JP2016066974A - 半導体パワーモジュール及び半導体駆動装置 - Google Patents
半導体パワーモジュール及び半導体駆動装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016066974A JP2016066974A JP2014196129A JP2014196129A JP2016066974A JP 2016066974 A JP2016066974 A JP 2016066974A JP 2014196129 A JP2014196129 A JP 2014196129A JP 2014196129 A JP2014196129 A JP 2014196129A JP 2016066974 A JP2016066974 A JP 2016066974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- main
- mutual inductance
- switching element
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 153
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 90
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 28
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 17
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0027—Measuring means of, e.g. currents through or voltages across the switch
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Description
(実施形態1)
図1(a)および図1(b)は、本発明の実施形態1である半導体パワーモジュール(以下、単に「モジュール」と記す)を示す。なお、本モジュールにおける半導体スイッチング素子は、IGBTである。また、本モジュールは、いわゆる1in1構成を有し、その等価回路およびモジュールの要部構造を、それぞれ図1(a)および図1(b)に示す。
式(1)から求められる式(2)の両辺を時間積分すれば、検出電圧信号Vd−fから電流値を求めることができる。
ゲートドライバは、式(1)式に示される検出電圧信号Vd−fが所定の閾値を超えたら、あるいは式(2)によりVd−fから換算される電流が所定の閾値を超えたら、アーム短絡のように過電流が流れていると判定し、IGBT2aをターンオフさせる。これら閾値の設定やゲートドライバの過電流保護回路内におけるゲインなどの制御パラメータの設定に、M12やこれを含む式(1)および(2)を用いることにより、モジュール内における磁束の影響が実質的に考慮された過電流保護が可能になる。従って、半導体スイッチング素子に流れる過電流を高精度に検出して、半導体スイッチング素子を確実に過電流から保護することができる。
(実施形態2)
図4は、本発明の実施形態2であるモジュールの外観を示す。なお、本モジュールにおける半導体スイッチング素子は、IGBTである。また、本モジュールは、いわゆる2in1構成を有する。2in1とは、一個のモジュールが、IGBTとダイオードの逆並列回路からなるアームを二個備えていることを意味する。なお、本実施形態2においては、二個のアームがモジュール内において直列接続され、一組の上下アーム直列回路が構成される。なお、二個のアームがモジュール外で直列接続されようにしても良い。また、本実施形態2のモジュールは、各アームや各端子および内部配線を覆う、樹脂からなるモジュールケース12を備え、モジュールケースの上面において、各端子における外部回路との接続部が露出している。
IL1=IL2なので、式(3)が得られる。
さらに、Vd−fについて次式が成立する。
IL1=IL2なので、式(4)が得られる。
式(3)および(4)を、行列を用いてまとめると、式(5)が得られる。
(実施形態3)
図6は、本発明の実施形態3であるモジュールの等価回路を示す。本モジュールは、実施形態1(図1(a),図1(b))と同様の1in1構成を有するが、実施形態1とは異なり、図1(a)におけるエミッタ側の自己インダクタンス「L2」を複数(図6中の「L2,L3」)に分割して扱う。
この式の右辺をまとめて、式(8)を得る。
式(8)から求められる式(9)の両辺を時間積分すれば、Vd−fを電流に換算できる。
式(8)に示す検出電圧信号Vd−fをゲートドライバに信号伝送して、所定の閾値を超えたら短絡であると判定し、IGBTをターンオフさせることができる。
(実施形態4)
図7は、本発明の実施形態3であるモジュールの等価回路を示す。本モジュールは、実施形態1(図1(a),図1(b))と同様の1in1構成を有する。
式(10)から求められる式(11)の両辺を時間積分すれば、Vd−fを短絡電流に換算できる。
式(10)に示す検出電圧信号Vd−fをゲートドライバに信号伝送して、所定の閾値を超えたらIGBTに過電流が流れていると判定し、IGBTをターンオフさせて過電流から保護する。
(実施形態5)
図8は、本発明の実施形態5である半導体駆動装置を示す。本半導体駆動装置(以下「ドライバ回路」と記す)は、実施形態2(図4,図5(a),図5(b))の2in1モジュールを駆動し、実施形態1〜4について説明したような過電流保護機能を備える。
(実施形態6)
図10は、本発明の実施形態6である半導体駆動装置を示す。本半導体駆動装置(以下「ドライバ回路」と記す)は、実施形態5と同様に、実施形態2(図4,図5(a),図5(b))の2in1モジュールを駆動し、実施形態5と同様の過電流保護機能を備える。
(実施形態7)
図11は、本発明の実施形態7であるモジュールの外観を示す。本実施形態7のモジュールは、実施形態2と同様に、略長方形の平面形状を有すると共に、2in1構成を有する。
(実施形態8)
図12は、本発明の実施形態8である6in1モジュールの内部構造を示す。
2a,2c IGBT
2b,2d ダイオード
3a,3c ゲート端子
3b,3d 補助エミッタ端子
3e,3g 補助コレクタ端子
3f 補助負極端子
10 パワーモジュール
11a 正極端子
11b 負極端子
11c 交流端子
11d U相交流端子
11e V相交流端子
11f W相交流端子
12 モジュールケース
