JP2022186473A - 半導体装置の製造方法、及び配線基板形成用フィルム - Google Patents

Abstract

【課題】キャリア基板上でレーザーアブレーション層を均一な厚みで形成することが可能な、半導体装置の製造方法、及び配線基板形成用フィルムを提供する。【解決手段】レーザーアブレーション層１１と、レーザーアブレーション層１１上に位置する密着層１２と、密着層１２上に位置する保護フィルム１４とを有する配線基板形成用フィルム１０を準備する。配線基板形成用フィルム１０の保護フィルム１４を剥離し、キャリア基板２１に、配線基板形成用フィルム１０のレーザーアブレーション層１１と密着層１２とを転写し、レーザーアブレーション層１１上に再配線層３０を形成する。レーザーアブレーション層１１にレーザー光Ｌを照射することによりキャリア基板２１から再配線層３０を剥離する。【選択図】図７

Description

本開示は、半導体装置の製造方法、及び配線基板形成用フィルムに関する。

半導体の小型パッケージング技術の一つであるファンアウトパッケージにおいて、ＦＯ－ＷＬＰ（Fan-Out Wafer Level Package）の開発が進められている。ＦＯ－ＷＬＰを製造する場合、支持基板を有するキャリアの上で配線を形成し、半導体素子をマウントし、封止するなどの工程が行われる。その後、封止品から支持基板を剥離し、封止品を個片化してパッケージが完成する。

また、ファンアウトパッケージの新しい態様として、ＦＯ－ＰＬＰ（Fan-out panel level package）の開発が進められている。ＦＯ－ＰＬＰは、ＦＯ－ＷＬＰのキャリアよりも大きい大型ガラス等をキャリアとして用いるものである。これにより、半導体パッケージをより低コストで量産することができる。

ＦＯ－ＰＬＰを製造する際、キャリアガラスと配線層との剥離を容易に行えるように、剥離層を有する積層体を使用することがある。しかしながら、半導体パッケージを低コスト化するためにキャリアガラスを大型化した場合、キャリアガラス上に剥離層を塗布しても、配線層をキャリアガラスから剥離する際に安定して均一に剥離することが難しい。また、キャリアガラス上に剥離層を塗布する場合、キャリアガラスの全面で均一な厚みで剥離層を形成することが難しいという課題もある。

国際公開２０２０／１４５００３号

本実施の形態は、キャリア基板上でレーザーアブレーション層を均一な厚みで形成することが可能な、半導体装置の製造方法、及び配線基板形成用フィルムを提供する。

本実施の形態による半導体装置の製造方法は、レーザーアブレーション層と、前記レーザーアブレーション層上に位置する密着層と、前記密着層上に位置する保護フィルムとを有する配線基板形成用フィルムを準備する工程と、前記配線基板形成用フィルムの前記保護フィルムを剥離する工程と、キャリア基板に、前記配線基板形成用フィルムの前記レーザーアブレーション層と前記密着層とを転写する工程と、前記レーザーアブレーション層上に再配線層を形成する工程と、前記レーザーアブレーション層にレーザー光を照射することにより前記キャリア基板から前記再配線層を剥離する工程と、を備えている。

本実施の形態による半導体装置の製造方法において、前記レーザーアブレーション層の線膨張係数と、前記キャリア基板の線膨張係数との差は、２０ｐｐｍ／Ｋ以下であっても良い。

本実施の形態による半導体装置の製造方法において、前記レーザーアブレーション層の平均厚みは、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であっても良い。

本実施の形態による半導体装置の製造方法において、前記レーザーアブレーション層の厚みのばらつきは、前記レーザーアブレーション層の平均厚みを基準として±１０％以内であっても良い。

本実施の形態による半導体装置の製造方法において、前記レーザー光は、エキシマレーザー光又は固体レーザー光であっても良い。

本実施の形態による半導体装置の製造方法において、前記レーザーアブレーション層上であって前記密着層の反対側に、遮蔽層が位置していても良い。

本実施の形態による半導体装置の製造方法において、前記遮蔽層と前記レーザーアブレーション層との間に、追加の密着層が配置されていても良い。

本実施の形態による半導体装置の製造方法において、前記密着層の前記レーザー光の透過率は、前記レーザーアブレーション層の前記レーザー光の透過率よりも高くても良い。

本実施の形態による半導体装置の製造方法において、前記レーザーアブレーション層のガラス転移温度Ｔｇは、２５０℃以上であり、前記密着層のガラス転移温度Ｔｇは、－３０℃以上であっても良い。

本実施の形態による配線基板形成用フィルムは、配線基板を形成するための配線基板形成用フィルムであって、レーザーアブレーション層と、前記レーザーアブレーション層上に位置する密着層と、前記密着層上に位置する保護フィルムと、を備えている。

本実施の形態による配線基板形成用フィルムにおいて、前記レーザーアブレーション層の平均厚みは、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であっても良い。

本実施の形態による配線基板形成用フィルムにおいて、前記レーザーアブレーション層の厚みのばらつきは、前記レーザーアブレーション層の平均厚みを基準として±１０％以内であっても良い。

本実施の形態による配線基板形成用フィルムにおいて、前記レーザーアブレーション層上であって前記密着層の反対側に、遮蔽層が位置していても良い。

本実施の形態による配線基板形成用フィルムにおいて、前記遮蔽層と前記レーザーアブレーション層との間に、追加の密着層が配置されていても良い。

本実施の形態による配線基板形成用フィルムにおいて、前記密着層のレーザー光の透過率は、前記レーザーアブレーション層のレーザー光の透過率よりも高くても良い。

本実施の形態による配線基板形成用フィルムにおいて、前記レーザーアブレーション層のガラス転移温度Ｔｇは、２５０℃以上であり、前記密着層のガラス転移温度Ｔｇは、－３０℃以上であっても良い。

本開示の実施の形態によれば、キャリア基板上でレーザーアブレーション層を均一な厚みで形成できる。

図１は、一実施の形態による配線基板形成用フィルムを示す断面図である。 図２は、変形例による配線基板形成用フィルムを示す断面図である。 図３は、一実施の形態による配線基板を示す断面図である。 図４は、一実施の形態による半導体装置を示す断面図である。 図５（ａ）－（ｇ）は、一実施の形態による配線基板形成用フィルムの製造方法を示す断面図である。 図６（ａ）－（ｄ）は、一実施の形態による配線基板の製造方法を示す断面図である。 図７（ａ）－（ｃ）は、一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。

