JP2017225049A5 - - Google Patents

Description

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体物理量センサ装置は、検知した物理量の大きさに応じた電圧の電気信号を出力する半導体物理量センサ装置であって、次の特徴を有する。第１出力素子の高電位側に相補うように第２出力素子が接続されている。前記第１出力素子と前記第２出力素子との間で前記第１出力素子の高電位側に第１スイッチング素子が接続されている。前記第１スイッチング素子と前記第２出力素子との間に第２スイッチング素子が接続されている。前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との接続点に出力端子が接続されている。前記出力端子は、前記接続点の電位の前記電気信号を外部へ出力する。前記出力端子の電圧が第１電圧未満であるときに、前記第１スイッチング素子がオフする。前記出力端子の電圧が前記第１電圧よりも高い第２電圧以上であるときに、前記第２スイッチング素子がオフする。前記出力端子の電圧が前記第１電圧よりも低い第３電圧以下であるときに、前記第２スイッチング素子がオフする。前記出力端子の電圧が前記第２電圧よりも高い第４電圧よりも高いときに、前記第１スイッチング素子がオフする。

Claims (7)

1. 検知した物理量の大きさに応じた電圧の電気信号を出力する半導体物理量センサ装置であって、
   第１出力素子と、
   前記第１出力素子の高電位側に相補うように接続された第２出力素子と、
   前記第１出力素子と前記第２出力素子との間で前記第１出力素子の高電位側に接続された第１スイッチング素子と、
   前記第１スイッチング素子と前記第２出力素子との間に接続された第２スイッチング素子と、
   前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との接続点に接続され、前記接続点の電位の前記電気信号を外部へ出力する出力端子と、
   を備え、
   前記出力端子の電圧が第１電圧未満であるときに、前記第１スイッチング素子がオフし、
   前記出力端子の電圧が前記第１電圧よりも高い第２電圧以上であるときに、前記第２スイッチング素子がオフし、
   前記出力端子の電圧が前記第１電圧よりも低い第３電圧以下であるときに、前記第２スイッチング素子がオフし、
   前記出力端子の電圧が前記第２電圧よりも高い第４電圧よりも高いときに、前記第１スイッチング素子がオフすることを特徴とする半導体物理量センサ装置。
2. 前記出力端子の電圧が前記第１電圧以上かつ前記第４電圧以下であるときに、前記第１スイッチング素子がオンすることを特徴とする請求項１に記載の半導体物理量センサ装置。
3. 前記出力端子の電圧が前記第３電圧より高く、かつ前記第２電圧未満であるときに、前記第２スイッチング素子がオンすることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体物理量センサ装置。
4. 前記第１スイッチング素子は、ｎチャネル型絶縁ゲート型電界効果トランジスタであり、
   前記第２スイッチング素子は、ｐチャネル型絶縁ゲート型電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体物理量センサ装置。
5. 前記第１出力素子は、ｎチャネル型絶縁ゲート型電界効果トランジスタであり、
   前記第２出力素子は、ｐチャネル型絶縁ゲート型電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体物理量センサ装置。
6. 前記第２出力素子の高電位側が接続された最高電位の第１端子と、
   前記第１出力素子の低電位側が接続された最低電位の第２端子と、
   前記第１端子と前記第２端子との間に接続された第１抵抗体と、
   前記第１端子と前記出力端子との間に接続された第２抵抗体と、
   前記出力端子と前記第２端子との間に接続された第３抵抗体と、
   をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体物理量センサ装置。
7. 前記物理量は、圧力であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の半導体物理量センサ装置。