JP2017191835A - 電子回路モジュール及びその製造方法 - Google Patents

電子回路モジュール及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017191835A
JP2017191835A JP2016079765A JP2016079765A JP2017191835A JP 2017191835 A JP2017191835 A JP 2017191835A JP 2016079765 A JP2016079765 A JP 2016079765A JP 2016079765 A JP2016079765 A JP 2016079765A JP 2017191835 A JP2017191835 A JP 2017191835A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic circuit
circuit module
mold resin
metal shield
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016079765A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6728917B2 (ja
Inventor
義弘 鈴木
Yoshihiro Suzuki
義弘 鈴木
友英 横澤
Tomohide Yokozawa
友英 横澤
道隆 岡崎
Michitaka Okazaki
道隆 岡崎
琢朗 青木
Takuro Aoki
琢朗 青木
勝俣　正史
Masashi Katsumata
正史 勝俣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2016079765A priority Critical patent/JP6728917B2/ja
Priority to US15/479,033 priority patent/US10225923B2/en
Priority to KR1020170045211A priority patent/KR101940904B1/ko
Priority to TW106112023A priority patent/TWI636711B/zh
Priority to CN201710236573.8A priority patent/CN107424981B/zh
Publication of JP2017191835A publication Critical patent/JP2017191835A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6728917B2 publication Critical patent/JP6728917B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/071—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298—Multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07—Electric details
    • H05K2201/0707—Shielding
    • H05K2201/0715—Shielding provided by an outer layer of PCB
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10371—Shields or metal cases
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】モールド樹脂の上面に形成された金属シールドを容易に且つ確実に電源パターンに接続する。【解決手段】電源パターン２４を有する基板２０と、基板２０の表面２１に搭載された電子部品３２と、電子部品３２を埋め込むよう、基板２０の表面２１を覆うモールド樹脂４０と、モールド樹脂４０を覆う金属シールド５０と、モールド樹脂４０を貫通して設けられ、金属シールド５０と電源パターン２４とを接続する貫通導体６０とを備える。本発明によれば、モールド樹脂４０を貫通する貫通導体６０を介して金属シールド５０と電源パターン２４が接続されることから、電子回路モジュールの側面に接続用の金属導体を形成する必要がなく、製造が容易となる。しかも、貫通導体６０によって金属シールド５０が確実に電源パターン２４に接続されるため、接続信頼性についても大幅に高められる。【選択図】図５