以下、一実施の形態について、図１乃至図７を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。また本明細書において、「ＡがＢ上に位置する」とは、「ＡがＢ上に直接位置する」場合と、「ＡがＢ上に間接的に位置する（ＡとＢとの間に他の要素が介在している）」場合との両方を含む。

（配線基板形成用フィルムの構成）
まず、図１により、本実施の形態による配線基板形成用フィルムの概略について説明する。図１は、本実施の形態による配線基板形成用フィルムを示す断面図である。

図１に示す配線基板形成用フィルム１０は、後述する配線基板２０（図３参照）を形成するためのものである。この配線基板形成用フィルム１０は、レーザーアブレーション層１１と、レーザーアブレーション層１１上に位置する密着層１２と、密着層１２上に位置する保護フィルム１４とを備えている。また、レーザーアブレーション層１１上であって密着層１２の反対側に、遮蔽層（保護層）１３が位置する。遮蔽層１３上であって密着層１２の反対側に、シード層１５が位置する。

このうちレーザーアブレーション層１１は、特定の外的エネルギー（例えば、レーザー光）を付与されることにより密着力が低下又は消失するものが用いられる。レーザー光の種類としては、エキシマレーザーＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌ（波長３０８ｎｍ）、ＹＡＧレーザー（波長３５５ｎｍ）、グリーンレーザー（波長５３２ｎｍ）、ＩＲレーザー（波長１０６４ｎｍ）、ＣＯ２レーザー（波長１０，６００ｎｍ）などが挙げられる。レーザー光の波長が短いと高エネルギーのため熱が発生しやすく、レーザー光の波長が高いと吸収する材料が限定されるため材料の選択自由度が低い。そのため、使用するレーザー光は３００ｎｍ～４００ｎｍのレーザー光が好適に用いられる。レーザーアブレーション層１１としては、例えば、エキシマレーザー光又は固体レーザー光等の特定波長（例えばエキシマレーザー光の場合、３０８ｎｍ）のレーザー光を吸収する特性を有するアモルファスシリコンやポリイミド等の剥離材料（例えばBrewer Science, Inc.社製BREWER BONDシリーズ、宇部興産（株）製ＵＰＩＡシリーズ（製品名）、ユニチカ（株）製Ｕイミドシリーズ（製品名）、ＪＳＲ（株）製オプトマーＡＬシリーズ（製品名）、東京応化工業（株）製ＴＺＮＲ－Ａシリーズ（製品名））を用いることができる。とりわけ、レーザーアブレーション層１１は、ポリイミドを含むことが好ましい。

レーザーアブレーション層１１は、レーザー光を効率良く吸収するよう、レーザー光の透過率が低いものであることが好ましい。具体的には、レーザーアブレーション層１１は、レーザー光の透過率が４０％以下、好ましくは２５％以下、更に好ましくは１５％以下としても良い。これにより、後述するようにキャリア基板２１を再配線層３０から剥離する際、キャリア基板２１側からレーザー光Ｌを照射することにより、レーザーアブレーション層１１を効果的に改質させることができる。なお、レーザー光の透過率は、例えば分光光度計（例えば、ＵＶ－２４５０（株式会社島津製作所製））によって測定できる。

また、レーザーアブレーション層１１の平均厚みは、例えば、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲としてもよく、５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の範囲とすることが好ましい。レーザーアブレーション層１１の平均厚みを５０ｎｍ以上とすることにより、レーザーアブレーション層１１がレーザー光を十分に吸収でき、再配線層３０を効率良く剥離できる。レーザーアブレーション層１１の平均厚みを１０００ｎｍ以下とすることにより、レーザー光をレーザーアブレーション層１１の内部まで到達させることができ、再配線層３０を効率良く剥離できる。なお、レーザーアブレーション層１１の平均厚みは、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてレーザーアブレーション層１１の断面から測定できる。具体的には、レーザーアブレーション層１１の切り出した領域を５０ｍｍ間隔で走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって測定し、各測定値の算術平均値により求められる。

また、レーザーアブレーション層１１の厚みのばらつきは、レーザーアブレーション層１１の平均厚みを基準として±１０％以内としてもよく、±５％以内とすることが好ましい。レーザーアブレーション層１１の厚みのばらつきを±１０％以内とすることにより、後述するように、再配線層３０を剥離する際、レーザー光Ｌの焦点がレーザーアブレーション層１１の厚み方向にずれることが抑えられる。これにより、レーザー光Ｌのエネルギーをレーザーアブレーション層１１に対して十分に吸収させることができる。なお、レーザーアブレーション層１１の厚みのばらつきとは、上述したレーザーアブレーション層１１の平均厚みを基準としたときの、レーザーアブレーション層１１の厚みの最大値及び最小値に基づいて算出される。すなわち、（（レーザーアブレーション層１１の厚みの最大値／レーザーアブレーション層１１の平均厚み）－１）×１００（％）の値がばらつきの上限値である。また、（（レーザーアブレーション層１１の厚みの最小値／レーザーアブレーション層１１の平均厚み）－１）×１００（％）の値がばらつきの下限値である。レーザーアブレーション層１１の厚みの最大値及び最小値とは、レーザーアブレーション層１１の切り出した領域を５０ｍｍ間隔で走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって測定したときの最大値及び最小値をいう。

レーザーアブレーション層１１の線膨張係数（ＣＴＥ）は、２ｐｐｍ（１０^－６）／Ｋ以上５０ｐｐｍ／Ｋ以下であっても良く、４ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。ここで線膨張係数とは、２０℃～２００℃の温度範囲における線膨張係数をいう。レーザーアブレーション層１１の線膨張係数は、例えば熱機械分析装置（例えばＴＭＡ－６０（株式会社島津製作所製）によって算出することができる。

レーザーアブレーション層１１のガラス転移温度Ｔｇは、２５０℃以上であることが好ましい。これにより、後述する再配線層３０を形成する工程でレーザーアブレーション層１１が高温環境下（例えば約２００℃）に置かれたときに、レーザーアブレーション層１１が変形することを抑制できる。レーザーアブレーション層１１のガラス転移温度Ｔｇは、動的粘弾性測定装置（例えば、Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００（株式会社ユービーエム社製））により測定できる。

