JP2023046275A - 配線基板ユニットおよび配線基板ユニットの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】支持基板の上に微細な配線層を形成し、これをＦＣ－ＢＧＡ用配線基板に搭載し、微細な配線上に半導体チップを搭載する方式において、加熱時の反りや、配線層内部の応力に対して耐性のある配線基板及び配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】第１配線基板に接合された第１配線基板より微細な配線が形成された第２配線基板と、を備え、第２配線基板の前記第１配線基板との接合面の対向面に半導体素子が実装される配線基板において、第２配線基板の半導体素子が実装される側の最外層に補強層があることを特徴とする配線基板。【選択図】図９Ａ

Description

本発明は、配線基板ユニットおよび配線基板ユニットの製造方法に関する。

近年半導体装置の高速化、高集積化が進む中で、半導体素子を搭載するＦＣ－ＢＧＡ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ－Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）基板に対しても、半導体素子との接合端子の狭ピッチ化、基板内の配線の微細化が求められている。一方、ＦＣ－ＢＧＡ基板とマザーボードとの接合は、従来とほぼ変わらないピッチの接合端子での接合が要求されている。
このような半導体素子との接合端子の狭ピッチ化、これに伴うＦＣ－ＢＧＡ基板内の配線の微細化に対応するため、ＦＣ－ＢＧＡ基板と半導体素子との間に、インターポーザ―とも呼ばれる、微細な配線を含む多層配線基板を設ける技術が採用されている。
その一つは、インターポーザを半導体回路の製造技術を用いて、シリコンウェハ上に形成するシリコンインターポーザ技術である。
また、インターポーザをシリコンウェハ上に形成するのではなく、ＦＣ－ＢＧＡ基板上に直接作り込む手法も開発されている。これは、ＦＣ－ＢＧＡ基板の表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）等で平坦化し、インターポーザとなる多層配線基板を、ＦＣ－ＢＧＡ基板上に直に形成する方式である。これについては、特許文献１に開示されている。
さらに、インターポーザをガラス基板等の支持体の上に形成し、これをＦＣ－ＢＧＡ基板に搭載した後、支持体を剥離することで、ＦＣ－ＢＧＡ基板上に狭ピッチな多層配線基板を形成する方式もある。これについては特許文献２に開示されている。

特開２０１４－２２５６７１号公報 国際公開第２０１８／０４７８６１号

シリコンインターポーザは、シリコンウェハを利用して、半導体製造における前工程用の設備を用いて製作されることから、微細な配線層を形成することに適している。しかし、シリコンウェハは形状、サイズに制約があり、１枚のウェハから製作できるインターポーザの数が少なく、製造設備も高価であるため、インターポーザも高価となる。また、シリコンウェハが半導体であることから、伝送特性も劣化するという問題がある。

また、ＦＣ－ＢＧＡ基板の表面の平坦化を行い、その上にインターポーザとなる多層の配線層を形成する方式においては、シリコンインターポーザに見られる伝送特性の劣化は小さいが、ＦＣ－ＢＧＡ基板自体の製造歩留まりの問題や、ＦＣ－ＢＧＡ基板上に微細配線を形成する難易度が高いため、全体的に製造歩留まりが低いという課題がある。さらにＦＣ－ＢＧＡ基板の反り、歪みに起因した半導体素子の実装における課題も存在する。

さらに、多層配線基板をガラス基板等の支持体の上に形成し、これをＦＣ－ＢＧＡ基板上に載置した後に支持体を剥離する方式においては、支持体の上に多層配線層を形成する際に、セミアディティブ法が用いられることが多い。しかし、セミアディティブ法で用いられる絶縁樹脂層はフィラーを含有せず、後の工程で用いるフィラーを含有したアンダーフィル層、及び、ソルダーレジスト層と比較して、弾性率が低く、且つ、ＣＴＥ（ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ、熱膨張率）が大きい傾向がある。

そのため、いずれの方式を用いた場合であっても、加熱時に絶縁樹脂層のみが大きく変形し、基板の反りが発生することがある。また、配線層内部に応力を発生した場合には、微細な配線層などの内部の導体層の剥離や、剥離した箇所を起点とするクラックの発生、配線層を形成する層間界面での層間剥離（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）が生じ、接続信頼性の確保が難しい問題がある。

そこで本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、配線基板内部の応力を緩和させ、応力が集中する箇所を起点とするクラックが生じ難い配線基板を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明の代表的な配線基板ユニットの一つは、
第１配線基板と、前記第１配線基板に接合された第２配線基板と、を備え、前記第２配線基板の前記第１配線基板との接合面の対向面に半導体素子が実装可能な配線基板ユニットにおいて、前記第２配線基板の半導体素子が実装される側の最外層に補強層を有することを特徴とする配線基板ユニットである。

本発明によれば、支持基板の上に微細な配線層（第２配線基板に相当）を形成し、これを例えば、ＦＣ－ＢＧＡ用配線基板（第１配線基板に相当）に搭載し、第２配線基板上に半導体チップを搭載する方式において、第２配線基板内部の応力を緩和させ、応力が集中する箇所を起点とするクラックを防ぎ、配線基板ユニットの信頼性を向上させることが可能となる。
上記した以外の課題、構成及び効果は以下の実施形態の説明により明らかにされる。