Description

本発明は電子回路モジュール及びその製造方法に関し、特に、モールド樹脂の上面が金属シールドで覆われた電子回路モジュール及びその製造方法に関する。
近年、スマートフォンなどの電子機器には、多数の電子部品がモジュール化された電子回路モジュールが広く用いられている。電子回路モジュールは、動作時に電磁ノイズを放射したり、外来ノイズの影響を受けたりすることがあることから、これを抑制するためにモールド樹脂の表面が金属シールドによって覆われることがある（特許文献１参照）。
金属シールドを正しく電磁シールドとして機能させるためには、金属シールドをグランドなどの電源パターンに接続する必要がある。このため、従来の電子回路モジュールにおいては、電子回路モジュールの上面及び側面を金属シールドで覆い、側面に形成された金属シールドを電源パターンに接続することによって金属シールド全体を接地していた。
特開２０１０−２２５７５２号公報
しかしながら、電子回路モジュールの側面に金属シールドを形成することは必ずしも容易ではなく、製造コストが増加する原因になるという問題があった。しかも、側面の金属シールドと電源パターンとの接続は、基板の側面に露出した薄いグランド配線を金属シールドで覆うことによって達成されるため、接続信頼性が不十分となるおそれもあった。
したがって、本発明は、モールド樹脂の上面に形成された金属シールドを容易に且つ確実に電源パターンに接続することが可能な電子回路モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明による電子回路モジュールは、電源パターンを有する基板と、前記基板の表面に搭載された電子部品と、前記電子部品を埋め込むよう、前記基板の前記表面を覆うモールド樹脂と、前記モールド樹脂を覆う金属シールドと、前記モールド樹脂を貫通して設けられ、前記金属シールドと前記電源パターンとを接続する貫通導体と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、モールド樹脂を貫通する貫通導体を介して金属シールドと電源パターンが接続されることから、電子回路モジュールの側面に接続用の金属導体を形成する必要がなく、製造が容易となる。しかも、貫通導体によって金属シールドが確実に電源パターンに接続されるため、接続信頼性についても大幅に高められる。
本発明において、前記貫通導体は、平面視で前記電子部品を囲むよう、複数個設けられていることが好ましい。これによれば、電子部品から放射される電磁ノイズや、電子部品に入射される外来ノイズを遮蔽することが可能となる。
本発明において、前記貫通導体は、前記モールド樹脂の側面に露出していることが好ましい。これによれば、側面に露出する貫通導体が側面の電磁シールドとして機能することになる。また、集合基板から複数の電子回路モジュールを多数個取りする場合において、１つの貫通導体が２つ以上の電子回路モジュールに共有されることになるので、電子回路モジュールの平面サイズを小型化することも可能となる。
本発明において、前記金属シールドは、前記モールド樹脂の上面の全面を覆っていても構わない。これによれば、上面側における電磁シールド効果を高めることが可能となる。或いは、前記金属シールドには、前記モールド樹脂の上面を露出させる開口部が設けられていても構わない。これによれば、モールド樹脂に含まれる水分がリフロー時に開口部を介して放出されるので、製品の信頼性を高めることが可能となる。
本発明において、前記金属シールドは、前記電子部品を覆う位置に選択的に設けられていても構わない。これによれば、電磁シールドが不要な箇所が低背化されるとともに、金属シールドと他の電子部品とのショートも発生しにくくなる。
本発明による電子回路モジュールは、前記モールド樹脂を覆って設けられ、前記金属シールドとは絶縁分離された金属導体と、前記モールド樹脂を貫通して設けられ、前記金属導体に接続された別の貫通導体と、をさらに備えていても構わない。これによれば、金属シールドと金属導体に異なる電位を与えることができるので、例えば金属導体をアンテナの放射導体として利用することも可能となる。
本発明において、前記電源パターンは前記基板の前記表面に設けられており、前記貫通導体の底部は前記電源パターンの上面と接していることが好ましい。これによれば、貫通孔が基板を貫通しないことから、貫通導体６０の存在によって基板の裏面の利用可能面積が減少することがない。
本発明において、前記金属シールドは、前記モールド樹脂側の表面が粗面化されていることが好ましい。これによれば、金属シールドとモールド樹脂との密着性を高めることが可能となる。
本発明による電子回路モジュールは、前記基板に埋め込まれた半導体チップをさらに備えることが好ましい。これによれば、より高機能な電子回路モジュールを提供することが可能となる。
本発明による電子回路モジュールの製造方法は、電源パターンを有する集合基板の表面に電子部品を搭載する第１の工程と、前記電子部品を埋め込むよう、前記集合基板の前記表面をモールド樹脂で覆うとともに、前記モールド樹脂の上面を金属シールドで覆う第２の工程と、前記モールド樹脂に貫通孔を形成することにより前記電源パターンを露出させる第３の工程と、前記貫通孔の内部に貫通導体を形成することにより、前記金属シールドと前記電源パターンとを接続する第４の工程と、前記集合基板を切断することにより、電子回路モジュールを個片化する第５の工程と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、モールド樹脂を貫通する貫通導体によって金属シールドと電源パターンが接続されることから、電子回路モジュールの側面に接続用の金属導体を形成する必要がなく、製造が容易となる。しかも、貫通導体によって金属シールドが確実に電源パターンに接続されるため、接続信頼性についても大幅に高められる。
本発明において、前記第２の工程は、金型の空洞部に樹脂と金属箔を導入することによって、前記モールド樹脂と前記金属シールドを同時に形成することが好ましい。これによれば、金属シールドを別途形成する必要が無くなるため、製造工程数を削減することが可能となる。
この場合、前記金属箔は、前記樹脂と接する側の表面が粗面化されていることが好ましい。これによれば、粗面化された金属箔の表面形状がモールド樹脂の表面に転写されるため、高い密着性を確保することが可能となる。
さらにこの場合、前記第２の工程を行った後、前記第４の工程を行う前に、前記金属シールドを一旦除去する工程をさらに備え、前記第４の工程においては、メッキ加工を行うことにより、前記貫通孔の内部に前記貫通導体を形成すると同時に、前記モールド樹脂の前記上面に再び金属シールドを形成することが好ましい。これによれば、金属シールドに所定の開口部を形成する場合であっても、金属シールドをパターニングする工程が不要となる。例えば、前記第４の工程において、前記モールド樹脂の前記上面の一部に前記金属シールドが形成されないよう、選択的にメッキ加工を行えば、金属シールドをパターニングすることなく、金属シールドに所定の開口部を形成することが可能となる。
本発明による電子回路モジュールの製造方法は、前記金属シールドの一部を除去することにより、前記モールド樹脂の前記上面の一部を露出させる工程をさらに備えても構わない。これによれば、モールド樹脂に含まれる水分がリフロー時に開口部を介して放出されるので、製品の信頼性を高めることが可能となる。
本発明において、前記電源パターンは前記集合基板の前記表面に形成されており、前記第３の工程においては前記電源パターンの上面を露出させることが好ましい。これによれば、貫通孔が基板に達しないことから、基板の裏面の利用可能面積が減少することがない。
前記第５の工程においては、前記貫通孔を分断する位置で前記集合基板を切断することが好ましい。これによれば、１つの貫通導体が２つ以上の電子回路モジュールに共有されることになるため、電子回路モジュールの平面サイズを小型化することが可能となる。
このように、本発明によれば、モールド樹脂の上面に形成された金属シールドを容易に且つ確実に電源パターンに接続することが可能となる。
図１は、本発明の第１の実施形態による電子回路モジュール１１の外観を示す略斜視図である。 図２は、電子回路モジュール１１の上面図である。 図３は、電子回路モジュール１１の底面図である。 図４は、電子回路モジュール１１の側面図である。 図５は図２に示すＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図６は、図５に示す領域Ｂの拡大図である。 図７は、電子回路モジュール１１の製造方法を説明するための工程図である。 図８は、電子回路モジュール１１の製造方法を説明するための工程図である。 図９は、電子回路モジュール１１の製造方法を説明するための工程図である。 図１０は、電子回路モジュール１１の製造方法を説明するための工程図である。 図１１は、電子回路モジュール１１の製造方法を説明するための工程図である。 図１２は、電子回路モジュール１１の製造方法を説明するための工程図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態による電子回路モジュール１２の外観を示す略斜視図である。 図１４は、電子回路モジュール１２の断面図である。 図１５は、電子回路モジュール１２の製造方法を説明するための工程図である。 図１６は、電子回路モジュール１２の製造方法を説明するための工程図である。 図１７は、電子回路モジュール１２の製造方法を説明するための工程図である。 図１８は、本発明の第３の実施形態による電子回路モジュール１３の外観を示す略斜視図である。 図１９は、電子回路モジュール１３の断面図である。 図２０は、本発明の第４の実施形態による電子回路モジュール１４の外観を示す略斜視図である。 図２１は、電子回路モジュール１４の断面図である。 図２２は、本発明の第５の実施形態による電子回路モジュール１５の外観を示す略斜視図である。 図２３は、電子回路モジュール１５の断面図である。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態による電子回路モジュール１１の外観を示す略斜視図である。また、図２〜図４はそれぞれ電子回路モジュール１１の上面図、底面図及び側面図であり、図５は図２に示すＡ−Ａ線に沿った断面図である。
図１〜図５に示すように、本実施形態による電子回路モジュール１１は、半導体チップ３１が埋め込まれた基板２０と、基板２０に搭載された複数の電子部品３２と、電子部品３２を埋め込むよう基板２０の表面を覆うモールド樹脂４０と、モールド樹脂４０の上面を覆う金属シールド５０とを備えている。特に限定されるものではないが、電子回路モジュール１１のｘ方向における長さは約６ｍｍ、ｙ方向における幅は約３ｍｍ、ｚ方向における高さは約１ｍｍである。
基板２０は、内部に半導体チップ３１が埋め込まれた多層回路基板であり、その表面２１には複数のランドパターン２３及び複数の電源パターン２４が形成されている。本発明において、基板２０に半導体チップ３１が埋め込まれていることは必須でないが、半導体チップ３１を内蔵することにより高機能な電子回路モジュールを提供することが可能となる。例えば、本実施形態による電子回路モジュール１１が電源制御モジュールであれば、半導体チップ３１として電源コントローラを用いればよい。半導体チップ３１は、厚みが１００μｍ以下に薄型化されたものを用いることが好ましい。
ランドパターン２３は、電子部品３２と接続するための内部電極であり、両者は図示しないはんだを介して電気的且つ機械的に接続される。電子部品３２としては、例えばキャパシタやコイルなどの受動部品が挙げられる。ランドパターン２３は、基板２０に形成された図示しない内部配線を介して、半導体チップ３１にも接続される。電源パターン２４は、平面視で（ｚ方向から見て）基板２０の外周部に設けられており、後述する貫通導体６０に接続される。電源パターン２４は、典型的には、接地電位が与えられるグランドパターンであるが、固定電位が与えられるパターンであればグランドパターンに限定されるものではない。
基板２０の裏面２２には、複数の外部端子２５，２６が設けられている。外部端子２５は例えば信号の入出力端子であり、図３に示すように、基板２０の裏面２２の中央部に配列されている。一方、外部端子２６は例えばグランド端子であり、図３に示すように、外部端子２５を取り囲むよう、基板２０の裏面２２の外周部に配列されている。実使用時においては、電子回路モジュール１１が図示しないマザーボードなどに実装され、マザーボード上の端子電極と電子回路モジュール１１の外部端子２５，２６とが電気的に接続される。
モールド樹脂４０は、電子部品３２を埋め込むよう基板２０の表面２１を覆って設けられている。本実施形態においては、平面視で電子回路モジュール１１の外周部に沿ってモールド樹脂４０に複数の貫通孔４１が設けられており、その底部には電源パターン２４が露出している。後述するように、貫通孔４１は２つの電子回路モジュール１１に共有されるため、最終製品においては貫通孔４１の内壁は閉じておらず、電子回路モジュール１１の側面に開放されている。したがって、本発明において「貫通孔」とは閉じた内壁を持つ筒状体に限定されるものではなく、モールド樹脂４０がｚ方向に削除されることによって、モールド樹脂４０の上面と下面を繋ぐ切り欠きであれば足りる。
貫通孔４１の内壁には貫通導体６０が形成される。これにより、貫通導体６０の底部は電源パターン２４の上面と接し、両者は電気的に接続されることになる。また、本実施形態においては、モールド樹脂４０の貫通孔４１が側面に開放されていることから、貫通導体６０もモールド樹脂４０の側面に露出することになる。図１及び図２に示すように、貫通導体６０は電子回路モジュール１１の側面に所定の間隔で配列されており、これにより側面方向における電磁シールドとして機能する。貫通導体６０の配列ピッチは、本実施形態による電子回路モジュール１１が取り扱う信号又は電源の周波数に応じて決定すればよい。つまり、電子回路モジュール１１が取り扱う信号又は電源の周波数に応じた電磁ノイズを遮蔽可能なピッチで貫通導体６０を配列すればよい。
モールド樹脂４０の上面は、銅などからなる金属シールド５０で覆われている。金属シールド５０は、複数の貫通導体６０を介して電源パターン２４に接続されることから固定電位（例えばグランド電位）が与えられ、これにより上面方向における電磁シールドとして機能する。本実施形態においては、モールド樹脂４０の上面の全面が金属シールド５０で覆われており、これによりシールド効果が高められている。
このように、本実施形態による電子回路モジュール１１は、上面方向については金属シールド５０が電磁シールドとして機能し、側面方向については複数の貫通導体６０が電磁シールドとして機能することから、モールド樹脂４０の全体が金属のシールドケースに覆われた場合と同じ状態を得ることができる。これにより、放射ノイズ及び外来ノイズを効果的に遮蔽することが可能となる。しかも、貫通導体６０は、基板２０の表面２１に形成された電源パターン２４に接続されていることから、基板２０の側面部分で接続を図る場合とは異なり、接続不良などが生じる可能性がほとんどない。
図６は、図５に示す領域Ｂの拡大図である。図６に示すように、本実施形態においては金属シールド５０の下面５１と上面５２の表面性が相違している。具体的には、金属シールド５０の上面５２は比較的平坦な表面性を有しているのに対し、モールド樹脂４０と接する下面５１は粗面化されている。そして、粗面化された下面５１の表面性がモールド樹脂４０の上面に転写されており、これによって両者の密着性が高められている。このような構造は、後述する製造方法に起因するものである。
次に、本実施形態による電子回路モジュール１１の製造方法について説明する。
図７〜図１２は、本実施形態による電子回路モジュール１１の製造方法を説明するための工程図である。
まず、図７に示すように、複数の半導体チップ３１が埋め込まれた集合基板２０Ａを用意する。集合基板２０Ａの表面２１には、ランドパターン２３及び電源パターン２４が形成されている。また、集合基板２０Ａの裏面２２には、外部端子２５，２６が形成されている。なお、図７に示す破線Ｃは、その後のダイシング工程において切断されるべき部分を指している。図７に示すように、集合基板２０Ａの表面２１に形成された電源パターン２４は、平面視で破線Ｃと重なる位置に設けられている。
次に、図８に示すように、ランドパターン２３に接続されるよう、集合基板２０Ａの表面２１に複数の電子部品３２を搭載する。具体的には、ランドパターン２３上にはんだを供給した後、電子部品３２を搭載し、リフローを行うことによって電子部品３２をランドパターン２３に接続すればよい。
次に、図９に示すように、電子部品３２を埋め込むよう、集合基板２０Ａの表面２１をモールド樹脂４０で覆うとともに、モールド樹脂４０の上面を金属シールド５０で覆う。具体的には、図示しない金型の空洞部に樹脂と金属箔を導入し、この状態でモールド成形することにより、モールド樹脂４０と金属シールド５０を同時に形成することが好ましい。この方法によれば、金属シールド５０を別途形成する必要がないことから、製造工程数を削減することができる。
この場合、使用する金属箔は、樹脂と接する側の表面が粗面化されていることが好ましい。これによれば、軟化した樹脂に金属箔の表面性が転写されることから、図６を用いて説明したように、高い密着性を得ることができる。しかも、モールド樹脂４０を粗面化するための専用の工程も不要である。但し、本発明においてモールド樹脂４０と金属シールド５０を同時に形成することは必須でなく、モールド樹脂４０を形成した後、その上面に金属シールド５０を別途形成しても構わない。
次に、図１０に示すように、モールド樹脂４０に貫通孔４１を形成することによって電源パターン２４を露出させる。貫通孔４１の形成方法については特に限定されないが、レーザー加工やドリル加工を用いることができる。レーザー加工を用いる場合は、貫通孔４１を形成すべき位置の金属シールド５０を除去することによってモールド樹脂４０の上面を露出させ、この部分にレーザービームを照射することによって貫通孔４１を形成すればよい。レーザー加工においては、電源パターン２４がストッパとして機能することから、制御性に優れるという利点がある。一方、ドリル加工を用いる場合は、ドリルの先端が電源パターン２４に接した時点でドリルの降下を停止させればよい。ドリル加工は、短時間で多くの貫通孔４１を形成できるという利点を有している。
次に、図１１に示すように、メッキ加工を行うことによって貫通孔４１の内部に貫通導体６０を形成する。この時、金属シールド５０の上面にもメッキが成膜される。上述の通り、貫通孔４１の底部には電源パターン２４が露出していることから、貫通導体６０は、電源パターン２４と金属シールド５０を電気的に接続することになる。但し、貫通導体６０の形成方法はメッキに限定されるものではない。
そして、図１２に示すように、破線Ｃと一致するダイシングラインＤに沿って集合基板２０Ａを切断すれば、個片化された複数の電子回路モジュール１１を取り出すことができる。本実施形態においては、ダイシングラインＤに沿って貫通孔４１が配列されているため、ダイシングラインＤに沿って集合基板２０Ａを切断すると、１つの貫通導体６０が２つに分割され、これらが隣り合う電子回路モジュール１１にそれぞれ属することになる。これにより、モールド樹脂４０の側面が有効に利用されることから、電子回路モジュール１１の平面サイズを小型化することができる。
このように、本実施形態による電子回路モジュール１１の製造方法によれば、集合基板２０Ａを切断することによって電子回路モジュール１１を個片化すれば、主要な工程は全て完了しており、その後、切断面である側面に対して導体の形成などの追加工程を行う必要がない。このため、側面に接続用の導体を形成する従来の方法と比べ、製造工程を簡素化することが可能となる。
以上説明したように、本実施形態による電子回路モジュール１１は、モールド樹脂４０をｚ方向に貫通して設けられた貫通導体６０を介して、電源パターン２４と金属シールド５０が接続されていることから、両者の接続信頼性が高められるとともに、ダイシングによる切断面に対して導体を形成する必要がないことから、製造工程を簡素化することができる。
しかも、本実施形態においては、複数の貫通導体６０によってモールド樹脂４０の側面が囲まれていることから、モールド樹脂４０に覆われた全ての電子部品３２に対して電磁シールドを施すことが可能となる。さらに、本実施形態においては、貫通孔４１が基板２０を貫通するものではないため、基板２０の裏面２２を効率的に利用することが可能となる。
＜第２の実施形態＞
図１３は、本発明の第２の実施形態による電子回路モジュール１２の外観を示す略斜視図である。また、図１４は電子回路モジュール１２の断面図である。
図１３及び図１４に示すように、本実施形態による電子回路モジュール１２は、金属シールド５０に複数の開口部５３が形成されている点において、第１の実施形態による電子回路モジュール１１と相違している。その他の構成については、第１の実施形態による電子回路モジュール１１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
金属シールド５０に設けられた開口部５３は、ｘ方向及びｙ方向に規則的に配列されており、この部分においてモールド樹脂４０の上面が露出している。これにより、モールド樹脂４０に含まれる水分が開口部５３から外部に放出されることから、リフロー時における水分の膨張による信頼性の低下を防止することが可能となる。開口部５３の数、大きさ、配列方法については特に限定されず、金属シールド５０による電磁シールド効果を損なわないよう、対象とする周波数帯域を考慮して任意に設計すればよい。例えば、シールドすべき周波数帯域に応じて、開口部５３の数、大きさ、ピッチをエリア毎に最適化しても構わないし、開口部５３の形状及びレイアウトによって製品の品番やロット番号を示す二次元コードを構成することも可能である。図１３に示す例では、左下角部に位置する開口部５３のサイズを１つだけ大きくすることにより、これを方向性マークとして利用している。