13 溝
14 ベース
31,31a,31b 絶縁基板
41a,41b,41c,41d アルミワイヤ
100 電力変換装置
110 インバータモジュール
111a,111b 直流バスバー
112 交流バスバー
120 コンデンサモジュール
130 ドライバ回路
131 ドライバ回路基板
132,135 ゲート電圧制御回路
133,136 電流検出/異常判定回路
134,137 論理回路
138 レベルシフト回路
140 制御回路
145 ヒートシンク
150 上アーム駆動回路
151 下アーム駆動回路
200 変圧装置
300 架線
400 接地部
500 誘導電動機
Claims (15)
- 主電流が流れる第1の主端子および第2の主端子と、
第1の主電極および第2の主電極を有し、前記第1の主電極が前記第1の主端子と電気的に接続され、前記第2の主電極が前記第2の主端子と電気的に接続される第1の半導体スイッチング素子と、
を備える半導体パワーモジュールにおいて、
前記第1の主電極の電位を検出する第1の信号端子と、前記第1の主端子の電位を検出する第2の信号端子を備え、
前記第1の信号端子および前記第2の信号端子からは、前記第1の主端子による第1の自己インダクタンスと、前記第1の主端子と前記第2の主端子との間の第1の相互インダクタンスと、前記第1の主電極に流れる電流の変化とに応じた第1の検出電圧が出力され、
前記検出電圧は前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護に用いられ、
前記過電流保護において、前記第1の相互インダクタンスが用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項1に記載の半導体パワーモジュールにおいて、
前記第1の相互インダクタンスは、ゼロ値とみなされることなく、前記過電流保護において用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項1に記載の半導体パワーモジュールにおいて、前記第1の主端子と前記第2の主端子が積層される積層部を有し、前記積層部において、前記第1の主端子に流れる電流の向きと前記第2の主端子に流れる電流の向きが平行かつ逆方向であることを特徴とする半導体パワーモジュール。
- 請求項3に記載の半導体パワーモジュールにおいて、前記積層部において、前記第1の主端子と前記第2の主端子の間に介在する絶縁物を備えることを特徴とする半導体パワーモジュール。
- 請求項3に記載の半導体パワーモジュールにおいて、
前記第1の相互インダクタンスは、ゼロ値とみなされることなく、前記過電流保護において用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項1に記載の半導体パワーモジュールにおいて、
さらに、前記第1の主電極と前記第1の主端子との間に位置し、前記第1の主電極と前記第1の主端子とを電気的に接続する導体を備え、
前記検出電圧は、さらに、前記導体による第3の自己インダクタンスと、前記第1の主端子と前記導体との間の第2の相互インダクタンスと、前記第2の主端子と前記導体との間の第3の相互インダクタンスとに応じて、前記第1の信号端子および前記第2の信号端子から出力され、
前記過電流保護において、さらに、前記第3の自己インダクタンスと、前記第2の相互インダクタンスと、前記第3の相互インダクタンスとが用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項6に記載の半導体パワーモジュールにおいて、
前記第1の相互インダクタンスと前記第2の相互インダクタンスと前記第3の相互インダクタンスの内の少なくとも一つは、ゼロ値とみなされることなく、前記過電流保護において用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 一対の直流端子となる第1の主端子および第2の主端子と、
第1の主電極および第2の主電極を有し、前記第1の主電極が前記第1の主端子と電気的に接続される第1の半導体スイッチング素子と、
第3の主電極および第4の主電極を有し、前記第4の主電極が前記第2の主端子と電気的に接続される第2の半導体スイッチング素子と、
を備え、
前記第1の半導体スイッチング素子と前記第2の半導体スイッチング素子は、前記第2の主電極と前記第3の主電極とが導体によって電気的に接続されることにより、直列接続され、
前記前記第1の半導体スイッチング素子と前記第2の半導体スイッチング素子の直列接続点に電気的に接続される交流端子と、
を備える半導体パワーモジュールにおいて、
前記第1の主電極の電位を検出する第1の信号端子と、
前記第1の主端子の電位を検出する第2の信号端子と、
前記第2の主電極の電位を検出する第3の信号端子と、
前記第3の主電極の電位を検出する第4の信号端子と、
前記第1の信号端子および前記第2の信号端子からは、前記第1の主端子による第1の自己インダクタンスと、前記第1の主端子と前記第2の主端子との間の第1の相互インダクタンスと、前記第1の主端子と前記導体との間の第2の相互インダクタンスと、前記第1の主電極に流れる電流の変化と、前記第3の主電極に流れる電流の変化とに応じた第1の検出電圧が出力され、
前記第3の信号端子および前記第4の信号端子からは、前記導体による第2の自己インダクタンスと、前記第1の相互インダクタンスと、前記第2の主端子と前記導体との間の第3の相互インダクタンスと、前記第1の主電極に流れる電流の変化と、前記第3の主電極に流れる電流の変化とに応じた前記第2の検出電圧が出力され、
前記第1の検出電圧は前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護に用いられ、
前記第2の検出電圧は前記第2の半導体スイッチング素子の過電流保護に用いられ、
前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護において、前記第1の相互インダクタンスおよび前記第2の相互インダクタンスが用いられ、
前記第2の半導体スイッチング素子の過電流保護において、前記第1の相互インダクタンスおよび前記第3の相互インダクタンスが用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項8に記載の半導体パワーモジュールにおいて、
前記第1の相互インダクタンスと前記第2の相互インダクタンスの内の少なくとも一つは、ゼロ値とみなされることなく、前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護において用いられ、
