JP2016066974A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016066974A5 JP2016066974A5 JP2014196129A JP2014196129A JP2016066974A5 JP 2016066974 A5 JP2016066974 A5 JP 2016066974A5 JP 2014196129 A JP2014196129 A JP 2014196129A JP 2014196129 A JP2014196129 A JP 2014196129A JP 2016066974 A5 JP2016066974 A5 JP 2016066974A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- main
- mutual inductance
- switching element
- main electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 55
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 12
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 2
Claims (15)
- 主電流が流れる第1の主端子および第2の主端子と、
第1の主電極および第2の主電極を有し、前記第1の主電極が前記第1の主端子と電気的に接続され、前記第2の主電極が前記第2の主端子と電気的に接続される第1の半導体スイッチング素子と、
を備える半導体パワーモジュールにおいて、
前記第1の主電極の電位を検出する第1の信号端子と、前記第1の主端子の電位を検出する第2の信号端子を備え、
前記第1の信号端子および前記第2の信号端子からは、前記第1の主端子による第1の自己インダクタンスと、前記第1の主端子と前記第2の主端子との間の第1の相互インダクタンスと、前記第1の主電極に流れる電流の変化とに応じた第1の検出電圧が出力され、
前記第1の検出電圧は前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護に用いられ、
前記過電流保護において、前記第1の相互インダクタンスが用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項1に記載の半導体パワーモジュールにおいて、
前記第1の相互インダクタンスは、ゼロ値とみなされることなく、前記過電流保護において用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項1に記載の半導体パワーモジュールにおいて、前記第1の主端子と前記第2の主端子が積層される積層部を有し、前記積層部において、前記第1の主端子に流れる電流の向きと前記第2の主端子に流れる電流の向きが平行かつ逆方向であることを特徴とする半導体パワーモジュール。
- 請求項3に記載の半導体パワーモジュールにおいて、前記積層部において、前記第1の主端子と前記第2の主端子の間に介在する絶縁物を備えることを特徴とする半導体パワーモジュール。
- 請求項3に記載の半導体パワーモジュールにおいて、
前記第1の相互インダクタンスは、ゼロ値とみなされることなく、前記過電流保護において用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項1に記載の半導体パワーモジュールにおいて、
さらに、前記第1の主電極と前記第1の主端子との間に位置し、前記第1の主電極と前記第1の主端子とを電気的に接続する導体を備え、
前記第1の検出電圧は、さらに、前記導体による第3の自己インダクタンスと、前記第1の主端子と前記導体との間の第2の相互インダクタンスと、前記第2の主端子と前記導体との間の第3の相互インダクタンスとに応じて、前記第1の信号端子および前記第2の信号端子から出力され、
前記過電流保護において、さらに、前記第3の自己インダクタンスと、前記第2の相互インダクタンスと、前記第3の相互インダクタンスとが用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項6に記載の半導体パワーモジュールにおいて、
前記第1の相互インダクタンスと前記第2の相互インダクタンスと前記第3の相互インダクタンスの内の少なくとも一つは、ゼロ値とみなされることなく、前記過電流保護において用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 一対の直流端子となる第1の主端子および第2の主端子と、
第1の主電極および第2の主電極を有し、前記第1の主電極が前記第1の主端子と電気的に接続される第1の半導体スイッチング素子と、
第3の主電極および第4の主電極を有し、前記第4の主電極が前記第2の主端子と電気的に接続される第2の半導体スイッチング素子と、
を備え、
前記第1の半導体スイッチング素子と前記第2の半導体スイッチング素子は、前記第2の主電極と前記第3の主電極とが導体によって電気的に接続されることにより、直列接続され、
前記前記第1の半導体スイッチング素子と前記第2の半導体スイッチング素子の直列接続点に電気的に接続される交流端子と、
を備える半導体パワーモジュールにおいて、
前記第1の主電極の電位を検出する第1の信号端子と、
前記第1の主端子の電位を検出する第2の信号端子と、
前記第2の主電極の電位を検出する第3の信号端子と、
前記第3の主電極の電位を検出する第4の信号端子と、
前記第1の信号端子および前記第2の信号端子からは、前記第1の主端子による第1の自己インダクタンスと、前記第1の主端子と前記第2の主端子との間の第1の相互インダクタンスと、前記第1の主端子と前記導体との間の第2の相互インダクタンスと、前記第1の主電極に流れる電流の変化と、前記第3の主電極に流れる電流の変化とに応じた第1の検出電圧が出力され、
前記第3の信号端子および前記第4の信号端子からは、前記導体による第2の自己インダクタンスと、前記第1の相互インダクタンスと、前記第2の主端子と前記導体との間の第3の相互インダクタンスと、前記第1の主電極に流れる電流の変化と、前記第3の主電極に流れる電流の変化とに応じた第2の検出電圧が出力され、
前記第1の検出電圧は前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護に用いられ、
前記第2の検出電圧は前記第2の半導体スイッチング素子の過電流保護に用いられ、
前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護において、前記第1の相互インダクタンスおよび前記第2の相互インダクタンスが用いられ、
前記第2の半導体スイッチング素子の過電流保護において、前記第1の相互インダクタンスおよび前記第3の相互インダクタンスが用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項8に記載の半導体パワーモジュールにおいて、
前記第1の相互インダクタンスと前記第2の相互インダクタンスの内の少なくとも一つは、ゼロ値とみなされることなく、前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護において用いられ、
