３が金属層からなることにより、遮蔽層１３のレーザー光に対する反射率が全反射に近い状態に高められている。このため、遮蔽層１３を薄く形成することができる。さらに、遮蔽層１３が金属層からなることにより、遮蔽層１３の平坦性を確保することができるので、その上に形成される再配線層３０の平坦性も高めることができる。

また上記のような遮蔽層１３のシート抵抗値を下げる目的で、より抵抗値の低い膜である中間遮蔽層（中間保護層）を、密着層１２と遮蔽層１３との間に設けてもよい。これによって遮蔽層１３と中間遮蔽層とが見かけ上の並列抵抗の回路を形成し、中間遮蔽層側から電圧を印加することで遮蔽層１３及び中間遮蔽層の抵抗値を大幅に低下させることができる（下記式参照）。
１／抵抗値＝（１／遮蔽層１３の抵抗値＋１／中間遮蔽層の抵抗値）

また、遮蔽層１３と配線層３２の材料の組み合わせとしては、配線層３２は電気特性から銅が好ましく、遮蔽層１３は選択エッチング性のあるモリブデン、チタン、ニッケルのいずれか又はこれらの金属を含む合金からなる金属材料であることが好ましい。

本実施の形態において、図１に示すように、密着層１２の周縁部１２ｅは、支持基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込んでいる。すなわち、密着層１２の平面形状は、全周にわたって支持基材１１の平面形状よりも小さくなっている。密着層１２の周縁部１２ｅが支持基材１１の周縁部１１ｅよりもオフセットしている距離ｄは、例えば１０μｍ以上１０ｍｍ以下としても良い。遮蔽層１３は、密着層１２の表面１２ａから、密着層１２の側面１２ｂを介して、密着層１２に覆われていない支持基材１１の表面１１ａまで、連続的に延びている。したがって、遮蔽層１３は、密着層１２の表面１２ａだけでなく密着層１２の側面１２ｂも覆っている。これにより、遮蔽層１３上に再配線層３０を形成する工程において、密着層１２が、その側面１２ｂから有機溶剤や酸性又はアルカリ性溶液などが浸入することによってダメージを受けるおそれがなく、密着層１２が有機溶剤等の侵食によって剥がれる等の不具合を防止することができる。

（配線基板の構成）
次に、図２により、本実施の形態による配線基板の概略について説明する。図２は、本実施の形態による配線基板を示す断面図である。

図２に示す配線基板２０は、上述した配線基板形成用基板１０と、配線基板形成用基板１０上に形成された再配線層３０とを備えている。

このうち配線基板形成用基板１０は、図１に示す構成と略同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。

再配線層３０は、遮蔽層１３上に形成されたパターン構造体３１と、パターン構造体３１に埋設された配線層３２とを有している。また、パターン構造体３１内であって、遮蔽層１３上には接続導体層３７が形成されている。この接続導体層３７は、配線層３２と同一材料から構成され、配線層３２に接続されている。

パターン構造体３１は、ノボラック系エポキシフェノール系樹脂からなる硬化性樹脂を含み、この硬化性樹脂は、一般に主剤、構造中にアンチモンを含むような光酸発生剤またはフェノールやフェノール系エステル、シアネート系エステルの硬化剤、開始剤、架橋剤などにより構成される（具体的には、日本化薬株式会社製 ＳＵ−８シリーズなどが挙げられる）。また、硬化性樹脂には、必要に応じてレベリング剤や離型剤や密着剤が含有されていても良い。本実施の形態で使用する硬化性樹脂には特に制限はなく、公知の硬化性樹脂からパターン構造体３１の用途、要求される特性、物性等に応じて適宜選択することができる。パターン構造体３１の厚みは、例えば、３μｍ以上５０μｍ以下程度が好ましい。図２において、パターン構造体３１は、密着層１２の側面１２ｂには設けられていないが、これに限らず、パターン構造体３１が密着層１２の側面１２ｂを覆っていても良い。