前記第1の相互インダクタンスと前記第3の相互インダクタンスの内の少なくとも一つは、ゼロ値とみなされることなく、前記第2の半導体スイッチング素子の過電流保護において用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 請求項9に記載の半導体パワーモジュールにおいて、前記第1の主端子と前記第2の主端子が積層される積層部を有し、前記積層部において、前記第1の主端子に流れる電流の向きと前記第2の主端子に流れる電流の向きが平行かつ逆方向であることを特徴とする半導体パワーモジュール。
- 請求項10に記載の半導体パワーモジュールにおいて、前記積層部において、前記第1の主端子と前記第2の主端子の間に介在する絶縁物を備えることを特徴とする半導体パワーモジュール。
- 請求項10に記載のパワーモジュールにおいて、
前記第1の相互インダクタンスは、ゼロ値とみなされることなく、前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護および前記第2の半導体スイッチング素子の過電流保護において用いられることを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 半導体パワーモジュールを駆動する半導体駆動装置において、
前記半導体パワーモジュールは、
一対の直流端子となる第1の主端子および第2の主端子と、
第1の主電極および第2の主電極を有し、前記第1の主電極が前記第1の主端子と電気的に接続される半導体スイッチング素子と、
第3の主電極および第4の主電極を有し、前記第4の主電極が前記第2の主端子と電気的に接続される半導体スイッチング素子と、
を備え、
前記第1の半導体スイッチング素子と前記第2の半導体スイッチング素子は、前記第2の主電極と前記第3の主電極とが導体によって電気的に接続されることにより、直列接続され、
前記前記第1の半導体スイッチング素子と前記第2の半導体スイッチング素子の直列接続点に電気的に接続される交流端子を備え、さらに、
前記第1の主電極の電位を検出する第1の信号端子と、
前記第1の主端子の電位を検出する第2の信号端子と、
前記第2の主電極の電位を検出する第3の信号端子と、
前記第3の主電極の電位を検出する第4の信号端子と、
前記第1の信号端子および前記第2の信号端子からは、前記第1の主端子による第1の自己インダクタンスと、前記第1の主端子と前記第2の主端子との間の第1の相互インダクタンスと、前記第1の主端子と前記導体との間の第2の相互インダクタンスと、前記第1の主電極に流れる電流の変化と、前記第3の主電極に流れる電流の変化とに応じた第1の検出電圧が出力され、
前記第3の信号端子および前記第4の信号端子からは、前記導体による第2の自己インダクタンスと、前記第1の相互インダクタンスと、前記第2の主端子と前記導体との間の第3の相互インダクタンスと、前記第1の主電極に流れる電流の変化と、前記第3の主電極に流れる電流の変化とに応じた前記第2の検出電圧が出力され、
前記第1の検出電圧は前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護に用いられ、
前記第2の検出電圧は前記第2の半導体スイッチング素子の過電流保護に用いられ、
前記第1の半導体スイッチング素子の過電流保護において、前記第1の相互インダクタンスおよび前記第2の相互インダクタンスが用いられ、
前記第2の半導体スイッチング素子の過電流保護において、前記第1の相互インダクタンスおよび前記第3の相互インダクタンスが用いられ、
前記第1の検出電圧に基づいて、前記第1の半導体スイッチング素子に流れる過電流を検出し、過電流を検出したら第1の判定信号を出力する第1の異常判定回路と、
前記第1の判定信号に応じて、第1のオフ指令を出力する第1の論理回路と、
前記第1のオフ指令に応じて、前記第1の半導体スイッチング素子をターンオフ駆動する第1の制御回路と、
前記第2の検出電圧に基づいて、前記第2の半導体スイッチング素子に流れる過電流を検出し、過電流を検出したら第2の判定信号を出力する第2の異常判定回路と、
前記第2の判定信号に応じて、第2のオフ指令を出力する第2の論理回路と、
前記第2のオフ指令に応じて、前記第2の半導体スイッチング素子をターンオフ駆動する第2の制御回路と、
を備えることを特徴とする半導体駆動装置。 - 請求項13に記載の半導体駆動装置において、
前記第1の異常判定回路のゲインおよび前記第2の異常判定回路のゲインが、前記第1の自己インダクタンスと、前記第1の相互インダクタンスと、前記第2の相互インダクタンスと、前記第2の自己インダクタンスと、前記第3の相互インダクタンスとに基づいて設定されることを特徴とする半導体駆動装置。 - 請求項13に記載の半導体駆動装置において、
前記第1の論理回路と前記第2の論理回路との間にレベルシフト回路を備え、
前記レベルシフト回路は、前記第1のオフ指令をレベル変換して第1の異常判定信号を作成して前記第2の論理回路に伝送すると共に、前記第2のオフ指令をレベル変換して第2の異常判定信号を作成して前記第1の論理回路に伝送し、
前記第1の論理回路は、前記第2の異常判定信号に応じて前記第1のオフ指令を出力し、
前記第2の論理回路は、前記第1の異常判定信号に応じて前記第2のオフ指令を出力することを特徴とする半導体駆動装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014196129A JP6373702B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 半導体パワーモジュール及び半導体駆動装置 |
PCT/JP2015/075728 WO2016047455A1 (ja) | 2014-09-26 | 2015-09-10 | 半導体パワーモジュール及び半導体駆動装置 |
DE112015003784.5T DE112015003784T5 (de) | 2014-09-26 | 2015-09-10 | Halbleiter-Leistungsmodul und Halbleiteransteuerungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014196129A JP6373702B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 半導体パワーモジュール及び半導体駆動装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016066974A true JP2016066974A (ja) | 2016-04-28 |