図１は、支持体上に剥離層を形成した状態を示す断面図である。 図２Ａは、補強層を形成した状態を示す断面図である。 図２Ｂは、補強層のパターニングをした状態を示す断面図である。 図２Ｃは、補強層のパターニングをした状態を示す断面図である。 図３Ａは、感光性樹脂層を形成した状態を示す断面図である。 感光性樹脂層のパターニングをした状態を示す断面図である。 図３Ｂは、シード密着層を形成した状態を示す断面図である。 図３Ｄは、シード層を形成した状態を示す断面図である。 図３Ｅは、導体層を形成した状態を示す断面図である。 図３Ｆは、表面研磨により導体層及びシード層を研磨した状態を示す断面図である。 図３Ｇは、表面研磨によりシード密着層及び感光性樹脂層を研磨し半導体素子との接合用電極を形成した状態を示す断面図である。 図３Ｈは、微細配線層の接続孔形成の第２の形態を説明する断面図である。 図３Ｉは、微細配線層の接続孔形成の第２の形態を説明する断面図である。 図３Ｊは、微細配線層の接続孔形成の第３の形態を説明する断面図である。 図３Ｋは、微細配線層の接続孔形成の第３の形態を説明する断面図である。 図４Ａは、ビア部の感光性樹脂層を形成した状態を示す断面図である。 図４Ｂは、ビア部と配線部の感光性樹脂層を形成した状態を示す断面図である。 図４Ｃは、シード密着層を形成した状態を示す断面図である。 図４Ｄは、シード層を形成した状態を示す断面図である。 図４Ｅは、導体層を形成した状態を示す断面図である。 図４Ｆは、表面研磨によりビア部及び配線部を形成した状態を示す断面図である。 図５Ａは、図４Ａ～図４Ｆを繰り返して多層配線を形成した状態を示す断面図である。 図５Ｂは、ＳＡＰ工法で多層配線を形成した状態を示す断面図である。 ６Ａは、感光性樹脂層を形成した状態を示す断面図である。 図６Ｂは、シード密着層を形成した状態を示す断面図である。 図６Ｃは、シード層を形成した状態を示す断面図である。 図６Ｄは、レジストパターンを形成した状態を示す断面図である。 図６Ｅは、導体層を形成した状態を示す断面図である。 図６Ｆは、レジストパターンを除去した状態を示す断面図である。 図６Ｇは、不要なシード密着層及びシード層をエッチング除去した状態を示す断面図である。 図７Ａは、ソルダーレジスト層を形成した状態を示す断面図である。 図７Ｂは、表面処理層、はんだ接合部を形成し、支持体付の配線基板が完成した状態を示す断面図である。 図８Ａは、支持体付の配線基板とＦＣ－ＢＧＡ基板を接合しアンダーフィル層で封止した状態を示す断面図である。 図８Ｂは、剥離層にレーザー光を照射する状態を示す断面図である。 図８Ｃは、支持体を除去した状態を示す断面図である。 図８Ｄは、半導体素子を実装した状態を示す断面図である。 図９Ａは、本実施形態（ダマシン工法）におけるＡ－Ａ′囲い部の拡大詳細断面図である。 図９Ｂは、本実施形態（ＳＡＰ工法）におけるＡ－Ａ′囲い部の拡大詳細断面図である。 図９Ｃは、比較例における拡大詳細断面図である。 図１０は、第２の実施態様において、剥離層と補強層との間に中間層を形成した状態を示す断面図である。 図１１は、第２の実施態様において、補強層のパターニングをした状態を示す断面図である。 図１２は、第２の実施態様において、表面処理層、はんだ接合部を形成し、支持体付の配線基板が完成した状態を示す断面図である。

以下に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。

なお、本開示において、「面」とは、板状部材の面のみならず、板状部材に含まれる層について、板状部材の面と略平行な層の界面も指すことがある。また、「上面」、「下面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層を図示した場合の、図面上の上方又は下方に示される面を意味する。なお、「上面」、「下面」については、「第1面」、「第２面」と称することもある。

また、「側面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層における面や層の厚みの部分を意味する。さらに、面の一部及び側面を合わせて「端部」ということがある。
また、「上方」とは、板状部材又は層を水平に載置した場合の垂直上方の方向を意味する。さらに、「上方」及びこれと反対の「下方」については、これらを「Ｚ軸プラス方向」、「Ｚ軸マイナス方向」ということがあり、水平方向については、「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」ということがある。

また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

[第１の実施態様]
図１～図８Ｄを用いて、本発明の第１の実施態様に係る支持体を用いた配線基板の製造工程の一例を説明する。

まず、図１に示すように、支持体１の一方の面に、後の工程で支持体１を剥離するために必要な剥離層２を形成する。

＜剥離層＞
剥離層２は、例えば、ＵＶ光などの光を吸収して発熱、もしくは、変質によって剥離可能となる樹脂でもよく、熱によって発泡により剥離可能となる樹脂でもよい。ＵＶ光などの光、例えばレーザー光によって剥離可能となる樹脂を用いる場合、剥離層２を設けた側とは反対側の面から支持体１に光を照射して、図８Ｂに示すように、支持体付の配線基板１１と、ＦＣ－ＢＧＡ基板１２との接合体から支持体１を取り去ることができる。
剥離層２は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、マレイミド樹脂、及び、アクリル樹脂などの有機樹脂や、アモルファスシリコン、ガリウムナイトライド、金属酸化物層などの無機層から選ぶことが出来る。さらに剥離層２は光分解促進剤や光吸収剤、増感剤、フィラー等の添加剤を含有してもよい。
さらに剥離層２は複数層で構成されてもよく、例えば支持体１上に形成される多層の微細配線層（第２配線基板）の保護を目的として、剥離層２上にさらに保護層を設けることや、支持体１との密着性を向上させる層を剥離層２の下層に設けてもよい。さらに剥離層２とその上方に形成される多層の微細配線層との間にレーザー光反射層や金属層を設けてもよく、その構成は本実施態様により限定されない。

＜支持体＞
支持体１は、支持体１を通じて剥離層２に光を照射させる場合もあるため、透明性を有することが好ましく、例えばガラスを用いることができる。ガラスは平坦性に優れており、また、剛性が高いため、支持体付の配線基板１１の微細なパターン形成に向いている、また、ガラスはＣＴＥ（ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ、熱膨張率）が小さく歪みにくいことから、パターン配置精度及び平坦性の確保に優れている。
支持体１としてガラスを用いる場合、ガラスの厚さは、製造プロセスにおける反りの発生を抑制する観点から厚い方が望ましく、例えば０．７ｍｍ以上、好ましくは１．１ｍｍ以上の厚みである。また、ガラスのＣＴＥは３ｐｐｍ／Ｋ以上１５ｐｐｍ／Ｋ以下が好ましく、ＦＣ－ＢＧＡ基板１２、半導体素子１５のＣＴＥの観点から９ｐｐｍ／Ｋ程度がより好ましい。ガラスとしては、例えば石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、又は、サファイヤガラス等が用いられる。
一方、剥離層２として熱によって発泡する樹脂を用いる等のように、支持体１を剥離する際に支持体１に光の透過性が必要でない場合は、支持体１には、歪みの少ない例えばメタルやセラミックスなどを用いることができる。
以下の本開示による実施形態では、剥離層２としてＵＶ光を吸収して剥離可能となる樹脂を用い、支持体１にはガラスを用いる例によって説明する。

＜微細配線層の接続孔形成の第１の形態＞
次に、図２Ａを参照して、第２配線基板である微細配線層１９に半導体素子を接続する電極を形成するための接続孔を形成する第１の形態について説明する。まず、図２Ａに示すように補強層１８を剥離層２の上方の全面に形成する。補強層１８は、感光性、非感光性に関わらず、フィラーを有する樹脂で形成する。フィラーを有する樹脂としては、例えば、感光性のエポキシ系やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂、非感光性のエポキシ系などの絶縁性樹脂が挙げられる。補強層の形成方法としては、液状の感光性樹脂を用いる場合は、スリットコート、カーテンコート、ダイコート、スプレーコート、静電塗布法、インクジェットコート、グラビアコート、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、スピンコート、ドクターコートより選定できる。フィルム状の感光性樹脂で用いる場合は、ラミネート、真空ラミネート、真空プレスなどが適用できる。
補強層のＣＴＥは、微細配線層を有する第２配線基板における感光性樹脂層、絶縁樹脂層に用いる樹脂のＣＴＥよりも小さいことが好ましい。

次に、半導体素子１５と電気的接続を取るための電極を設けるために、補強層１８に接続孔を形成する。接続孔を形成するためには、図２Ｂに示すように補強層１８にパターニングを行う。本発明の一実施形態では補強層１８にφ３５μｍの開口形状を形成した。パターニングの方法としては、例えば、フォトリソグラフィー技術やレーザー加工技術を用いることができる。

次に、図３Ａに示すように、パターニングされた補強層１８の上面に感光性樹脂層３を形成する。本実施形態では、感光性樹脂層３として例えば、感光性のエポキシ系樹脂をスピンコート法により形成する。感光性のエポキシ樹脂は比較的低温で硬化することができ、形成後の硬化による収縮が少ないため、その後の微細パターン形成に優れる。
感光性樹脂の形成方法としては、補強層１８と同様に液状の感光性樹脂を用いる場合は、スリットコート、カーテンコート、ダイコート、スプレーコート、静電塗布法、インクジェットコート、グラビアコート、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、スピンコート、ドクターコートより選定できる。フィルム状の感光性樹脂で用いる場合は、ラミネート、真空ラミネート、真空プレスなどが適用できる。
感光性樹脂層３は、例えば感光性ポリイミド樹脂、感光性ベンゾシクロブテン樹脂、感光性エポキシ樹脂およびその変性物を絶縁樹脂として用いることも可能である。
微細配線を形成するのに適した感光性樹脂や絶縁樹脂を検討したところ、微細配線形成可能な樹脂のＣＴＥは、５０～８０ｐｐｍ／Ｋ程度の範囲内であった。

次いで、図３Ｂに示すようにフォトリソグラフィーにより、感光性樹脂層３に開口部を設ける。この開口部は、補強層１８に形成された開口に整合させて形成される。開口部に対して、現像時の残渣除去を目的として、プラズマ処理を行ってもよい。感光性樹脂層３の厚みは、開口部に形成する導体層の厚みに応じて設定され、本発明の一実施形態では例えば７μｍを形成する。また平面視の開口部形状は、半導体素子の接合電極のピッチ、形状に応じて設定され、本発明の一実施形態では例えばφ４５μｍの開口形状とする。

＜微細配線層の接続孔形成の第２の形態＞
次に、図２Ｃ、図３Ｈ、図３Ｉを参照して、補強層１８を介さずに、感光性樹脂層３によって接続孔を形成する第２の形態について説明する。
微細配線層の接続孔形成の第１の形態においては、上記の図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ～図３Ｃの説明において説明したように、補強層１８は、剥離層２の上方であって、感光性樹脂層３の開口が形成される以外の領域のほぼ全域に形成されている。この第１の形態においては、感光性樹脂層３に形成される開口は、補強層１８に形成される開口と整合しており、接続孔として剥離層２に到達している。
しかし、微細配線層の接続孔補強層形成の第２の形態においては、支持体１あるいは剥離層２の上方に形成される補強層１８は、必ずしも感光性樹脂層３の開口が形成される以外の領域のほぼ全域に形成される必要はない。つまり、感光性樹脂層３に形成される開口は、その全てが補強層１８に形成された開口と整合している必要はなく、感光性樹脂層に形成される開口の一部は、補強層１８を介さずに剥離層２に到達することとしてもよい。

以下、微細配線層の接続孔形成の第２の形態の詳細について説明する。
まず、図２Ｃは、微細配線層の接続孔補強層形成の第２の形態において、補強層のパターニングをした状態を示す断面図である。図２Ｃに至る工程は、図１～図２Ｂに至る工程と同一である。そして、図２Ｃは、補強層１８が、感光性樹脂層３の開口が形成される以外の領域のほぼ全域に形成されるわけではない点で、図２Ｂの場合と相違している。つまり、図２Ｃにおいては、感光性樹脂層３の開口が形成される箇所であっても補強層１８が形成されていない箇所を備えている。

次に、図３Ｈを参照して、微細配線層の接続孔形成の第２の形態における、感光性樹脂層３の形成について説明する。
図３Ｈは、図３Ａについて説明したものと同様の手法によって感光性樹脂層３を形成した状態を示す断面図である。
次に、図３Ｉを参照して、微細配線層の接続孔形成の第２の形態における、感光性樹脂層３のパターン形成について説明する。
図３Ｉは、図３Ｂについて説明したものと同様の手法によって感光性樹脂層３にパターニングをした状態を示す断面図である。

微細配線層の接続孔形成の第２の形態によれば、感光性樹脂層３に形成される接続孔は、図３Ｉに示すように、補強層１８を介さずに感光性樹脂層３のみで開口が形成されている。このため、接続孔は、感光性樹脂層３のパターン形成精度に依拠して形成されるため、補強層１８を介して形成する接続孔に比較して、微小な開口径で形成しやすい利点がある。

＜微細配線層の接続孔形成の第３の形態＞
次に、図３Ｊ、図３Ｋを参照して、補強層１８を介さずに、感光性樹脂層３に接続孔を形成する第３の形態について説明する。
図３Ｊは、図８Ｃに示される配線基板ユニット１４に固定されたダマシン工法による微細配線層１９のＡ－Ａ′で囲まれた領域の断面図の一例である。図３Jにおいて、接続孔を設ける領域の一つである領域Ｂについては、補強層１８に開口が設けられていない。そして、この領域Ｂに接続孔を形成するためには、図３Ｋに示すように、補強層１８に対して開口２１を形成する。そして、微細配線層の接続孔形成の第２の形態における、図３Ｈ及び図３Ｉと同様の工程を採用して、開口２１に感光性樹脂層３を埋め込んだ後に、接続孔を形成することができる。
このように形成した場合であっても、接続孔は、感光性樹脂層３のパターン形成精度に依拠して形成されるため、補強層１８を介して形成する接続孔に比較して、微小な開口径で形成しやすい利点がある。

＜シード密着層・シード層形成＞
次に、図３Ｃ、図３Ｄを参照して、シード密着層及びシード層の形成工程について説明する。なお、以下では、補強層形成の第１の形態に沿って説明するが、特記しない限り、補強層形成の第２の形態を採用した場合でも同様の工程によってシード密着層及びシード層形成工程以下の工程を実施することができる。
まず、図３Ｃ、図３Ｄに示すように、真空中で、シード密着層４、及び、シード層５を形成する。シード密着層４は感光性樹脂層３へのシード層５の密着性を向上させる層であり、シード層５の剥離を防止する層である。シード層５は配線形成において、電解めっきの給電層として作用する。シード密着層４、及び、シード層５は、例えば、スパッタ法、または蒸着法などにより形成され、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｉＮ、Ｃｕ_３Ｎ_４、Ｃｕ合金や、これらを複数組み合わせたものを適用することができる。本発明では、電気特性、製造の容易性の観点およびコスト面を考慮して、シード密着層４にチタン層、続いてシード層５の銅層を順次スパッタリング法で形成する。チタンと銅層の合計の膜厚は、電解めっきの給電層として１μｍ以下とするのが好ましい。本発明の一実施形態ではＴｉ：５０ｎｍ、Ｃｕ：３００ｎｍを形成する。

＜導体層形成＞
次に図３Ｅに示すように電解めっきにより導体層６を形成する。導体層６は半導体素子１５との接合用の電極となる。電解ニッケルめっき、電解銅めっき、電解クロムめっき、電解Ｐｄめっき、電解金めっき、電解ロジウムめっき、電解イリジウムめっき等が挙げられるが、電解銅めっきであることが簡便で安価で、電気伝導性が良好であることから望ましい。電解銅めっきの厚みは、半導体素子１５と接合用の電極となり、はんだ接合の観点から１μｍ以上、且つ、生産性の観点から３０μｍ以下であることが望ましい。本発明の一実施形態では感光性樹脂層３の開口部にはＣｕ：９μｍを形成し、感光性樹脂層３の上部にはＣｕ：２μｍを形成する。

次に図３Ｆに示すように、ＣＭＰ（化学機械研磨）加工等によって銅層を研磨し、導体層６、及び、シード層５を除去する。シード密着層４と導体層６が表面となるように研磨加工を行う。本発明の一実施形態では、感光性樹脂層３の上部の導体層６のＣｕ：２μｍ、及び、シード層５のＣｕ：３００ｎｍを研磨により除去する。

次に図３Ｇに示すように、ＣＭＰ加工等の研磨を再度行い、シード密着層４と、感光性樹脂層３を除去する。シード密着層４と、感光性樹脂層３の異種材料の研磨であるため、化学研磨による効能は少なく、研磨剤による物理的な研磨が支配的である。このため、工程簡略化を目的として、シード密着層４と感光性樹脂層３とを同一工程で研磨してもよいし、またそれぞれの研磨工程の効率化を目的としてシード密着層４と、感光性樹脂層３の材料種に応じて研磨手法を変えてもよい。そして、研磨を行った後に残った導体層６が、半導体素子１５と接合用の電極となる。

＜多層配線層形成＞
次に図４Ａに示すように、図３Ａ、図３Ｂと同様に上面に感光性樹脂層３を形成する。感光性樹脂層３の厚みは、開口部に形成する導体層の厚みに応じて設定され、本発明の一実施形態では例えば２μｍを形成する。また平面視の開口部形状は、導体層６との接続の観点から設定され、本発明の一実施形態では例えばφ１０μｍの開口形状を形成する。この開口部は多層配線の上下層をつなぐビア部の形状である。

さらに、その上面に図４Ｂに示すように、図３Ａ、図３Ｂと同様に上面に感光性樹脂層３を形成する。感光性樹脂層３の厚みは、開口部に形成する導体層の厚みに応じて設定され、本発明の一実施形態では例えば２μｍを形成する。また平面視の開口部形状は、積層体の接続性の観点から設定され下部の開口形状外側を囲って形成される。本発明の一実施形態では例えばφ２０μｍの開口形状を形成する。この開口部は多層配線の配線部、及び、上下層をつなぐビア部の一部分の形状である。

次いで、図４Ｃ、図４Ｄに示すように、図３Ｃ、図３Ｄと同様に真空中で、シード密着層４、及び、シード層５を形成する。本発明の一実施形態ではＴｉ：５０ｎｍ、Ｃｕ：３００ｎｍを形成する。

次に図４Ｅに示すように電解めっきにより導体層６を形成する。導体層６はビア部、及び、配線部となる。電解ニッケルめっき、電解銅めっき、電解クロムめっき、電解Ｐｄめっき、電解金めっき、電解ロジウムめっき、電解イリジウムめっき等が挙げられるが、電解銅めっきであることが簡便で安価で、電気伝導性が良好であることから望ましい。電解銅めっきの厚みは、配線部の電気抵抗の観点から０．５μｍ以上、生産性の観点から３０μｍ以下であることが望ましい。本発明の一実施形態では、感光性樹脂層３の２重の開口部にはＣｕ：６μｍを形成し、感光性樹脂層３の１重の開口部にはＣｕ：４μｍを形成し、感光性樹脂層３の上部にはＣｕ：２μｍを形成する。

次に図４Ｆに示すように、ＣＭＰ（化学機械研磨）加工等によって研磨し、導体層６、及び、シード層５を除去する。続けて、ＣＭＰ（化学機械研磨）加工等によって研磨を再度行い、シード密着層４と、感光性樹脂層３を除去する。そして、ＣＭＰを行った後に残った導体層６が、ビア部、及び、配線部の導体部となる。本発明の一実施形態では、感光性樹脂層３の上部導体層６のＣｕ：２μｍ、及び、シード層５のＣｕ：３００ｎｍを研磨により除去する。

図５Ａに示すように、図４Ａ～図４Ｆを繰り返して多層配線を形成する。
なお、本発明の一実施形態では、配線層を２層形成する。なお、図４Ａ～図５Ａの多層配線形成はダマシン法を用いているが、本発明は、これに限定されるものではなく、図５Ｂに示すように、ＳＡＰ法を用いて形成した多層配線基板にも適用できる。

＜接合電極形成＞
次いで、図６Ａ～図７Ｂを参照して、第１の配線基板であるＦＣ－ＢＧＡ基板１２との接合電極を形成する工程を説明する。接合電極形成にあたっては、図６Ａに示すように、図４Ａと同様に上面に感光性樹脂層３を形成する。

次いで、図６Ｂ、図６Ｃに示すように、図３Ｃ、図３Ｄと同様に真空中で、シード密着層４、及び、シード層５を形成する。

次いで、図６Ｄに示すように、レジストパターン７を形成する。その後、図６Ｅのように電解めっきにより導体層６を形成する。導体層６はＦＣ－ＢＧＡ基板１２と接合用の電極となる。電解銅めっきの厚みは、はんだ接合の観点から１μｍ以上、且つ、生産性の観点から３０μｍ以下であることが望ましい。本発明の一実施形態では感光性樹脂層３の開口部にはＣｕ：９μｍを形成し、感光性樹脂層３の上部にはＣｕ：７μｍを形成する。

その後、図６Ｆに示すようにレジストパターン７を除去する。その後、図６Ｇに示すように不要なシード密着層４、及び、シード層５をエッチング除去する。この状態で表面に残った導体層６が、ＦＣ－ＢＧＡ基板１２と接合用の電極となる。

次に、図７Ａに示すように、ソルダーレジスト層８を形成する。ソルダーレジスト層８は、感光性樹脂層３を覆うように、露光、現像し、導体層６が露出するように開口部を備えるように形成する。なお、ソルダーレジスト層８の材料としては、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。本発明の実施形態では、ソルダーレジスト層８としてフィラーを含有した感光性エポキシ樹脂を使用してソルダーレジスト層８を形成する。

次に、図７Ｂに示すように導体層６の表面の酸化防止とはんだバンプの濡れ性をよくするため、表面処理層９を設ける。本発明の実施形態では、表面処理層９として無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきを成膜する。なお、表面処理層９には、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｉｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ 水溶性プレフラックスによる表面処理）膜を形成してもよい。また、無電解スズめっき、無電解Ｎｉ／Ａｕめっきなどから適宜用途に応じて選択しても良い。次いで、表面処理層９上に、半田材料を搭載した後、一度溶融冷却して固着させることで、はんだ１０接合部を得る。これにより、支持体１上に形成された支持体付の配線基板１１が完成する。

＜配線基板の接合、支持体剥離及び素子実装＞
次に、図８Ａ～図８Ｄを参照して、配線基板の接合、支持体剥離及び素子実装の工程について説明する。
まず、図８Ａに示すように、支持体付の配線基板１１と第１の配線基板であるＦＣ－ＢＧＡ基板１２を接合した後、接合部をアンダーフィル層２０で封止する。アンダーフィル層２０としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂の１種又はこれらの樹脂の２種類以上が混合された樹脂に、フィラーとしてのシリカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、又は酸化亜鉛等が加えられた材料が用いられる。アンダーフィル層は、液状の樹脂を充填させることで形成される。

次いで、図８Ｂに示すように、支持体１を剥離する。剥離層２は、レーザー光１３を照射して剥離可能な状態とする。支持体１の背面より、すなわち、支持体１のＦＣ－ＢＧＡ基板１２とは逆側の面からレーザー光１３を支持体１との界面に形成された剥離層２に照射し剥離可能な状態とすることで、支持体１を取り外すことが可能となる。次に、図８Ｃに示すように支持体１を除去した後、剥離層２とシード密着層４、及び、シード層５を除去し第２配線基板である微細配線層１９を含む配線基板ユニット１４を得る。

その後、図８Ｄに示すように半導体素子１５を実装すると半導体装置１６が完成する。この際、半導体素子１５の実装に先立って、表面に露出した導体層６上に、酸化防止と半田バンプの濡れ性をよくするため、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき、ＯＳＰ、無電解スズめっき、無電解Ｎｉ／Ａｕめっきなどの表面処理を施してもよい。以上により半導体装置１６が完成する。

[第２の実施態様]
＜中間層＞
次に、第２の実施態様について、図１０から図１２を用いて説明する。
第２の実施態様は、剥離層２と補強層１８の間に中間層５０を設けている点で第１の実施態様と異なる。以下の説明において、上述の第１の実施態様と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略又は省略する。
第２の実施態様においては、図１０に示すように、支持体１の一方の面に、後の工程で支持体１を剥離するために必要な剥離層２を形成したあとに、中間層５０として、シード密着層４及びシード層５を形成している。

なお、具体的なシード密着層４及びシード層５の形成方法や材料は、図３Ｃ及び図３Ｄの説明において記載した通りのものを採用することができる。
このような中間層５０を設けることにより、剥離層２と後の工程で形成する補強層１８との間の密着性を向上させることが可能となる。

次に、図１１を参照して、補強層１８のパターン形成について説明する。第２の実施態様においては、図１０に示した補強層１８を形成した後に、第1の実施態様で採用したのと同様の方法により、中間層５０の上面に、補強層１８のパターンを形成する。

次に、図１２を参照して、第２の実施態様における、表面処理層、はんだ接合部を形成し、支持体付の配線基板が完成した状態を説明する。
第２の実施態様においても、補強層１８のパターン形成後に、第１の実施態様で説明した図３Ａ～図７Ｂの工程と同様の工程を採用して、図１２に示した支持体付の配線基板を得ることができる。

この後、図１２に示した支持体付の配線基板は、第１の実施態様において、図８Ａから図８Ｃで説明したものと同様の工程によって支持体１の剥離工程をおこなう。しかし、第２の実施態様においては、中間層５０を備えていることから、支持体１を除去する前に支持体1が剥離してしまうことを防ぐことができる。また、剥離層２と感光性樹脂層３のインターミキシングを防止することが可能となる。

また、支持体１を除去した後には、中間層５０を構成している、シード密着層４及びシード層５をエッチングで除去することができる。

次に、上述したような図８Ｃの配線基板ユニット１４の構成とその製造方法を用いた場合の作用効果について説明する。以下の実施例は、図８Ｃに示された配線基板ユニット１４に対して測定されたものである。そして、図９Ａ、９Ｂは、図８Ｃに示される配線基板ユニット１４のＡ－Ａ′で囲まれた領域の断面図である。
また、比較例として、上述の図１から図８Ｃで示した工程において、補強層１８を形成しないものを準備し、図９Ａ及び図９Ｂと同様の箇所の断面を図９Ｃに示す。

実施例、比較例では、補強層１８のクラック改善効果をみるために、配線基板ユニット１４の微細配線層１９にクラックが発生しやすいよう、最外層に幅広の導体パターン１０００μｍを形成した。

実施例１の補強層の条件は下記である。
補強層の厚み：４５μｍ
補強層のＣＴＥ：９ｐｐｍ／Ｋ

実施例１において、補強層の条件は下記に変更した。
補強層の厚み：４５μｍ
補強層のＣＴＥ：１９ｐｐｍ／Ｋ

実施例１において、補強層の条件は下記に変更した。
補強層の厚み：４５μｍ
補強層のＣＴＥ：２８ｐｐｍ／Ｋ

実施例１において、補強層の条件は下記に変更した。
補強層の厚み：４５μｍ
補強層のＣＴＥ：３９ｐｐｍ／Ｋ

実施例１において、微細配線層の配線工法をダマシン工法からＳＡＰ工法に変更したものを実施例５とした。

実施例１の補強層の条件は下記である。
補強層の厚み：３０μｍ
補強層のＣＴＥ：９ｐｐｍ／Ｋ

実施例１において、補強層の条件は下記に変更した。
補強層の厚み：３０μｍ
補強層のＣＴＥ：１９ｐｐｍ／Ｋ

実施例１において、補強層の条件は下記に変更した。
補強層の厚み：３０μｍ
補強層のＣＴＥ：２８ｐｐｍ／Ｋ

実施例１において、補強層の条件は下記に変更した。
補強層の厚み：３０μｍ
補強層のＣＴＥ：３９ｐｐｍ／Ｋ

実施例１の補強層の条件は下記である。
補強層の厚み：１５μｍ
補強層のＣＴＥ：９ｐｐｍ／Ｋ

実施例１において、補強層の条件は下記に変更した。
補強層の厚み：１５μｍ
補強層のＣＴＥ：１９ｐｐｍ／Ｋ

実施例１において、補強層の条件は下記に変更した。
補強層の厚み：１５μｍ
補強層のＣＴＥ：２８ｐｐｍ／Ｋ

実施例１において、補強層の条件は下記に変更した。
補強層の厚み：１５μｍ
補強層のＣＴＥ：３９ｐｐｍ／Ｋ

実施例１の補強層の条件は下記である。
補強層の厚み：６０μｍ
補強層のＣＴＥ：９ｐｐｍ／Ｋ

実施例１において、補強層の条件は下記に変更した。
補強層の厚み：６０μｍ
補強層のＣＴＥ：１９ｐｐｍ／Ｋ

実施例１において、補強層の条件は下記に変更した。
補強層の厚み：６０μｍ
補強層のＣＴＥ：２８ｐｐｍ／Ｋ

実施例１において、補強層の条件は下記に変更した。
補強層の厚み：６０μｍ
補強層のＣＴＥ：３９ｐｐｍ／Ｋ
＜比較例＞

比較例は、配線基板ユニット１４の微細配線層１９最外層に補強層１８を形成しないことを除いては、実施例１から実施例４と同様であり、微細配線層の配線工法としてはダマシン工法を採用したものを準備した。
補強層：なし

上記の実施例１から比較例における構成について、ビア接続信頼性試験を行った。

ビア接続信頼性は、以下の条件に則って実施し、抵抗値変化率が±３％以内であること、クラックおよびデラミがないことを合格の基準とした。
規格： ＪＥＳＤ２２－Ａ１０６Ｂ（Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｄ）
温度：－６５℃／５ｍｉｎ⇒常温／１ｍｉｎ→１５０℃／５ｍｉｎ

＜作用効果の確認＞
上記実施例１～１７において、ビア接続信頼性試験が不合格となるまで１０００～２０００サイクルであったが、比較例では、３００～５００サイクルであった。本発明に係る、配線基板ユニット１４の微細配線層１９の最外層に補強層１８を形成することで、配線層内部の応力を緩和させ、応力が集中する箇所を起点とするクラックが生じ難くなり、ビア接続信頼性における効果が示された。

