JP2019165224A - 配線基板、及び配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
<配線基板の構成>
図1は、本開示の第1実施形態である配線基板100の部分側断面図である。配線基板100は、基板110と、導電層120と、第1樹脂層130と、電極140と、薄膜トランジスタ200と、を有する。
図2から図8は、配線基板100の製造方法を説明する図である。
<配線基板の構成>
図9は、本開示の第2実施形態である配線基板100Aの部分側断面図である。配線基板100Aは、基板110と、導電層120と、第1樹脂層130Aと、電極140と、第2樹脂層150と、遮光層160と、薄膜トランジスタ200とを有する。
図10から図14は、配線基板100Aの製造方法を説明する図である。
<配線基板の構成>
図16は、本開示の第3実施形態である配線基板100Bの部分側断面図である。配線基板100Bは、基板110と、導電層120と、第1樹脂層130Bと、電極140Bと、薄膜トランジスタ200と、を有する。第1樹脂層130Bは、貫通孔136ではなく、有底孔138を有する。有底孔138は、第1面132側に設けられ、底部1382を有する孔である。底部1382は、例えば、導電層120の上面からLの距離に位置する。電極140Bは、有底孔138に設けられ、第1面102と底部1382とを電気的に接続させる。電極140Bは、例えば銅(Cu)で形成されるが、銅以外の金属で形成されてもよい。また、電極140Bは、有底孔138の全体に設けられてもよいし、有底孔138の一部(例えば、側壁部)にのみ設けられていてもよい。薄膜トランジスタ200は、第1樹脂層130Bの上面に設けられ、電極140Bと電気的に接続する。
図17及び図18は、配線基板100Bの製造方法を説明する図である。
図20は、本開示の第4実施形態である配線基板100Cの部分側断面図である。配線基板100Cは、実質的に、第2実施形態の配線基板100Aと、第3実施形態の配線基板100Bとを組み合わせた構成に等しい。すなわち、配線基板100Cは、基板110と、導電層120と、第1樹脂層130Aと、電極140Bと、第2樹脂層150と、遮光層160と、薄膜トランジスタ200と、を有する。すなわち、配線基板100Cは、貫通孔136ではなく有底孔138を有し、かつ有底孔138に形成された電極140Bを有する点で、上述した第2実施形態の配線基板100Aとは相違する。
<配線基板の構成>
上記第1実施形態から第4実施形態まで、透光層の一例として導電層120を用いる例を示したが、本開示で使用し得る透光層は、導電性を有するものに限られない。例えば、配線基板が薄膜トランジスタ等の静電気に対して弱い電子デバイスではない電子デバイス(メモリ等)を搭載する場合や、電子デバイスを含まず、配線と樹脂層とを積層した配線層で構成される場合、支持基板から絶縁基板を剥離する際の静電破壊は問題とならない。この場合、透光層としては、導電性を有していない透光性物質、例えば、紫外光を含むレーザー光を透過する絶縁物であってもよい。このような絶縁物の例としては、アルミナ(Al2O3)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化マグネシウム(MgO)等の金属酸化物や、酸化シリコン(SiO)、窒化シリコン(SiN)等の無機絶縁物が挙げられる。また、絶縁物以外でも、例えばインジウム、ガリウム、亜鉛、酸素で構成されるアモルファス半導体(IGZO)を用いてもよい。ただし、本実施形態の用途で透光層を用いる場合、第1樹脂層130との密着性が高い材料を選択することが望ましい。
配線基板100Dは、基板110の上に透光層120A、剥離層170を形成した後、配線層200Aを形成することにより製造することができる。本実施形態では、透光層120Aとして酸化シリコン層を用いるため、スパッタ法、プラズマCVD法等の気相成長法を用いて形成することができる。剥離層170は、溶媒に溶かした樹脂材料を塗布して焼成することにより形成すればよい。配線層200Aは、公知の方法により、シード層210A、端子220A、配線230A、及び樹脂層240Aを形成すればよい。
<配線基板の構成>
図24は、本開示の第6実施形態である配線基板100Eの部分側断面図である。配線基板100Eは、基板110及び導電層120の上に、第2樹脂層150と、第1金属層160Aと、第2金属層160Bと、を有する。なお、第1実施形態と共通する部分については、同じ符号を用いることにより説明を省略する場合がある。
図25から図29は、配線基板100Eの製造方法を説明する図である。
Claims (25)
- 紫外光を透過する基板と、
前記基板の上に設けられ、前記紫外光を透過する透光層と、
前記透光層の上に設けられた第1樹脂層と、
前記第1樹脂層の上又は内部に設けられた配線と、
を有する配線基板。 - 前記透光層の上に設けられた第2樹脂層と、
前記第2樹脂層の上に設けられ、前記紫外光を遮る遮光層と、
を有し、
前記第1樹脂層は、前記遮光層の上に設けられている
請求項1に記載の配線基板。 - 前記遮光層は、金属層である
請求項2に記載の配線基板。 - 前記基板と前記透光層とで構成される積層構造の透過率は、所定の波長帯域において35%以上である
請求項1又は請求項2に記載の配線基板。 - 前記基板と前記透光層とで構成される積層構造の透過率は、波長308nmまたは波長355nmにおいて35%以上である
請求項4に記載の配線基板。 - 前記第1樹脂層は、第1面と、第2面と、前記第1面と前記第2面とを貫通する貫通孔と、を含み、
前記貫通孔に設けられ、前記配線と電気的に接続する電極を有する
請求項1又は請求項2に記載の配線基板。 - 前記第1樹脂層は、第1面と、第2面と、前記第1面の側に設けられた有底孔と、を含み、
前記有底孔に設けられ、前記配線と電気的に接続する電極を有する
請求項1又は請求項2に記載の配線基板。 - 前記第1樹脂層は、ポリイミド樹脂を含む
請求項1又は請求項2に記載の配線基板。 - 前記第2樹脂層は、ポリイミド樹脂を含む
請求項2に記載の配線基板。 - 前記基板は、ガラス基板である
請求項1又は請求項2に記載の配線基板。 - 薄膜トランジスタをさらに含む
請求項1又は請求項2に記載の配線基板。 - さらに、前記配線と電気的に接続する電極を有し、
前記電極は、前記配線と前記透光層との間において前記第1樹脂層に設けられた貫通孔に設けられ、
前記金属層は、第1金属層と、該第1金属層とは異なる材料で構成され、前記電極に接続する第2金属層とを含み、
前記電極及び前記第2金属層は、主成分の金属元素が同一である
請求項3に記載の配線基板。 - さらに、前記配線と電気的に接続する電極を有し、
前記電極は、前記配線と前記透光層との間において前記第1樹脂層に設けられた貫通孔に設けられ、
前記金属層は、第1金属層と、該第1金属層とは異なる材料で構成され、前記電極に接続する第2金属層とを含み、
前記第1金属層は、前記第2金属層に接する第1領域と前記第1樹脂層に接する第2領域とを有する
請求項3に記載の配線基板。 - 前記透光層は、金属酸化物層である
請求項1又は請求項2に記載の配線基板。 - 前記透光層は、導電層である
請求項1又は請求項2に記載の配線基板。 - 第1面と、前記第1面に対向する第2面と、を含む樹脂層と、
前記第1面に設けられた配線と、
を有し、
前記第2面の少なくとも一部の領域に紫外光を透過する導電性物質が存在する配線基板。 - 前記導電性物質は、波長308nmまたは波長355nmにおける前記紫外光の透過率が60%以上である
請求項16に記載の配線基板。 - 前記導電性物質は、金属酸化物である
請求項16に記載の配線基板。 - 紫外光を透過する基板の上に、当該基板に接するように前記紫外光を透過する透光層を形成することと、
前記透光層の上に、上面又は内部に配線が設けられた第1樹脂層を形成することと、
を含む配線基板の製造方法。 - 前記透光層の上に第2樹脂層を形成することと、
前記第2樹脂層の上に前記紫外光を遮る遮光層を形成することと、
をさらに含み、
前記第1樹脂層は、前記遮光層の上に形成される
請求項19に記載の配線基板の製造方法。 - 前記第1樹脂層を形成した後、前記基板を挟んで前記第1樹脂層とは反対側から、前記基板に前記紫外光を照射すること
をさらに含む請求項19又は請求項20に記載の配線基板の製造方法。 - 前記遮光層を形成することは、前記第2樹脂層の上に、第1金属層と、該第1金属層とは異なる材料で構成された第2金属層とを形成することを含み、
さらに、前記第1樹脂層を形成する前に、開口部を有する第3樹脂層を形成することと、
前記第2金属層をシード層とした電気めっき法により、前記開口部の内側に、前記第2金属層と接続する電極を形成することを含む
請求項20に記載の配線基板の製造方法。 - さらに、前記電極を形成した後、前記第3樹脂層を除去することと、
前記第1金属層を残して前記第2金属層の一部を除去することを含む
請求項22に記載の配線基板の製造方法。 - 前記透光層は、金属酸化物層である
請求項19又は請求項20に記載の配線基板の製造方法。 - 前記透光層は、導電層である
請求項19又は請求項20に記載の配線基板の製造方法。
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