図１５は、本実施形態による電子回路モジュール１２の製造方法の一例を説明するための工程図である。本例では、図７〜図１２を用いて説明した各工程を完了した後、図１５に示すように、金属シールド５０をパターニングして開口部５３を形成することにより、モールド樹脂４０の上面の一部を露出させる。金属シールド５０のパターニングは、フォトリソグラフィー法によって行うことができる。これにより、任意の数、位置、形状を持った開口部５３を形成することができる。
図１６及び図１７は、本実施形態による電子回路モジュール１２の製造方法の別の例を説明するための工程図である。本例では、図７〜図９を用いて説明した各工程を完了した後、図１６に示すように、金属シールド５０を一旦全て除去する。金属シールド５０の除去方法としては、例えば酸を用いたウェットエッチングなどを用いることができる。これにより、金属シールド５０は一旦全て無くなるが、金属シールド５０の粗面化された下面５１の表面性がモールド樹脂４０の上面に転写されていることから、モールド樹脂４０の上面は極めて高密度に粗面化された状態となる。
次に、モールド樹脂４０に貫通孔４１を形成することによって電源パターン２４を露出させる。本工程は、図１０を用いて説明した通りであり、レーザー加工やドリル加工を用いることができる。尚、上記の工程とは逆に、先に貫通孔４１を形成し、その後、金属シールド５０を除去しても構わない。
次に、図１７に示すように、開口部５３を形成すべき箇所にマスク５４を形成した状態でメッキ加工を行う。これにより、貫通孔４１の内部に貫通導体６０が形成されると同時に、モールド樹脂４０の上面に再び金属シールド５０ａが形成される。この方法によれば、マスク５４によって選択的にメッキ加工されるため、その後、金属シールド５０ａをパターニングする工程を省略することが可能となる。しかも、再び形成された金属シールド５０ａは、高密度に粗面化されたモールド樹脂４０の上面に形成されるため、最初に形成した金属シールド５０と同様、モールド樹脂４０に対して極めて高い密着性を得ることができる。
＜第３の実施形態＞
図１８は、本発明の第３の実施形態による電子回路モジュール１３の外観を示す略斜視図である。また、図１９は電子回路モジュール１３の断面図である。
図１８及び図１９に示すように、本実施形態による電子回路モジュール１３は、貫通導体６０がモールド樹脂４０の側面に露出しておらず、平面視で所定の領域Ｅを囲むように複数個設けられている点において、第２の実施形態による電子回路モジュール１２と相違している。その他の構成については、第２の実施形態による電子回路モジュール１２と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
本実施形態においては所定の領域Ｅが平面視で基板２０の略中央部に位置している。この領域Ｅは、ノイズ源となる、或いは、外来ノイズの影響を強く受ける電子部品３２ａが搭載された領域である。そして、平面視で電子部品３２ａが複数の貫通導体６０によって取り囲まれるとともに、電子部品３２ａの上方が金属シールド５０によって覆われることから、ノイズ源となる、或いは、外来ノイズの影響を強く受ける電子部品３２ａを正しくシールドすることが可能となる。別の電子部品３２ｂは領域Ｅの外部に位置しており、したがって、貫通導体６０によって取り囲まれていない。
このように、本発明においては、全ての電子部品３２ａ，３２ｂを貫通導体６０によって取り囲むことは必須ではなく、シールドすべき特定の電子部品３２ａだけを貫通導体６０によって取り囲んでも構わない。また、本発明においては、貫通導体６０がモールド樹脂４０の側面に露出していることも必須でない。本実施形態のように、貫通導体６０がモールド樹脂４０の側面に露出しない構造の場合、ダイシング工程において貫通導体６０を切断する必要がないことから、ダイシング条件が緩和されるという利点もある。
また、図１８に示す例では、領域Ｅにおいては金属シールド５０に開口部５３が設けられておらず、これによりシールド効果が高められている。一方、領域Ｅの外部においては金属シールド５０に複数の開口部５３が設けられており、これによってリフロー時における水分の放出が促進される。
＜第４の実施形態＞
図２０は、本発明の第４の実施形態による電子回路モジュール１４の外観を示す略斜視図である。また、図２１は電子回路モジュール１４の断面図である。
図２０及び図２１に示すように、本実施形態による電子回路モジュール１４は、金属シールド５０が領域Ｅに選択的に設けられている点において、第３の実施形態による電子回路モジュール１３と相違している。その他の構成については、第３の実施形態による電子回路モジュール１３と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
本実施形態においては、平面視で領域Ｅの外部に位置する領域Ｆは電磁シールドが不要な領域であり、この領域Ｆにおいて金属シールド５０が削除されている。このように、金属シールド５０がモールド樹脂４０の上面の全領域に形成されていることは必須でなく、シールドすべき特定の電子部品３２ａを覆う位置に選択的に設けられていても構わない。この場合、領域Ｆにおける電子回路モジュール１４の高さを低背化することができるとともに、金属シールド５０と他の電子部品とのショートも発生しにくくなる。また、ダイシング工程において金属シールド５０及び貫通導体６０を切断する必要がないことから、ダイシング条件がより緩和されるという利点も有する。さらに、領域Ｆにおいてはモールド樹脂４０の上面が完全に露出していることから、モールド樹脂４０に含まれる水分がリフロー時に容易に外部に放出される。
＜第５の実施形態＞
図２２は、本発明の第５の実施形態による電子回路モジュール１５の外観を示す略斜視図である。また、図２３は電子回路モジュール１５の断面図である。
図２２及び図２３に示すように、本実施形態による電子回路モジュール１５は、モールド樹脂４０の上面のうち、領域Ｇには金属シールド５０が設けられ、別の領域Ｈには金属シールド５０とは絶縁分離された金属導体５５が設けられている。金属導体５５は、別の貫通導体６１を介して配線パターン２７に接続されている。その他の構成については、第１の実施形態による電子回路モジュール１１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
金属導体５５は、例えばアンテナの放射導体である。この場合、配線パターン２７及び貫通導体６１は、図示しないアンテナ回路に接続された給電パターンを構成する。このような構成は、金属シールド５０の一部をパターニングすることによって得ることができる。このように、モールド樹脂４０の上面に設けられた金属シールド５０の一部を電気的に分離し、これをアンテナの放射導体など別の用途に利用しても構わない。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
例えば、上述した各実施形態による電子回路モジュールは、いずれも複数の貫通導体６０を備えているが、本発明においてこの点は必須でなく、側面方向のシールド効果が不要であれば、単一の貫通導体６０を用いて金属シールド５０と電源パターン２４を電気的に接続しても構わない。
１１〜１５ 電子回路モジュール
２０ 基板
２０Ａ 集合基板
２１ 基板の表面
２２ 基板の裏面
２３ ランドパターン
２４ 電源パターン
２５，２６ 外部端子
２７ 配線パターン
３１ 半導体チップ
３２，３２ａ，３２ｂ 電子部品
４０ モールド樹脂
４１ 貫通孔
５０，５０ａ 金属シールド
５１ 金属シールドの下面
５２ 金属シールドの上面
５３ 開口部
５４ マスク
５５ 金属導体
６０，６１ 貫通導体

Claims (18)

  1. 電源パターンを有する基板と、
    前記基板の表面に搭載された電子部品と、
    前記電子部品を埋め込むよう、前記基板の前記表面を覆うモールド樹脂と、
    前記モールド樹脂を覆う金属シールドと、
    前記モールド樹脂を貫通して設けられ、前記金属シールドと前記電源パターンとを接続する貫通導体と、を備えることを特徴とする電子回路モジュール。
  2. 前記貫通導体は、平面視で前記電子部品を囲むよう、複数個設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電子回路モジュール。
  3. 前記貫通導体は、前記モールド樹脂の側面に露出していることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子回路モジュール。
  4. 前記金属シールドは、前記モールド樹脂の上面の全面を覆っていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子回路モジュール。
  5. 前記金属シールドには、前記モールド樹脂の上面を露出させる開口部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子回路モジュール。
  6. 前記金属シールドは、前記電子部品を覆う位置に選択的に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の電子回路モジュール。
  7. 前記モールド樹脂を覆って設けられ、前記金属シールドとは絶縁分離された金属導体と、
    前記モールド樹脂を貫通して設けられ、前記金属導体に接続された別の貫通導体と、をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子回路モジュール。
  8. 前記電源パターンは前記基板の前記表面に設けられており、前記貫通導体の底部は前記電源パターンの上面と接していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子回路モジュール。
  9. 前記金属シールドは、前記モールド樹脂側の表面が粗面化されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電子回路モジュール。
  10. 前記基板に埋め込まれた半導体チップをさらに備えることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電子回路モジュール。
  11. 電源パターンを有する集合基板の表面に電子部品を搭載する第１の工程と、
    前記電子部品を埋め込むよう、前記集合基板の前記表面をモールド樹脂で覆うとともに、前記モールド樹脂の上面を金属シールドで覆う第２の工程と、
    前記モールド樹脂に貫通孔を形成することにより前記電源パターンを露出させる第３の工程と、
    前記貫通孔の内部に貫通導体を形成することにより、前記金属シールドと前記電源パターンとを接続する第４の工程と、
    前記集合基板を切断することにより、電子回路モジュールを個片化する第５の工程と、を備えることを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
  12. 前記第２の工程は、金型の空洞部に樹脂と金属箔を導入することによって、前記モールド樹脂と前記金属シールドを同時に形成することを特徴とする請求項１１に記載の電子回路モジュールの製造方法。
  13. 前記金属箔は、前記樹脂と接する側の表面が粗面化されていることを特徴とする請求項１２に記載の電子回路モジュールの製造方法。
  14. 前記第２の工程を行った後、前記第４の工程を行う前に、前記金属シールドを一旦除去する工程をさらに備え、
    前記第４の工程においては、メッキ加工を行うことにより、前記貫通孔の内部に前記貫通導体を形成すると同時に、前記モールド樹脂の前記上面に再び金属シールドを形成することを特徴とする請求項１３に記載の電子回路モジュールの製造方法。
  15. 前記第４の工程においては、前記モールド樹脂の前記上面の一部に前記金属シールドが形成されないよう、選択的にメッキ加工を行うことを特徴とする請求項１４に記載の電子回路モジュールの製造方法。
  16. 前記金属シールドの一部を除去することにより、前記モールド樹脂の前記上面の一部を露出させる工程をさらに備えることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の電子回路モジュールの製造方法。
  17. 前記電源パターンは前記集合基板の前記表面に形成されており、前記第３の工程においては前記電源パターンの上面を露出させることを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか一項に記載の電子回路モジュールの製造方法。
  18. 前記第５の工程においては、前記貫通孔を分断する位置で前記集合基板を切断することを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか一項に記載の電子回路モジュールの製造方法。
JP2016079765A 2016-04-12 2016-04-12 電子回路モジュールの製造方法 Active JP6728917B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016079765A JP6728917B2 (ja) 2016-04-12 2016-04-12 電子回路モジュールの製造方法
US15/479,033 US10225923B2 (en) 2016-04-12 2017-04-04 Electronic circuit module and manufacturing method of the same
KR1020170045211A KR101940904B1 (ko) 2016-04-12 2017-04-07 전자회로 모듈 및 그 제조방법
TW106112023A TWI636711B (zh) 2016-04-12 2017-04-11 電子電路模組及其製造方法
CN201710236573.8A CN107424981B (zh) 2016-04-12 2017-04-12 电子电路模块以及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016079765A JP6728917B2 (ja) 2016-04-12 2016-04-12 電子回路モジュールの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017191835A true JP2017191835A (ja) 2017-10-19
JP6728917B2 JP6728917B2 (ja) 2020-07-22