配線層３２は、配線３３と、パッド部３４と、このパッド部３４に接続された層間接続ビア３５とを有している。パッド部３４と層間接続ビア３５とは、いずれも同一材料から構成されており、互いに一体化されている。配線層３２は、例えば、銅、ニッケル、ニッケルクロム合金等、導電性の良好な金属材料からなることが好ましい。

本実施の形態では、配線層３２が多層に形成されている。図２において、パターン構造体３１Ａに配設された配線層３２Ａと、パターン構造体３１Ｂに配設された配線層３２Ｂとからなる２層の配線層３２を形成した例を示している。すなわち、配線基板形成用基板１０上には、２層構造からなる多層配線構造体３６が形成されている。

（配線基板形成用基板の製造方法）
次に、図３（ａ）−（ｄ）により、本実施の形態による配線基板形成用基板の製造方法について説明する。図３（ａ）−（ｄ）は、本実施の形態による配線基板形成用基板の製造方法を示す断面図である。

まず、図３（ａ）に示すように、平坦な板状の部材からなる支持基材１１を準備する。この支持基材１１としては、例えば、石英ガラス、アルミノホウ珪酸系ガラス、ソーダ石灰ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。

次に、図３（ｂ）に示すように、支持基材１１上に第１密着層１２Ａを直接積層して形成する。第１密着層１２Ａの材料としては、改質されることにより密着力が低下または消失するものが用いられる。例えば、第１密着層１２Ａの材料は、エキシマレーザーなどの特定波長（例えば波長３０８ｎｍ）を吸収するような特性を有するアモルファスシリコンや剥離材料などの材料を用いることができる。

次に、図３（ｃ）に示すように、第１密着層１２Ａ上に第２密着層１２Ｂを直接積層して形成する。第２密着層１２Ｂの材料としては、第１密着層１２Ａの改質後も密着力が保持するものが用いられる。例えば、第２密着層１２Ｂの材料は、シリコーン系接着剤であっても良い。例えば、第２密着層１２Ｂの材料は、アクリル系有機溶剤に溶解する接着剤であっても良く、専用の溶解除去液によって除去が可能なものなどが用いられる。

このようにして、支持基材１１上に、第１密着層１２Ａと第２密着層１２Ｂとからなる密着層１２が形成される。なお、第１密着層１２Ａ及び第２密着層１２Ｂを形成する際、第１密着層１２Ａ及び第２密着層１２Ｂは、その周縁部１２ｅが支持基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込むように形成されることが好ましい（図１参照）。

第１密着層１２Ａ及び第２密着層１２Ｂは、それぞれダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法とＥＢＲ（エッジリムーブ）法との組合せ等の手法により形成される。外周の隆起部や裏面回りした塗料はＥＢＲ（エッジビードリムーブ）などで除去しても良い。このため、支持基材１１上に発泡型の接着フィルム、テープ等を貼着する場合と比べて、フィルム、テープ等にうねりや接着剤等の厚みムラが生じるおそれがなく、密着層１２の平坦性を高めることができる。

続いて、図３（ｄ）に示すように、第２密着層１２Ｂ上に遮蔽層１３を積層する。遮蔽層１３は、後工程で配線基板形成用基板１０上に形成される再配線層３０を保護するためのものである。遮蔽層１３の材料としては、レーザー光の反射性や密着層１２側からのガスの遮蔽性が良好なものが用いられる。具体的には、遮蔽層１３の材料は、例えばクロム、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン、ベリリウム、ロジウム、ルテニウムのいずれか又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金等の金属材料であっても良い。遮蔽層１３は、密着層１２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。このため、薄膜状の遮蔽層１３を均一かつ平坦に形成することができる。なお、遮蔽層１３を形成する際、遮蔽層１３は、密着層１２の表面１２ａに加えて、密着層１２の側面１２ｂも覆うように設けられることが好ましい（図１参照）。