前記第1の相互インダクタンスと前記第3の相互インダクタンスの内の少なくとも一つは、ゼロ値とみなされることなく、前記第2の半導体スイッチング素子の過電流保護において用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項9に記載の半導体パワーモジュールにおいて、前記第1の主端子と前記第2の主端子が積層される積層部を有し、前記積層部において、前記第1の主端子に流れる電流の向きと前記第2の主端子に流れる電流の向きが平行かつ逆方向であることを特徴とする半導体パワーモジュール。
- 請求項10に記載の半導体パワーモジュールにおいて、前記積層部において、前記第1の主端子と前記第2の主端子の間に介在する絶縁物を備えることを特徴とする半導体パワーモジュール。
- 請求項10に記載のパワーモジュールにおいて、
前記第1の相互インダクタンスは、ゼロ値とみなされることなく、前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護および前記第2の半導体スイッチング素子の過電流保護において用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 半導体パワーモジュールを駆動する半導体駆動装置において、
前記半導体パワーモジュールは、
一対の直流端子となる第1の主端子および第2の主端子と、
第1の主電極および第2の主電極を有し、前記第1の主電極が前記第1の主端子と電気的に接続される第1の半導体スイッチング素子と、
第3の主電極および第4の主電極を有し、前記第4の主電極が前記第2の主端子と電気的に接続される第2の半導体スイッチング素子と、
を備え、
前記第1の半導体スイッチング素子と前記第2の半導体スイッチング素子は、前記第2の主電極と前記第3の主電極とが導体によって電気的に接続されることにより、直列接続され、
前記前記第1の半導体スイッチング素子と前記第2の半導体スイッチング素子の直列接続点に電気的に接続される交流端子を備え、さらに、
前記第1の主電極の電位を検出する第1の信号端子と、
前記第1の主端子の電位を検出する第2の信号端子と、
前記第2の主電極の電位を検出する第3の信号端子と、
前記第3の主電極の電位を検出する第4の信号端子と、
前記第1の信号端子および前記第2の信号端子からは、前記第1の主端子による第1の自己インダクタンスと、前記第1の主端子と前記第2の主端子との間の第1の相互インダクタンスと、前記第1の主端子と前記導体との間の第2の相互インダクタンスと、前記第1の主電極に流れる電流の変化と、前記第3の主電極に流れる電流の変化とに応じた第1の検出電圧が出力され、
前記第3の信号端子および前記第4の信号端子からは、前記導体による第2の自己インダクタンスと、前記第1の相互インダクタンスと、前記第2の主端子と前記導体との間の第3の相互インダクタンスと、前記第1の主電極に流れる電流の変化と、前記第3の主電極に流れる電流の変化とに応じた第2の検出電圧が出力され、
前記第1の検出電圧は前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護に用いられ、
前記第2の検出電圧は前記第2の半導体スイッチング素子の過電流保護に用いられ、
前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護において、前記第1の相互インダクタンスおよび前記第2の相互インダクタンスが用いられ、
前記第2の半導体スイッチング素子の過電流保護において、前記第1の相互インダクタンスおよび前記第3の相互インダクタンスが用いられ、
前記第1の検出電圧に基づいて、前記第1の半導体スイッチング素子に流れる過電流を検出し、過電流を検出したら第1の判定信号を出力する第1の異常判定回路と、
前記第1の判定信号に応じて、第1のオフ指令を出力する第1の論理回路と、
前記第1のオフ指令に応じて、前記第1の半導体スイッチング素子をターンオフ駆動する第1の制御回路と、
前記第2の検出電圧に基づいて、前記第2の半導体スイッチング素子に流れる過電流を検出し、過電流を検出したら第2の判定信号を出力する第2の異常判定回路と、
前記第2の判定信号に応じて、第2のオフ指令を出力する第2の論理回路と、
前記第2のオフ指令に応じて、前記第2の半導体スイッチング素子をターンオフ駆動する第2の制御回路と、
を備えることを特徴とする半導体駆動装置。 - 請求項13に記載の半導体駆動装置において、
前記第1の異常判定回路のゲインおよび前記第2の異常判定回路のゲインが、前記第1の自己インダクタンスと、前記第1の相互インダクタンスと、前記第2の相互インダクタンスと、前記第2の自己インダクタンスと、前記第3の相互インダクタンスとに基づいて設定されることを特徴とする半導体駆動装置。 - 請求項13に記載の半導体駆動装置において、
前記第1の論理回路と前記第2の論理回路との間にレベルシフト回路を備え、
前記レベルシフト回路は、前記第1のオフ指令をレベル変換して第1の異常判定信号を作成して前記第2の論理回路に伝送すると共に、前記第2のオフ指令をレベル変換して第2の異常判定信号を作成して前記第1の論理回路に伝送し、
前記第1の論理回路は、前記第2の異常判定信号に応じて前記第1のオフ指令を出力し、
前記第2の論理回路は、前記第1の異常判定信号に応じて前記第2のオフ指令を出力することを特徴とする半導体駆動装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014196129A JP6373702B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 半導体パワーモジュール及び半導体駆動装置 |
DE112015003784.5T DE112015003784T5 (de) | 2014-09-26 | 2015-09-10 | Halbleiter-Leistungsmodul und Halbleiteransteuerungsvorrichtung |
PCT/JP2015/075728 WO2016047455A1 (ja) | 2014-09-26 | 2015-09-10 | 半導体パワーモジュール及び半導体駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014196129A JP6373702B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 半導体パワーモジュール及び半導体駆動装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016066974A JP2016066974A (ja) | 2016-04-28 |
JP2016066974A5 true JP2016066974A5 (ja) | 2017-03-09 |
JP6373702B2 JP6373702B2 (ja) | 2018-08-15 |
Family
ID=55580982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014196129A Active JP6373702B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 半導体パワーモジュール及び半導体駆動装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6373702B2 (ja) |