Family

ID=59998574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016079765A Active JP6728917B2 (ja) 2016-04-12 2016-04-12 電子回路モジュールの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10225923B2 (ja)
JP (1) JP6728917B2 (ja)
KR (1) KR101940904B1 (ja)
CN (1) CN107424981B (ja)
TW (1) TWI636711B (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019117866A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 株式会社村田製作所 モジュール
JP2019149466A (ja) * 2018-02-27 2019-09-05 Tdk株式会社 回路モジュール
JP2019195034A (ja) * 2018-05-04 2019-11-07 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド ファン−アウト半導体パッケージ
WO2021054332A1 (ja) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社村田製作所 モジュール
WO2021085378A1 (ja) * 2019-10-29 2021-05-06 京セラ株式会社 蓋体、電子部品収納用パッケージ及び電子装置
JP2021145124A (ja) * 2020-03-10 2021-09-24 日月光半導体製造股▲ふん▼有限公司 埋め込まれた半導体デバイスを含む基板構造およびその製造方法
WO2021234969A1 (ja) * 2020-05-22 2021-11-25 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
JP2021535606A (ja) * 2018-09-04 2021-12-16 中芯集成電路（寧波）有限公司 ウェハレベルシステムパッケージング方法及びパッケージング構造
JP2022120812A (ja) * 2021-02-05 2022-08-18 珠海越亜半導体股▲分▼有限公司 アンテナを備えたパッケージング構造及びその製作方法
US11587881B2 (en) 2020-03-09 2023-02-21 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Substrate structure including embedded semiconductor device

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102063469B1 (ko) * 2018-05-04 2020-01-09 삼성전자주식회사 팬-아웃 반도체 패키지
KR20200001102A (ko) * 2018-06-26 2020-01-06 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법
CN110958758A (zh) * 2018-09-26 2020-04-03 奥特斯(中国)有限公司 部件承载件及板件
KR102639441B1 (ko) * 2018-11-09 2024-02-22 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이에 이용되는 전자파 차폐 구조물
CN109561570B (zh) 2018-11-21 2020-12-18 奥特斯(中国)有限公司 部件承载件及其制造方法以及使用填料颗粒的方法
US11277917B2 (en) 2019-03-12 2022-03-15 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component package structure, embedded type panel substrate and manufacturing method thereof
CN109920779B (zh) * 2019-03-19 2020-11-24 吴静雯 一种封装产品电磁屏蔽层的制备方法及封装产品
US11296030B2 (en) 2019-04-29 2022-04-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component package structure and manufacturing method thereof
US10950551B2 (en) 2019-04-29 2021-03-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component package structure and manufacturing method thereof
CN110213952A (zh) * 2019-05-28 2019-09-06 青岛歌尔微电子研究院有限公司 一种电磁屏蔽结构及其制造方法及电子设备
CN110299346B (zh) * 2019-06-24 2021-07-13 通富微电子股份有限公司 一种电磁屏蔽封装器件及其制造方法
KR20220000087A (ko) * 2020-06-25 2022-01-03 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈
CN115000050B (zh) * 2022-08-08 2022-11-04 江苏长晶浦联功率半导体有限公司 一种电磁屏蔽封装结构及制作方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005078796A1 (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品及びその製造方法
US20100109132A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
JP2013038162A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2013058513A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Sharp Corp 高周波モジュールおよびその製造方法
CN104022106A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 日月光半导体制造股份有限公司 具有波导管天线的半导体封装件及其制造方法
JP2014179821A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Murata Mfg Co Ltd アンテナ一体型モジュールの製造方法およびアンテナ一体型モジュール
JP2015035572A (ja) * 2013-07-10 2015-02-19 太陽誘電株式会社 回路モジュール及びその製造方法
JP2015053298A (ja) * 2013-08-07 2015-03-19 太陽誘電株式会社 回路モジュール
WO2015119151A1 (ja) * 2014-02-04 2015-08-13 太陽誘電株式会社 回路モジュール

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100472780C (zh) * 2004-02-13 2009-03-25 株式会社村田制作所 电子零部件及其制造方法
WO2007060784A1 (ja) * 2005-11-28 2007-05-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. 回路モジュールの製造方法および回路モジュール
TWI277185B (en) 2006-01-27 2007-03-21 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package structure
WO2008026247A1 (fr) 2006-08-29 2008-03-06 Nihon Houzai Co., Ltd. Structure de barrière à onde électromagnétique et son procédé de formation
US20090002967A1 (en) 2007-06-29 2009-01-01 Tdk Corporation Electronic module and fabrication method thereof
JP2009033114A (ja) * 2007-06-29 2009-02-12 Tdk Corp 電子モジュール、及び電子モジュールの製造方法
JP5565548B2 (ja) 2009-03-23 2014-08-06 Ｔｄｋ株式会社 樹脂封止型電子部品及びその製造方法
CN102054821B (zh) * 2009-10-30 2013-09-11 日月光半导体制造股份有限公司 具有内屏蔽体的封装结构及其制造方法
US9007273B2 (en) * 2010-09-09 2015-04-14 Advances Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna
JP5480923B2 (ja) 2011-05-13 2014-04-23 シャープ株式会社 半導体モジュールの製造方法及び半導体モジュール
US8786060B2 (en) * 2012-05-04 2014-07-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna
JP5517378B1 (ja) * 2013-08-13 2014-06-11 太陽誘電株式会社 回路モジュール
JP5576543B1 (ja) * 2013-09-12 2014-08-20 太陽誘電株式会社 回路モジュール
KR102143653B1 (ko) * 2013-12-31 2020-08-11 에스케이하이닉스 주식회사 전자기 간섭 차폐부를 갖는 반도체 패키지 및 제조방법
US9826630B2 (en) * 2014-09-04 2017-11-21 Nxp Usa, Inc. Fan-out wafer level packages having preformed embedded ground plane connections and methods for the fabrication thereof
US10259952B2 (en) * 2014-09-30 2019-04-16 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. Conductive coating material for shielding electronic component package and method for producing shielded package
US9461001B1 (en) * 2015-07-22 2016-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package integrated with coil for wireless charging and electromagnetic interference shielding, and method of manufacturing the same
US9721903B2 (en) * 2015-12-21 2017-08-01 Apple Inc. Vertical interconnects for self shielded system in package (SiP) modules