このようにして、図１に示す配線基板形成用基板１０が得られる。

（配線基板の製造方法）
次に、図４（ａ）−（ｂ）により、本実施の形態による配線基板の製造方法について説明する。図４（ａ）−（ｂ）は、本実施の形態による配線基板の製造方法を示す断面図である。

まず、例えば図３（ａ）−（ｄ）に示す方法により、配線基板形成用基板１０を作製する（図４（ａ））。

次に、配線基板形成用基板１０上に再配線層３０を形成する（図４（ｂ））。再配線層３０は、遮蔽層１３上に形成されたパターン構造体３１と、パターン構造体３１に埋設された配線層３２とを有している。この場合、再配線層３０は、配線基板形成用基板１０上に形成された２層構造からなる多層配線構造体３６を含んでいる。再配線層３０は、例えばインプリント法によって形成される。このようにして、配線基板形成用基板１０と、配線基板形成用基板１０上に形成された多層配線構造体３６を含む再配線層３０とを備えた配線基板２０が得られる。

続いて、図５乃至図８により、このように再配線層３０をインプリント法によって形成する方法について詳細に説明する。なお、再配線層３０の形成方法はインプリント法に限定されるものではなく、例えばセミアディティブ法などで形成しても良く、感光性フォトレジストと露光現像装置（ステッパー露光装置やレーザー直描装置）を用いたフォトリソ法、熱硬化型レジストのレーザー穴開け加工（ＵＶ−ＹＡＧやＣＯ２レーザーなど）を適宜組み合わせて形成しても良い。

まず、転写基材となる配線基板形成用基板１０上に光硬化性絶縁レジスト４１を供給する（図５（ａ））。配線基板形成用基板１０は、上述したように、支持基材１１と密着層１２と遮蔽層１３とを備えている。なお、図５乃至図８においては、支持基材１１、密着層１２及び遮蔽層１３の図示を省略している。

次に、インプリント用のモールド６０を準備し（図５（ｂ））、このモールド６０と配線基板形成用基板１０とを近接させて、モールド６０と配線基板形成用基板１０との間に光硬化性絶縁レジスト４１を展開して光硬化性絶縁レジスト層４２を形成する（図５（ｃ））。なお、再配線層３０をインプリント法によって形成する場合、光硬化性絶縁レジスト４１は、例えばエポキシ系樹脂等の有機樹脂のみからなり、フィラー又はガラスクロスを含まないことが好ましい。光硬化性絶縁レジスト４１がフィラー又はガラスクロスを含まないことにより、光硬化性絶縁レジスト４１がモールド６０の凹凸部内に十分回り込まなくなる不具合を防止することができる。

次いで、モールド６０側から光照射を行い、光硬化性絶縁レジスト層４２を硬化させて絶縁材層４３とするとともに、モールド６０の遮光層６１と配線基板形成用基板１０との間に位置する光硬化性絶縁レジスト層４２を未硬化のまま残存させる（図５（ｄ））。

その後、絶縁材層４３および残存する光硬化性絶縁レジスト層４２からモールド６０を引き離す（図６（ａ））。

次いで、絶縁材層４３を現像することにより、残存する光硬化性絶縁レジスト層４２を除去する（図６（ｂ））。これにより、凹部４５と、この凹部４５内に位置する層間接続ビア形成用の貫通孔４６とを有する絶縁性のパターン構造前駆体４４が、配線基板形成用基板１０上に形成される。

その後、パターン構造前駆体４４にポストベーク処理を施して、パターン構造体３１を得る（図６（ｃ））。貫通孔４６の底部にスカム（レジスト残渣）などがある場合は酸素プラズマ処理や過マンガン酸を含む溶液などでスカム除去が実施される。

次に、パターン構造体３１に導体バリア層４７を形成する（図７（ａ））。なお、図示例では、導体バリア層４７を太線で示している。この導体バリア層４７は、後工程にて形成する導体層の成分が絶縁性のパターン構造体３１に拡散することを防止するものである。導体バリア層４７は、例えば、ＴｉＮ等のチタン化合物、タングステン合金、モリブデン合金、ＳｉＮ等の珪素化合物、ＮｉＰ等のニッケル化合物、ＣｏＷＰ等のコバルト化合物、ＴａＮ等のタンタル化合物等、表面抵抗が数十Ω／□以上となる材料であってよく、スパッタリング法等の公知の真空成膜法により厚み１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で形成することができる。

次いで、導体バリア層４７上にシード電極層４８を形成する（図７（ｂ））。このシード電極層４８は、例えば、銅、ニッケル、ニッケルクロム合金等、表面抵抗が１Ω／□以下となる材料が好ましく、スパッタリング法等の公知の真空成膜法により厚み１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲で形成することができる。

次に、シード電極層４８上に電解めっきにより導体を被着して、凹部４５と、このパッド部形成用の凹部４５内に位置する層間接続ビア形成用の貫通孔４６とを埋めるように導体層４９を形成する（図７（ｃ））。この導体層４９は、配線構造体を構成する配線、層間接続ビアを形成するものであり、例えば、銅、ニッケル、ニッケルクロム合金等、表面抵抗が１Ω／□以下となる材料が好ましい。このような導体層４９は、パターン構造体３１よりも数μｍ程度厚くなるように形成することができる。

次いで、導体層４９及びシード電極層４８を平面研磨して、パターン構造体３１の凹部４５と、凹部４５内に位置する層間接続ビア形成用の貫通孔４６とに導体層４９及びシード電極層４８を残す（図８（ａ））。導体層４９及びシード電極層４８の研磨は、例えば、導体バリア層４７を研磨のストッパーとして、チタン、タングステン、モリブデン等のモース硬度の高い金属またはそれらのいずれか１種を含む硬さに優れた合金化合物を用いて行うことができる。

その後、さらに、露出する導体バリア層４７を除去する（図８（ｂ））。導体バリア層４７は、フラッシュエッチング法により除去することができる。この際、必要に応じて樹脂表面の粗化や金属表面の改質などの密着向上処理を施しても良い。

以上の一連の工程により、配線基板形成用基板１０上に１層の配線層３２を形成することができる。このように配線基板形成用基板１０上に形成されたパターン構造体３１と、パターン構造体３１に埋設された配線層３２とにより、配線構造体３６Ａが得られる。配線層３２は、配線３３と、パッド部３４と、このパッド部３４に接続した層間接続ビア３５とを有している。

このように、再配線層３０をインプリント法によって形成することにより、パッド部３４と層間接続ビア３５との間に境界線が生じることなく、パッド部３４と層間接続ビア３５とを一体に形成することができる。これにより、例えばフォトリソグラフィ法によりランド部とビアとを別々に形成する場合と比較して、工程を短縮し、再配線層３０の製造コストを低減することができる。また、図示していないが、インプリント法を用いることにより、パッド部３４の平面形状（幅）を層間接続ビア３５の平面形状（幅）と同一にすることも可能であり、この場合、パッド部３４をより高密度に配置することができる。さらに、インプリント法を用いることにより、配線層をエッチングする工程を設ける必要がないため、遮蔽層１３の材料として、配線層３２の材料（例えば銅）よりも溶解性の高い材料（例えば、上述したクロム、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、パラジウム、銅、ニッケル、タングステン、ベリリウム、ロジウム、ルテニウム等の金属材料）を用いることができる。

また上記においては、導体層４９を電解めっきにより形成する場合を例にとって説明したが、これに限らず、導体層４９を導電性ペーストによって形成することもできる。この場合、再配線層３０の製造コストを低減することができる。