DE (1) | DE112015003784T5 (ja) |
WO (1) | WO2016047455A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3442019A4 (en) | 2016-04-06 | 2019-12-04 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | POWER MODULE |
EP3477834A4 (en) * | 2016-06-22 | 2020-02-12 | Hitachi Industrial Equipment Systems Co., Ltd. | POWER CONVERSION DEVICE |
JP2018200953A (ja) | 2017-05-26 | 2018-12-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置 |
WO2019026339A1 (ja) * | 2017-08-03 | 2019-02-07 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置および電力変換装置を搭載した車両 |
JP2021083262A (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 株式会社デンソー | インバータ装置 |
CN111416520B (zh) * | 2020-02-25 | 2022-03-18 | 厦门大学 | 基于磁通相消的同步整流占空比丢失补偿方法与变换器 |
JP7286582B2 (ja) | 2020-03-24 | 2023-06-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP7407675B2 (ja) | 2020-08-18 | 2024-01-04 | 株式会社 日立パワーデバイス | パワー半導体モジュールおよび電力変換装置 |
JP2023140611A (ja) * | 2022-03-23 | 2023-10-05 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置、電力変換装置 |
WO2023233536A1 (ja) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | ファナック株式会社 | モータ駆動装置、モータ駆動方法およびモータ駆動プログラム |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH098620A (ja) * | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Fuji Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの過電流保護回路 |
JP3454186B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2003-10-06 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
JP2007259533A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Hitachi Ltd | 半導体素子の保護回路 |
-
2014
- 2014-09-26 JP JP2014196129A patent/JP6373702B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-10 DE DE112015003784.5T patent/DE112015003784T5/de active Pending
- 2015-09-10 WO PCT/JP2015/075728 patent/WO2016047455A1/ja active Application Filing
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016066974A5 (ja) | ||
JP2017529046A5 (ja) | ||
JP2015139271A5 (ja) | ||
US8963515B2 (en) | Current sensing circuit and control circuit thereof and power converter circuit | |
WO2012148774A3 (en) | Integrated protection devices with monitoring of electrical characteristics | |
WO2016176318A3 (en) | Smart power node | |
WO2012130615A3 (de) | Modularer mehrfachumrichter mit rückwärts leitfähigen leistungshalbleiterschaltern | |
RU2017115549A (ru) | Отказоустойчивая приводная система магнитного подшипника | |
WO2011151707A3 (en) | Arc flash detection apparatus and electrical system including the same | |
MX2016010162A (es) | Circuito de impulsion de motor y componente de motor. | |
US20190131867A1 (en) | Power converter | |
CN105957863B (zh) | 静电保护电路 | |
JP2017050984A5 (ja) | ||
JP2016220356A5 (ja) | ||
CN103336165B (zh) | 一种交直流过流检测电路 | |
JP2015192491A5 (ja) | ||
NZ717553A (en) | Semiconductor device and power conversion device | |
CN204928073U (zh) | 一种漏电检测断路装置 | |
US9660548B2 (en) | Rectification device for improved short-circuit protection | |
JP2013183595A (ja) | 半導体装置 | |
JP2012065483A (ja) | パワーモジュール | |
WO2014203678A1 (ja) | 半導体モジュール | |
WO2014115017A3 (en) | Inverter | |
JP5915775B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016144368A5 (ja) |