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005078796A1 (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品及びその製造方法
US20100109132A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
JP2013038162A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2013058513A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Sharp Corp 高周波モジュールおよびその製造方法
CN104022106A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 日月光半导体制造股份有限公司 具有波导管天线的半导体封装件及其制造方法
JP2014179821A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Murata Mfg Co Ltd アンテナ一体型モジュールの製造方法およびアンテナ一体型モジュール
JP2015035572A (ja) * 2013-07-10 2015-02-19 太陽誘電株式会社 回路モジュール及びその製造方法
JP2015053298A (ja) * 2013-08-07 2015-03-19 太陽誘電株式会社 回路モジュール
WO2015119151A1 (ja) * 2014-02-04 2015-08-13 太陽誘電株式会社 回路モジュール

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019117866A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 株式会社村田製作所 モジュール
JP7130958B2 (ja) 2017-12-27 2022-09-06 株式会社村田製作所 モジュール
JP2019149466A (ja) * 2018-02-27 2019-09-05 Tdk株式会社 回路モジュール
JP7056226B2 (ja) 2018-02-27 2022-04-19 Tdk株式会社 回路モジュール
JP2019195034A (ja) * 2018-05-04 2019-11-07 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド ファン−アウト半導体パッケージ
TWI712127B (zh) * 2018-05-04 2020-12-01 南韓商三星電子股份有限公司 扇出型半導體封裝
US10923433B2 (en) 2018-05-04 2021-02-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Fan-out semiconductor package
JP2021535606A (ja) * 2018-09-04 2021-12-16 中芯集成電路（寧波）有限公司 ウェハレベルシステムパッケージング方法及びパッケージング構造
JP7102609B2 (ja) 2018-09-04 2022-07-19 中芯集成電路（寧波）有限公司 ウェハレベルシステムパッケージング方法及びパッケージング構造
WO2021054332A1 (ja) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社村田製作所 モジュール
WO2021085378A1 (ja) * 2019-10-29 2021-05-06 京セラ株式会社 蓋体、電子部品収納用パッケージ及び電子装置
JPWO2021085378A1 (ja) * 2019-10-29 2021-05-06
JP7260662B2 (ja) 2019-10-29 2023-04-18 京セラ株式会社 蓋体、電子部品収納用パッケージ及び電子装置
US20220406727A1 (en) * 2019-10-29 2022-12-22 Kyocera Corporation Lid, electronic component-housing package, and electronic device
US11587881B2 (en) 2020-03-09 2023-02-21 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Substrate structure including embedded semiconductor device
JP2021145124A (ja) * 2020-03-10 2021-09-24 日月光半導体製造股▲ふん▼有限公司 埋め込まれた半導体デバイスを含む基板構造およびその製造方法
JP7145926B2 (ja) 2020-03-10 2022-10-03 日月光半導体製造股▲ふん▼有限公司 埋め込まれた半導体デバイスを含む基板構造およびその製造方法
US11335646B2 (en) 2020-03-10 2022-05-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Substrate structure including embedded semiconductor device and method of manufacturing the same
JP7188643B2 (ja) 2020-05-22 2022-12-13 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
JPWO2021234969A1 (ja) * 2020-05-22 2021-11-25
WO2021234969A1 (ja) * 2020-05-22 2021-11-25 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
JP2022120812A (ja) * 2021-02-05 2022-08-18 珠海越亜半導体股▲分▼有限公司 アンテナを備えたパッケージング構造及びその製作方法
JP7316399B2 (ja) 2021-02-05 2023-07-27 珠海越亜半導体股▲分▼有限公司 アンテナを備えたパッケージング構造及びその製作方法
US11984414B2 (en) 2021-02-05 2024-05-14 Zhuhai Access Semiconductor Co., Ltd Packaging structure with antenna and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP6728917B2 (ja) 2020-07-22
CN107424981A (zh) 2017-12-01
US10225923B2 (en) 2019-03-05
CN107424981B (zh) 2022-03-29
TWI636711B (zh) 2018-09-21
KR20170116959A (ko) 2017-10-20
KR101940904B1 (ko) 2019-01-21
TW201742518A (zh) 2017-12-01
US20170295643A1 (en) 2017-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017191835A (ja) 電子回路モジュール及びその製造方法
TWI483375B (zh) 半導體裝置
US7745910B1 (en) Semiconductor device having RF shielding and method therefor
US10356901B2 (en) Manufacturing method of circuit board structure
US9099313B2 (en) Embedded package and method of manufacturing the same
US20120120609A1 (en) Package structure having a semiconductor component embedded therein and method of fabricating the same
JP2015057803A (ja) 回路モジュールの製造方法
US10741502B2 (en) Multilayer circuit board
JP2014183181A (ja) 電子部品モジュール及びその製造方法
JP2011187779A (ja) モジュール
JP6716363B2 (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
TWI532424B (zh) 蓋板結構及其製作方法
JP2010219364A (ja) プリント配線基板の改造方法および改造済プリント配線基板
JP5188289B2 (ja) プリント基板の製造方法
TWI479968B (zh) 線路板製作方法、線路板及晶片封裝結構
TWI485839B (zh) 電子模組以及其製造方法
US20150351247A1 (en) Package board and method for manufacturing the same
TWI462660B (zh) 電路板及其製作方法
TWI580331B (zh) 具有凹槽的多層線路板與其製作方法
JP2009147270A (ja) 配線基板の製造方法、配線基板、および半導体装置
TWI477212B (zh) 軟硬複合線路板及其製造方法
US20220310317A1 (en) Electronic component module
TWI496261B (zh) 電子元件封裝結構及其製作方法
JP2009290043A (ja) 配線基板
KR102207274B1 (ko) 회로기판 및 회로기판 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190110

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190808

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190827

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191023

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200317

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200515

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200602

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200615

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6728917

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250