微細配線形成可能な感光性絶縁樹脂のＣＴＥは、５０～８０ｐｐｍ／Ｋ程度の範囲内であったので、補強層のＣＴＥは、感光性絶縁樹脂のＣＴＥよりも小さい４０ｐｐｍ／Ｋ程度以下で効果があると言える。

補強層の厚みは、４５μｍよりも厚くすることで、感光性絶縁樹脂よりも小さいＣＴＥの補強層の体積が増えるので、より一層、絶縁樹脂の応力ひずみが減り、クラック耐性が向上すると考られる。また、補強層の厚みは、４５μｍよりも薄くすることで、効果は薄れるものの、補強層のない比較例と比較するとクラック耐性は向上すると考える。
つまり、本実施例においては、高ＣＴＥの材料を用いてい構成された第２配線基板を高ＣＴＥの最外層と、同じく高ＣＴＥの第１配線基版で挟むことによって、第２配線基板の内部の応力歪みを低減している。このため、微細配線層を有する第２配線基板に発生しがちな応力集中によるクラックを防ぎ、配線基板ユニットの信頼性を向上させることが可能となる。

実施例５で他の実施例と同等の結果が得られたことで、ダマシン工法とＳＡＰ工法では、配線の形成工法が違うもののクラック耐性に大きな違いはないと言える。

上述の実施形態は一例であって、その他、具体的な細部構造などについては適宜に変更可能であることは勿論である。
例えば、上述した実施例においては、補強層を最外層にのみ形成したが、補強層の効果は、補強層は、最外層のみに存在することに限定されない。つまり、補強層は最外層に隣接する、あるいは、最外層に近い層に形成することも可能である。
また、上述した実施例においては、補強層の材料としてフィラーを有する樹脂を用いたが、補強層の材料はこれに限定されない。補強層の材料としては、ＣＴＥが４０ｐｐｍ／Ｋ以下の材料であれば、様々なものを用いることが可能である。

また、本開示でダマシン工法、ＳＡＰ工法で説明されている点は、これらの工法に限定されるものではなく、他の工法に入れ替えることができる。
また、本発明は、主基板とＩＣチップとの間に介在するインターポーザ等を備えた配線基板を有する様々な半導体装置に適用することができる。
また、本開示における半導体素子は他の配線基板と置き換えることも可能である。

また、本開示は、以下の態様をも含むものである。

（態様１）
第１配線基板と、
前記第１配線基板に接合された第２配線基板と、を備え、
前記第２配線基板の前記第１配線基板との接合面の対向面に半導体素子が実装可能な配線基板ユニットにおいて、
前記第２配線基板の半導体素子が実装される側の最外層に補強層を有する、
ことを特徴とする配線基板ユニット。

（態様２）
前記補強層には、前記半導体素子と前記第２配線基板の間の接合電極が形成されている、
ことを特徴とする態様１に記載の配線基板ユニット。

（態様３）
前記第２配線基板は多層配線基板である
ことを特徴とする態様１又は態様２に記載の配線基板ユニット。

（態様４）
前記補強層はフィラーを含有する樹脂である
ことを特徴とする態様１から態様３のいずれか一つに記載の配線基板ユニット。

（態様５）
前記補強層を構成する樹脂のＣＴＥは前記第２配線基板を構成する感光性樹脂層のＣＴＥよりも小さい
ことを特徴とする態様１から態様４のいずれか一つに記載の配線基板ユニット。

（態様６）
前記補強層を構成する樹脂のＣＴＥは、４０ｐｐｍ／Ｋ以下である
ことを特徴とする態様１から態様５のいずれか一つに記載の配線基板ユニット。

（態様７）
前記第２配線基板における配線部は、前記半導体素子が実装される側の一方面にシード密着層を有する
ことを特徴とする態様１から態様６のいずれか一つに記載の配線基板ユニット。

（態様８）
前記シード密着層はチタンを含む層である
ことを特徴とする態様７に記載の配線基板ユニット。

（態様９）
前記第２配線基板の層間絶縁層は感光性の絶縁樹脂である
ことを特徴とする態様１から態様８のいずれか一つに記載の配線基板ユニット。

（態様１０）
第２配線基板、剥離層、支持体からなる支持体付き基板において、
前記支持体と前記第２配線基板の間には剥離層が配置されており、
前記第２配線基板と前記剥離層の間には、中間層が配置されている、
ことを特徴とする支持体付き基板。

（態様１１）
態様１０に記載の支持体付き基板において、
前記中間層は、ニッケル、銅、チタンこれらの合金、または、これらの材料を複数用いた複層で構成されている、
ことを特徴とする支持体付き基板。

（態様１２）
前記第２配線基板と前記半導体素子を接続するために設けられる接続孔の一部は、前記補強層を介さずに、感光性樹脂層に形成されたものである
ことを特徴とする態様１乃至１１のいずれか一つに記載の配線基板ユニットまたは支持体付き基板。

（態様１３）
態様１乃至１１の配線基板ユニットまたは支持体付き基板の製造方法であって、
支持体の上方に剥離層を形成する第1の工程、
前記剥離層の上方に補強層を形成する第２の工程、
前記補強層に接続孔を形成する第３の工程、
前記接続孔が形成された補強層の上方に感光性樹脂層形成する第４の工程、
少なくとも一部の前記補強層の接続孔に整合させて、前記感光性樹脂層に開口部を形成する第５の工程、
前記接続孔に導電性材料を埋設する第６の工程、
前記感光性樹脂層の上方に配線層を形成し、第２配線基板を形成する第７の工程、
前記第２配線基板を剥離層が形成されている面と反対の面において、第１配線基板と接合する第８の工程、
前記剥離層を剥離して、前記第１配線基板に接合された前記第２配線基板から前記支持体を分離する第９の工程、
を有する配線基板ユニットの製造方法。

（態様１４）
態様１又は態様２に記載の配線基板ユニットの製造方法であって、
支持体の上方に剥離層を形成する第1の工程、
前記剥離層の上方に補強層を形成する第２の工程、
前記補強層に接続孔を形成する第３の工程、
前記接続孔が形成された補強層の上方に感光性樹脂層を形成する第４の工程、
少なくとも一部の前記補強層の接続孔に整合させて、前記感光性樹脂層に開口部を形成する第５の工程、
前記接続孔に導電性材料を埋設する第６の工程、
前記感光性樹脂層の上方に配線層を形成し、第２配線基板を形成する第７の工程、
前記第２配線基板の剥離層が形成されている面と反対の面において、第１配線基板と接合する第８の工程、
前記剥離層を剥離して、前記第１配線基板に接合された前記第２配線基板から前記支持体を分離する第９の工程、
前記支持体が分離され、露出した補強層に接続孔を形成する第１０の工程、
を有する配線基板ユニットの製造方法。

（態様１５）
前記補強層にパターンを形成する工程は、フォトリソグラフィー技術を用いる
ことを特徴とする態様１３または態様１４に記載の配線基板ユニットの製造方法。

（態様１６）
前記補強層にパターン形成する工程は、レーザー加工技術を用いる
ことを特徴とする態様１３または態様１４に記載の配線基板ユニットの製造方法。

１ 支持体
２ 剥離層
３ 感光性樹脂層
４ シード密着層
５ シード層
６ 導体層
７ レジストパターン
８ ソルダーレジスト層
９ 表面処理層
１０ はんだ
１１ 支持体付の配線基板
１２ ＦＣ－ＢＧＡ基板
１３ レーザー光
１４ 配線基板ユニット
１５ 半導体素子
１６ 半導体装置
１８ 補強層
１９ 微細配線層
２０ アンダーフィル層
５０ 中間層

Claims (16)

1. 第１配線基板と、
   前記第１配線基板に接合された第２配線基板と、を備え、
   前記第２配線基板の前記第１配線基板との接合面の対向面に半導体素子が実装可能な配線基板ユニットにおいて、
   前記第２配線基板の半導体素子が実装される側の最外層に補強層を有する
   ことを特徴とする配線基板ユニット。
2. 前記補強層には、前記半導体素子と前記第２配線基板の間の接合電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板ユニット。
3. 前記第２配線基板は多層配線基板である
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板ユニット。
4. 前記補強層はフィラーを含有する樹脂である
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板ユニット。
5. 前記補強層を構成する樹脂のＣＴＥは前記第２配線基板を構成する感光性樹脂層のＣＴＥよりも小さい
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板ユニット。
6. 前記補強層を構成する樹脂のＣＴＥは、４０ｐｐｍ／Ｋ以下である
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板ユニット。
7. 前記第２配線基板における配線部は、前記半導体素子が実装される側の一方面にシード密着層を有する
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板ユニット。
8. 前記シード密着層はチタンを含む層である
   ことを特徴とする請求項７に記載の配線基板ユニット。
9. 前記第２配線基板の層間絶縁層は感光性の絶縁樹脂である
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板ユニット。
10. 第２配線基板、剥離層、支持体からなる支持体付き基板において、
    前記支持体と前記第２配線基板の間には剥離層が配置されており、
    前記第２配線基板と前記剥離層の間には、中間層が配置されている
    ことを特徴とする支持体付き基板。
11. 請求項１０に記載の支持体付き基板において、
    前記中間層は、ニッケル、銅、チタンこれらの合金、または、これらの材料を複数用いた複層で構成されている
    ことを特徴とする支持体付き基板。
12. 前記第２配線基板と前記半導体素子を接続するために設けられる接続孔の一部は、前記補強層を介さずに、感光性樹脂層に形成されたものである
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板ユニット。
13. 請求項１又は請求項２に記載の配線基板ユニットの製造方法であって、
    支持体の上方に剥離層を形成する第1の工程、
    前記剥離層の上方に補強層を形成する第２の工程、
    前記補強層に接続孔を形成する第３の工程、
    前記接続孔が形成された補強層の上方に感光性樹脂層を形成する第４の工程、
    少なくとも一部の前記補強層の接続孔に整合させて、前記感光性樹脂層に開口部を形成する第５の工程、
    前記接続孔に導電性材料を埋設する第６の工程、
    前記感光性樹脂層の上方に配線層を形成し、第２配線基板を形成する第７の工程、
    前記第２配線基板の剥離層が形成されている面と反対の面において、第１配線基板と接合する第８の工程、
    前記剥離層を剥離して、前記第１配線基板に接合された前記第２配線基板から前記支持体を分離する第９の工程、
    を有する配線基板ユニットの製造方法。
14. 請求項１又は請求項２に記載の配線基板ユニットの製造方法であって、
    支持体の上方に剥離層を形成する第1の工程、
    前記剥離層の上方に補強層を形成する第２の工程、
    前記補強層に接続孔を形成する第３の工程、
    前記接続孔が形成された補強層の上方に感光性樹脂層を形成する第４の工程、
    少なくとも一部の前記補強層の接続孔に整合させて、前記感光性樹脂層に開口部を形成する第５の工程、
    前記接続孔に導電性材料を埋設する第６の工程、
    前記感光性樹脂層の上方に配線層を形成し、第２配線基板を形成する第７の工程、
    前記第２配線基板の剥離層が形成されている面と反対の面において、第１配線基板と接合する第８の工程、
    前記剥離層を剥離して、前記第１配線基板に接合された前記第２配線基板から前記支持体を分離する第９の工程、
    前記支持体が分離され、露出した補強層に接続孔を形成する第１０の工程、
    を有する配線基板ユニットの製造方法。
15. 前記補強層にパターンを形成する工程は、フォトリソグラフィー技術を用いる
    ことを特徴とする請求項１３に記載の配線基板ユニットの製造方法。
16. 前記補強層にパターン形成する工程は、レーザー加工技術を用いる
    ことを特徴とする請求項１３に記載の配線基板ユニットの製造方法。

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