密着層１２は、レーザーアブレーション層１１上に直接形成された平坦な層からなる。密着層１２は、接着性をもつ接着層であっても良い。密着層１２は、後述する配線基板２０の製造工程において、キャリア基板２１と再配線層３０とを密着させるとともに、その後の半導体装置７０の製造工程において、再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離されるものである。

密着層１２は、レーザーアブレーション層１１とは異なり、レーザーアブレーション層１１にレーザー光を照射した後も密着力が保持されるものが用いられる。密着層１２は、透明なものであっても良い。また密着層１２としては、例えば、エキシマレーザー光又は固体レーザー光等の特定波長（例えばエキシマレーザー光の場合、３０８ｎｍ）のレーザー光を透過する特性を有することが好ましい。具体的には、密着層１２は、レーザー光の透過率が５０％以上、好ましくは６０％以上、更に好ましくは７０％以上としても良い。これにより、後述するようにキャリア基板２１を再配線層３０から剥離するとき、キャリア基板２１側からレーザー光Ｌを照射することにより、レーザー光Ｌを効率良くレーザーアブレーション層１１に到達させることができる。なお、レーザー光の透過率は、例えば分光光度計（例えば、ＵＶ－２４５０（株式会社島津製作所製））によって測定できる。

また、密着層１２のレーザー光の透過率は、上述したレーザーアブレーション層１１のレーザー光の透過率よりも高いことが好ましい。これにより、後述するようにキャリア基板２１を再配線層３０から剥離するとき、レーザー光Ｌを効率良くレーザーアブレーション層１１に到達させ、レーザーアブレーション層１１を改質させることができる。

密着層１２としては、例えば、シリコーン系接着剤、アクリル系接着剤、又はリモネン等に溶解する接着剤を用いることができる。密着層１２の厚みは、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下程度の範囲としても良い。

密着層１２は、後述するように、支持基材１８上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法又は熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものである。外周の隆起部や裏面回りした塗料はＥＢＲ（エッジビードリムーブ）などで除去しても良い。このため密着層１２は、全体として平坦性を高めることが可能となり、面内の凹凸の最も高い箇所と低い箇所との差であるUniformityレンジが１０％以下程度の平坦性を確実に得ることができるため好ましい。これにより寸法精度の高い再配線パターンを形成することが可能となる。

密着層１２のガラス転移温度Ｔｇは、－３０℃以上であることが好ましい。これにより、後述する再配線層３０を形成する工程で密着層１２が高温環境下（例えば約２００℃）に置かれたときに、密着層１２が変形することを抑制できる。密着層１２のガラス転移温度Ｔｇは、動的粘弾性測定装置（例えば、Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００（株式会社ユービーエム社製））により測定できる。

保護フィルム１４は、キャリア基板２１に転写する層（転写層１６）である、レーザーアブレーション層１１、密着層１２、遮蔽層１３及びシード層１５を剥離可能に担持する。保護フィルム１４は、転写層１６を被転写基材であるキャリア基板２１に転写するまでの間、転写層１６を外部からの衝撃等から保護する。また保護フィルム１４は、転写層１６を被転写基材であるキャリア基板２１上に接着及び積層する際に、剥離及び除去されるセパレータとしての役割を果たす。保護フィルム１４は、透明又は不透明なフィルム材であっても良い。なお保護フィルム１４は、全体の形状がシート形状であっても良い。また保護フィルム１４は、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン樹脂等の樹脂からなる樹脂性フィルム材を用いてもよい。なお保護フィルム１４の厚みは、５μｍ以上１００μｍ以下としても良い。

遮蔽層１３は、転写層１６上に形成される再配線層３０を保護するためのものである。具体的には、遮蔽層１３は、後述する半導体装置７０の製造工程において、パターン構造体３１を形成するレジスト材料とレーザーアブレーション層１１とを分離し、レジスト材料とレーザーアブレーション層１１とが相溶することによる相互汚染を抑止する。また遮蔽層１３は、レーザーアブレーション層１１をレーザー光によって改質する際、レーザー光を反射させることにより、レーザーアブレーション層１１で吸収されずに透過したレーザー光から再配線層３０を保護する役割を果たす。すなわち遮蔽層１３は、レーザー照射に対し再配線層３０にダメージを与えずレーザーアブレーション層１１を改質する性質を有している。レーザーアブレーション層１１の改質に用いられるレーザー光としては、エキシマレーザー光（波長３０８ｎｍ）や固体レーザー光（波長３４３ｎｍ、３５５ｎｍ）等が挙げられる。このため遮蔽層１３は、レーザーアブレーション層１１の改質に用いられるレーザー光に対する反射性を有することが好ましい。特に、エキシマレーザー光又は固体レーザー光に対する反射性を有することが好ましい。また遮蔽層１３は、半導体装置７０の製造工程において、レーザーアブレーション層１１を改質した際、レーザーアブレーション層１１側からのガスを遮蔽する役割を果たしても良い。これにより、再配線層３０の配線層３２や電極が酸化したり、再配線層３０内に熱拡散が生じたりすることを抑制することができる。このため、遮蔽層１３は、上述したレーザー光の反射性や、レーザーアブレーション層１１側からのガスの遮蔽性が良好なものが用いられる。

このような遮蔽層１３は、後述するように、レーザーアブレーション層１１上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成されたものである。遮蔽層１３は、例えば、使用するレーザー光の波長に対して光学濃度（ＯＤ）が２以上、好ましくは３以上の層とすることができる。また、遮蔽層１３は、再配線層３０の配線層３２（例えばめっき銅やアルミ）に対して選択エッチング性があるものが好ましい。すなわち、遮蔽層１３の材質としては、遮蔽層１３を除去する際に用いるエッチング液に対して、遮蔽層１３の溶解性が配線層３２の溶解性より高い材質が好ましく、なかでも遮蔽層１３は可溶であり配線層３２は不溶となる材質が好ましい。遮蔽層１３の材質は、例えば、クロム、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、パラジウム、銅、ニッケル、タングステン、ベリリウム、ロジウム、ルテニウム又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金等の金属材料を挙げることができる。遮蔽層１３の厚みは、光学濃度が２以上となるように適宜設定することができ、例えば、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下程度が好ましい。

遮蔽層１３が金属層からなることにより、半導体装置７０の製造工程において、レーザーアブレーション層１１に対してレーザー光を照射する際、レーザー光から再配線層３０を保護できるので、工程歩留まりを向上させることができる。また、遮蔽層１３が金属層からなることにより、遮蔽層１３のレーザー光に対する反射率が全反射に近い状態に高められている。このため、遮蔽層１３を薄く形成できる。さらに、遮蔽層１３が金属層からなることにより、遮蔽層１３の平坦性を確保できるので、その上に形成される再配線層３０の平坦性も高めることができる。なお、遮蔽層１３は必ずしも設けられていなくても良い。

シード層１５は、遮蔽層１３上に直接形成された平坦な層からなる。シード層１５は、このシード層１５を導通媒体として電解めっき（例えば銅めっき）を施すことにより、再配線層３０の接続導体層３７を形成するための層である。シード層１５は、例えば、銅、ニッケル、ニッケルクロム合金等、表面抵抗が１Ω／□以下となる材料が好ましい。シード層１５は、スパッタリング法等の真空成膜法により形成されても良い。シード層１５の厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲で形成しても良い。なお、シード層１５は必ずしも設けられていなくても良い。

なお、図２に示すように、遮蔽層１３とレーザーアブレーション層１１との間に追加の密着層１７が配置されていても良い。追加の密着層１７は、レーザーアブレーション層１１上に直接形成された平坦な層からなる。追加の密着層１７は、遮蔽層１３とレーザーアブレーション層１１との密着性を高めることにより、後述する半導体装置７０の製造工程において、遮蔽層１３とレーザーアブレーション層１１とが互いに剥離することを抑制する役割を果たす。追加の密着層１７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）、二酸化珪素（ＳｉＯ_２）等の酸化物からなる材料を用いても良い。追加の密着層１７は、スパッタリング法等の真空成膜法により形成されても良い。追加の密着層１７の厚みは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲であっても良い。

（配線基板の構成）
次に、図３により、本実施の形態による配線基板の概略について説明する。図３は、本実施の形態による配線基板を示す断面図である。

図３に示す配線基板２０は、キャリア基板２１と、キャリア基板２１上に位置する転写層１６と、配線基板形成用フィルム１０上に位置する再配線層３０とを備えている。

このうちキャリア基板２１は、転写層１６及び再配線層３０を支持するものであり、平坦な板状の部材からなる。キャリア基板２１の材料は、レーザーアブレーション層１１をレーザー光によって構造改質する際にレーザー光が透過可能な材料を用いる。キャリア基板２１の材料は、例えば、石英ガラス、アルミノホウ珪酸系ガラス、ソーダ石灰ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。キャリア基板２１の厚みは、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、２００μｍ以上１０ｍｍ以下程度の範囲で適宜設定できる。キャリア基板２１としては、例えば一辺が３００ｍｍ以上７００ｍｍ以下程度の大面積の矩形基板を用いることが可能である。

キャリア基板２１の線膨張係数（ＣＴＥ）は、２ｐｐｍ／Ｋ以上、１０ｐｐｍ／Ｋ以下であっても良く、３ｐｐｍ／Ｋ以上、８ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。ここでキャリア基板２１の線膨張係数は、例えば熱機械分析装置（例えばＴＭＡ－６０（株式会社島津製作所製）によって算出することができる。また、レーザーアブレーション層１１の線膨張係数と、キャリア基板２１の線膨張係数との差（絶対値）は、２０ｐｐｍ／Ｋ以下であっても良く、１５ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。再配線層３０を形成する工程でレーザーアブレーション層１１及びキャリア基板２１が高温環境下（例えば約２００℃）と常温環境下（例えば約２０℃）に交互に繰り返し置かれる場合がある。このため、レーザーアブレーション層１１の線膨張係数とキャリア基板２１の線膨張係数との差を上記範囲内とすることにより、線膨張係数の相違によりレーザーアブレーション層１１がキャリア基板２１から剥離することを抑制できる。

転写層１６は、上述した配線基板形成用フィルム１０のうち、保護フィルム１４以外の各層を含む。すなわち、転写層１６は、レーザーアブレーション層１１と、密着層１２と、遮蔽層１３と、シード層１５とを含む。なお、転写層１６を構成する各層の構成は、図１に示す構成と略同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。

再配線層３０は、遮蔽層１３上に形成されたパターン構造体３１と、パターン構造体３１に埋設された配線層３２とを有する。また、パターン構造体３１内であって、遮蔽層１３上には接続導体層３７が形成されている。この接続導体層３７は、配線層３２と同一材料から構成され、配線層３２に接続されている。

パターン構造体３１は、ノボラック系エポキシフェノール系樹脂からなる硬化性樹脂を含んでも良い。この硬化性樹脂は、一般に主剤、構造中にアンチモンを含むような光酸発生剤又はフェノールやフェノール系エステル、シアネート系エステルの硬化剤、開始剤、架橋剤などにより構成されても良い。具体的には、硬化性樹脂として、日本化薬株式会社製 ＳＵ－８シリーズなどが挙げられる。また、硬化性樹脂には、必要に応じてレベリング剤や離型剤や密着剤が含有されていても良い。本実施の形態で使用する硬化性樹脂には特に制限はなく、公知の硬化性樹脂からパターン構造体３１の用途、要求される特性、物性等に応じて適宜選択できる。パターン構造体３１の厚みは、例えば、３μｍ以上５０μｍ以下程度であっても良い。

配線層３２は、配線３３と、パッド部３４と、このパッド部３４に接続された層間接続ビア３５とを有している。パッド部３４と層間接続ビア３５とは、いずれも同一材料から構成されていても良い。パッド部３４と層間接続ビア３５とは、互いに一体化されている。配線層３２は、例えば、銅、ニッケル、ニッケルクロム合金等、導電性の良好な金属材料からなることが好ましい。

本実施の形態では、配線層３２が多層に形成されている。図３において、２層の配線層３２を形成した例を示している。具体的には、配線層３２は、パターン構造体３１Ａに配設された配線層３２Ａと、パターン構造体３１Ｂに配設された配線層３２Ｂとを含む。すなわち、配線基板形成用フィルム１０上には、２層構造からなる多層配線構造体３６が形成されている。

（半導体装置の構成）
次に、図４により、本実施の形態による半導体装置の概略について説明する。図４は、本実施の形態による半導体装置を示す断面図である。

図４に示す半導体装置７０は、上述した再配線層３０と、再配線層３０上に位置する半導体素子７１と、半導体素子７１を封止する封止樹脂７２とを備えている。

このうち再配線層３０は、図３に示す構成と略同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。

半導体素子７１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能である。半導体素子７１としては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。半導体素子７１は、１個に限らず、複数個設けても良い。

封止樹脂７２としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等にフェノールなどの硬化剤を加えた熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂７２の線膨張係数を半導体素子７１の線膨張係数に近付ける目的で粒子フィラー（ＳｉＯ_２等）等を添加しても良い。また、封止樹脂７２の成型充填性を良化させるために小径フィラーを添加しても良い。この小径フィラーとしては、平均粒子径がφ０．１μｍ以上φ５０μｍ以下、好ましくはφ１０μｍ以下のものを選択すると良い。具体的には、小径フィラーとしては、長瀬ケムテックス株式会社製、圧縮成型用液状材料、Ｔ６９３／Ｒ４０００ｓｅｒｉｅｓ等を用いても良い。

（配線基板形成用フィルムの製造方法）
次に、図５（ａ）－（ｇ）により、本実施の形態による配線基板形成用フィルムの製造方法について説明する。図５（ａ）－（ｇ）は、本実施の形態による配線基板形成用フィルムの製造方法を示す断面図である。

まず、図５（ａ）に示すように、平坦な板状の部材からなる支持基材１８を準備する。この支持基材１８は、配線基板形成用フィルム１０を製造する際の支持体となるものである。支持基材１８としては、例えば、ポリイミド等の樹脂基材を用いても良い。また、支持基材１８の厚みは、５μｍ以上１００μｍ以下としても良い。

次に、図５（ｂ）に示すように、支持基材１８上にレーザーアブレーション層１１を直接積層して形成する。レーザーアブレーション層１１の材料としては、レーザー光によって改質されて密着力が低下又は消失するものが用いられる。例えば、レーザーアブレーション層１１の材料は、エキシマレーザー光又は固体レーザー光等の特定波長（例えばエキシマレーザー光の場合、３０８ｎｍ）を吸収する特性を有する剥離材料を用いることができる。このような剥離材料としては、アモルファスシリコンやポリイミド等の剥離材料が挙げられる。

レーザーアブレーション層１１は、ダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法とＥＢＲ（エッジリムーブ）法との組合せ等の手法により形成されても良い。この場合、支持基材１８上に発泡型の接着フィルム、テープ等を貼着する場合と比べて、フィルム、テープ等にうねりや接着剤等の厚みムラが生じるおそれがない。また、レーザーアブレーション層１１の平坦性を高めることができる。

次に、図５（ｃ）に示すように、レーザーアブレーション層１１上に密着層１２を直接積層して形成する。密着層１２の材料としては、レーザーアブレーション層１１の改質後も密着力が保持するものが用いられる。例えば、密着層１２の材料は、シリコーン系接着剤、アクリル系接着剤、又はリモネン等に溶解する接着剤であっても良い。密着層１２としては、専用の溶解除去液によって除去が可能なものが用いられても良い。

密着層１２は、ダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法とＥＢＲ（エッジリムーブ）法との組合せ等の手法により形成されても良い。この場合、密着層１２の平坦性を高めることができる。

続いて、図５（ｄ）に示すように、密着層１２上に保護フィルム１４を直接積層して形成する。保護フィルム１４の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の樹脂フィルムが用いられても良い。

なお、支持基材１８上にレーザーアブレーション層１１を積層した第１積層体と、密着層１２上に保護フィルム１４を積層した第２積層体とをそれぞれ準備しても良い。その後、この第１積層体と第２積層体とを貼り合わせても良い。

次に、図５（ｅ）に示すように、レーザーアブレーション層１１から支持基材１８を剥離して除去する。

次いで、図５（ｆ）に示すように、レーザーアブレーション層１１上に遮蔽層１３を直接積層して形成する。遮蔽層１３は、後工程で形成される再配線層３０を保護するためのものである。遮蔽層１３の材料としては、レーザー光の反射性やレーザーアブレーション層１１側からのガスの遮蔽性が良好なものが用いられる。具体的には、遮蔽層１３の材料は、例えばクロム、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン、ベリリウム、ロジウム、ルテニウムのいずれか又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金等の金属材料であっても良い。遮蔽層１３は、レーザーアブレーション層１１上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成されても良い。この場合、薄膜状の遮蔽層１３を均一かつ平坦に形成できる。

続いて、図５（ｇ）に示すように、レーザーアブレーション層１１及び遮蔽層１３上にシード層１５を積層する。この場合、遮蔽層１３に対してシード層１５を直接積層して形成する。シード層１５は、後工程で形成される再配線層３０を作製する際、シード層１５を導通媒体として電解めっき（例えば銅めっき）を施すためのものである。シード層１５の材料としては、例えば、銅、ニッケル、ニッケルクロム合金等の金属材料であっても良い。シード層１５は、遮蔽層１３上にスパッタリング法等の真空成膜法等により形成される。このため、薄膜状のシード層１５を均一かつ平坦に形成できる。

このようにして、レーザーアブレーション層１１と、密着層１２と、保護フィルム１４と、遮蔽層１３と、シード層１５とを備えた配線基板形成用フィルム１０（図１参照）が得られる。

（配線基板の製造方法）
次に、図６（ａ）－（ｄ）により、本実施の形態による配線基板の製造方法について説明する。図６（ａ）－（ｄ）は、本実施の形態による配線基板の製造方法を示す断面図である。

まず、例えば図５（ａ）－（ｇ）に示す方法により、配線基板形成用フィルム１０を作製する（図６（ａ）参照）。

次いで、図６（ｂ）に示すように、配線基板形成用フィルム１０の密着層１２から保護フィルム１４を剥離除去する。これにより、キャリア基板２１に転写する層である転写層１６が得られる。

次に、図６（ｃ）に示すように、平坦な板状の部材からなるキャリア基板２１を準備し、転写層１６をキャリア基板２１に対して積層する。転写層１６のうち密着層１２は、接着性を有する材料であっても良い。これにより密着層１２を用いて転写層１６がキャリア基板２１に接合される。

キャリア基板２１としては、例えば、石英ガラス、アルミノホウ珪酸系ガラス、ソーダ石灰ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。

本実施の形態においては、配線基板形成用フィルム１０から保護フィルム１４を剥離し、転写層１６をキャリア基板２１に転写する。これにより、キャリア基板２１上にレーザーアブレーション層１１を含む転写層１６を容易に形成できる。このため、キャリア基板２１にレーザーアブレーション層１１を直接塗布して形成する場合と比較して、レーザーアブレーション層１１をより均一な厚みで形成できる。とりわけ、キャリア基板２１の面積が大きい場合でも、キャリア基板２１の全面にわたって均一な厚みのレーザーアブレーション層１１を容易に形成できる。

続いて、図６（ｄ）に示すように、レーザーアブレーション層１１上に再配線層３０を形成する。具体的には、レーザーアブレーション層１１上のシード層１５に対して再配線層３０を直接形成する。再配線層３０は、シード層１５上に形成されたパターン構造体３１と、パターン構造体３１に埋設された配線層３２とを有している。この場合、再配線層３０は、配線基板形成用フィルム１０上に形成された複数の層構造からなる多層配線構造体３６を含んでいても良い。

この場合、再配線層３０は、例えばインプリント法又はセミアディティブ法によって形成されても良い。あるいは、再配線層３０は、感光性フォトレジストと露光現像装置（ステッパー露光装置やレーザー直描装置）を用いたフォトリソ法、熱硬化型レジストのレーザー穴開け加工（ＵＶ－ＹＡＧやＣＯ_２レーザーなど）を適宜組合せて形成しても良い。

このようにして、キャリア基板２１と、キャリア基板２１上に位置する転写層１６と、転写層１６上に位置する再配線層３０とを備えた配線基板２０が得られる。転写層１６は、レーザーアブレーション層１１と、密着層１２と、遮蔽層１３と、シード層１５とを含む。

（半導体装置の製造方法）
次に、図７（ａ）－（ｃ）により、本実施の形態による半導体装置の製造方法について説明する。図７（ａ）－（ｃ）は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。

まず、例えば図６（ａ）－（ｄ）に示す方法により、キャリア基板２１と、転写層１６と、再配線層３０とを備えた配線基板２０を作製する。

次に、図７（ａ）に示すように、配線基板２０の再配線層３０上に半導体素子７１を設け、その後、半導体素子７１を封止樹脂７２によって封止する。

続いて、図７（ｂ）に示すように、キャリア基板２１及び密着層１２を再配線層３０及び遮蔽層１３から剥離する。このとき、キャリア基板２１側からエキシマレーザー光（波長３０８ｎｍ）や固体レーザー光（波長３４３ｎｍ、３５５ｎｍ）等のレーザー光Ｌを照射する。このレーザー光Ｌは、透明なキャリア基板２１と、密着層１２とを透過してレーザーアブレーション層１１に到達する。上述したように、レーザーアブレーション層１１は、レーザー光Ｌによって改質されることにより密着力が低下又は消失する。このため、レーザー光Ｌによって改質されることにより、レーザーアブレーション層１１の密着力が低下又は消失する。この結果、レーザーアブレーション層１１は、密着層１２から剥離する。これに対して、密着層１２は密着力を保持し、キャリア基板２１に接着された状態を保持する。なお、レーザーアブレーション層１１を改質するとは、レーザー光Ｌの照射や加熱等の外的エネルギーを付与することにより、レーザーアブレーション層１１が機械的に破壊される場合や、レーザーアブレーション層１１に分子構造の変化が生じる場合を含む。具体的には、レーザーアブレーション層１１が光によって硬化して寸法が縮むことにより、レーザーアブレーション層１１の密着力が低下しても良い。あるいはレーザーアブレーション層１１の表面の官能基が破壊されることにより、レーザーアブレーション層１１の密着力が低下しても良い。

一方、レーザーアブレーション層１１の面のうちキャリア基板２１の反対側の面には、遮蔽層１３が設けられている。このため、キャリア基板２１及び密着層１２を透過したレーザー光Ｌは、遮蔽層１３によって反射されて、キャリア基板２１及び密着層１２側に戻される。したがって、レーザー光Ｌが再配線層３０まで達することがなく、レーザー光Ｌが再配線層３０に悪影響を及ぼすことが抑えられる。なお、遮蔽層１３及びシード層１５は、再配線層３０に密着した状態を維持する。

本実施の形態によれば、レーザーアブレーション層１１は、配線基板形成用フィルム１０の転写層１６をキャリア基板２１に転写することにより形成されている。このため、キャリア基板２１上のレーザーアブレーション層１１が均一な厚みで形成される。レーザーアブレーション層１１の厚みを均一にすることにより、レーザー光Ｌの焦点がレーザーアブレーション層１１から厚み方向にずれることが抑えられる。これにより、レーザー光Ｌのエネルギーをレーザーアブレーション層１１に対して十分に吸収させることができる。とりわけ、キャリア基板２１の面積が大きい場合でも、キャリア基板２１及び密着層１２を再配線層３０に対して安定して剥離できる。

次いで、図７（ｃ）に示すように、遮蔽層１３上のレーザーアブレーション層１１の残渣を溶解除去液によって除去し、その後例えばフラッシュエッチング等の選択エッチング法により、遮蔽層１３及びシード層１５を再配線層３０から除去する。このようにして、図４に示す半導体装置７０が得られる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、配線基板形成用フィルム１０の保護フィルム１４を剥離し、キャリア基板２１に、配線基板形成用フィルム１０のレーザーアブレーション層１１と密着層１２とを転写する。これにより、キャリア基板２１にレーザーアブレーション層１１を均一な厚みで形成できる。このため、再配線層３０をキャリア基板２１から剥離する際に安定して均一に剥離できる。とりわけ、キャリア基板２１にレーザーアブレーション層１１を塗布して形成する場合と比較して、レーザーアブレーション層１１をキャリア基板２１の全面で均一に形成できる。

また、本実施の形態によれば、レーザーアブレーション層１１の厚みを均一にすることにより、キャリア基板２１の面積が大きい場合でも、再配線層３０を安定して剥離できる。またレーザーアブレーション層１１の厚みが均一であることにより、レーザー光Ｌのエネルギーを最低限に抑えられるため、再配線層３０を短時間で剥離でき、再配線層３０へのダメージも抑えられる。

また、本実施の形態によれば、キャリア基板２１に、配線基板形成用フィルム１０のレーザーアブレーション層１１と密着層１２とを転写する。このため、キャリア基板２１上にレーザーアブレーション層１１を塗布及び硬化する工程を設ける必要がなく、処理時間を短縮できる。

また、本実施の形態によれば、レーザーアブレーション層１１上に密着層１２が設けられ、密着層１２上に保護フィルム１４が設けられている。これにより、保護フィルム１４を剥離することにより密着層１２が露出する。また、露出した密着層１２によって、レーザーアブレーション層１１をキャリア基板２１に対して強固に接合することができる。

また、本実施の形態によれば、レーザーアブレーション層１１上であって密着層１２の反対側に、遮蔽層１３が設けられている。これにより、レーザーアブレーション層１１をレーザー光によって加熱する際、レーザー光から再配線層３０を保護することができる。また遮蔽層１３がレーザー光を反射することにより、再配線層３０にダメージを与えることなくレーザーアブレーション層１１を改質させることができる。

また、本実施の形態によれば、レーザー光Ｌを用いてキャリア基板２１を再配線層３０から剥離する（レーザーリフトオフ）。これにより、機械剥離を行う場合と比べて、キャリア基板２１をしならせることがない。このため、剥離時に封止樹脂７２に埋設された半導体素子７１等のデバイスにダメージが加わることを抑制できる。

［実施例］
次に、本実施の形態における具体的実施例について説明する。

（実施例１）
図１に示す構成をもつ配線基板形成用フィルムを作製した。この場合、配線基板形成用フィルムは、平均厚み２００ｎｍのレーザーアブレーション層と、厚み１０μｍの密着層と、厚み３８μｍの保護フィルムと、を含んでいた。レーザーアブレーション層の材料としてはポリイミドを用い、密着層の材料としてはアクリル系接着剤を用い、保護フィルムの材料としてはポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。次に、保護フィルムを剥離し、キャリア基板（大きさ５００ｍｍ×５００ｍｍ、厚さ１ｍｍのガラス基材）にレーザーアブレーション層と密着層とを転写した。次いで、レーザーアブレーション層上に再配線層を形成した。その後、レーザーアブレーション層に波長３０８ｎｍのエキシマレーザー光を照射することにより、キャリア基板から再配線層を剥離した。

（実施例２）
レーザーアブレーション層の平均厚みを５０ｎｍとしたこと、以外は、実施例１と同様にして配線基板形成用フィルムを作製した。その後、キャリア基板にレーザーアブレーション層と密着層とを転写し、キャリア基板から再配線層を剥離した。

（実施例３）
レーザーアブレーション層の平均厚みを１０００ｎｍとしたこと、以外は、実施例１と同様にして配線基板形成用フィルムを作製した。その後、キャリア基板にレーザーアブレーション層と密着層とを転写し、キャリア基板から再配線層を剥離した。

（実施例４）
レーザーアブレーション層の材料としてアモルファスシリコンを用いたこと、以外は、実施例１と同様にして配線基板形成用フィルムを作製した。その後、キャリア基板にレーザーアブレーション層と密着層とを転写し、キャリア基板から再配線層を剥離した。

（実施例５）
レーザーアブレーション層の平均厚みを２０ｎｍとしたこと、以外は、実施例１と同様にして配線基板形成用フィルムを作製した。その後、キャリア基板にレーザーアブレーション層と密着層とを転写し、キャリア基板から再配線層を剥離した。

（実施例６）
レーザーアブレーション層の平均厚みを１１００ｎｍとしたこと、以外は、実施例１と同様にして配線基板形成用フィルムを作製した。その後、キャリア基板にレーザーアブレーション層と密着層とを転写し、キャリア基板から再配線層を剥離した。

（比較例１）
キャリア基板（大きさ５００ｍｍ×５００ｍｍ、厚さ１ｍｍのガラス基材）上に、平均厚み２００ｎｍのレーザーアブレーション層を塗布することにより形成した。レーザーアブレーション層の材料としてはポリイミドを用いた。次いで、レーザーアブレーション層上に再配線層を形成し、その後、レーザーアブレーション層に波長３０８ｎｍのエキシマレーザー光を照射することにより、キャリア基板から再配線層を剥離した。

（剥離性）
上記実施例１～６、比較例１のそれぞれについて、キャリア基板から再配線層を剥離するときの剥離性を評価した。具体的には、キャリア基板の剥離後に、キャリア基板の全面積に占める、再配線層側にレーザーアブレーション層及び密着層が残存した領域の面積の割合を求めた。上記割合が５％以下のサンプルを評価「Ａ」とし、５％超１０％以下のサンプルを評価「Ｂ」とし、１０％超２０％以下のサンプルを評価「Ｃ」とし、２０％超のサンプルを評価「Ｄ」とした。この結果を下記表１に示す。

（レーザーアブレーション層の厚みのばらつき）
上記実施例１～６、比較例１のそれぞれについて、レーザーアブレーション層の厚みのばらつきを測定した。レーザーアブレーション層の厚みのばらつきは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて測定した。この結果を下記表１に示す。

表１に示すように、実施例１－６のサンプルは、比較例１のサンプルと比較して、キャリア基板から再配線層を剥離するときの剥離性が良好であった。また、実施例１－６のサンプルは、比較例１のサンプルと比較して、レーザーアブレーション層の厚みのばらつきが抑えられていた。

次に、レーザーアブレーション層の線膨張係数とキャリア基板の線膨張係数とが剥離性に及ぼす影響について評価した。

（実施例１）
上述した実施例１と同様にして配線基板形成用フィルムを作製した。その後、キャリア基板にレーザーアブレーション層と密着層とを転写し、キャリア基板から再配線層を剥離した。レーザーアブレーション層の線膨張係数は４ｐｐｍ／Ｋであり、キャリア基板の線膨張係数は３ｐｐｍ／Ｋであった。

（実施例７）
キャリア基板の線膨張係数が８ｐｐｍ／Ｋであること、以外は、実施例１と同様にして配線基板形成用フィルムを作製した。その後、キャリア基板にレーザーアブレーション層と密着層とを転写し、キャリア基板から再配線層を剥離した。

（実施例８）
レーザーアブレーション層の線膨張係数が１５ｐｐｍ／Ｋであること、以外は、実施例１と同様にして配線基板形成用フィルムを作製した。その後、キャリア基板にレーザーアブレーション層と密着層とを転写し、キャリア基板から再配線層を剥離した。

（実施例９）
レーザーアブレーション層の線膨張係数が１５ｐｐｍ／Ｋであり、キャリア基板の線膨張係数が８ｐｐｍ／Ｋであること、以外は、実施例１と同様にして配線基板形成用フィルムを作製した。その後、キャリア基板にレーザーアブレーション層と密着層とを転写し、キャリア基板から再配線層を剥離した。

（実施例１０）
レーザーアブレーション層の線膨張係数が３０ｐｐｍ／Ｋであること、以外は、実施例１と同様にして配線基板形成用フィルムを作製した。その後、キャリア基板にレーザーアブレーション層と密着層とを転写し、キャリア基板から再配線層を剥離した。

（実施例１１）
レーザーアブレーション層の線膨張係数が３０ｐｐｍ／Ｋであり、キャリア基板の線膨張係数が８ｐｐｍ／Ｋであること、以外は、実施例１と同様にして配線基板形成用フィルムを作製した。その後、キャリア基板にレーザーアブレーション層と密着層とを転写し、キャリア基板から再配線層を剥離した。

（比較例２）
キャリア基板（大きさ５００ｍｍ×５００ｍｍ、厚さ１ｍｍのガラス基材）上に、平均厚み２００ｎｍのレーザーアブレーション層を塗布することにより形成した。レーザーアブレーション層の線膨張係数は４ｐｐｍ／Ｋであり、キャリア基板の線膨張係数は３ｐｐｍ／Ｋであった。次いで、レーザーアブレーション層上に再配線層を形成し、その後、レーザーアブレーション層に波長３０８ｎｍのエキシマレーザー光を照射することにより、キャリア基板から再配線層を剥離した。

（剥離性）
上記実施例１、７～１１、比較例２のそれぞれについて、キャリア基板から再配線層を剥離するときの剥離性を評価した。剥離性の評価方法は上記と同様である。この結果を下記表２に示す。

表２に示すように、実施例１、７～１１のサンプルは、比較例２のサンプルと比較して、キャリア基板から再配線層を剥離するときの剥離性が良好であった。また、実施例１、７～１１のサンプルについては、レーザーアブレーション層の線膨張係数と、キャリア基板の線膨張係数との差が小さいほど、上記剥離性がより良好であった。

上記実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

１０ 配線基板形成用フィルム
１１ レーザーアブレーション層
１２ 密着層
１３ 遮蔽層
１４ 保護フィルム
１５ シード層
１６ 転写層
１７ 追加の密着層
１８ 支持基材
２０ 配線基板
２１ キャリア基板
３０ 再配線層
７０ 半導体装置
７１ 半導体素子
７２ 封止樹脂

Claims (16)

1. レーザーアブレーション層と、前記レーザーアブレーション層上に位置する密着層と、前記密着層上に位置する保護フィルムとを有する配線基板形成用フィルムを準備する工程と、
   前記配線基板形成用フィルムの前記保護フィルムを剥離する工程と、
   キャリア基板に、前記配線基板形成用フィルムの前記レーザーアブレーション層と前記密着層とを転写する工程と、
   前記レーザーアブレーション層上に再配線層を形成する工程と、
   前記レーザーアブレーション層にレーザー光を照射することにより前記キャリア基板から前記再配線層を剥離する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。
2. 前記レーザーアブレーション層の線膨張係数と、前記キャリア基板の線膨張係数との差は、２０ｐｐｍ／Ｋ以下である、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記レーザーアブレーション層の平均厚みは、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記レーザーアブレーション層の厚みのばらつきは、前記レーザーアブレーション層の平均厚みを基準として±１０％以内である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記レーザー光は、エキシマレーザー光又は固体レーザー光である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記レーザーアブレーション層上であって前記密着層の反対側に、遮蔽層が位置している、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記遮蔽層と前記レーザーアブレーション層との間に、追加の密着層が配置されている、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記密着層の前記レーザー光の透過率は、前記レーザーアブレーション層の前記レーザー光の透過率よりも高い、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記レーザーアブレーション層のガラス転移温度Ｔｇは、２５０℃以上であり、前記密着層のガラス転移温度Ｔｇは、－３０℃以上である、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
10. 配線基板を形成するための配線基板形成用フィルムであって、
    レーザーアブレーション層と、
    前記レーザーアブレーション層上に位置する密着層と、
    前記密着層上に位置する保護フィルムと、を備えた、配線基板形成用フィルム。
11. 前記レーザーアブレーション層の平均厚みは、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項１０に記載の配線基板形成用フィルム。
12. 前記レーザーアブレーション層の厚みのばらつきは、前記レーザーアブレーション層の平均厚みを基準として±１０％以内である、請求項１０又は１１に記載の配線基板形成用フィルム。
13. 前記レーザーアブレーション層上であって前記密着層の反対側に、遮蔽層が位置している、請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の配線基板形成用フィルム。
14. 前記遮蔽層と前記レーザーアブレーション層との間に、追加の密着層が配置されている、請求項１３に記載の配線基板形成用フィルム。
15. 前記密着層のレーザー光の透過率は、前記レーザーアブレーション層のレーザー光の透過率よりも高い、請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の配線基板形成用フィルム。
16. 前記レーザーアブレーション層のガラス転移温度Ｔｇは、２５０℃以上であり、前記密着層のガラス転移温度Ｔｇは、－３０℃以上である、請求項１１乃至１５のいずれか一項に記載の配線基板形成用フィルム。
    

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