本実施の形態では、上記の一連の工程を所望の回数繰り返すことにより、所望の配線層を多層に形成することができる。図８（ｃ）は、上記の一連の工程を２回繰り返すことにより、パターン構造体３１Ａに配設された配線層３２Ａと、パターン構造体３１Ｂに配設された配線層３２Ｂとからなる２層の配線層３２を形成した例を示している。これにより、配線基板形成用基板１０上に２層構造の多層配線構造体３６が得られる。このようにして、配線基板形成用基板１０と、配線基板形成用基板１０上に形成された多層配線構造体３６を含む再配線層３０とを備えた配線基板２０が作製される。

ところで、本実施の形態においては、上述したように、密着層１２の周縁部１２ｅは、支持基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込み、密着層１２の側面が遮蔽層１３によって覆われている（図１及び図２参照）。これにより、再配線層３０を形成する際に用いられる有機溶剤や酸又はアルカリ溶液等が密着層１２に接触することがない。この結果、密着層１２が有機溶剤等によって損傷されることが防止され、密着層１２が剥がれてしまう不具合を防止することができる。

（半導体装置の製造方法）
次に、図９（ａ）−（ｄ）により、本実施の形態による半導体装置の製造方法について説明する。図９（ａ）−（ｄ）は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。

まず、例えば図３乃至図８に示す方法により、配線基板形成用基板１０と、配線基板形成用基板１０上に形成された再配線層３０とを備えた配線基板２０を作製する。

次に、図９（ａ）に示すように、配線基板２０の再配線層３０上に半導体素子７１を設け、その後、半導体素子７１を封止樹脂７２によって封止する。半導体素子７１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。半導体素子７１は、１個に限らず、複数個設けても良い。また、封止樹脂７２としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等にフェノールなどの硬化剤を加えた熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂７２の線膨張係数を半導体素子７１に近付ける目的で粒子フィラー（ＳｉＯ_２等）等を添加しても良い。また、封止樹脂７２の成型充填性を良化させる目的で小径フィラーの添加が適しており、平均粒子径がφ０．１μｍ〜φ５０μｍ好ましくはφ１０μｍ以下のものを選択すると良い（具体的には、長瀬ケムテックス株式会社製 圧縮成型用液状材料 Ｔ６９３／Ｒ４０００ｓｅｒｉｅｓなど）。

続いて、図９（ｂ）に示すように、支持基材１１及び密着層１２を再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離する。このとき、支持基材１１側からエキシマレーザー（波長２４８ｎｍまたは３０８ｎｍ）やＹＡＧレーザー等のレーザー光Ｌを照射することにより、レーザー光Ｌが透明な支持基材１１を透過して密着層１２に到達する。上述したように、密着層１２のうち第１密着層１２Ａは、改質されることにより密着力が低下又は消失する。このため、レーザー光Ｌによって改質されることにより、第１密着層１２Ａの密着力が低下又は消失し、第１密着層１２Ａは、第２密着層１２Ｂ、再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離する。これに対して、第２密着層１２Ｂは密着力を保持し、遮蔽層１３を介して再配線層３０に接着されている。なお、第１密着層１２Ａを改質するとは、レーザー光Ｌの照射や加熱等の外的エネルギーを付与することにより、第１密着層１２Ａが機械的に破壊される場合や、第１密着層１２Ａに分子構造の変化が生じる場合を含む。具体的には、第１密着層１２Ａが光や熱によって硬化して寸法が縮むことにより、第１密着層１２Ａの密着力が低下したり、あるいは第１密着層１２Ａの表面の官能基が破壊されることにより、第１密着層１２Ａの密着力が低下したりする場合を含む。

一方、密着層１２の面のうち支持基材１１の反対側の面には、遮蔽層１３が設けられている。このため、密着層１２を透過したレーザー光Ｌは、遮蔽層１３によって反射されて、支持基材１１側に戻される。したがって、レーザー光Ｌが再配線層３０まで達することがなく、密着層１２を透過したレーザー光Ｌが再配線層３０に悪影響を及ぼすことはない。なお、遮蔽層１３は、再配線層３０に密着した状態を維持する。

なお、上記において、レーザー光Ｌによって密着層１２を改質しているが、これに限られるものではない。例えば、ホットプレート又は焼成炉等の加熱装置を用いて密着層１２を加熱することにより改質し、支持基材１１及び密着層１２を再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離しても良い。この場合、遮蔽層１３が、加熱時に密着層１２側から生じたガスを遮蔽するので、再配線層３０の配線層３２等に成分溶出・熱拡散等の不具合が生じることが防止される。

次いで、図９（ｃ）に示すように、遮蔽層１３上の密着層１２Ａの残渣及び１２Ｂを溶解除去液によって除去し、その後例えばフラッシュエッチング等の選択エッチング法により、再配線層３０から遮蔽層１３を除去する。

次に、図９（ｄ）に示すように、再配線層３０から露出する配線層３２上にニッケル層７３、金層７４を順次設けるとともに、このニッケル層７３、金層７４を露出するようにソルダーレジスト７５を配設する。その後、各金層７４上にそれぞれはんだボール７６を設けることにより、半導体装置７０が得られる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、配線基板形成用基板１０は、支持基材１１と、支持基材１１上に積層された密着層１２と、密着層１２上に積層された遮蔽層１３を有している。これにより、半導体装置７０の製造工程において、密着層１２をレーザー光によって加熱する際、レーザー光から再配線層３０を保護することができる。あるいは、半導体装置７０の製造工程において、密着層１２を加熱した際、密着層１２側からのガスを遮蔽し、再配線層３０を保護することができる。

また、本実施の形態によれば、密着層１２は、支持基材１１上に直接積層された第１密着層１２Ａと、第１密着層１２Ａ上に直接積層され、第１密着層１２Ａと異なる材料からなる第２密着層１２Ｂとを有している。これにより、異なる特性を持つ第１密着層１２Ａと第２密着層１２Ｂとを積層し、例えば第１密着層１２Ａ及び第２密着層１２Ｂとして、それぞれ支持基材１１及び遮蔽層１３との密着性が良好なものを選択することができる。

また、本実施の形態によれば、第１密着層１２Ａは、特定の外的エネルギーを付与されることにより密着力が低下又は消失し、第２密着層１２Ｂは、第１密着層に外的エネルギーを付与された後も密着力が保持される。これにより、半導体装置７０の製造工程において、支持基材１１と再配線層３０とを確実に剥離することができるとともに、第２密着層１２Ｂを逐次溶解除去液などで溶解処理することにより再配線層３０側への残存量を減少させることができ、遮蔽層１３のフラッシュエッチングによる除去を容易にする。

また、本実施の形態によれば、密着層１２の周縁部１２ｅは、支持基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込み、密着層１２の側面１２ｂが遮蔽層１３によって覆われている。これにより、再配線層３０を形成する工程において、密着層１２が、洗浄、現像やめっき工程にてその側面１２ｂから浸入する有機溶剤や酸性又はアルカリ性溶液などによってダメージを受けることで本来の期待される密着機能を満たさなくなることを防止することができる。

（変形例）
次に、本実施の形態の変形例について説明する。図１０乃至図１３は、配線基板形成用基板の各種変形例（変形例１乃至変形例４）を示す概略断面図である。図１０乃至図１３において、図１乃至図９に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

（変形例１）
図１０は、配線基板形成用基板の変形例（変形例１）を示す断面図である。図１０に示す配線基板形成用基板１０Ａにおいて、密着層１２の第１密着層１２Ａは、支持基材１１の全面にわたって設けられている。一方、第２密着層１２Ｂの周縁部１２ｆは、支持基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込んでいる。遮蔽層１３は、密着層１２の表面１２ａから、第２密着層１２Ｂの側面１２ｇを介して、第２密着層１２Ｂに覆われていない第１密着層１２Ａの表面１２ｈまで、連続的に延びている。このように、密着層１２の周縁部の一部（例えば密着層１２を構成する層のうち１層）のみが支持基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込んでいても良い。例えば、第１密着層１２Ａが有機溶剤や酸性又はアルカリ性溶液に対する耐性を有している場合には、図１０に示す構成を用いても良い。
この場合、第２密着層１２Ｂの側面１２ｇを有機溶剤や酸性又はアルカリ性溶液から保護することができる。

（変形例２）
図１１は、配線基板形成用基板の変形例（変形例２）を示す断面図である。図１１に示す配線基板形成用基板１０Ｂにおいて、密着層１２が、１層の第１密着層１２Ａのみから構成されている。すなわち、支持基材１１上に第１密着層１２Ａが直接積層され、第１密着層１２Ａ上に遮蔽層１３が直接積層されている。この場合、配線基板形成用基板１０Ｂの層構成を簡単なものとすることができる。

（変形例３）
図１２は、配線基板形成用基板の変形例（変形例３）を示す断面図である。図１２に示す配線基板形成用基板１０Ｃにおいて、第２密着層１２Ｂが支持基材１１側に設けられ、第１密着層１２Ａが遮蔽層１３側に設けられている。すなわち、支持基材１１上に第２密着層１２Ｂが直接積層され、第２密着層１２Ｂ上に第１密着層１２Ａが直接積層され、第１密着層１２Ａ上に遮蔽層１３が直接積層されている。この場合、支持基材１１及び密着層１２を再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離する工程で（図９（ｂ））、改質された第１密着層１２Ａを第２密着層１２Ｂに絡め取らせ、遮蔽層１３上に付着した第１密着層１２Ａの残渣を酸化プラズマまたはピラニア洗浄、ＲＣＡ洗浄などで除去した後、フラッシュエッチングで遮蔽層１３を除去することができる。

（変形例４）
図１３は、配線基板形成用基板の変形例（変形例４）を示す断面図である。図１３に示す配線基板形成用基板１０Ｄにおいて、第２密着層１２Ｂが支持基材１１側に設けられ、第１密着層１２Ａが遮蔽層１３側に設けられている。また図１３において、支持基材１１上に第２密着層１２Ｂが直接積層され、第２密着層１２Ｂの周縁部１２ｆは、支持基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込んでいる。第１密着層１２Ａは、第２密着層１２Ｂの表面から、第２密着層１２Ｂの側面１２ｇを介して、第２密着層１２Ｂに覆われていない支持基材１１の表面１１ａまで連続的に延びている。遮蔽層１３は、第１密着層１２Ａの全域を覆っている。

配線基板形成用基板１０Ｄを作製する場合、支持基材１１上に第２密着層１２Ｂを形成し、その後、ＥＢＲ（エッジリムーブ）法によって支持基材１１の周縁や裏面に存在する第２密着層１２Ｂを除去する。その後、第２密着層１２Ｂ上に例えばプラズマＣＶＤ法により第１密着層１２Ａを成膜し、第１密着層１２Ａ上に遮蔽層１３を形成する。なお、支持基材１１及び密着層１２を再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離する際には（図９（ｂ））、改質された第１密着層１２Ａを第２密着層１２Ｂに絡め取らせ、遮蔽層１３上に付着した第１密着層１２Ａの残渣を酸化プラズマまたは酸化ソルベントストリッピング（オゾンプラズマ、ピラニア洗浄、ＲＣＡ洗浄）などで除去した後、フラッシュエッチングで遮蔽層１３を除去することができる。

上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

１０ 配線基板形成用基板
１１ 支持基材
１２ 密着層
１２Ａ 第１密着層
１２Ｂ 第２密着層
１３ 遮蔽層
２０ 配線基板
３０ 再配線層
３１ パターン構造体
３２ 配線層
３３ 配線
３４ パッド部
３５ 層間接続ビア
３６ 多層配線構造体
３７ 接続導体層
７０ 半導体装置

Claims (15)

1. 配線基板を形成するための配線基板形成用基板であって、
   支持基材と、
   前記支持基材上に積層された密着層と、
   前記密着層上に積層され、前記配線基板形成用基板上に形成される再配線層を保護する遮蔽層とを備えたことを特徴とする配線基板形成用基板。
2. 請求項１記載の配線基板形成用基板と、
   前記配線基板形成用基板上に形成された再配線層とを備え、
   前記再配線層は、絶縁性のパターン構造体と、前記パターン構造体に埋設された配線層とを含むことを特徴とする配線基板。
3. 前記密着層は、前記支持基材上に直接積層された第１密着層と、前記第１密着層上に直接積層され、前記第１密着層と異なる材料からなる第２密着層とを有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板形成用基板。
4. 前記第１密着層は、特定の外的エネルギーを付与されることにより密着力が低下又は消失し、前記第２密着層は、前記第１密着層に前記外的エネルギーを付与された後も密着力が保持されることを特徴とする請求項３に記載の配線基板形成用基板。
5. 前記密着層の周縁部の少なくとも一部は、前記支持基材の周縁部よりも内側に引っ込み、前記密着層の側面が前記遮蔽層によって覆われていることを特徴とする請求項１、３又は４に記載の配線基板形成用基板。
6. 前記遮蔽層は、金属層からなることを特徴とする請求項１、３乃至５のいずれか一項に記載の配線基板形成用基板。
7. 前記金属層は、クロム、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン、ベリリウム、ロジウム、ルテニウムのいずれか又はこれらのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項６に記載の配線基板形成用基板。
8. 配線基板を形成するための配線基板形成用基板を製造する、配線基板形成用基板の製造方法であって、
   支持基材を準備する工程と、
   前記支持基材上に密着層を積層する工程と、
   前記密着層上に、前記密着層上に形成される再配線層を保護する遮蔽層を積層する工程とを備えたことを特徴とする配線基板形成用基板の製造方法。
9. 前記密着層を積層する工程は、前記支持基材上に第１密着層を直接積層する工程と、前記第１密着層上に、前記第１密着層と異なる材料からなる第２密着層を直接積層する工程とを有することを特徴とする請求項８に記載の配線基板形成用基板の製造方法。
10. 前記第１密着層は、特定の外的エネルギーを付与されることにより密着力が低下又は消失し、前記第２密着層は、前記第１密着層に前記外的エネルギーを付与された後も密着力が保持されることを特徴とする請求項９に記載の配線基板形成用基板の製造方法。
11. 前記密着層を積層する工程において、前記密着層の周縁部の少なくとも一部は、前記支持基材の周縁部よりも内側に引っ込んで形成され、
    前記遮蔽層を積層する工程において、前記密着層の側面が前記遮蔽層によって覆われることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の配線基板形成用基板の製造方法。
12. 請求項１、３乃至７のいずれか一項に記載の配線基板形成用基板を準備する工程と、
    前記配線基板形成用基板上に再配線層を形成する工程とを備え、
    前記再配線層は、絶縁性のパターン構造体と、前記パターン構造体に埋設された配線層とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
13. 請求項２に記載の配線基板を準備する工程と、
    前記配線基板の前記再配線層上に半導体素子を設ける工程と、
    前記半導体素子を封止樹脂によって封止する工程と、
    前記支持基材及び前記密着層を前記再配線層及び前記遮蔽層から剥離する工程と、
    前記遮蔽層を除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
14. 前記支持基材および前記密着層を前記再配線層から剥離する工程は、前記密着層に対してレーザー光を照射する工程を含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
15. 前記支持基材および前記密着層を前記再配線層から剥離する工程は、前記密着層を改質する工程を含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。