JP2016066974A5 JP2016066974A5 (ja) | 2017-03-09 |
JP6373702B2 JP6373702B2 (ja) | 2018-08-15 |
Family
ID=55580982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014196129A Active JP6373702B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 半導体パワーモジュール及び半導体駆動装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6373702B2 (ja) |
DE (1) | DE112015003784T5 (ja) |
WO (1) | WO2016047455A1 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017221338A1 (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社日立産機システム | 電力変換装置 |
EP3407384A1 (en) | 2017-05-26 | 2018-11-28 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device |
WO2019026339A1 (ja) * | 2017-08-03 | 2019-02-07 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置および電力変換装置を搭載した車両 |
JP2021083262A (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 株式会社デンソー | インバータ装置 |
WO2022038831A1 (ja) * | 2020-08-18 | 2022-02-24 | 株式会社日立パワーデバイス | パワー半導体モジュールおよび電力変換装置 |
WO2023145144A1 (ja) | 2022-01-27 | 2023-08-03 | 株式会社日立パワーデバイス | パワー半導体モジュール |
WO2023181493A1 (ja) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | 株式会社日立パワーデバイス | 半導体装置、電力変換装置 |
WO2023233536A1 (ja) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | ファナック株式会社 | モータ駆動装置、モータ駆動方法およびモータ駆動プログラム |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10770882B2 (en) | 2016-04-06 | 2020-09-08 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Power module |
CN111416520B (zh) * | 2020-02-25 | 2022-03-18 | 厦门大学 | 基于磁通相消的同步整流占空比丢失补偿方法与变换器 |
JP7286582B2 (ja) | 2020-03-24 | 2023-06-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH098620A (ja) * | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Fuji Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの過電流保護回路 |
JP2000324846A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
JP2007259533A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Hitachi Ltd | 半導体素子の保護回路 |
-
2014
- 2014-09-26 JP JP2014196129A patent/JP6373702B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-10 DE DE112015003784.5T patent/DE112015003784T5/de active Granted
- 2015-09-10 WO PCT/JP2015/075728 patent/WO2016047455A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH098620A (ja) * | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Fuji Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの過電流保護回路 |
JP2000324846A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
JP2007259533A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Hitachi Ltd | 半導体素子の保護回路 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017221338A1 (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社日立産機システム | 電力変換装置 |
CN108604854A (zh) * | 2016-06-22 | 2018-09-28 | 株式会社日立产机系统 | 电力转换装置 |
JPWO2017221338A1 (ja) * | 2016-06-22 | 2018-10-04 | 株式会社日立産機システム | 電力変換装置 |
CN108604854B (zh) * | 2016-06-22 | 2020-07-24 | 株式会社日立产机系统 | 电力转换装置 |
EP3407384A1 (en) | 2017-05-26 | 2018-11-28 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device |
US10490484B2 (en) | 2017-05-26 | 2019-11-26 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device |
JPWO2019026339A1 (ja) * | 2017-08-03 | 2020-07-02 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置および電力変換装置を搭載した車両 |
WO2019026339A1 (ja) * | 2017-08-03 | 2019-02-07 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置および電力変換装置を搭載した車両 |
JP2021083262A (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 株式会社デンソー | インバータ装置 |
WO2022038831A1 (ja) * | 2020-08-18 | 2022-02-24 | 株式会社日立パワーデバイス | パワー半導体モジュールおよび電力変換装置 |
JP2022034300A (ja) * | 2020-08-18 | 2022-03-03 | 株式会社 日立パワーデバイス | パワー半導体モジュールおよび電力変換装置 |
JP7407675B2 (ja) | 2020-08-18 | 2024-01-04 | 株式会社 日立パワーデバイス | パワー半導体モジュールおよび電力変換装置 |
WO2023145144A1 (ja) | 2022-01-27 | 2023-08-03 | 株式会社日立パワーデバイス | パワー半導体モジュール |
WO2023181493A1 (ja) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | 株式会社日立パワーデバイス | 半導体装置、電力変換装置 |
WO2023233536A1 (ja) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | ファナック株式会社 | モータ駆動装置、モータ駆動方法およびモータ駆動プログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112015003784T5 (de) | 2017-06-01 |
WO2016047455A1 (ja) | 2016-03-31 |
JP6373702B2 (ja) | 2018-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6373702B2 (ja) | 半導体パワーモジュール及び半導体駆動装置 | |
JP6634270B2 (ja) | 電力変換装置 | |
CN103782380B (zh) | 半导体模块 | |
US9116532B2 (en) | Power semiconductor device module | |
US10134718B2 (en) | Power semiconductor module | |
US20170110395A1 (en) | Semiconductor device | |
US10727213B2 (en) | Power semiconductor module and power semiconductor device | |
US9973109B2 (en) | Inverter circuit with current detection circuitry | |
JP2019029457A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2015032984A (ja) | 半導体素子の駆動装置およびそれを用いた電力変換装置 | |
US12062599B2 (en) | Power semiconductor module | |
KR101600186B1 (ko) | 전력 변환 장치 | |
JP6828425B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2015033149A (ja) | 半導体素子の駆動装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP2015033222A (ja) | 半導体素子の駆動装置およびそれを用いる電力変換装置 | |
US20200211954A1 (en) | Semiconductor module | |
Muehlfeld et al. | Automotive Traction Inverter for Highest Power Density | |
CN112567619B (zh) | 功率半导体装置 | |
JP2013140889A (ja) | パワーモジュール | |
EP4404259A1 (en) | Power semiconductor module and power conversion device | |
JP5899947B2 (ja) | パワー半導体モジュールおよび電力変換装置 | |
JP2018113828A (ja) | 電力変換装置、及びその製造方法 | |
JP2014175433A (ja) | パワーモジュール及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP2014175432A (ja) | パワーモジュール及びそれを用いた電力変換装置 | |
CN112204733A (zh) | 半导体模块以及电力变换装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170202 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180710 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180718 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6373702 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |