JP2019117875A - 配線基板、および配線基板を有する半導体装置 - Google Patents
配線基板、および配線基板を有する半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019117875A JP2019117875A JP2017251556A JP2017251556A JP2019117875A JP 2019117875 A JP2019117875 A JP 2019117875A JP 2017251556 A JP2017251556 A JP 2017251556A JP 2017251556 A JP2017251556 A JP 2017251556A JP 2019117875 A JP2019117875 A JP 2019117875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- inorganic compound
- compound layer
- protective film
- base film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 140
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 139
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 62
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 183
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 125000000123 silicon containing inorganic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
Description
1.基本構造
本開示の実施形態の一つに係る配線基板100を図1(A)、図1(B)の断面模式図を用いて説明する。図1(A)に示すように、配線基板100は、ベースフィルム102、ベースフィルム102上の第1の配線104、および第1の配線104の上に位置し、第1の配線104と接する第1の保護膜108を有する。
T1<T3<T2
上述した構造的特徴は、様々な態様の配線基板にも適用することができる。以下、本実施形態に係る配線基板として、配線基板100と構造が異なる配線基板120、150、160、170について述べる。
本実施形態では、図7に示した配線基板170の作製方法を、断面模式図を用いて説明する。第1実施形態で述べた構成と類似する、あるいは同一の構成については説明を割愛することがある。
本実施形態では、第1実施形態で述べた配線基板100、120、150、160、170を利用した半導体装置について説明する。ここでは便宜上、配線基板170を利用した半導体装置を代表的な例として説明する。
Claims (19)
- 有機化合物を含むベースフィルム、
前記ベースフィルム上に位置し、銅を含む第1の配線、および
前記第1の配線の上に位置し、前記第1の配線と接する第1の保護膜を有し、
前記第1の保護膜は、
窒化ケイ素を含む第1の無機化合物層、
前記第1の無機化合物層の上に位置し、前記第1の無機化合物層と接し、酸化ケイ素を含む第2の無機化合物層、および
前記第2の無機化合物層の上に位置し、前記第2の無機化合物層と接し、窒化ケイ素を含む第3の無機化合物層を含む配線基板。 - 前記有機化合物の誘電正接は、1×10-4以上1×10-2以下である、請求項1に記載の配線基板。
- 前記第1の保護膜の上に位置し、前記第1の保護膜と接する第2の保護膜をさらに有し、
前記第2の保護膜は、前記有機化合物を含む、請求項1に記載の配線基板。 - 前記有機化合物はポリイミドである、請求項1に記載の配線基板。
- 前記第3の無機化合物層の厚さは、前記第1の無機化合物層の厚さよりも大きく、前記第2の無機化合物層よりも小さい、請求項1に記載の配線基板。
- 前記第1の配線の下に第2の配線をさらに有し、
前記第1の配線と前記第2の配線は互いに電気的に接続され、
前記第2の配線は前記ベースフィルムに覆われる、請求項1に記載の配線基板。 - 前記第2の配線は、前記ベースフィルムに埋め込まれとともに第3の保護膜に覆われ、
前記第3の保護膜は、
前記第2の配線と接し、窒化ケイ素を含む第4の無機化合物層、および
前記第4の無機化合物層の上に位置し、前記第4の無機化合物層と接し、酸化ケイ素を含む、請求項6に記載の配線基板。 - 前記第1の保護膜は、前記ベースフィルムの側面を覆う、請求項1に記載の配線基板。
- 前記ベースフィルムの下に基板をさらに有する、請求項1に記載の配線基板。
- 請求項1に記載の前記配線基板と、
前記配線基板と電気的に接続される半導体チップを有する半導体装置。 - 前記半導体装置は、高周波装置として動作するように構成される、請求項10に記載の半導体装置。
- 第1の面と、前記第1の面に対向する第2の面を有する基板、
前記基板上のベースフィルム、
前記第1の面の上に位置し、前記ベースフィルムに埋め込まれ、銅を含む第1の配線、
前記第1の配線の上に位置し、前記第1の配線と接する第1の保護膜、
前記第1の保護膜と前記ベースフィルムの上の第2の配線、および
前記第2の配線上の第2の保護膜を有し、
前記第1の保護膜は、
窒化ケイ素を含む第1の無機化合物層、および
前記第1の無機化合物層の上に位置し、前記第1の無機化合物層と接し、酸化ケイ素を含む第2の無機化合物層を有し、
前記第2の保護膜は、
窒化ケイ素を含む第3の無機化合物層、
前記第3の無機化合物層の上に位置し、前記第3の無機化合物層と接し、酸化ケイ素を含む第4の無機化合物層、および
前記第4の無機化合物層の上に位置し、前記第4の無機化合物層と接し、窒化ケイ素を含む第5の無機化合物層を有する配線基板。 - 前記第1の配線は、前記第2の配線と電気的に接続される、請求項12に記載の配線基板。
- 前記第1の配線は、少なくとも一つの接続配線を介して前記第2の配線と電気的に接続され、
前記接続配線は前記ベースフィルムに埋め込まれる、請求項12に記載の配線基板。 - 前記ベースフィルムは、1×10-4以上1×10-2以下の誘電正接を有するポリイミドを含む、請求項12に記載の配線基板。
- 前記基板はガラスを含む、請求項12に記載の配線基板。
- 前記基板は貫通孔を有し、
前記貫通孔には、前記貫通孔の側壁と前記第2の面の少なくとも一部を覆う下部配線が設けられ、
前記第1の配線は前記下部配線と電気的に接続される、請求項12に記載の配線基板。 - 請求項14に記載の前記配線基板、および
前記配線基板と電気的に接続される半導体チップを有する半導体装置。 - 前記半導体装置は、高周波装置として動作するように構成される、請求項18に記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017251556A JP7069711B2 (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 配線基板、および配線基板を有する半導体装置 |
JP2022075808A JP7334819B2 (ja) | 2017-12-27 | 2022-05-02 | 配線基板、および配線基板を有する半導体装置 |
JP2023130682A JP2023159219A (ja) | 2017-12-27 | 2023-08-10 | 配線基板とその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017251556A JP7069711B2 (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 配線基板、および配線基板を有する半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022075808A Division JP7334819B2 (ja) | 2017-12-27 | 2022-05-02 | 配線基板、および配線基板を有する半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019117875A true JP2019117875A (ja) | 2019-07-18 |
JP7069711B2 JP7069711B2 (ja) | 2022-05-18 |
Family
ID=67305402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017251556A Active JP7069711B2 (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 配線基板、および配線基板を有する半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7069711B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4161652B2 (ja) | 2001-10-10 | 2008-10-08 | 株式会社デンソー | セラミックス構造体の製造方法およびセラミックスハニカム構造体の製造方法 |
WO2004047076A1 (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 標準モデル作成装置及び標準モデル作成方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148485A (ja) * | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR20120032254A (ko) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 적층 패키지 및 이의 제조 방법 |
JP2012079734A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Teramikros Inc | 半導体装置及び半導体デバイス並びにそれらの製造方法 |
JP2013103285A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Toshiba Corp | Mems素子 |
WO2014069662A1 (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-08 | 大日本印刷株式会社 | 配線構造体 |
JP2017008209A (ja) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 三菱鉛筆株式会社 | フッ素系樹脂含有ポリイミド前駆体溶液組成物、それを用いたポリイミド、ポリイミドフィルム、およびそれらの製造方法 |
JP2017228765A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板形成用基板およびその製造方法、配線基板およびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法 |
-
2017
- 2017-12-27 JP JP2017251556A patent/JP7069711B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148485A (ja) * | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR20120032254A (ko) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 적층 패키지 및 이의 제조 방법 |
JP2012079734A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Teramikros Inc | 半導体装置及び半導体デバイス並びにそれらの製造方法 |
JP2013103285A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Toshiba Corp | Mems素子 |
WO2014069662A1 (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-08 | 大日本印刷株式会社 | 配線構造体 |
JP2017008209A (ja) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 三菱鉛筆株式会社 | フッ素系樹脂含有ポリイミド前駆体溶液組成物、それを用いたポリイミド、ポリイミドフィルム、およびそれらの製造方法 |
JP2017228765A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板形成用基板およびその製造方法、配線基板およびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7069711B2 (ja) | 2022-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5471268B2 (ja) | 貫通電極基板及びその製造方法 | |
JP4250154B2 (ja) | 半導体チップ及びその製造方法 | |
JP5313626B2 (ja) | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 | |
JP2010157690A (ja) | 電子部品実装用基板及び電子部品実装用基板の製造方法 | |
JP5362569B2 (ja) | インターポーザー及びインターポーザーの製造方法 | |
US20080217762A1 (en) | Chip carrier structure having semiconductor chip embedded therein and metal layer formed thereon | |
KR102026389B1 (ko) | 계층화된 기판 상의 매립 패드를 이용하여 집적회로를 패키징하는 시스템 및 그 제조방법 | |
JPWO2009084301A1 (ja) | インターポーザー及びインターポーザーの製造方法 | |
US6787896B1 (en) | Semiconductor die package with increased thermal conduction | |
CN106941102B (zh) | 封装衬底、其制造方法和包括该封装衬底的封装器件 | |
TW202234603A (zh) | 貫通電極基板、半導體裝置及貫通電極基板之製造方法 | |
US8129835B2 (en) | Package substrate having semiconductor component embedded therein and fabrication method thereof | |
JP5026025B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2009113198A1 (ja) | インターポーザー及びインターポーザーの製造方法 | |
JP2007208209A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5484058B2 (ja) | インターポーザー及びインターポーザーの製造方法 | |
JP7069711B2 (ja) | 配線基板、および配線基板を有する半導体装置 | |
JP2007273624A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPWO2008093531A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4900508B2 (ja) | 貫通電極基板及びその製造方法 | |
JP2023179675A (ja) | 配線構造体 | |
JP7334819B2 (ja) | 配線基板、および配線基板を有する半導体装置 | |
US8258009B2 (en) | Circuit substrate and manufacturing method thereof and package structure and manufacturing method thereof | |
JP7172105B2 (ja) | 配線基板、配線基板を有する半導体装置、および半導体装置の作製方法 | |
US10993332B2 (en) | Circuit substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220418 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7069711 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |